DE2159062B2 - - Google Patents

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DE2159062B2 DE2159062A DE2159062A DE2159062B2 DE 2159062 B2 DE2159062 B2 DE 2159062B2 DE 2159062 A DE2159062 A DE 2159062A DE 2159062 A DE2159062 A DE 2159062A DE 2159062 B2 DE2159062 B2 DE 2159062B2
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    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
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    • G11C19/0883Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders

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  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Übertragen von Informationen zwischen zwei aneinander angrenzenden magnetischen Medien in Form von Chips, in denen jeweils Informationen durch magnetische Bläschendcmänen darstellbar sind, die durch senkrecht zur Chipoberfläche wirksame magnetische Felder stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberfläche anlegbare magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf dem Chip verschiebbar sind, insbesondere zur Verwendung als Schieberegister.
Anordnungen dieser Art sind infolge ihrer Größe, d. h. der des magnetischen Chips, in ihrer Kapazität begrenzt. Eis ist nicht ganz einfach, magnetische Chips mit größeren Abmessungen, die für ßläschcndomäncn-Verschicbung geeignet sind, herzustellen. So ist es schwierig, mit heutigen Herstellungsverfahren z. B. lange Schieberegister bereitzustellen; eine größere Länge läßt sich vielmehr nur auf elektrischem Wege erzielen, indem durch Ruckkopplungsmaßnahmen die Information umlaufen gelassen wird.
Es ist zwar in der USA-Patentschrift 34 80 925 ein Schieberegister beschrieben worden, bei dem zwei Magnetfolien verwendet werden, wo einzelne Wanddomänen gegenseitig aufeinander von einer Magnetfolie auf die andere einwirken; dieser asynchrone Schaltkreis nutzt jedoch die Abstoßung zwischen den einzelnen Wanddomänen dazu aus, diese Wanddomänen aneinanderzureihen. Das die Information darstellende Auftrett.n und Fehlen von Wanddomänen kann in dem bekannten System nicht mit nur einer Magnetfolie durchgeführt werden, da jegliche Information, die durch das Fehlen von Wanddomänen dargestellt werden soll, hierbei in Verlust gerät. Das Prinzip bei der bekannten Anordnung ist derart, daß das Auftreten einer Wanddomäne in der zweiten Magnetfolie dem Fehlen einer Wanddomäne in der ersten Magnetfolie entspricht. Obgleich also eine Information durch das Auftreten von Wanddomänen sowohl in der ersten Magnetfolie als auch in der zweiten Magnetfolie angezeigt wird, läßt sich die Information auf der ersten Magnetfolie als Auftieten und Fehlen von Wanddomänen erfassen. Es ist hierbei also nich: so, daß durch die Verwendung zweier Magnetfolien die Kapazität des hierdurch gebildeten Schieberegisters erhöht wird.
■io Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Kapazität von Bläschendomänen-Anordnungen, insbesondere zu Speicherzwecken, unabhängig von Herstellungsverfahren einzelner magnetischer Chips in einfacher Weise wesentlich zu erhöhen; wobei weiterhin die Möglichkeit gegeben sein soll, Teilbereiche mit unterschiedlichen magnetischen Eigenschaften zu versehen. Hierzu soll das magnetische Chip in bezug auf seine Verschiebebahnen für die 3läschendomäncn entsprechend ausgestaltet sein.
1)0 Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Verschiebebahnen auf den Chips jeweils von einem Bläschengenerator längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden Chip auf eine zweite Kante zu und daran längs zur Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip verlaufen, indem die Bläschcndomänen-Generatoren bezüglich der Bläschendomänen-Erzeugung zeitlich so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Bläschendomäne an der Aufnahmekante eines Chips eintrifft, wenn eine Bläschendomäne des an die Aufnahmekante angrenzenden anderen Chips in den Wirkungsbereich der Bläschendomäne auf dem einen Chip verschoben ist und daß die Verschiebebahnen jeweils in einen Bläschendomänen-Auslöscher enden.
r>5 In vorteilhafter Weise ist hierzu vorgesehen, daß die Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekante besitzen, derart, daß ein Zweig längs der Aufnahmekante verläuft, um ebenfalls in einen Bläschendomänen-Auslöscher zu enden. Eine ßläschcn-
ό domäne auf dem /weiten Chip wird also nur dann weitergelcitet, wenn auf dem ersten Chip eine Bläschendomäne in ihren Wirkungsbereich eintritt, so daß eine Abstoßung erfolgen kann. Wird nun angenommen, daß das Auftreten einer Bläschendomäne im ersten
"5 Chip eine »L« darstellt, wohingegen das Fehlen einer Bläschendomäne eine »0« bedeutet, wobei diese Zeichen, wie an sich bekannt, zu fest vorgegebenen Taktzeiten auftreten, dann wird eine ßläschcndomänc
beim Auftreten einer »L« abgestoßen, wohingegen bei »0« die Bläschendomäne den ursprünglichen Weg fortsetzt und in einen Bläschendomänen-Auslöscher gelangt, ohne eine Information auf das nächste Chip weitergeben zu können. Hat eine Bläschendomäne ihre Wirkung auf eine Bläschendomäne eines angrenzenden Chips ausgeübt, dann gelangt sie ebenfalls auf einen Bläschendomänen-Auslöscher.
Die Abgabe von Bläschendomänen im ersten Chip läßt sich in sehr einfacher Weise steuern, wenn gemäß einer Weiterbildung der Erfindung zur wahlweisen Ausiöschung einer Bläschendomäne eine Leitungsschleife mit der Verschiebebahn gekoppelt ist. Hiermit ist in vorteilhafter Weise eine vollständige Unabhängigkeit zwischen der Bläschendomänen-Erzeugung und dem Signaleingang am ersten magnetischen Chip erreicht
Die magnetischen Chips, die aneinanderstoßen, um so eine entsprechend größere Anordnung zu bilden, können alle vom gleichen Material mit gleichen magnetischen Eigenschaften sein, jedoch im Bedarfsfall lassen sich auch unterschiedliche Materialien oder magnetische Eigenschaften verwenden. Dies kann insbesondere dann von Vorteil sein, wenn den einzelnen Chips unterschiedliche Aufgaben zukommen; z. B. Chips zur Eingabe von Daten, zur Ausgabe bzw. Anzeige von Daten und zur Verarbeitung von Daten. Als weitere Alternative lassen sich auch auf ein Substrat mehrere Chips in unterschiedlicher Orientierung aufbringen, so daß sich eine hybride Dünnfilmstruktur, bestehend aus einer Vielzahl kleiner Chips, ergibt.
Da die Bläschendomänen ihre gegenseitige Wechselwirkung über eine Entfernung von mehreren Bläschendomänen-Durchmessern — eine starke Wechselwirkung ergibt sich noch für Abstände in der Größenordnung von 3 bis 4 Bläschendomänen-Durchmessern — ausüben, ist die Grenzfläche zwischen benachbarten magnetischen Chips nicht sehr kritisch. Das bedeutet, daß die magnetischen Chips an ihren Kanten nicht besonders fein poliert zu sein brauchen, um die erwünschte Wirkung herbeiführen zu können. Als Vcrschiebemittcl auf den magnetischen Chips lassen sich alle bekannten Maßnahmen verwenden. In vorteilhafter Weise jedoch können unterschiedliche Vormagneti'ierunger. bzw. Stabilisier ingsfelder auf die einzelnen Chips einwirken gelassen werden.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der unten aufgeführten Zeichnungen und aus den Patentansprüchen. Es zeigt
F i g. 1 dre1 magnetische Chips auf einem Substrat,
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel zur Informationsübertragung zwischen den beiden Chips,
Fig. 3 ein zweitem Ausführungsbeispiel zur Informationsübertragung zwischen zwei Chips.
Die in F i g. I gezeigte ßläschendomänen-Vorrichtung besteh! aus den drei magnctisierbaren Chips A, B und C. Diese magnetischen Chips bestehen aus Kristallen, die zur Verschiebung und Aufrcchtcrhaltung magnetischer Bläschendomänen geeignet sind. Kristalle dieser Art sind bekannt und können /.. B. Orthoferrite oder Granate sein. Diese Kristalle können als Diinnschichlfilme oder Kristallkörper ausgebildet sein. Diese magnetischen Chips A. II, C sind auf einem Substrat 10 angeordnet, das üblicherweise aus Isolalionsmatcrial besteht. Ein·· hier nicht gezeigte Vormagnetisierungsquelle, wie z. B. eine Spule oder ein Permanentmagnet, bestreitet das Stiibilisierungsfckl ///, das normal zur Ebene der Miignetchips A, £1 und C gerichtet ist.
Es sei nun angenommen, daß das Chip A zuerst eine Information übertragen erhält, wobei die Information in Form von Bläschendomänen vom Chip A auf das auf Chip Cgelegene Abfühlbauelement 12 zu übertragen ist. Da die Bläschendomänen von sich aus nicht in der Lage sind, die physikalischen Grenzen 13 zwischen den einzelnen Chips zu überschreiten, stellt die vorliegende
ίο Erfindung Maßnahmen für die Informationsübertragung zwischen den einzelnen Chips bereit. Infolgedessen ergibt sich ein erhöhtes Daiten-Fassungsvermögen, selbst wenn die magnetischen Chips A, B und C ganz klein sein sollten.
Auf den einzelnen magnetischen Chips A, B, C sind die verschiedenen Bläschendomänen-Generatoren 14Λ, 14ßund 14C angeordnet. Außerdem befinden sich auf den magnetischen Chips die Blläschendomänen-Auslöscher 16.4, läß-I, 16S-2 und 16C Weiterhin sind Mittel zur Verschiebung der Bläschendoininen längs der Bahnen, wie sie durch die Pfeile ISA, HBl, 18ß-2, 18C-1 und 18C-2 angedeutet sind, auf den Chips vorgesehen. Die einzelnen Bläschendomänen-Generatoren 14/4,14ßund 14Cerzeugen die Bläschendomänen 2OA, 2OJ bzw. 2OC Bläschendomänen-Generatoren dieser Art sind bekannt; sie produzieren jeweils eine Bläschendomäne während eines Bläschendomänen-Verschiebezyklusses. Ein Bläschendomänen-Generator könnte z. B. aus einer rotierenden weicnmi.gnetischen
so Scheibe bestehen, wie es von Perneski in »IEEE Transactions on Magnetics«, Band MAG-5, Nr. 3, September 1969, auf Seite 557 ff beschrieben ist.
Im Betrieb wird ein durch den Blaschendomänen-Generator HA erzeugtes Signa! durch das Auftreten oder Fehlen einer Bläschendomäne 2OA im Chip A angezeigt. Eine Inhibit-Schleife 21 dient dazu, zu verhindern, daß der Bläschengenerator 14.4 eine Bläschendomäne abgibt, wenn ein O-Bit verlangt ist. Bläschendorriunen 20A bewegen sich längs der Bahn 18/4 auf die
Übergangszone 22 zu. In der Übergangszone 22 tritt eine ßläschendomäne oder das Fehlen einer Bläschcndomäne in magnetische Wechselwirkung mit der Bläschendomäne 20ß, die im Chip B durch den Bläschendomänen-Generator 14ß hervorgerufen worden ist. Bläschendomänen 2OZ? treten während jedes Zyklusses in der Übergangszone 22 auf, da im Chip B keine Inhibit-Windung am Ausgang des Bläschendomiinen-Generators 14ß vorgesehen ist.
Ist eine Bläschendomäne 2OA in der Übergangs/one 22 vorhanden, wenn außerdem eine Bläschendomäne 20ß in diese Übergangszone gelangt, dann haben die zwischen diesen beiden Bläschendomänen wirksamen gegenteiligen Abstoßkräfte zur Folge, daß die Bläschendomäne 20ß von ihrer normalen Bahn 18Ö-1 auHic Bahn 18ß-2 verschoben wird. Ist jedoch keine vom Bläschengenerator 14,4 stammende Bläschendomäne in der Übergangszone 22 zwischen den Chips A und B vorhanden, wenn rüc Bläschendomäne 20ß in diese Übergangszone gelangt, dann wird natürlich auch die Bläschendomäne 20/i nicht in die Rahn I8Ö-2 verschoben, sondern setzt ihre Bewegung längs cter Bshn 18fl-1 fort, bis der Bläschendomiineii-Aiislöschcr lfiß-1 erreicht ist.
Eis ist also festzuhalten, daß das Auftreten von
<>') Bläschendomänen 2OA im Chip A veranlaßt, daß Bläschendomänen 20flimChip R von ihrer bevorzugten Bahn 18fl-l abgelenkt werden, um ihren Wi:g dann längs der Bahn 18ß-2 fortzusetzen. Das Auftreten einer
Bläschendomäne 204 zur Darstellung eines Wertes »I.» im Chip A ordnet dann! einer Dläschendomäne 20/i im Chip I) ebenfalls den Wert »I.« zu. Infolgedessen wird das Auftreten oder fehlen von lilüschendomiinen im Chip A in Form eines Auftretens bzw. Fehlens von Bläschendomänen 20Ii längs der Bahn I8W-2 im Chip B dupliziert.
f.ine weitere Übergangszone befindet sich zwischen den (hips Sund C. Wie bereits oben angedeutet, stellen die sich längs der Bahn 18ß-2 bewegenden Bläschcndo- in mäncn Informationsträger dar.
In dieser Übergangszone treten dann dieselben Wirkungen ein. wie oben beschrieben; da die Bläschendomäncn 2OC in jedem Zyklus des Bläschengenerators I4f'erzeugt werden, hat das Auftreten einer Bläschen- li domäne 20ß in der Bahn 18ß-2 zur Folge, daß eine Blaschendomäne 20i' in die Bahn 18C2 verschoben wird und damit nicht mohr der Bahn 18C-1 folgen kann. Die Bahn 18C-2 führt zu einem auf dem Chip C angeordneten Bläschendomänen-Dctcktor 12. m
Fs versteht sich von selbst, daß die Anordnung auch aus mehr als den drei gezeigten magnetischen Chips bestehen kann und daß die verschiedensten Bläschcnverschicbesystcnie vorgesehen werden können, um die Information zirkulieren zu lassen. Die magnetischen ?r> Chips A. B und C können aus Kristallkörpern oder Finkristalldünnschichtcn bestehen, die auf einem Substrat aufgewachsen sind. Kristallkörper werden mit Ultraschall zurechtgeschnitlen. um entsprechende Grenzflächen zu erhalten, und dann auf ein gemcinsa- ίο nies Substrat 10 aufgebracht. Da die Bläschendomänen ihre Wechselwirkung über eine Fntfernung von mehreren Bläschendoinäncn-Durchmcsscr — innerhalb '.on drei oder vier Bläschendomänen-Durchmnssern ist diese Wechselwirkung noch als stark zu bezeichnen — ii ausüben, ist cmc etwaige Rauhigkeit der Grenzflächen weitgehend ohm: Belang. So haben z. B. Unregelmäßigkeiten von einigen um an den Kanten benachbarter C hips keinen FmHuIi auf die Wechselwirkung zwischen Bläschendomanen. die in ledern Chip etwa 5 iun jeweils in von der gemeinsamen f jrenzfläche entfernt sind.
Magnetische Chips lassen sich auf einem Substrat aufwachsen, das dw· einzelnen Teilen verschiedener Kris:a!lonentierung besteht Die Grenzflächen zwischen Chips, die auf diese Weise aufgewachsen sind. ■·> entsprechen ja der, fjren/flachen zwischen Körperkristauen, die einzeln auf das Substrat aufgebracht sind.
Weiterhin brauchen die magnetischen Chips A. ßund C nicht unbedingt ,ujs dem gleichen Material zu bestehen, noch is1 es notwendig, daß sie gleiche V) Materialeigenschaften besitzen, wie z. B. Trägerbeweglichkeu und Biidithie. Schließlich isi es auch niehl erforderlich, daß auf allen magnetischen Chips gleiche Bläschendomänen-V'erschiebemittel angewendet werden. Es ist lediglich erforderlich, daß eine Bläschendomäne (bzw. keine Bläschendomäne) in die Obergangszone 22 zur gleichen Zeit gelangt, wenn eine Bläschendomäne im benachbarten Chip ebenfalls diese Ubergangszone erreicht, um die gewünschte Informationsübertragung zwischen benachbarten magnetischen Chips zu erhalten. F.ine Zeitsteuervorrichtung 23 synchronisiert zu diesem Zweck die Bläschengeneratoren 14ß und 14C im Zusammenwirken mit der Inhibit-Windung 21. Auf diese Weise ist sichergestellt, daß die im Chip A vorhandene information auf die S5 Chips B und C übertragen werden kann, ohne daß Phasenprobleme auftreten.
In Fig. 2 ist die erfindungsgemäße Anordnung gezeigt, bei der die einzelnen Chips in an sich bekannter Weise T- und I-förmige Verschiebemiltel für die Bläschendomänen aufweisen. In üblicher Weise wird hierzu ein weichmagnetisches Material verwendet. Die Grenzfläche zwischen Chip A und B ist mit Π bezeichnet und kann nicht durch Hläsehcndomänen überschritten werden, da die Austauschkopplung von Magnetisicrungsvcktorcn in Domänenwänden vom Vorhandensein magnetisierbarer! Materials abhängig ist. An der Schnittstelle H zwischen den Chips liegt jedoch eine Diskontinuität vor. so daß die Austauschkopplung verhindert wird. Auf der anderen Seite ist es aber möglich, daß die Verschiebemiltel (T- und I-förmige Streifen) die Schnittstelle 13 überqueren.
Im Chip A bewegen sich die Domäncn 204 von links nach rechts in Richtung des Pfeiles 18Λ Frzeugt werden diese Domänen durch einen gesteuerten Bläschengenerator \4A: sie können auch Informationsbits darstellen, die in Chip A durch ein anderes benachbartes magnetisches Chip eingebracht worden sind.
Im Chip Ii werden die Bläschendomänen 2OW in jedem Zyklus des rotierenden magnetischen Feldes // erzeugt, wobei die Rotationsebene des magnetischen Feldes mit der Chipoberfläche zusammenfällt. Dabei werden die Bläschendomanen 20ß kontinuierlich durch den Generator 14flabgegeben und verfolgen eine Bahn 18S-1 beim Fehlen einer Domäne 204 in der Ubergangszone 22. Die Bläschendomänen 20/1 auf dem Chip A gelangen in jedem Falle zu einem Bläschendomänen-Auslöscher 164. Die Bläschendomänen 20/iauf dem Chip B bewegen sich nur dann auf einen Bläschendomänen-Auslöscher 16/i-l zu. wenn sie nicht auf die Bahn I8S-2 infolge des Auftretens einer Bläschendomäne 204 in der Ubergangszone 22 gedrückt werden und diese weiter verfolgen.
Wenn nun speziell eine Bläschendomäne 204 in enge Nachbarschaft zur Schnittstelle 13 gerät und dabei auf die Position 2, 3 des L-förmigen Streifens 28 gelangt, dann wird eine Bläschendomäne 20ß in Position 2 des L-förmigen Streifens 30 abgestoßen, so daß diese Domäne 20 ß nun der durch die Positionen 3', 4', Γ, 2' gekennzeichneten Bahn auf dem L-förmigen Streifen 32 folgt. Die Domäne 20S folgt dann der durch die Positionen 3', 4' und Γ längs des T-förmigen Streifens 34 gebildeten Bahn, wonach sie dann in Richtung des Pfeiles 18S-2 auf das magnetische Chip C zuwandert. Befindet sich die Bläschendomäne 204 nicht in der Übergangszone 22 zwischen den Chips A und B, wenn die Bläschendomäne 20ß zur Position 2 auf dem L-förmigen Streifen 30 angelangt ist. dann wand°rt die Bläschendomäne 2OS zu den Positionen 3, 4 und 1 des L-förmigen Streifens 30. um dann abwärts in Richtung des Pfeiles 18S-I längs der T- und I-förmigen Streifen 36,38,40 usw. vorüberzugleiten.
Es versteht sich, daß das Verschiebefeld H sich in der Ebene der Chipoberfläche dreht und auf die beiden Chips A und B einwirkt. Natürlich läßt sich dies auch durch zwei getrennte magnetische Felder, die entsprechend miteinander synchronisiert sind, durchführen, um sicherzustellen, daß die Bewegung zu entsprechenden Positionen in jedem magnetischen Chip zur gleichen Zeit erfolgt. Ebenso versteht sich, daß das Vormagnetisierungsfeld Hz normal zur Magnetchipoberfläche ausgerichtet ist.
Die Verschiebemittel in der Anordnung nach Fig.3 bestehen aus Leiterschleifen, die abwechselnd aufeinanderfolgend entsprechend polarisiert sind. Es versteht sich von selbst, daß unter Kenntnis der Erfindungsprin-
/ipien, wie sie mit Hilfe der Darstellungen in den F i g. 1 bis 3 erläutert sind, es ohne weiteres möglich ist, auch hier nicht gezeigte Verschiebemittel für Bläschendomänen unter Ausnutzung der Erfindung zur Übertragung von einem Chip zum anderen anzuwenden.
Zurückkommend auf die Anordnung nach F i g. 3 ist zu be·; -ärken, daß die vom Chip A zum Chip B zu übertragende Information sich in Richtung des Pfeiles 18/4 aufgrund der durch die Ströme IA ι und U 2 entsprechend erzeugten magnetischen Felter bewegt. Die Bläschendomänen 20/4 gelangen in die Übergangszone 22, wenn sie die Leiterschleife 42 erreicht haben. Entsprechend treten die Domänen 20ßauf dem Chip B in die Übergangszone 22 ein, sobald sie die Leiterschleife 44 erreichen. Befindet sich eine Bläschendomäne 20/1 in der Leiterschleife 42, gleichzeitig, wenn eine Bläschendomäne 20ß in der Leiterschleife 44 ist, dann wird dip Rläsrhenrlnmäne 20/? in Richtung des Pfeiles 18S-2 verschoben, um sich auf das magnetische Chip C zuzubewegen. Ist keine Bläschendomäne 20/4 in der Leiterschleife 42 vorhanden — also bei »0« —, wenn sich gleichzeitig eine Domäne 200 in der Leiterschleife 44 befindet, dann setzt die Bläschendomäne 20ß ihre Bewegung in Richtung des Pfeiles 18S-1 fort, um auf den Bläschendomänen-Auslöscher 16ß-1 zu gelangen. Alle Bläschendomänen 20/4 hingegen bewegen sich in Richtung des Pfeiles 18/4 auf den Bläschendomänen-Auslöscher 16/4 zu.
Wenn auch die einzelnen magnetischen Chips A, B und C aufgrund der Herstellungsmöglichkeiten bestimmte Ausmaße nicht überschreiten können, so hat doch die Kombination, bestehend aus den Chips A, B und C, eine verhältnismäßig große Bitkapazität, da jedes magnetische Chip mit dem anderen zusammenwirkt, so daß eine entsprechend vergrößerte Anordnung zur Verfügung steht. So besitzt z. B. ein Schieberegister, bestehend aus drei magnetischen Chips, eine verhältnismäßig hohe Bitkapazität; wobei also magnetische Chips verwendet werden können, obwohl aufgrund der begrenzten Abmessungen eine Magnetchipverwendung bisher nicht für möglich gehallen worden ist.
Als weiterer Vorteil ergibt sich, daß magnetische Chips mit unterschiedlichen Eigenschaften Anwendung
in finden können, um so die Möglichkeiten einer aus magnetischen Chips bestehenden Speicheranordnung zu vergrößern. Wenn es auch bisher bekannt gewesen ist, daß sich magnetische Bläschendomänen gegenseitig abstoßen, so liegt mit der Erfindung doch eine vorteilhafte Ausnutzung dieses Effektes vor, um die einzelnen magnetischen Bläschendomänen zugeordneten Informationen von einem magnetischen Chip auf das andere übertragen zu können.
Falls es erforderlich ist, lassen sich Bläschendomänen zweier verschiedener magnetischer Chips, die sich gegenseitig an einer Grenzfläche abgestoßen haben, anstatt zu einem Bläschendomänen-Auslöscher auch auf eine andere Grenzfläche zu bewegen, um hier entsprechende Wirkungen auslösen zu können. Schließlieh können auch die magnetischen Chips mehr als einer oder zwei Grenzflächen benachbart sein und die Bläschendomänen in einem Chip können mehreren Quellen auf diesem Chip entstammen, anstatt nur von einem Bläschendomänen-Generator erzeugt zu sein.
Die Erfindung beruht also auf einer Informationsübertraguung zwischen getrennten magnetischen Chips, indem die Bläschendomänen-Wechselwirkung über die Grenzflächen dieser Chips hinweg in vorteilhafter Weise ausgenutzt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche;
1. Anordnung zum Obertragen von Informationen zwischen zwei aneinander angrenzenden magnetischen Medien in Form von Chips, in denen jeweils Informationen durch magnetische Bläschendomänen darstellbar sind, die durch senkrecht zur Chipoberfläche wirksame magnetische Felder stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberfläche anlegbare magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf dem Chip verschiebbar sind, insbesondere zur Verwendung als Schieberegister, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebebahnen (18Λ 18ß-2, 18C-2) auf den Chips (A, B, C) jeweils von einem Bläschengenerator (14Λ, B, C) längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden Chip (A) auf eine zweite Kante zu und daran längs zur Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip (B) verlaufen, indem die Bläschendomänen-Generatoren (14/4, B, C) bezüglich der Bläschendomänen-Erzeugung zeitlich so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Bläschendomäne (20B)an der Aufnahmekante eines Chips (B) eintrifft, wenn eine Bläschendomäne (20/^des an die Aufnahmekante angrenzenden anderen Chips (A) in den Wirkungsbereich der Bläschendomäne (20SJaUf dem einen Chip (B) verschoben ist, und daß die Verschiebebahnen (18/4, 18Ö-2) jeweils in einen Bläschendomänen-Auslöscher (16/4,165-2) enden.
2. Anordnu· % nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekante besitzen, derart, daß ein Zweig (18Ö-I, 18C-1) längs der Aufnahmekante verläuft, um coenfalls in einen Bläschendomänen-Auslöscher (16S-1, \6C) zu enden.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Auslöschung einer Bläschendomäne (20/4jeine Leitungsschleife (21) mit der Verschiebebahn (18/4^gekoppelt ist.
4. Anordnung mindestens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (A, B, C) aus verschiedenen magnetischen Materialien bestehen und/oder verschiedene magnetische Eigenschaften besitzen.
5. Anordnung nach den Ansprüchen I bis 4. dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Chips (A, B, C) aus auf einem Substrat aufgewachsenen Dünnschichtfilmen bestehen.
DE19712159062 1970-12-31 1971-11-29 Informationsübertragung bei Bläschendomänen-Speicher- und Schaltvorrichtungen Granted DE2159062A1 (de)

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FR2119938A1 (de) 1972-08-11
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