DE2163075A1 - - Google Patents

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DE2163075A1 DE19712163075 DE2163075A DE2163075A1 DE 2163075 A1 DE2163075 A1 DE 2163075A1 DE 19712163075 DE19712163075 DE 19712163075 DE 2163075 A DE2163075 A DE 2163075A DE 2163075 A1 DE2163075 A1 DE 2163075A1
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DE2163075A 1970-12-23 1971-12-18 Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen Expired DE2163075C2 (de)

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FR7046399A FR2119175A5 (en) 1970-12-23 1970-12-23 Monolithic semiconductor body - comprising binary cpd substrate and active layer of a ternary cpd
FR7046400A FR2119176A5 (en) 1970-12-23 1970-12-23 Monolithic semiconductor body - comprising binary cpd substrate and active layer of a ternary cpd

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DE2163075A Expired DE2163075C2 (de) 1970-12-23 1971-12-18 Verfahren zur Herstellung von elektrolumineszierenden Halbleiterbauelementen

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US (1) US3823043A (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP (1) JPS5029787B1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
CA (1) CA930075A (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2163075C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1370430A (cg-RX-API-DMAC10.html)
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JPS5029787B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1975-09-26
DE2163075C2 (de) 1982-03-04

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