DE2207158A1

DE2207158A1 - Integrierter bistabiler Schaltkreis

Info

Publication number: DE2207158A1
Application number: DE19722207158
Authority: DE
Inventors: Thomas Mannus San Jose Cahf Fredenksen (V St A ) RP
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1971-02-18
Filing date: 1972-02-16
Publication date: 1972-08-24
Also published as: US3700929A; DE2207158B2

Description

PATENTANWALi D¹^L-IMG.

ViFLMi Ϊ GORTZ 1₀. Februar 1972

6 Frankfurt ι; ι fcain 70 _ .

Schnedcenhofeir. 27-TeUI707? UZS/na.

MOTOROLA, INC., 94o1 West Grand Avenue, Franklin Park, 111., USA

Integrierter bistabiler Schaltkreis

Die Erfindung bezieht sich auf einen integrierten bistabilen Schaltkreis.

Die Technologie der monolithischen integrierten Schaltkreise hat es möglich gemacht, elektronische Schaltkreise auf vielen Gebieten anzuwenden, wo vorher die Kosten der elektronischen Schaltkreise für Steuerzwecke und dergleichen eine Anwendung verhindert haben. Eines dieser Gebiete, auf dem ein gesteigertes Interesse an monolithischen integrierten Schaltkreisen gegenwärtig offenbart wird, ist die Fahrzeugindustrie, in der integrierte Schaltkreise für Tachometerantriebsschaltkreise, für Fahrzeugbetriebsmeßschaltkreise, für Kraftstoffeinspritzsysterne, für Spannungsregelsysteme und dergleichen verwendet werden. Um monolithische integrierte Schaltkreise in der Arbeitsumgebung eines Motorfahrzeuges am günstigsten anzuwenden, ist es notwendig, daß die integrierten Schaltkreise eine gleichförmige Arbeitsweise über einen weiten Bereich von Umgebungstemperaturen und über einen weiten Bereich von Betriebsspannungen arbeiten können. Zusätzlich ist es für bistabile oder Triggerachaltkreise notwendig, daß die Schaltkreise nicht aufgrund der vorübergehenden Spannurigsspitzen oder dergleichen, die in der Stromversorgung oder an den Eingangsanschlüssen des Schaltkreises vorkommen können, einer falschen Triggerung unterließen.

Es ist auch erstrebenswert, einen Schutz gegen überlastung des Transistors des integrierten Flip-Flops oder des Triggerschaltkreises entweder durch hohe positive oder hohe negative Spannungsimpulse zu schaffen, die den Transistor beschädigen könnten, wenn derartigen Impulsen ermöglicht würde, an den Transistor zu gelangen. Schließlich ist es bei den meisten integrierten Schaltkreisen erstrebenswert, einen Schaltkreis zu bauen, der ein Minimum an Formfläche benötigt.

Entsprechend ist es ein Ziel dieser Erfindung, einen verbesserten bistabilen Multivibratorschaltkreis zu schaffen.

Es ist ein weiteres Ziel dieser Erfindung, einen .verbesserten monolithischen integrierten bistabilen Multivibratorschaltkreis zu schaffen.

Es ist ein anderes Ziel dieser Erfindung, einen integrierten bistabilen Multivibratorschaltkreis zu schaffen, der ein Minimum an Grundfläche benötigt.

Es ist ein noch anderes Ziel dieser Erfindung, einen monolithischen, integrierten, bistabilen Schaltkreis zu schaffen, der die verteilte Kapazität verwendet, die Schaltzeit der bistabilen Schaltung zu erzeugen.

Es ist ein weiteres Ziel dieser Erfindung, einen bistabilen Multivibratorschaltkreis mit verhältnismäßig niedriger Geschwindigkeit zu schaffen.

Es ist ein noch anderes Ziel dieser Erfindung, einen Schutz für den Schalttransistor eines integrierten, bistabilen Multivibratorschaltkreises gegen übermäßige Eingangssignale von entweder positiver oder negativer Polarität zu schaffen.

η p

In Übereinstimmung mit einer vorzugsweisen Ausführung dieser Erfindung enthält ein monolithischer, integrierter, bistabiler Multivibratorschaltkreis erste und zweite Schalttransistoren der gleichen Leitfähigkeitsart, wobei der Kollektor von jedem Transistor mit der Basis des anderen Transistors kreuzverbunden ist. Die Emitter der Transistoren sind mit einem Bezugspotentialpunkt "verbunden, und die Kollektoren werden jeweils mit einem konstanten Strom von einer konstanten Stromquelle versorgt. Pinchwiderstände sind zwischen den Basen eines jeden der Transistoren und dem Bezugsspannungspunkt angeschlossen, die das Substrat des integrierten Schaltkreischips ausmacbai; und die

substrat des integrierten ücnaixKreischips ausmacnaT; und die

(distributed capacitance)
verteilte Kapazita'fyr'aie zwischen den Kollektoren der Transistoren und dem Substrat vorhanden ist, wiikt als eine Verzögerung der Schaltung des Multivibrators, um zu bewirken, daß sich ein bistabiler oder Flip-Flop-Schaltkreis mit einer verhältnismäßig niedrigen Geschwindigkeit ergibt.

In einer mehr spezifischen Ausführungsform dieser Erfindung ist ein Paar von Substrat-PNP-Schutztransistoren so verbunden, daß es die Eingangstriggersignale aufnimmt und diese Signale von ihren Emittern an die Ausgangsanschlüsse des bistabilen Multivibrators anlegt. Die hohe, umgekehrte Durchbruchcharakteristik der Basisemitterübergänge des Substrat-PNP-Transistors schafft einen Schutz gegen das Anlegen von hohen positiven Eingangssignalen an die Transistoren des bistabilen Schaltkreises. Schutz gegen das Anlegen von großen negativen Eingangssignalen an den Schaltkreis wird mit Hilfe von vorwärts vorgespannten Basiskollektorübergängen der PNP-Transistors erreicht, die die Basen der PNP-Transistoren auf ein Potential klammern, das durch den Potentialabfall über den vorwärts vorgespannten Kollektorbasisübergängen entsteht.

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Im folgenden wird ein geschlitzter, monolithischer, integrierter Flip-Flop-Schaltkreis beschrieben,, der aus einem Paar NPN-Transistoren als aktive Flip-Flop-Elemente besteht, wobei die Kollektoren jedes dieser Transistoren von einer konstanten Stromquelle in der Form eines Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistors versorgt wird. Die zwischen dem Kollektor und dem Substrat verteilte Kapazität gewährt eine Verzögerung der Schaltzeit des Flip-Flops, wodurch ein Flip-Flop mit niedriger Geschwindigkeit entsteht. Ein Paar von Substrat-PNP-Transistören wird verwendet, um die Eingangtriggersignale den NPN-Transistoren zuzuführen und als ein Schutz für die Schaltung gegen hohe positive oder negative Eingangsspannungen zu wirken.

Die einzige Figur der Zeichnung ist ein schematisches Diagramm einer vorzugsweisen Ausführungsform der Erfindung.

In der Zeichnung ist ein monolithischer, integrierter, bistabiler Multivibrator eines Flip-Flop-Schaltkreises gezeigt, der mit verhältnismäßig hohen Gleichspanhungsquellen verwendet werden kann (in der Größenordnung von' 28 Volt oder mehr), wie es z.B. bei Automobilen, Flugzeugen und dergleichen gefunden wird. Die Arbeitsbedingungen derartiger Fahrzeuge bewirken, daß der Schaltkreis auch einen weiten Bereich von Umgebungsarbeitstemperaturen ausgesetzt ist, und daß er zusätzlich wesentlichen Störgeräuschen ausgesetzt ist. Der in der Zeichnung gezeigte Schaltkreis ist so ausgelegt, daß er über einen verhältnismäßig weiten Bereich des Gleichspannungsversorgungspotentials wie auch über einen weiten Bereich von Umgebungstemperaturen gleichmäßig arbeitet. Gleichzeitig verwendet der Multivibrator der Flip-Flop-Schaltung die zwischen den Kollektoren der Flip-Flop-Transistoren und dem Substrat, auf dem der Schaltkreis gebildet ist, verteilten Kapazitäten, um bei dem Flip-Flop eine Verzögerung oder einen Betrieb mit niedriger Geschwindigkeiti^verursachen. Diese Verzögerung ist bei Fahrzeugbetriebsumgebungen wünschenswert, wo eine Flip-Flop-Arbeitsweise mit hoher Geschwin-

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digkeit nicht notwendig ist, und wo die Verzögerung dazu beiträgt, daß der Flip-Flop-Schaltkreis verhältnismäßig unempfindlich gegen Störspannungseinstreuungen ist, die ansonsten eine falsche Triggerung eines Hochgeschwindigkeitsmultivibrators oder Flip-Flop-Schaltkreises verursachen würden.

In der Zeichnung sind die S_chaltkreiskomponenten, die innerhalb der gestrichelten Linien eingeschlossen sind, als Teil eines monolithischen integrierten Schaltkreises ausgebildet, der ein unabhängiger Schaltkreis sein kann, der unabhängig gepackt ist, oder der ein Teil eines größeren integrierten Schaltkreises sein kann, einschließlich einer Anzahl von anderen Schaltkreiskomponenten, die andere Schaltkreisfunktionen ausführen, wenn es gewünscht wird.

Der Basisteil des bistabilen Multivibrators des Flip-Flop-Schaltkreises besteht aus einem Paar von NPN-Transistoren 1o und 2o, deren Emitter mit einem an Masse liegenden Verbindungsstück 11 verbunden sind, das an dem Substrat des Chips angeschlossen ist, auf dem der Schaltkreis gebildet wird. Der Kollektor des Transistors 1o ist über eine Kopplungsdiode 14 mit der Basis des Transistors 2o verbunden,und der Kollektor des Transistors 2o ist in ähnlicher Weise über eine Diode 15 mit der Basis des Transistors 1o verbunden.

Um die Wirkung der Flip-Flop-Schaltung verhältnismäßig unempfindlich gegen Temperaturveränderungen und gegen Veränderungen der B+ -Versorgung zu machen, sind die Kollektoren der Transistoren 1o und 2o mit unterschiedlichen Kollektoren 21 bzw. 22 ein® Dual-Kollektor-Lateral-PNP-Transistors 23 verbunden, dessen Emitter mit dem Verbindungsstück 2k verbunden ist, das

mit einer Quelle eines geeigneten positiven Gleichspannungsbetriebspotentials (nicht gezeigt) verbunden ist. Der Transistor

23 arbeitet als eine aktive Konstantstromquelle, und der Strom, der von dem Transistor 23 durch jeden der Kollektoren 21 und 22 geliefert wird, wird durch einen Spannungsteiler bewirkt, einschließlich einem Paar von Dioden 26 und 27, die in Serie mit einem Widerstand 29 zwischen den Verbindungsstücken 2h und 11 verbunden sind.

Der Potentialabfall über den Dioden 26 und 27 bleibt verhältnismäßig konstant bei Veränderungen des an das Verbindungsstück

24 angelegten Potentials, und der Spannungsabfall wird weiterhin durch einen Teiler geteilt, der aus einer Diode 31 und einem Widerstand 32 besteht, die in Serie über den Dioden 26 und 27 angeschlossen sind. Die Verbindung der Diode 31 und des Widerstands 32 ist mit der Basis des Transistors 23 verbunden, wobei die Diode 31 die Temperaturkompensation für den Emitterbasisübergang des Transistors 23 liefert. Daher wird das Potential an der Basis des Transistors 23 spannungsgeregelt und temperaturkompensiert, so daß ein konstanter Strom von jedem der Kollektoren 21 und 22 geliefert wird. Der Stromquellentransistor 23 zeigt daher eine konstante dynamische Widerstandscharakteristik, um Unabhängigkeit von der Versorgungsspannung und von Umgebungstemperaturänderungen zu schaffen.

Durch die Verwendung des Stromquellentransistors 23 werden die normalen Kollektorlastwiderstände beseitigt, die sonst zwischen die Kollektoren der Transistoren 1o und 2o angeschlossen würden, Dadurch wird die Grundfläche verringert, die von diesem Teil des Schaltkreises benötigt wird, wenn er in der Form eines monolithischen, integrierten Schaltkreises hergestellt wird. Die Kollektoren der Transistoren 1o und 2o werden mit einem

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Paar von Ausgangsverbindungsstücken 34 bzw. 35 verbunden, um normale und invertierte Ausgänge des Flip-Flop-Schaltkreises zu liefern.

Die Schaltzeit für den Flip-Flöp-Schaltkreis einschließlich der Transistoren 1o und 2o wird von den RC-Schaltkreisen bestimmt, deren Kapazitäten von der Streukapazität oder von den verteilten Kapazitäten zwischen den Kollektoren der Transistoren 1o und 2o und dem geerdeten Substrat gebildet werden. Ein Paar von Pinchwiderständen 37 und 38 ist zwischen den Basen der Transistoren 1o bzw. 2o und dem geerdeten Substrat angeschlossen und bestimmt die Widerstände der RC-Verzögerungskreise. Durch die Verwendung der Streukapazitäten, angedeutet in gestrichelten Linien in der Zeichnung, die zwischen den Kollektoren der Transistoren 1o und 2o und dem Substrat anwesend sind, wird die Notwendigkeit zum Aufbau von Kapazitäten in dem Schaltkreis oder die Vorsehung von externen Verbindungsstücken für den Anschluß von externen Kapazitäten an den Schaltkreis beseitigt.

Da bei vielen Anwendungen die Ausgangsspannungsschwingung recht klein sein kann,besteht auch keine Notwendigkeit für Kreuzkopplungswiderstände großer Fläche, die die Kollektoren und Basen der Transistoren 1o und 2o miteinander verbinden. Die einzigen Widerstände in der Flip-Flop-Schaltung sind die Pinchwiderstände 37 und 38, die die Notwendigkeit beseitigen, einen großen Teil des Chips den Widerständen zu geben.

Die Ausgangsspannungsschwingung der Signale an den Ausgangsverbindungsstücken 34 und 35 wird von der Anzahl der Diodenübergänge in jedem der Kreuzkopplungsschaltkreise bestimmt. Bei einem einzelnen Diodenübergang, wie z.B. von den Dioden 14 oder 15 geschaffen, angeschlossen in dem Kreuzkopplungsschaltkreis,

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reicht die Ausgangsschwingung über einen Bereich von 2 0 (wobei 0 gleich den» Spannungsabfall über einem Diodenübergang ist, wobei 1 0 dieser Schwingung von den Dioden 14 oder 15 und das andere 0 der Schwingung von dem Basisemitterübergang des entsprechenden Transistors 1o oder 2o geliefert wird). Diese Schwingung liegt zwischen V^.m (das Potential am Kollektor des Transistors 1o oder 2o, wenn er sich in Leitung bei Sättigung befindet) und 2 0, was das Potential am Kollektor des Transistors 1o oder 2o ist, wenn er nicht leitend ist, aufgrund des Spannungsabfalls zwischen dem Kollektor eines solchen nicht leitenden Transistors und dem an Masse liegenden Verbindungsstück 11 durch die entsprechende kreuzkoppelnde Diode und den Basisemitterübergang des anderen oder leitenden Transistors hindurch. Wenn es gewünscht wird, eine größere AusgangsspannungsSchwingung zu erhalten, können mehr Dioden in Serie in der Kreuzkopplungsschaltung angeordnet werden, wobei jede Diode zusätzlich ein 0 zur Ausgangsspannungsschwingung beiträgt. Wenn einer oder der andere der Transistoren 1o oder 2o in den leitenden Zustand gebracht ist, bewirkt dessen Leitung, daß der andere der Transistoren im nicht leitenden Zustand gehalten wird; und der Schaltkreis verbleibt in diesem stabilen Zustand, bis er in den gegenteiligen Zustand getriggert wird.

Um den Arbeitszustand der Flip-Flop-Schaltung einschließlich der Transistoren 1o und 2o zu verändern, müssen Eingangstriggerimpulse der Basis des leitenden Transistors zugeführt werden, um diesen für eine Zeitdauer in einen nicht leitenden Zustand zu versetzen, die ausreichend lang ist, um ein Umschalten der leitenden Zustände der Transistoren zu ermöglichen. Dieses Zeitintervall wird von den verteilten Kapazitäten und den Pinchwiderständen 37 und 38 bestimmt, wie oben schon erwähnt.

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Negative Eingangstriggerimpulse oder Signale könnten direkt in Kreuzkopplungsverbindungen an den Kollektoren jedes der Transistoren 1o und 2o zugeführt werden, und die Schaltung würde einen stabilen Arbeitszustand in Übereinstimmung damit einnehmen, welcher der Verbindungen mit einem derartigen negativen Impuls versorgt wurde. Es ist jedoch wünschenswert, einen Schutz für die Transistoren 1o und 2o in der Flip-Flop-Schaltung gegen hohe positive Eingangspotentiale und auch gegen übermäßige negative Eingangspotentiale zu schaffen, um eine Beschädigung der Transistoren 1o und 2o zu verhindern. In der in der Zeichnung gezeigten Schaltung wird dieses durch ein Paar von Substrat-PNP-Transistoren 4o und 5o erreicht, deren Kollektoren mit dem Substrat oder mit dem an Masse liegenden Verbindungsstück 11 verbunden sind, und deren Emitter jeweils mit den Kollektoren der Transistoren Io und 2o verbunden sind. Die Basis des PNP-Substrattransistors 4o ist mit einem Eingangsanschlußstück 41 verbunden ,und die Basis des Substrat-PNP-Transistors.5o ist mit einem Eingangsverbindungsstück 51 verbunden.

Zum Zwecke der Illustration nehme man an, daß der Flip-Flop-Schaltkreis sich in einem stabilen Arbeitszustand befindet, wobei der Transistor 2o leitend gesättigt und der Transistor 1o nicht leitend ist. Wenn dies auftritt, ist das Ausgangspotential an dem Verbindungsstück 35 niedrig, entsprechend .. Vg.m, wobei der meiste Strom, der von dem Kollektor 22 des Stromquellentransistors 23 geliefert wird, durch den Transistor 2o gezogen wird. Auf der anderen Seite ist der Transistor 1o nicht leitend, da er von dem niedrigen Potential des Kollektors des Transistors 2o umgekehrt vorgespannt ist. Daher fließt der von dem Kollektor 21 des Stromversorgungstransistors 23 gelieferte Strom durch die Diode 14 und den Basisemitterübergang des

ΟΛΟΟΟΓ / 4 <t «* Γ

- 1ο -

Transistors 2o und dem Pinchwiderstand 38 zum geerdeten Substratverbindungsstück 11. Dieser Strom ist der vorwärts vorspannende oder Antriebsstrom für den Transistor 2o.

Wenn ein negativer Impuls dann an das Anschlußstück 41 angelegt wird, wird der normalerweise nicht leitende PNP-Substrat-Transistor 4o leitend,leitet daraufhin den Stromfluß aus dem Kollektor 21 des Stromversorgungstransistors 23 zu einem Punkt, bei dem ein nicht ausreichender Antriebsstrom der Basis des Transistors 2o zugeführt wird. Der Transistor 2o wird dadurch nicht leitend. Wenn dies auftritt, steigt das Potential an seinem Kollektor an; und innerhalb eines Zeitintervalls, das von den Zeitkonstanten der Kreuzkopplungsschaltung einschließlich der verteilten Kapazität, die in gestrichelten Linien gezeigt ist, bestimmt wird, wird der Transistor 1o leitend. Der vom Kollektor 21 des Stromquellentransistors fließende Strom wird dann durch den Kollektoremitterweg des Transistors 1o gezogen, so daß der Transistor 2o weiterhin abgeschaltet ist, obwohl der Transistor 4o wieder im nicht leitenden Zustand sein kann. In diesem Betriebszustand wirkt der vom Kollektor 22 des Stromquellentransistors 23 gelieferte Strom als Vorwärtsvorspannung oder Antriebsstrom für den Transistor 1o; und das am Ausgangsverbindungsstück 34 voitaidsie Signal fällt auf Vg.m, und das Signal, das am Ausgangsverbindungsstück 35 vorhanden ist, steigt aufgrund des Potentialabfalls über der Diode 15 und dem Basisemitterübergang des Transistors 1o auf zwei 0 an.

Wenn in der Folge ein negativer Eingangsimpuls an dem Anschluß 51 einer Größe, die ausreicht, um den Substrattransistor 5o zum Leiten vorzuspannen, angelegt wird, tritt der umgekehrte Arbeitszustand auf, wobei der Transistor 1o nicht leitend und der Transistor 2o leitend wird.

Die Substrat-PNP-Transistoren 4o und ?o liefern Schutz gegen übermäßige negativ verlaufende Potentiale, die dem Flip-Flop-Schaltkreis zugeführt werden. Dies geschieht dadurch, daß bei Absinken von negativ verlaufenden Impulsen unterhalb des Massepotentials von einem Wert, der'ein 0 (ungefähr o,7 Volt) übersteigt, der Kollektorbasisübergang des Substrat-PNP-Transistors 4o oder 5o vorwärts vorgespannt wird. Dies klammert dessen Basis auf ein Potential, das um ein 0 unterhalb des Massepotentials liegt. Wenn auf der anderen Seite eine hohe positive Spannung oder ein vorübergehender Impuls der Basis von entweder dem Transistor 4o oder 5o zugeführt wird, blockiert die hohe umgekehrte Spannungsrate des Emitterbasisüberganges des Substrat-PNP-Transistors die Zuführung von derartigen Impulsen und verhindert, daß sie die Eingänge des Flip-Flop-Schaltkreises erweichen. Dieser umgekehrte Spannungsschutz liefert Schutz für derartige umgekehrte positive Spannungen bis zu einer Größe von ungefähr 1oo Volt.

Ein Flip-Flop-Schaltkreis, der in Übereinstimmung mit den vorgenannten Anforderungen konstruiert ist, erfordert sehr wenig Grundfläche, da die einzigen Widerstände, die in dem Flip-Flop-Schaltkreis selbst verwendet werden, Pinchwiderstände sind. Zusätzlich ist dieser Schaltkreis besonders geeignet für den Betrieb bei Motorfahrzeugen oder Flugzeugen und dergleichen aufgrund der Tatsache, daß es ein Schaltkreis mit verhältnismäßig niedriger Geschwindigkeit ist, wodurch er besonders günstig bei derartigen Anwendungen verwendet werden kann, wo St or spannungen häufig auftreten. Da der Schaltkreis mit einer konstanten Stromquelle arbeitet, ist er verhältnismäßig immun gegen Veränderungen der B+ -Versorgung und der Umgebungstemperatur. Die am Eingang des Flip-Flops vorgesehenen Substrat-PNP-Transistoren bewirken einen angemessenen Schutz gegen übermäßige positive oder negative Spannungsimpulse.

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Claims

7. Schaltkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Dual-Kollektorstromquellentransistor ein lateraler PNP-Transistor und die ersten und zweiten Transistoren NPN-Transistoren sind.

8. Ein monolithischer, integrierter, bistabiler Multivibratorschaltkreis mit ersten und zweiten Gleichspannungsversorgungsanschlüssen, ersten und zweiten Transistoren der gleichen Leitfähigkeitsart, Jeder mit ersten Elektroden verbunden mit dem ersten Versorgungsanschluß, zweiten Elektroden eines jeden dieser Transistoren verbunden mit der Steuerelektrode des anderen der Transistoren, gekennzeichnet durch eine konstante Stromquelleneinrichtung (23), angeschlossen zwischen dem zweiten Versorgungsanschluß(24) und den zweiten Elektroden der ersten und zweiten Transistoren (1o und 2o), durch dritte und vierte Transistoren (4o und 5o) von entgegengesetzter Leitfähigkeitsart zur Leitfähigkeitsart der ersten und zweiten Transistoren, wobei die ersten Elektroden der dritten und vierten Transistoren mit den zweiten Elektroden der ersten bzw. zweiten Transistoren verbunden sind, daß die zweiten Elektroden der dritten und vierten Transistoren mit dem ersten Versorgungsanschluß (11)\verbunden sind, und durch Schaltkreisvorrichtungen (Anschluß 41) zum Anlegen von Triggersignalen an die Steuerelektrode von mindestens einem der dritten und vierten Transistoren.

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τ-Ι VO

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Patentansprüche:

i.yEin monolithischer, integrierter, bistabiler Multivibrator- ^ schaltkreis mit ersten und zweiten Transistoren der gleichen Leitfähigkeitsart, wobei erste Elektroden des ersten und zweiten Transistors mit einem von einem Paar von Versorgungsanschlüssen verbunden ist, und wobei die zweite Elektrode eines jeden der Transistoren mit der Steuerelektrode des anderen der Transistoren verbunden ist, wobei die Schaltung gekennzeichnet ist durch eine Stromversorgungsvorrichtung (23?), die zwischen dem anderen des Paares von Versorgungsanschlüssen (24) und der zweiten Elektrode des ersten bzw. zweiten Transistors (1o und 2o) angeschlossen ist; und durch erste und zweite Pinchwiderstände (37 und 38), die zwischen dem einen Versorgungsanschluß (11) und der Steuerelektrode des ersten bzw. zweiten· Transistors angeschlossen sind.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode jedes der Transistoren mit der Steuerelektrode des anderen Transistors über Diodenvorrichtungen (14 und 15) verbunden ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen dritten und vierten Transistor (4o und 5o) einer Leitfähigkeitsart entgegengesetzt der Leitfähigkeitsart des ersten und zweiten Transistors, wobei die ersten Elektroden des dritten und vierten Transistors mit den zweiten Elektroden des ersten bzw. zweiten Transistors verbunden sind, und wobei zwe.ite Elektroden des dritten und vierten Transistors

veinen;
mit demVVersorgungsanschluß verbunden sind; und durch Schaltvorrichtungen (Anschluß 41) zum Zuführen von Eingangssignalen an die Steuerelektroden von mindestens einem der dritten und vierten Transistoren, um den Leitfähigkeitszustand der Multivibratorschaltung zu ändern.

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