DE2159062C3 - - Google Patents
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- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
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- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
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Description
Die Irfindung betrifft eine Anordnung /um Übertragen
von Informationen /wischen zwei aneinander angren/enden magnetischen Medien in Form von Chips,
in denen jeweils Informationen durch magnetische ülüschcndomancn darstellbar sind, die durch senkrecht
/.iir ("hipoberfliiche wirksame magnetische Felder
stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberflache
anlcgbaie magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf dem Chip verschiebbar sind, insbesondere
zur Verwendung als Schieberegister.
Anordnungen dieser Art sind infolge ihrer Größe, d. h. der des magnetischen Chips, in ihrer Kapazität
begrenzt. Es ist nicht ganz einfach, magnetische Chips mit größeren Abmessungen, die für Bläschendomänen-Verschiebung
geeignet sind, herzustellen. So ist es schwierig, mit heutigen Herstellungsverfahren z. B.
lange Schieberegister bereitzustellen; eine größere Länge läßt sich vielmehr nur auf elektrischem Wege
erzielen, indem durch Rückkopplungsmaßnahmen die Information umlaufen gelassen wird.
Es ist zwar in der USA-Patentschrift 34 80 925 ein Schieberegister beschrieben worden, bei dem zwei
Magnetfolien verwendet werden, wo einzelne Wanddomänen gegenseitig aufeinander von einer Magnetfolie
auf die andere einwirken; dieser asynchrone Schaltkreis nutzt jedoch die Abstoßung zwischen den einzelnen
Wanddomänen dazu aus, diese Wanddomänen aneinanderzureihen. Das die Information darstellende Auftreten
und Fehlen von Wanddomänen kann in dem bekannten System nicht mit nur einer Magnetfolie
durchgeführt werden, da jegliche Information, die durch das Fehlen von Wanddomänen dargestellt werden soll,
hierbei in Verlust gerät. Das Prinzip bei der bekannten Anordnung ist derart, daß das Auftreten einer
Wanddomäne in der zweiten Magnetfolie dem Fehlen einer Wanddomäne in der ersten Magnetfolie entspricht.
Obgleich also eine Information durch das Auftreten von Wanddomänen sowohl in der ersten
Magnetfolie als auch in der zweiten Magnetfolie
angezeigt wird, läßt sich die Information auf der ersten Magnetfolie als Auftreten und Fehlen von Wanddomänen
erfassen. Es ist hierbei also nicht so, daß durch die Verwendung zweier Magnetfolien die Kapazität des
hierdurch gebildeten Schieberegisters erhöht wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Kapazität von Bläschendomänen-Anordnungen, insbesondere
zu Speicherzwecken, unabhängig von Herstellungsverfahren einzelner magnetischer Chips in einfacher
Weise wesentlich zu erhöhen; wobei weiterhin die Möglichkeit gegeben sein soll, Teilbereiche mit
unterschiedlichen magnetischen Eigenschaften zu versehen. Hierzu soll das magnetische Chip in bezug auf
seine Verschiebebahnen für die Bläschendomänen entsprechend ausgestaltet sein.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Verschiebebahnen auf den Chips jeweils von
einem Bläschengenerator längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden
Chip auf eine /weile Kante zu und daran längs /ur
Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip verlaufen, indem die Bläschendomänen-Generatoren
bezüglich der Bläschendomänen-Erztugung zeitlich so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Blaschendomäne
an der Aufnahmekante eines Chips eintrifft, wenn
so eine Bläschendomäne des an die Aufinihmekanie
angrenzenden anderen Chips in den Wirkungsbereich der Bläschendomäne auf dem einen Chip verschoben ist
und daß die Verschiebebahnen jeweils in einen Bläschendomanen-Auslöscher enden.
in vorteilhafter Weise ist hierzu vorgesehen, daß die
Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekanle besitzen, derart, daß ein /weig längs
der Aufnahmekante verläuft, um ebenfalls in einen Bläschendomänen Auslöscher /u enden. 1-ine Bläschen
domäne auf dem /weiten Chip wird also nur dann weitergeleitet, wenn auf dein ersten Chip eine
Bliischcndomänc in ihren Wirkungsbereich eintritt, so
daß eine Abstoßung erfolgen kann. Wird nun angenommen, daß das Auftreten einer Bliischcndomänc im ersten
Chip eine »1.« darstellt, wohingegen das Fehlen einer Bläschendoiniinc eine »0« bedeutet, wobei diese
Zeichen, wie an sich bekannt, zu fest vorgegebenen Taktzeiten auftreten, dann wird eine Blaschendomäne
beim Auftreten einer »L« abgestoßen, wohingegen bei »0« die Bläschendomäne den ursprünglichen Weg
fortsetzt und in einen Bläschendomänen-Auslöscher gelangt, ohne eine Information auf das nächste Chip
weitergeben zu können. Hat eine Bläschendomäne ihre Wirkung auf eine Bläschendomäne eines angrenzenden
Chips ausgeübt, dann gelangt sie ebenfalls auf einen Bläschendomänen-Auslöscher.
Die Abgabe von Bläschendomänen im ersten Chip läßt sich in sehr einfacher Weise steuern, wenn öemäß
einer Weiterbildung der Erfindung zur wahlweisen Auslöschung einer Bläschendomäne eine Leitungsschleife mit der Verschiebebahn gekoppelt ist. Hiermit
ist in vorteilhafter Weise eine vollständige Unabhängigkeit zwischen der Bläschendomänen-Erzeugung und
dem Signaleingang am ersten magnetischen Chip erreicht.
Die magnetischen Chips, die aneinanderstoßen, um so eine entsprechend größere Anordnung zu bilden,
können alle vom gleichen Material mit gleichen magnetischen Eigenschaften sein, jedoch im Bedarfsfall
lassen sich auch unterschiedliche Materialien oder magnetische Eigenschaften verwenden. Dies kann
insbesondere dann von Vorteil sein, wenn den einzelnen Chips unterschiedliche Aufgaben zukommen; z. B. Chips
zur Eingabe von Daten, zur Ausgabe bzw. Anzeige von Daten und zur Verarbeitung von Daten. Als weitere
Alternative lassen sich auch auf ein Substrat mehrere Chips in unterschiedlicher Orientierung aufbringen, so
daß sich eine hybride Dünnfilmstruklur, bestehend aus einer Vielzahl kleiner Chips, ergibt.
Da die Bläschendomänen ihre gegenseitige Wechselwirkung über eine Entfernung von mehreren Bläschendomänen-Durchmessern
— eine starke Wechselwirkung ergibt sich noch für Abstände in der Größenordnung
von 3 bis 4 Bläschendomänen-Durchmessern — ausüben, ist die Grenzfläche zwischen benachbarten
magnetischen Chips nicht sehr kritisch. Das bedeutet, daß die magnetischen Chips an ihren Kanten nicht
besonders fein poliert /ti sein brauchen, um die erwünschte Wirkung herbeiführen /u können. Als
Verschiebemittel auf den magnetischen Chips lassen sich alle bekannten Maßnahmen verwenden. In
vorteilhafter Weise jedoch können unterschiedliche Vormagnetisierungen bzw. .Stabilisierungsfelder auf die
ein/einen Chips einwirken gelassen werden.
Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen
an Hand der unten aufgeführten Zeichnungen und aus den Patentansprüchen. Is zeigt
1" i g. 1 drei magnetische Chips auf einem Substrat,
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel /ur Informationsübertragung /wischen den beiden ( hips.
Fig. i ein zweites Ausführungsbeispiel /ur Informationsübertragung
/wischen zwei Chips.
Die in Fig. I gezeigte Bläschendomaiien-Vorrichtung
besieht aus den drei niagnetisierbarcn Chips /\, B und C. Diese magnetischen Chips bestehen aus
Kristallen, die /ur Verschiebung und AiIf1-CChICrIIaItUHg
magnetischer lll.ischeiidomanen geeignet sind. Krislalle
dieser Art sind bekamt und können /. Ii. Orthoferrite
oder Granate sein. Diese Kristalle können als Düiinschichlfilme oder Kristallkörper ausgebildet sein.
Diese magnetischen Chips A, B, C sind auf einem Substrat 10 angeordnet, das üblicherweise aus Isolationsnialeiial
bestellt, bine hier nicht ge/.eigle Vorinagnetisierungsquelle,
wie /. B. eine Spule oder ein Permanentmagnet, bestreitet das Stabilisierungsfeld H/,
das normal zur Ebene der Magnetchips A, B und C
gerichtet ist.
Es sei nun angenommen, daß das Chip A zuerst eine
Information übertragen erhält, wobei die Information in
Form von Bläschendomänen vom Chip A auf das auf Chip Cgelegene Abfühlbauelement 12 zu übertragen ist
Da die Bläschendomänen von sich aus nicht in der Lage sind, die physikalischen Grenzen Ϊ3 zwischen den
einzelnen Chips zu überschreiten, stellt die vorliegende Erfindung Maßnahmen für die Informationsübertragung
zwischen den einzelnen Chips bereit Infoigedessen ergibt sich ein erhöhtes Daten-Fassungsvermögen,
selbst wenn die magnetischen Chips A. B und C ganz klein sein sollten.
Auf den einzelnen magnetischen Chips A. B, C sind d<e verschiedenen Biäschendomänen-Generatoren 14/4,
14ß und 14C angeordnet. Außerdem befinden sich auf den magnetischen Chips die Bläschendomänen-Auslöscher
16/t, 16ß-l, 16ß-2 und 16C Weiterhin sind Mittel
zur Verschiebung der Bläschendomänen längs der Bahnen, wie sie durch die Pfeile 18/4, 18S-1, 185-2,
18C-1 und 18C-2 angedeutet sind, auf den Chips vorgesehen. Die einzelnen Bläschendomänen-Generatoren
14/4,14ßund 14Cerzeugen die Bläschendomänen
20Λ, 20ß bzw. 2OC Bläschendomänen-Generaloren dieser Art sind bekannt; sie produzieren jeweils eine
Bläschendomäne während eines Bläschendomänen-Verschiebezyklusses. Ein Bläschendomänen-Generator
könnte z. B. aus einer rotierenden weichmagnetischen
Jü Scheibe bestehen, wie es von Perneski in »IEEE Transactions on Magnetics«, Band MAG-5, Nr. 3,
September 1969, auf Seite 557 ff beschrieben ist.
Im Betrieb wird ein durch den Bläschendomanen-Generator
14/4 erzeugtes Signal durch das Auftreten oder Fehlen einer Bläschendomäne 20/4 im Chip A angezeigt.
Eine Inhibit-Schleife 21 dient dazu, zu verhindern, daß der Bläschengenerator 14Λ eine Bläschendoniäne
abgibt, wenn ein O-Bit verlangt ist. Bläschendomänen
204 bewegen sich längs der Bahn 18/4 auf die
Übergangszone 22 zu. In der Übergangs/one 22 tritt eine Bläschendomäne oder das Fehlen einer Blaschendomäne
in magnetische Wechselwirkung mit der Bläschendomäne 20ß, die im Chip B durch den
Bläschendomänen-Generator 14ß hervorgerufen wor-
ti den ist. Blaschendomänen 20ß treten während jedes
Zyklusses in der Übergangs/one 22 auf, da im Chip B keine Inhibit-Windung am Ausgang des Bläschendomanen-Generators
14ß vorgesehen ist.
Ist eine Bläschendomäne 2OA in der Übergangs/one
so 22 vorhanden, wenn außerdem eine Bläschendomäne
2OB in diese Übergangszone gelangt, dann haben die zwischen diesen beiden Bläschendomänen wirksamen
gegenseitigen Abstoßkräfte zur Folge, daß die Bläscheml(imüne20ßvon
ihrer normalen Bahn iöß-i auf die
T) Bahn I8ß2 verschoben wird. 1st jedoch keine vom
Blaschengenerator 14/4 stammende Bläschendoniäne in
der Ühergangs/one 22 zwischen den Chips A und B
vorhanden, wenn die Bläschendoniäne 20ß in dtese Übergangs/one gelani't. dann wird natürlich auch die
«) Blascliendomäne 20ß nicht in die Bahn 18ß-2 verschoben,
sondern setzt ihre Bewegung längs der Bahn 18ß-l fort, bis der Bläschendomänen-Auslöscher i6ßl erreicht
ist.
Es ist also festzuhalten, daß das Auftreten von
M Bläschendomänen 20/4 im Chip A veranlaßt, daß
Bläschendomänen 20ßimChip ßvon ihrer bevorzugten
Bahn 18ß-l abgelenkt werden, um ihren Weg dann längs der Bahn 18ß-2 fortzusetzen. Das Auftreten einer
Bläschendomäne 20Λ zur Darstellung eines Wertes »L«
im Chip A ordnet damit einer Bläschendomäne 205 im Chip B ebenfalls den Wert »L« zu. Infolgedessen wird
das Auftreten oder Fehlen von Bläschendomänen im Chip A in Form eines Auftretens bzw. Fehlens von
Bläschendomänen 205 längs der Bahn 185-2 im Chip B
dupliziert.
Eine weitere Übergangszone befindet sich zwischen den Chips 5 und C. Wie bereits oben angedeutet, stellen
die sich längs der Bahn 185-2 bewegenden Bläschendomänen Informationsträger dar.
In dieser Übergangszone treten dann dieselben Wirkungen ein, wie oben beschrieben; da die Bläschendomänen
2OC in jedem Zyklus des Bläschengenerators 14C erzeugt werden, hat das Auftreten einer Bläschendomäne
205 in der Bahr 185-2 zur Folge, daß eine
Bläschendomäne 2OC in die Bahn 18C-2 verschoben wird und damit nicht mehr der Bahn 18C-1 folgen kann.
Die Bahn 18C-2 führt zu einem auf dem Chip C angeordneten Bläschendomänen-Detektor 12.
Es versteht sich von selbst, daß die Anordnung auch aus mehr als den drei gezeigten magnetischen Chips
bestehen kann und daß die verschiedensten Bläschenverschiebesysteme vorgesehen werden können, um die
Information zirkulieren zu lassen. Die magnetischen Chips A, B und C können aus Kristallkörpern oder
Einkristalldünnschichten bestehen, die auf einem Substrat aufgewachsen sind. Kristallkörper werden mit
Ultraschall zurechtgeschnitten, um entsprechende Grenzflächen zu erhalten, und dann auf ein gemeinsames
Substrat 10 aufgebracht. Da die Bläschendomänen ihre Wechselwirkung über eine Entfernung von
mehreren Bläschendomänen-Durchmesser — innerhalb von drei oder vier Bläschendomänen-Durchmessern ist
diese Wechselwirkung noch als stark zu bezeichnen — ausüben. :st eine etwaige Rauhigkeit der Grenzflächen
weitgehend ohne Belang. So haben z. B. Unregelmäßigkeiten von einigen μηι an den Kanten benachbarter
Chips keinen Einfluß auf die Wechselwirkung zwischen Bläschendomänen, die in jedem Chip etwa 5 μηι jeweils ίο
von der gemeinsamen Grenzfläche entfernt sind.
Magnetische Chips lassen sich auf einem Substrat aufwachsen, das aus einzelnen Teilen verschiedener
Kristallorientierung besteht. Die Grenzflächen zwischen Chips, die auf diese Weise aufgewachsen sind, <i5
entsprechen ja den Grenzflächen zwischen Körperkristallen, die einzeln auf das Substrat aufgebracht sind.
Weiterhin brauchen die magnetischen Chips A, Bund
C nicht unbedingt aus dem gleichen Material zu bestehen, noch ist es notwendig, daß sie gleiche
Materialeigenschaften besiuen, wie z. B. Trägerbeweglichkeit
und Bitdichte. Schließlich ist es auch nicht erforderlich, daß auf allen magnetischen Chips gleiche
Bläschendomänen-Verschiebemittel angewendet werden. Es ist lediglich erforderlich, daß eine Bläschendomäne
(bzw. keine Bläschendomäne) in die Übergangszone 22 zur gleichen Zeit gelangt, wenn eine
Bläschendomäne im benachbarten Chip ebenfalls diese Übergangszone erreicht, um die gewünschte Informationsübertragung
zwischen benachbarten magnetischen do Chips zu erhalten. Eine Zeitsteuervorrichtung 23
synchronisiert zu diesem Zweck die Bläschengeneratoren 145 und 14C im Zusammenwirken mit der
Inhibit-Windung 21. Auf diese Weise ist sichergestellt,
daß die im Chip A vorhandene Information auf die Chips B und C übertragen werden kann, ohne daß
Phasenprobleme auftreten.
In Fig. 2 ist die erfindungsgemäße Anordnung gezeigt, bei der die einzelnen Chips in an sich bekannter
Weise T- und I-förmige Verschiebemittel für die Bläschendomänen aufweisen. In üblicher Weise wird
hierzu ein weichmagnelisches Material verwendet. Die Grenzfläche zwischen Chip A und B ist mit 13
bezeichnet und kann nicht durch Bläschendomänen überschritten werden, da die Austauschkopplung von
Magnelisierungsvektoren in Domänenwänden vom Vorhandensein magnetisierbaren Materials abhängig
ist. An der Schnittstelle 13 zwischen den Chips liegt jedoch eine Diskontinuität vor, so daß die Austauschkopplung
verhindert wird. Auf der anderen Seite ist es aber möglich, daß die Verschiebemittel (T- und
I-förmige Streifen) die Schnittstelle 13 überqueren.
Im Chip A bewegen sich die Domänen 20/4 von links
nach rechts in Richtung des Pfeiles 18/4. Erzeugt werden diese Domänen durch einen gesteuerten Bläschengenerator
14Λ; sie können auch Inforr ' jnsbits darstellen,
die in Chip A durch ein a·, res benachbartes magnetisches Chip eingebracht worden sind.
Im Chip B werden die Bläschendomänen 205 in jedem Zyklus des rotierenden magnetischen Feldes H
erzeugt, wobei die Rotationsebene des magnetischen Feides mit der Chipoberfläche zusammenfällt. Dabei
werden die Bläschendomänen 20ß kontinuierlich durch den Generator 14ß abgegeben und verfolgen eine Bahn
18ß-l beim Fehlen einer Domäne 2QA in der Übergangszone 22. Die Bläschendomänen 20/4 auf dem
Chip A gelangen in jedem Falle zu einem Bläschendomänen-Auslöscher 16/4. Die Bläschendomänen 205 auf
dem Chip B bewegen sich nur dann auf einen Bläschendomänen-Auslöscher 165-1 zu, wenn sie nicht
auf die Bahn 185-2 infolge des Auftretens einer Bläschendomäne 20/4 in der Übergangszone 22
gedrückt werden und diese weiter verfolgen.
Wenn nun speziell eine Bläschendomäne 20/4 in enge
Nachbarschaft zur Schnittstelle 13 gerät und dabei auf die Position 2, 3 des L-förmigen Streifens 28 gelangt,
dann wird eine Bläschendomäne 20ß in Position 2 des L-förmigen Streifens 30 abgestoßen, so daß diese
Domäne 20ß nun der durch die Positionen 3', 4', 1', 2' gekennzeichneten Bahn auf dem L-förmigen Streifen 32
folgt. Die Domäne 205 folgt dann der durch die Positionen 3', 4' und Γ längs des T-förmigen Streifens 34
gebildeten Bahn, wonach sie dann in Richtung des Pfeiles 185-2 auf das magnetische Chip C zuwandert.
Befindet sich die Bläschendomäne 2OA nicht in der Übergangszone 22 zwischen den Chips A und ß, wenn
die Bläschendomäne 205 zur Position 2 auf dem L-förmigen Streifen 30 angelangt ist, dann wandert die
Biäschendomäne 2öß zu den Positionen 3, 4 und 1 des L-förmigen Streifens 30, um dann abwärts in Richtung
des Pfeiles 185-1 längs der T- und I-förmigen Streifen
36,38,40 usw. vorüberzugleiten.
Es versteht sich, daß das Verschiebefeld //sich in der
Ebene der Chipoberfläche dreht und auf die beiden Chips A und B einwirkt Natürlich läßt sich dies auch
durch zwei getrennte magnetische Felder, die entsprechend miteinander synchronisiert sind, durchführen, um
sicherzustellen, daß die Bewegung zu entsprechenden Positionen in jedem magnetischen Chip zur gleichen
Zeit erfolgt. Ebenso versteht sich, daß das Vormagnetisierungsfeld Hz normal zur Magnetchipoberfläche
ausgerichtet ist
Die Verschiebemittel in der Anordnung nach Fig.3
bestehen aus Leiterschleifen, die abwechselnd aufeinanderfolgend entsprechend polarisiert sind. Es versteht
sich von selbst, daß unter Kenntnis der Erfindunesorin-
zipien, wie sie mit Hilfe der Darstellungen in den F i g. 1 bis 3 erläutert sind, es ohne weiteres möglich ist, auch
hier nicht gezeigte Verschiebemittel für Bläschendomänen unter Ausnutzung der Erfindung zur Übertragung
von einem Chip zum anderen anzuwenden.
Zurückkommend auf die Anordnung nach F i g. 3 ist zu bemerken, daß die vom Chip A zum Chip B zu
übertragende Information sich in Richtung des Pfeiles 18Λ aufgrund der durch die Ströme U ι und Ia 2
entsprechend erzeugten magnetischen Felder bewegt. Die Bläschendomänen 20Λ gelangen in die Übergangszone 22, wenn sie die Leiterschleife 42 erreicht haben.
Entsprechend treten die Domänen 20ß auf dem Chip B in die Übergangszone 22 ein, sobald sie die Leiterschleife
44 erreichen. Befindet sich eine Bläschendomäne 20.4 in der Leiterschleife 42, gleichzeitig, wenn eine
Bläschendomäne 205 in der Leiterschleife 44 ist, dann wird die Bläschendomäne 20ß in Richtung des Pfeiles
iSB-2 verschoben, um sich auf das magnetische Chip C
zuzubewegen. 1st keine Bläschendomäne 20/4 in der Leiterschleife 42 vorhanden — also bei »0« —, wenn
sich gleichzeitig eine Domäne 20ß in der Leiterschleife 44 befindet, dann setzt die Bläschendomäne 2OB ihre
Bewegung in Richtung des Pfeiles 18S-1 fort, um auf den Bläschendomänen-Auslöscher 165-1 zu gelangen. Alle
Bläschendomänen 20/4 hingegen bewegen sich in Richtung des Pfeiles 18Λ auf den Bläschendomänen-Auslöscher
16Λ zu.
Wenn auch die einzelnen magnetischen Chips A, B und C aufgrund der Herstellungsmöglichkeiten bestimmte
Ausmaße nicht überschreiten können, so hat doch die Kombination, bestehend aus den Chips A, B
und C, eine verhältnismäßig große Bitkapazität, da jedes magnetische Chip mit dem anderen zusammenwirkt, so
daß eine entsprechend vergrößerte Anordnung zur Verfügung steht. So besitzt z. B. ein Schieberegister,
bestehend aus drei magnetischen Chips, eine verhältnismäßig hohe Bitkapazität; wobei also magnetische Chips
verwendet werden können, obwohl aufgrund der begrenzten Abmessungen eine Magnetchipverwendung
bisher nicht für möglich gehalten worden ist.
Als weiterer Vorteil ergibt sich, daß magnetische Chips mit unterschiedlichen Eigenschaften Anwendung
finden können, um so die Möglichkeiten einer aus magnetischen Chips bestehenden Speicheranordnung
zu vergrößern. Wenn es auch bisher bekannt gewesen ist, daß sich magnetische Bläschendomänen gegenseitig
abstoßen, so liegt mit der Erfindung doch eine
!5 vorteilhafte Ausnutzung dieses Effektes vor, um die
einzelnen magnetischen Bläschendomänen zugeordneten Informationen von einem magnetischen Chip auf
das andere übertragen zu können.
Falls es erforderlich ist, lassen sich Bläschendomänen zweier verschiedener magnetischer Chips, die sich
gegenseitig an einer Grenzfläche abgestoßen haben, anstatt zu einem Bläschendomänen-Auslöscher auch auf
eine andere Grenzfläche zu bewegen, um hier entsprechende Wirkungen auslösen zu können. Schließ-Hch
können auch die magnetischen Chips mehr als einer oder zwei Grenzflächen benachbart sein und die
Bläschendomänen in einem Chip können mehreren Quellen auf diesem Chip entstammen, anstatt nur von
einem Bläschendomänen-Generator erzeugt zu sein.
Die Erfindung beruht also auf einer Informationsübertraguung zwischen getrennten magnetischen Chips,
indem die Bläschendomänen-Wechselwirkung über die Grenzflächen dieser Chips hinweg in vorteilhafter
Weise ausgenutzt wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
- Patentansprüche:I.Anordnung zum Übertragen von Informationen zwischen zwei aneinander angrenzenden magnetischen Medien in Form von Chips, in denen jeweils Informationen durch magnetische Bläschendomänen darstellbar sind, die durch senkrecht zur Chipoberfläche wirksame magnetische Felder stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberfläche anlegbare magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf dem Chip verschiebbar sind, insbesondere zur Verwendung als Schieberegister, dadurch gekennzeichnet, daß die Versrhiebebahnen (18A 18S-2, 18Γ-2) auf den Chips (A, B, C) jeweils von einem Bläschengenerator (14A B, C) längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden Chip (A) auf eine zweite Kante zu und daran längs zur Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip (B) verlaufen, indem die Bläschendomänen-Generatoren (14/1, B, C) bezüglich der ßläschendomänen-Erzeugung zeitlich so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Bläschendomäne (2OdJ an der Aufnahmekante eines Chips (B) eintrifft, wenn eine Bläschendomäne (20/4Jdes an die Aufnahmekante angrenzenden anderen Chips (A) in den Wirkungsbereich der Bläschendomäne (JiO B) auf dem einen Chip (B) verschoben ist, und daß die Verschiebebahnen (18Λ 185-2) jeweils in einen ßlüschendomänen-Auslöscher(16A 16ß-2) enden.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekante besitzen, derart, daß ein Zweig (18S-1, 18C-1) lungs der Aufnahmekante verläuft, um ebenfalls in einen ßläschendomänen-Auslöscher (16Ö-1, XdC) zu enden.
- 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Auslöschung einer Bläscliendomäiie (204JeIHe L.eitungsschleife (21) mit der Verschiebebahn (18/tJgekoppelt ist.
- 4. Anordnung mindestens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (A, B, C) aus verschiedenen magnetischen Materialien bestehen und/oder verschiedene magnetische Eigenschaften besitzen.
- 5. Anordnung nach den Ansprüchen I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Chips (A, B, ('Jaus auf einem Substrat aufgewachsenen Dünnschichtfilmen bestehen.
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