DE2038122C2 - Thyristor-Triode - Google Patents
Thyristor-TriodeInfo
- Publication number
- DE2038122C2 DE2038122C2 DE2038122A DE2038122A DE2038122C2 DE 2038122 C2 DE2038122 C2 DE 2038122C2 DE 2038122 A DE2038122 A DE 2038122A DE 2038122 A DE2038122 A DE 2038122A DE 2038122 C2 DE2038122 C2 DE 2038122C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- cathode
- control
- electrode
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Thyristor-Triode mit einer an einer ersten Hauptoberfläche der Anordnung liegenden, mit einer Anodenelektrode kontaktierten Anodenschicht vom p-Leltungslyp, einer an der entgegengesetzten Hauptoberfläche der Anordnung liegenden, mit einer
Kathodenelektrode kontaktierten Kathodenschicht vom n-Leltungstyp, einer Steuerschicht vom p-Leltungstyp
und mit einer Zwischenschicht vom n-Leltungstyp, bei der sich die Steuerschicht und die Zwischenschicht am
Schichtrand nebeneinander bis zu einer der beiden
HauptoberflSchen der Anordnung erstrecken, wo die Steuerschicht mit einer Steuerelektrode kontaktiert Ist, so
und bei der eine Metallplatte auf der Kathodenelektrode
aufliegt.
Eine solche Triode ist z. B. aus der DE-OS 14 39 922
bekannt. Die Zwischenschicht tritt hier auf der Kathodenselie zutage und umschließt die dort ebenfalls zu-
tagetretende Steuerschicht und die Kathode.
Die Wärmeabfuhr einer solchen Triode erfolgt über ein
Metallplättchen, das mit einer der Elektroden in gutem Wärmekontakt steht. Meist wählt man hierfür die
Kathode, da diese nur ein niedriges Potential aufweist. Dieser Aufbau wirft aber die folgenden Probleme auf: Da
Kathoden- und Steuerelektrode auf derselben Hauptoberfläche angeordnet sind, kann die Kathodenelektrode nur
eine relativ geringe Kontaktlerungsfläche aufweisen und nur eine entsprechend verringerte Wärmemenge abführen. Wegen der unmittelbaren Nachbarschaft von Kathoden- und Steuerelektrode besteht Kurzschlußgefahr zwischen beiden Elektroden.
Aufgabe der Erflrrdung Ist es daher, bei der ThyrlStor-Trlode
der eingangs genannten Art eine große Kontaktierungsfl&che
und eine gute Wärmeabfuhr für die Kathodenelektrode
ohne Kurzschlußgefahr zwischen Steuer- und Kathodenelektrode zu erzielen. Diese Aufgabe wird
durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegebene Maßnahme gelöst. Bezüglich der Merkmale bevorzugter
Ausführungsformen der Erfindung wird auf die Unteransprüche
verwiesen.
Ausführungsbelspiele der Erfindung sollen nun anhand der Zeichnungen näher erläutert werden.
FIg. 1 zeigt ein elektrisches Schaltbild für den Zündkreis eines Kraftfahrzeuges, unter besonderer Berücksichtigung der Anwendung einer Thyristor-Triode;
Fl g. 2A bis 2E sind Querschnitte und zeigen aufeinanderfolgende Herstellungsstufen für eine Thyristor-Triode
nach einer Ausführungsform der Erfindung, wobei FIg. 2E die fertige Triode darstellt;
Fig. 3 ist eine Variante zu Fi g. 2E; Fl g. 4 zeigt eine weitere Variante zu Fi g. 2E und
Fig.5 zeigt schließlich eine weitere Variante zu F!g.2E.
Zum leichteren Verständnis soll zunächst mit Bezug auf Fig. 1 anhand des Zündkreises eines Kraftfahrzeuges
ein Anwendungsfall einer Thyristor-Triode erläutert werden, bei der eine mit der Kathodenelektrode verbundene
Metallplatte geerdet Ist.
In der Sekundärwindung eines Transformators T nach Fl g. 1 wird eine Spannung von etwa 400 Volt durch eine
n-V-GlelchspannungsquelleS und einen Wechselrichter
/ erzeugt, der zwischen dieser Quelle S und dem Transformator T angeordnet Ist. Wechselstrom vom Transformator T wird ungeformt in Gleichstrom durch eine
Glelchrichterbrücke R, welche eine Kapazität C In einem
geschlossenen Stromkreis lädt.
Die resultierende Ladespannung der Kapazität C steht
an der Anode einer Thyristor-Triode auf Siliziumbasis (SCR) an. Wird nun ein Zündsignal an die Steuerelektrode der Triode gelegt, dann fließt ein großer Strom
durch eine erste Induktionsspule t., und somit ein noch
größerer Strom durch eine zweite Induktionsspule L1,
welche magnetisch mit der ersten Spule L1 verbunden ist,
um eine Zündkerze P zu zünden (die Im wesentlichen
mit einer Spannung von etwa 20 kV beaufschlagt Ist).
Im obengenannten Zündkreis wird die Kathode' der
Triode gewöhnlich geerdet, indem die Kathodenelektrode mit dem Chassis eines Kraftfahrzeuges über eine Metallplatte verbunden wird.
Mit Bezug auf die Fig. 2A bis 2E soll nun eine Thyrlstor-Trlode sowie ein Verfahren zu deren Herstellung
erläutert werden.
Man nimmt ein Siliziumplättchen 10 vom n-Leltungstyp mit einem spezifischen Widerstand von IS bis
25 0hm cm und einer Dicke von 170 um. Im Plättchen
10 wird ein Netzmusterbereich 11 vom p-Leltungstyp ausgebildet, Indem seletlv Bor in dieses Plättchen von
beiden Selten (Flg. 2A) diffundieren gelassen wird. Die
Formation kann erreicht werden, wenn die Diffusion 140 Stunden lang bei einer Temperatur von 1250° C durchgeführt wird.
Im Plättchen werden Bereiche vom p-Typ 12 und 13
ausgebildet. Indem Bor 25 Stunden lang bei einer Temperatur von 1250" C hineindiffundiert.
In diesem Fall wird die Diffusion von der Oberseite
des Plättchens unter Verwendung einer geeigneten Maske durchgeführt, so daß p-leltende Inselbereiche 12
In einer Schicht vom n-Leltungstyp gebildet werden, während durch die Diffusion an der Unterseite des Plait-
chens eins Schicht vom p-Typ erzeugt wird, die sich fiber
diese gesamte Unterseite erstreckt (F I g, 2B),
Es wird eine Schicht 14 vom η-Typ in der p-Schicht 13
gebildet, indem Phosphor von der Unterseite des PlSU-schens
10 etwa I bis 3 Stunden lang bei 1250° C diffundieren
gelassen wird, so daß die gesamte Unterseite (Fig,2C) bedeckt wird. Nach dem üblichen Verfahren
unter Verwendung von Wolfram und Aluminium wird eine Kathodenelektrode 15 auf der n-Schlcht 14
(Kathodenschicht) ausgebildet, eine Steuerelektrode 16 auf dem p-Netzmusterbereich 11, der zusammen mit der
p-Schlcht 13 die Steuerschicht bildet, und eine Anodenelektrode
17 im p-Inselbereich 12 (Anodenschicht) (Fig, 2D). Das Plättchen 10 wird dann längs der Unterteilungslinien
des Netzmusters 11 würfelförmig aufgeteilt, um je eine Thyristor-Triode 18 zu erhalten.
Die Unterseite der Triode 13 oder die Katliodenelektrode
15 ist an eine Metallplatte 20 mit gutem Wärmeabstrahlungsvermögen
über eine Legierungsschicht 19 aus Wolfram und Molybdän angelötet. Schließlich werden
noch Zuführungsdrähte zur Steuerelektrode 16 und zur Anodenelektrode 17 angebracht. Die Triode kann dann
etwa über die Metallplatte 20 an dem geerdeten Chassis 21 des Kraftfahrzeuges angeschlossen werden.
Bei der obengenannten Triode ist die Kathodenelektrode
über der gesamten Unterseite des Halbleiterplättchens
gelagert und an die Metallplatte angelötet, wodurch die Wärme wirksam durch diese Kathodenelektrode
abgestrahlt werden kann. Aufgrund dessen, daß die Steuerelektrode auf der Oberseite des Plättchens angebracht
Ist, wird es nicht notwendig, einen Isolator zwischen der Steuerelektrode und der Metallplatte vorzusehen,
auch die Möglichkeit eines Kurzschlusses zwischen Steuerelektrode und Kathodenelektrode Ist nicht gegeben.
Es sollen nun einige Varianten der Triode gemäß Fig. 2E anhand der In den Fig. 3 bis 5 dargestellten
Ausfuhrungsbeisplele der Erfindung beschrieben werden.
In diesen Ausfuhrungsformen bezeichnen die gleichen
Bezugszeichen gleiche Teile, Es sollen jedoch nur die Hauptteile beschrieben werden,
Nach Fl g, 3 sind die freiliegenden Teile der p-n-Übergänge
mit einem Isolierenden Film, beispielsweise einem
SlIlziumdlOKydfllm 22 überzogen. Der Isolierende Film 22
überdeckt die Oberseite des Plättchens 10 bis auf die
Teile dieses Plättchens, an denen die Steuerelektrode 16
to und die Anodenelektrode 17 ausgebildet sind und ebenfalls
die Unterseite des Plättchens - ausgenommen den Teil, wo die Kathodenelektrode 15 angebracht ist. In
diesem Fall ist die Kathodenschicht 14 nicht über die
gesamte Unterseite des Plättchens ausgebildet, da die p-Steuerschicht
11, 13 bis zum Umfangstell der Unterseite reicht.
Bei der Triode gemäß Flg. 2E besteht die Gefahr, daß
beim Anlöten des Metallplättchen 20 der Lötmittelüberschuß herausquillt und sich am Übergang zwischen
Kathoden- und Steuerschicht festsetzt. Das Ergebnis war ein Kurzschluß. Nach der Ausführungsform der Fig.3
jedoch ist solch eine Möglichkeit des I'^irzschlusses völlig
ausgeschlossen.
Eine Einrichtung entsprechend Fig.4 ist ebenfalls so aufgebaut, daß ein Kurzschluß zwischen der Steuer- und der Kathodenschicht vermieden wird. Die Kathodenschicht Ii hat einen nach oben verlaufenden Umfangsteil, wodurch ein großer Abstand zwischen der Metallplatte 20 und dem freiliegenden Übergang zwischen Kathoden- und Steuerschicht erzielt wird. Das Lot kann dann diesen Übergang nicht mehr erreichen.
Eine Einrichtung entsprechend Fig.4 ist ebenfalls so aufgebaut, daß ein Kurzschluß zwischen der Steuer- und der Kathodenschicht vermieden wird. Die Kathodenschicht Ii hat einen nach oben verlaufenden Umfangsteil, wodurch ein großer Abstand zwischen der Metallplatte 20 und dem freiliegenden Übergang zwischen Kathoden- und Steuerschicht erzielt wird. Das Lot kann dann diesen Übergang nicht mehr erreichen.
Wie in Fig. 5 dargestellt, braucht der Teil der Steuerschicht 11, der sich um die Zwischenschicht 10 erstreckt,
nicht notwendigerweise die Zwischenschicht 10 und die Anodenschicht 12 beidseitig zu umgeben, er braucht sich
vielmehr nur auf einer Seite der Einrichtung nach oben zu erstrecken.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Thyristor-Triode mit einer an einer ersten Hauptoberfjijche der Anordnung liegenden, mit einer
Anodenelektrode kontaktlerten Anodenschicht vom
p-Leitungstyp, einer an der entgegengesetzten Hauptoberflache der Anordnung Hegenden, mit einer Kathodenelektrode kontaktierten Kathodenschicht vom n-Leltungstyp, einer Steuerschicht vom p-Leltungstyp
und mit einer Zwischenschicht vom n-Leltungstyp,
bei der sich die Steuerschicht und die Zwischenschicht am Schichtrand nebeneinander bis zu einer der
beiden Hauptoberflächen der Anordnung erstrecken, wo die Steueischlcht mit einer Steuerelektrode kon- \s
taktiert Ist, und bei der eine Metallplatte auf der Kathodenelektrode aufliegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerschicht (11) sich um die
Zwischenschicht (10) erstreckt und wie die Zwischenschicht bis an diejenige Hauptoberfläche reicht, an der
die Anodeaschicht (12) kontaktiert Ist.
2. Thyristor-Triode nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenschicht (14) über die
gesamte zugeordnete Oberfläche der Anordnung von einer Kathodenelektrode (15) bedeckt ist.
3. Thyristor-Triode nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein isolierender
Film (22) die der Anodenschicht (12) benachbarte Oberfläche mit Ausnahme der Kontaktlerungsbereiche für eine Anoden- und eine Steuerelektrode (17
bzw. 16) bedeckt.
4. Thyrteor-Trlode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathotenschicht (14) im Randbereich der Schiebt Verdickungen aufweist, die sich In
die Steuerschicht (11) hinein erstrecken (Fig. 4).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6104469 | 1969-08-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2038122A1 DE2038122A1 (de) | 1971-02-18 |
DE2038122C2 true DE2038122C2 (de) | 1983-03-10 |
Family
ID=13159835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2038122A Expired DE2038122C2 (de) | 1969-08-04 | 1970-07-31 | Thyristor-Triode |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3644800A (de) |
DE (1) | DE2038122C2 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2751133B1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-11-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Assemblage monolithique de thyristors a cathode commune |
DE102016103862A1 (de) | 2016-03-03 | 2017-09-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Leuchtsystem |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL265766A (de) * | 1960-06-10 | |||
US3432731A (en) * | 1966-10-31 | 1969-03-11 | Fairchild Camera Instr Co | Planar high voltage four layer structures |
-
1970
- 1970-07-30 US US59567A patent/US3644800A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-07-31 DE DE2038122A patent/DE2038122C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3644800A (en) | 1972-02-22 |
DE2038122A1 (de) | 1971-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1614872C3 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2554398A1 (de) | Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung | |
DE3134343A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE19745575A1 (de) | Struktur einer Anschlußelektrode und Verfahren für ihre Bildung | |
DE2619312A1 (de) | Halbleiter-heizelement | |
DE1639173C3 (de) | Temperaturkompensierte Z-Diodenanordnung | |
DE2834759C2 (de) | Schutzeinrichtung für die isolierte Gate-Elektrode eines MOS-Halbleiterbauelements | |
DE2950649A1 (de) | Fotoelektrische kopplungsvorrichtung | |
DE2033532B2 (de) | Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid | |
CH495633A (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1810322A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von streifenfoermigen zueinander parallelen Emitterbereichen und mit mehreren Kontaktierungsebenen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2448015C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Zweiwegthyristortrioden | |
DE2500235C2 (de) | Ein-PN-Übergang-Planartransistor | |
DE2944069A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2725265A1 (de) | Halbleiter-leuchtanzeigevorrichtung | |
DE2038122C2 (de) | Thyristor-Triode | |
DE2306842C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Halbleiterelementen aus einer einzigen Halbleiterscheibe | |
DE1915148C3 (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Höcker bei Halbleiteranordnungen | |
DE2039027C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck | |
DE1764171A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2608813C3 (de) | Niedrigsperrende Zenerdiode | |
DE2628793C2 (de) | ||
DE2610539A1 (de) | Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte | |
DE2802439A1 (de) | Halbleiter-sockel | |
DE2051892C3 (de) | Halbleiteranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |