DE2208481A1 - Elektrolumineszierende Halbleiteranordnung - Google Patents

Elektrolumineszierende Halbleiteranordnung

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DE2208481A1 DE19722208481 DE2208481A DE2208481A1 DE 2208481 A1 DE2208481 A1 DE 2208481A1 DE 19722208481 DE19722208481 DE 19722208481 DE 2208481 A DE2208481 A DE 2208481A DE 2208481 A1 DE2208481 A1 DE 2208481A1
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Description

FPHN.5675, Va/EVH.
Dipl.-lng. ERICH E. WALTHER
Ρ-.. . ;Vir„!t
Anrostta:: M. V. FMiLi:-j· .".L0E.UMPENFA3RIEKEN
Akie: PHN- 5675
Anmeldung vom· 21 . Febr. 1972
Elektrolumineszierende Halbleiteranordnung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrolumineszierende Anordnung, die in einem schützenden und wenigstens teilweise durchsichtigen Gehäuse untergebracht ist, aus dem zwei aus Metall bestehende gegeneinander isolierte Anschlüsse hervorragen.
Es ist bekannt, dass bestimmte in der Vorwärtsrichtung vorgespannte pn-Uebergänge elektrolumineszierend sein können, was auf die Rekombination von Elektron-Loch-Paaren zurückzuführen ist, wobei die Frequenz der elektrolumineszierenden Strahlung, die von der Art des Halbleiterkörpers abhängig ist, in dein Inf-rarotbereich oder in dem Bereich des sichtbaren Lichtes liegt.
Bei einer graphischen Darstellung der Kennlinie
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- 2 - ' FPHN.5675.
des in der Vorwärtsrichtung injizierten Stromes I als Funktion der Vorwärtsspannung Vn wird eine Kurve erhalten, die sich gemäss einer e-Potenz ändert und einen Knick bei einer Schwellwert spannung Y aufweist, die der Grenzwert für das Leuchten oder Nichtleuchten des Uebergangs oder der Diode ist; bei einer Spannung V_ gleich oder grosser als die Spannung Vc emittiert die elektrolumineszierende Diode nämlich Strahlungen,
Es hat sich herausgestellt, dass, wenn eine derartige elektrolumineszierende Diode in der Sperrichtung vorgespannt wird, die Diode keine hohe Spannung aushalten kann und kein Licht emittiert, dass sie aber wohl einen bestimmten Strom liefert, wodurch also eine gewisse Verlustleistung auftritt. Unter diesen Umständen wird das Halbleitermaterial und also die Diode selber schnell beschädigt.
Dadurch kann eine derartige elektrolumineszierende Diode nicht in einer mit Wechselstrom arbeitenden Anordnung
verwendet werden, sogar nicht, wenn eine Strombegrenzung angewandt wird.
Auch ist es.bekannt, dass es bei gewissen logischen Schaltungen erforderlich ist, die Wirkung der verschiedenen Elemente derselben mittels lichtemittierender Anzeiger zu prüfen. Zu diesem Zweck ist es erwünscht, elektrolumineszierende Dioden zu verwenden; meistens ist jedoch die in diesen Schaltungen verfügbare Spannung etwa 5 bis 6 V, während die Spannung, die den erwähnten elektrolumineszierenden Dioden zugeführt werden kann, in der Regel 2 V nicht überschreitet.
Bisher macht diese Anforderung es unmöglich,
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- j - PPHN.5675.
elektrolumineszierende Dioden direkt als lichtemittierende Anzeiger in den erwähnten Schaltungen zu verwenden.
Bekanntlich wird die Anwendung elektrolumineszierender Dioden, die entweder mit Wechselstrom oder mit die Schwellwertspannung der Dioden beträchtlich überschreitenden Spannungen arbeiten, dadurch ermöglicht, dass eine oder mehrere gleichrichtende Dioden in Reihe mit den erwähnten elektrolumineszierenden Dioden und ausserhalb dieser elektrolumineszierend en Dioden angeordnet werden.
Die Anwendung einer Reihe von Dioden in dem Aussenkreis der elektrolumineszierenden Diode hat zur Folge, dass die Anordnung einen grösseren Raum beansprucht, wodurch die Miniaturisierung von Anordnungen, in die notwendigerweise eine elektrolumineszierende Diode eingebaut werden muss, erschwert wird. Andererseits wird dadurch die Möglichkeit vergrössert, dass es fehlerhafte Verdrahtungen und schlechte Lötstellen geben wird.
Die vorliegende Erfindung hat den Zweck, diese Nachteile zu vermeiden.
Nach der Erfindung ist eine elektrolumineszierende Anordnung der in der Einleitung genannten Art dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens zwei Halbleiterkristalle enthält, in jedem von denen zwei Gebiete von entgegengesetzten Leitfähigkeit stypen angebracht sind, wodurch mindestens zwei Uebergänge erhalten werden, von denen einer elektrolumineszierend und der andere (die anderen) gleichrichtend ist (sind), und dass eines der beiden Gebiete eines ersten Kristalls elektrisch mit dem Gebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeits-
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- k - FPHN.5675.
typ eines zweiten Kristalls verbunden ist, wobei die beiden anderen Gebiete des ersten und des zweiten Kristalls mit den metallenen Ausgangsanschltissen verbunden sind*
Auf diese Weise wird einer Anordnung erhalten, bei der eine halbe Periode des Wechselstroms durch das Vorhandensein mindestens einer gleichrichtenden Diode unterdrückt wird, die dabei jeden Streusperrstrom zurückhält und die Beschädigung des Uebergangs vermeidet.
Ausserdem tritt Über jeder gleichrichtenden Diode ein Spannungsabfall auf, wodurch bei passender Wahl der Anzahl Dioden und der Speisespannung eine derartige Anordnung z.B. in logischen Schaltungen angewendet werden kann.
Da der Spannungsabfall über jeder gleichrichtenden Diode für jede beliebige Eingangsspannung praktisoh derselbe ist, ist es durch Aenderung der erwähnten Eingangsspannung möglich, das Leuchten und das Löschen der elektrolumineszierenden Diode zu steuern» Die auf diese Weise erhaltene Anordnung ist vollständig und ermöglicht einerseits eine Miniaturisierung, während andererseits die Probleme in bezug auf fehlerhafte Verdrahtung und schlechte Lötstellen vermieden werden.
Bei einer ersten bevorzugten Ausführungsform werden zwei Kristalle auf den beiden respektiven aus Metall bestehenden Ausgangsanschltissen festgelötet.
In diesem Falle können beim Montieren der Anordnung die beiden Dioden gesondert kontrolliert werden, nachdem ι sie auf den Anschlüssen befestigt sind, so dass die fehlerhaften Elemente vor der Fertigmontage ersetzt werden können.
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- 5 - PPHN.5675.
Obendrein kann infolge der Tatsache, dass ein Kristall auf jedem der Anschlüsse befestigt wird, eine bessere Wärmeableitung erhalten werden, wodurch diese AusfUhrungsform bei in Kunststoff eingebetteten Anordnungen verwendet werden kann.
Eine zweite bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kristalle übereinander angeordnet sind, wobei der erste Kristall, der einen gleichrichtenden Uebergang enthält, über eine seiner Flächen auf einem der Ausgangsanschlüsse festgelötet wird, Wenn die Anordnung nur zwei Kristalle enthält, wird der zweite Kristall, der den elektrolumineszierenden Uebergang enthält, auf der anderen Fläche des ersten Kristalls festgelötet. Wenn die Anordnung mehr als zwei Kristalle enthält, wird der Kristall mit dem elektrolumineszierenden Uebergang auf der Oberseite der Kristalle mit gleichrichtenden Uebergängen festgelötet.
Diese Ausführungsform bietet den Vorteil, dass die Montage einfach ist und schnell erfolgen kann, sogar wenn die Anordnung mehrere gleichrichtende Dioden enthält. Ausserdein ist es mit dieser besonders gedrängten Ausführungsform möglich, elektrolumineszierende Anordnungen mit kleinen Abmessungen herzustellen. Andererseits ist diese Anordnung besonders starr und weist eine grosse Festigkeit auf.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigern
Fig, 1 einen schematisehen Schnitt durch eine erste Ausführungsform der elektrolumineazierenden Anordnung
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- 6 - - FPHN.5675.
nach der Erfindung,
Fig. 2 einen schematischen Schnitt durch eine zweite Ausführungsform der elektrolumineszierenden Anordnung nach der Erfindung,
Fig. 3 einen Schnitt durch eine dritte Ausfuhrungsform der elektrolumineszierenden Anordnung nach der Erfindung, und
Fig. k die Strom-Spannungs-Kennlinie einer elektrolumineszierenden Anordnung nach der Erfindung.
Es sei bemerkt, dass der Deutlichkeit halber die Abmessungen nicht masstäblich und übertrieben gross dargestellt sind.
Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung enthalt einerseits einen ersten Halbleiter-Einkristall 1 mit zwei Gebieten von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen N und P, 2 bzw, 3 ι die einen elektrolumineszierenden Uebergang J1 bilden, und andererseits einen zweiten Halbleiter-Einkristall k mit zwei Gebieten 5 und 6 vom P- bzw. N-Leitfähigkeitstyp, die einen gleichrichtenden Uebergang J2 bilden. Der erste Einkristall 1 ist z.B. über sein N-leitendes Gebiet 2 auf der ebenen Ober·- fläche einer Metallplatte 7 festgelötet; diese Platte bildet das Ende einer ersten Klemme, deren Verlängerung durch einen zylindrischen Stift 8 gebildet wird. Das Lötmaterial zwischen der Platte 7 und dem Kristall 1 bildet einen rein ohmschen Kontakt. Vorzugsweise bilden die Platte 7 und der Stift 8 ein Ganzes.
Auf der ebenen Oberfläche eines zweiten Stiftes 9 ist der zweite Einkristall k über sein P-leitendes Gebiet 5
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- 7 - FPHN.5675.
festgelötet. Das Gebiet 3 des Einkristalls 1 ist mit dem Gebiet 6 des zweiten Einkristalls h über einen Anschlussdraht 10 verbunden.
Die Stifte 8 und 9 sind durch einen Bodenteil 11 aus einem elektrisch isolierenden Material, z.B. einem schwarzen thermohärtenden Epoxydharz, geführt. Dieser zylindrische Bodenteil 11 und der Stift 8 sind zueinander koaxial, wodurch der genannte Teil 11 und der Kristall 1 mit dem elektrolumineszierend en Uebergang J- ebenfalls zueinander koaxial sind.
Die Oberfläche 12 des isolierenden Bodenteils 11 ist mit einem thermohärtenden, isolierenden durchscheinenden oder durchsichtigen Material überzogen, in das die Kristalle und ht die Platte 7, das Ende des Stiftes 9 und der Anschluss 10 eingebettet sind.
Dieser isolierende Ueberzug 13 ist derart gegossen oder formgepresst, dass eine gasdichte Abschirmung für die Kristalle und die Kontakte erhalten wird.
Vorzugsweise besteht der Kristall 1 aus Galliumarsenid und der Einkristall h aus Silicium, Die Platte 7» der Stift 8 und der Stift 9 bestehen aus vergoldetem Nickeleisen, während, wie bereits erwähnt wurde, der Teil 11 aus Epoxydharz besteht. Der Ueberzug 13 muss geeignete thermohärtende und optische Eigenschaften aufweisen; vorzugsweise wird ein unter der Bezeichnung "Stratyl" käuflich erhältliches Harz verwendet.
Bei dem Verfahren zur Herstellung von Anordnungen nach der Erfindung können übliche Techniken Anwendung finden.
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- 8 - FPHN.5675.
Der Aufbau der Anordnung nach Fig. 2 ist gleich dem der obenbeschriebenen Anordnung» Diese Anordnung enthält nämlich zwei Einkristalle 21 und 22, in denen auf übliche Weise die Uebergänge J„ und JY angebracht werden, wobei der Uebergang J~ elektrolumineszierend und der Uebergang JY gleichrichtend ist. Diese Einkristalle 21 und 22 sind auf zwei aus Metall bestehenden Anschlüssen 23 und 2k festgelötet. Die erwähnten Anschlüsse 23 und 2k werden durch Streifen aus vergoldetem Kupfer gebildet, während die Kristalle 21 und 22 auf den schmalen Seiten dieser Streifen festgelötet sind. Um jede fehlerhafte Verbindung mit den Klemmen des Speisekreises zu vermeiden, weisen die Streifen 23 und 2k die Teile 25 und 26 auf, die die Form eines " + "- bzw. eines "-"-Zeichens haben.
Die durch den Metallanschluss 27 miteinander in Reihe geschalteten ßinkristalle 21 und 22 sind in einen Zylinder aus gefärbtem Akrylkunststoff 28 eingebettet.
Die Anordnung nach Fig. 3 enthält im wesentlichen ein optisches Rohr und einen Bodenteil, der die beiden gemäss der Erfindung in Reihe geschalteten Dioden umfasst und trägt.
Das optische Rohr wird durch ein Metallrohr 31» das gewöhnlich aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung besteht, und durch eine konvergierende Linse 32 aus Glas gebildet, das eine hohe optische Güte aufweist und mit dem Metall des Rohres 31 verlötet werden kann. Vorzugsweise ist die konvexe Aussenoberflache 33 der Linse praktisch sphärisch und ist ihre Innenoberflache praktisch flach,
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- 9 - FPHN.5675.
Das Rohr und die Linse sind gasdicht miteinander verschmolzen.
Der Bodenteil enthält einen mittleren Metallstift 34 aus einer Legierung oder einem Metall, die oder das mit Glas verlötet werden kann, wobei ein Ende dieses Stiftes eine Platte 35 bildet. Auf der ebenen Oberfläche dieser Platte 35 ist der aus zwei Gebieten 37 und 38 vom N- bzw. vom P-Leitfähigkeitstyp bestehende Einkristall festgelötet. Auf der Aussenoberflache des P-leitenden Gebietes 38 wird eine Schicht 39 aus Metall, z.B. Gold, angebracht, auf der der aus den beiden Gebieten 41 und 42 vom N- bzw. vom P-Leitfähigkeitstyp bestehende Einkristall 4o festgelötet werden kann. Der Uebergang J- zwischen den Gebieten 37 und 38 ist gleichrichtend, während der Uebergang JV zwischen den Gebieten 41 und 42 elektrolumineszierend ist.
Rings um den Stift 34 herum ist die Isolierung dadurch erhalten, dass eine Glasmuffe 43 angebracht wird, die ihrerseits von einem Metallrohr 44 umgeben ist· Die Rohre 31 und 44 sind durch einen Lötstreifen 45 miteinander verlötet. Die Ausgangsleiter werden einerseits durch den Stift 34, wobei der elektrische Kontakt durch das Pestlöten des Kristalls 36 auf der Platte 35 erhalten wird, und andererseits durch die Rohre 31 und 44 gebildet, wobei der elektrische Kontakt zwischen dem Rohr 44 und dem Gebiet 42 des Einkristalls 40 mit Hilfe eines durch ein Wärme-Druck-Verfahren festgelöteten Drahtes 46 erhalten wird.
Die Teile aus Metall unci die Teile aus Glas können auf übliche Weise miteinander verschmolzen werden«
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- 10 - ' FPHN.5675.
Fig. k zeigt die Kennlinien I = f(v) einerseits der gleichrichtenden Diode (Kurve A) und der elektrolumineszierenden Diode (Kurve B) und andererseits der ganzen Anordnung (Kurve c). Es sei bemerkt, dass im Vergleich zu einer einzigen elektrolumineszierenden Diode die Anordnung nach der Erfindung bei gleichbleibendem Strom bei höheren Spannungen verwendet werden kann.
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Claims (1)

- 11 - FPHN.5675. PATENTANSPRU .!2CHE:
1. / Elektrolumineszierende Anordnung, die in einem schützenden und wenigstens teilweise durchsichtigen Gehäuse untergebracht ist, aus dem zwei aus Metall bestehende gegeneinander isolierte Anschlüsse hervorragen, dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens zwei Halbleiterkristalle enthält, in jedem von denen zwei Gebiete von entgegengesetzten Leitfähigkeit stypen angebracht sind, wodurch mindestens zwei UebergSnge erhalten werden, von denen einer elektrolumineszierend und der andere (die anderen) gleichrichtend ist (sind), und dass eines der beiden Gebiete eines ersten Kristalls elektrisch nit dem Gebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeit styp eines zweiten Kristalls verbunden ist, wobei die beiden anderen Gebiete des ersten und des zweiten Kristalls mit den metallenen Ausgangsanschlüssen verbunden sind«
2, Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwei Kristalle auf den beiden metallenen Ausgangsanschlüssen festgelötet werden,
3· Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kristalle übereinander angeordnet sind, wobei der erste Kristall, der einen gleichrichtenden Uebergang enthält, über eine seiner Flächen auf einem der Ausgangsanschltisse festgelötet wird.
k„ Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, dass der die elektrolumineszierende Diode tragende Kristall in der Achse des durchsichtigen Teiles des schützenden Gehäuses angeordnet ist.
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DE19722208481 1971-03-01 1972-02-23 Elektrolumineszierende Halbleiteranordnung Pending DE2208481A1 (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2430873A1 (de) * 1973-07-03 1975-01-23 Philips Nv Geschuetzte elektrolumineszierende diode
DE3642240A1 (de) * 1986-12-10 1988-06-23 Siemens Ag Konstantstrom-lichtemittierende diode (konstantstrom led)
DE102012104111A1 (de) * 2012-05-10 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2155137A5 (de) * 1971-10-08 1973-05-18 Radiotechnique Compelec
JPS48102585A (de) * 1972-04-04 1973-12-22
GB1383548A (en) * 1972-06-29 1974-02-12 Plessey Co Ltd Light emitting diode assembly
GB1403801A (en) * 1973-01-30 1975-08-28 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor device stud mount
US3860847A (en) * 1973-04-17 1975-01-14 Los Angeles Miniature Products Hermetically sealed solid state lamp
US3946416A (en) * 1973-04-24 1976-03-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low impedance diode mounting structure and housing
US4032963A (en) * 1974-09-03 1977-06-28 Motorola, Inc. Package and method for a semiconductor radiant energy emitting device
US3935501A (en) * 1975-02-13 1976-01-27 Digital Components Corporation Micro-miniature light source assemblage and mounting means therefor
DE2510982A1 (de) * 1975-03-13 1976-09-30 Bosch Gmbh Robert Hybrides halbleiterbauelement
US4054814A (en) * 1975-10-31 1977-10-18 Western Electric Company, Inc. Electroluminescent display and method of making
FR2520934B1 (fr) * 1982-01-29 1985-06-07 Radiotechnique Compelec Dispositif semi-conducteur emetteur de lumiere a multicristaux
GB8816603D0 (en) * 1988-07-13 1988-08-17 Bt & D Technologies Ltd Optical components
US5444726A (en) * 1990-11-07 1995-08-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
US5488623A (en) * 1990-11-07 1996-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation
TW253996B (de) * 1992-04-07 1995-08-11 Fuji Electric Co Ltd
JPH09307144A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
JPH11103097A (ja) * 1997-07-30 1999-04-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US6521916B2 (en) * 1999-03-15 2003-02-18 Gentex Corporation Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity
WO2002061803A2 (en) * 2001-01-31 2002-08-08 Gentex Corporation Radiation emitter devices and method of making the same
US6827468B2 (en) * 2001-12-10 2004-12-07 Robert D. Galli LED lighting assembly
US7121680B2 (en) * 2001-12-10 2006-10-17 Galli Robert D LED lighting assembly with improved heat management
US7118255B2 (en) * 2001-12-10 2006-10-10 Galli Robert D LED lighting assembly with improved heat exchange
US6942365B2 (en) * 2002-12-10 2005-09-13 Robert Galli LED lighting assembly
US7652303B2 (en) * 2001-12-10 2010-01-26 Galli Robert D LED lighting assembly
DE10163117C5 (de) * 2001-12-24 2005-12-01 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Verfahren zum Herstellen von lichtleitenden LED-Körpern in zwei zeitlich getrennten Stufen
US8093620B2 (en) * 2002-12-10 2012-01-10 Galli Robert D LED lighting assembly with improved heat management
US7153004B2 (en) * 2002-12-10 2006-12-26 Galli Robert D Flashlight housing
CA2517009A1 (en) 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6921927B2 (en) * 2003-08-28 2005-07-26 Agilent Technologies, Inc. System and method for enhanced LED thermal conductivity
US8017955B2 (en) * 2004-11-19 2011-09-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Composite LED modules
TW200737539A (en) * 2006-03-23 2007-10-01 Ind Tech Res Inst Light-emitting device and manufacturing method
KR101346342B1 (ko) * 2007-03-30 2013-12-31 서울반도체 주식회사 낮은 열저항을 갖는 발광 다이오드 램프
DE102007037821A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
KR101134063B1 (ko) * 2009-09-30 2012-04-13 주식회사 세미콘라이트 3족 질화물 반도체 발광소자
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2430873A1 (de) * 1973-07-03 1975-01-23 Philips Nv Geschuetzte elektrolumineszierende diode
DE3642240A1 (de) * 1986-12-10 1988-06-23 Siemens Ag Konstantstrom-lichtemittierende diode (konstantstrom led)
DE102012104111A1 (de) * 2012-05-10 2013-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
FR2127239A5 (de) 1972-10-13
JPS53117175U (de) 1978-09-18
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IT947946B (it) 1973-05-30
AU456731B2 (en) 1974-12-09
AU3930972A (en) 1973-08-30
CA963566A (en) 1975-02-25
US3739241A (en) 1973-06-12

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