DE2815040C3 - - Google Patents
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- DE2815040C3 DE2815040C3 DE2815040A DE2815040A DE2815040C3 DE 2815040 C3 DE2815040 C3 DE 2815040C3 DE 2815040 A DE2815040 A DE 2815040A DE 2815040 A DE2815040 A DE 2815040A DE 2815040 C3 DE2815040 C3 DE 2815040C3
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren /ur Fortpflanzung
von Banddomänen innerhalb einer magnetisierbaren Schicht, die zwischen einer nichtmagnctisicrbarcn
Unterlage und einer Isolierschicht angeordnet ist, von einem am einen Rand der Schicht vorgesehenen
Banddomänen-Generator zum gegenüberliegenden
Rand in der Gegenwart eines beständigen, senkrecht zur Schicht verlaufenden Vormagnetisierungsfeldes
sowie eine Anordnung zur Durchführung eines solchen Verfahrens,
Es ist bekannt, daß Blasendomänen in einer magnetisierbaren Schicht z. B. aus einem epitaxialen
ίο Granatfilm erzeugt und dann durch diese Schicht unter
Anwendung von Belägen aus einer Eisen-Nickel-Legierung mit 36—81% Nickel von hoher magnetischer
Suszeptibilität bei geringen Feldstärken und niedrigem I rvsterese-Verlust fortgepflanzt werden, wenn sie
einem Vormagnetisierungsfeld senkrecht zur Ebene der magnetisierbaren Schicht und einem rotierenden Feld in
der Ebene unterworfen werden. Zur Wahrnehmung des Durchganges einer Blasendomäne längs des Belages
wird diese im allgemeinen gestreckt, wodurch sie in eine
Banddomäne hinein verlängert werden kann und der
Streufluß um mehrere Größenordnungen gesteigert wird, damit elektrische Signale mit einer Amplitude von
mehreren Millivolt erhalten werden. Diese langgestreckten Blasen- oder Banddomänen können dann
unter der Einwirkung derselben Vormagnetisierungs- und in der Ebene vpdaufenden Magnetfeldern längs
paralleler Linien aus gesonderten Elementen aus der zuvor bezeichneten Eisen-Nickel-Lcgierung, z. B. im
bekannten Chevron-Muster, fortgepflanzt werden, das
» beispielsweise im Aufsatz von A. H. Bobeck u.a. mit
dem Titel: »Magnetic Bubbles — An Emerging New Memory Technology«, herausgegeben in der Zeitschrift: »Proceedings o\ ihc IEEE«, Band 63. Nr. 8
(August 1975). Seiten 1176 bis 1195, in Verbindung mit
>"> der dortigen Fig. 14 ausführlich erläutert ist.
Bei magncto-optischcn Lesegeräten, die Blascnspcichcrsystcmc enthalten, ist es erwünscht, daß die
Fläche, durch die die Blascndomäncn fortgepflanzt werden sollen, frei von undurchsichtigen Materialien.
■"> z. B. von der üblicherweise benutzten, zuvor bezeichneten Eisen-Nickcl-Lcgicrung ist, aus der die fortpflanzenden Elemente wie die Chevrons in typischer Weise
hergestellt sind.
*r> Hilfsmittel anzugeben, von dem die Blasen- und/oder
Banddomänen durch ein sie aufrechterhaltendes Material ohne das Licht behindernde Elemente in der
gesamten Länge der fortpflanzenden ßanddomänc verschoben werden können.
5fl Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden
Teil des Hauptanspruchs angegebenen Maßnahmen gelöst.
Für die Anordnung und das Verfahren zur Fortpflanzung von Banddomänen durch ein miignclisicrbarcs
Material gemäß der Erfindung wird ein Element ähnlich demjenigen, das von Pohm u.a. in der USA-Patentschrift Nr. 31 25 743 beschrieben isl. in einen angrenzenden Schcibcnstapcl eingebracht, der von Bobeck u. a. in
der USA-Patentschrift Nr. 35 16 077 beschrieben isl. Die
«> beiden Enden jeder Banddomäne werden vom äußeren
Magnetfeld einer solchen Scheibe cingcfangcn. Die einzelnen Enden der Banddomänen verhallen sich dabei
wie Blascndomäncn und können in ähnlicher Weise wie diese fortgepflanzt werden. An den beiden Enden einer
°> cingcfangcncn Banddomäne dreht ein Trcibfcld die
Magnetisierung der wcichmagnctisicrbarcn Schichten der bezeichneten Scheiben in entgegengesetzter Richtung im und gegen den Uhrzeigersinn, aber in derselben
Laufrichtung abwärts. Von den sich drehenden äußeren
Magnetfeldern der wejehmagnetisierbaren Scheiben wird die ejngefangene Banddpmäne in der Drehrichtung,
also in der Laufrichtung abwärts fortgepflanzt. Sobald das Treibfeld endigt, kehrt das rotierende,
äußere Magnetfeld der beiden weichmagnetisierbaren Scheiben schnell in seine Ruhestellung in Ausrichtung
zum äußeren, nicht gedrehten Magnetfeld der hartmagnetisierbaren
Scheibe zurück, so daß sie in ihrer in der Laufrichtung abwärtsliegenden Position zurückbleiben,
um vom äußeren Magnetfeld der weichmagnetisierbaren Scheibe der nächsten in der Fortpflanzungsrichtung,
also in der Laufrichtung abwärtsliegenden und angrenzenden Scheibe eingefangen zu werden, wie durch die
Richtung des Treibfeldes festgelegt ist Beim wiederholten Anlegen des Treibfeldes bewegt sich die eingefangene
Banddomäne längs der hintereinander angeordneten, anstoßenden Scheiben, die dem Element nach der
USA-Patentschrift Nr.31 25 743 ähnlich sind.
Ein Atisführungsbeispiel der Erfindung ist in der jo
Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher erläutert Es zeigt
Fig. I ein Blockschaltbild eines Systems mit der Anordnung gemäß der Erfindung.
F i g. 2 einen Querschnitt durch eine Scheibe, die im 2s
Schcibenstapel der F i g. 1 eingefügt ist,
F i g. 3 den Verlauf des im System der F i g. 1 benutzten Treibsignals und die
Fig.4a bis 4k den Effekt des Signals der Fig.3 auf
die Drehung der Magnetisierung der Scheiben und die jo sich ergebende Fortpflanzung der cingefangcnen
Banddomänen.
Das System 10 zur Fortpflanzung der Banddomäncn
in der F i g. I enthält eine Spcichercbcnc 8, die
vorzugsweise durch ein bekanntes Epitaxie-Verfahren is
in der flüssigen Phase ausgebildet ist. bei dem zuerst
eine nichtmagnctischc Unterlage 12 aus Gadolinium-Gallium-Granat
von etwa 800 μ in Dicke erzeugt wird, auf der dann eine Banddomänenschicht 14 aus einem
magnclisierbarcn Material in 3 bis ΙΟμιτι Dicke au
aufgebracht wird, in der die Banddomäncn hervorgerufen, aufrechterhalten und umhcrbcwcgi werden können
(Fig.2). Auf der Banddomänenschicht 14 wird in bekannter Weise eine dünne Isolierschicht 15 ims
Siliciumdioxid in 0,3 bis 1,5 (im Dicke aufgedampft, auf π
der dann nach einem bekannten Aufdampfverfahren, das von S. II. Rubens u. a. in der USA-Patcntschrifl Nr.
30 30 612 beschrieben ist, mehrere ziemlich weiche,
magnetisierbar Materialien von niedriger magnetischer Koerzitivkraft, z. B. eine Legierung aus 18% w
Nickel und 82% Eisen mit einem kreisrunden oder schcibcnarligcn. ebenen Umriß aufgebracht werden.
Eine gleiche Anzahl identischer Scheiben 16 wird einander anstoßend an zwei parallelen Längsachsen zur
Bildung zweier benachbarter Scheibenstand 22 und 24 r,
hergestellt, die etwa dem von A. H. Bobeck in der USA-Patentschrift Nr. 35 16 077 ähnlich sind. Auf allen
Scheiben 16 aus der Nickcl-Eiscn-Lcgicrung wird danach eine dünne Isolierschicht 18 aus Siliciumdioxid
niedergeschlagen. Schließlich wird auf der lelztercn in m>
einem bekannten Aufdampfvcrfahrcn wie bei der Ausbildung der Scheiben 16 eine ziemlich harte,
magnetisierbar Coballschicht 20 von hoher magnetischer
Koerzitivkraft hergestellt, in der beim Aufdampfen eine leichte Achse 21 entsteht, die orthogonal zu den bj
Längsachsen der benachbarten Schcibcnslapcl 22 und 24 orientiert und linear zu der gleichen leichten Achse
21 einer ähnlich angeordneten Cobaltschcibc 20
ausgerichtet ist, die eine ähnliche Lage in den benachbarten Scheibenstapeln 22 und 24 hau Die
Magnetisierungen M der Cobaltschichten 20, die die Scheibenstapel 22 und 24 bilden, sind antiparallel
gestellt, wie Vektoren 21 der F i g. I zeigen.
Die Scheibe 16 aus der Eisen-Nickel-Legierung und
die Cobaltscheibe 20 bilden ein Scheibenelement ähnlich dem von A. V. Pohm u. a. in der USA-Patentschrift
Nr. 31 25 743 und schließen den sonst offenen Flußweg der jeweils anderen Scheibe teilweise mit dem
äußeren Magnetfeld der Cobaltschicht 20, wodurch die Magnetisierung der Scheibe 16 antiparallel ausgerichtet
wird, ausgenommen wenn die Magnetisierung durch ein äußeres Treibfeld entsprechender Stärke und Richtung
bewerkstelligt wird. Außerdem ist in der Banddomänenschicht 14 eine Haitesperre 25 zur Festsetzung der
Grenzen der aktiven Fläche für die Fortpflanzung der Banddomäncn vorgesehen.
Mit der Unterlage 12 besteht ein Banddomänen-Generator
30 aus einem Stück, damit c* Banddomänen
erzeugt und auf die benachbarten Scheiberstapel 22 und
24 aufgekoppelt werden können; das gleiche gilt für einen Banddomänen-Detektor 32, der die Banddomänen
wahrnimmt, wenn sie durch die Fläche fortgepflanzt und durch die am weitesten rechts liegenden Scheiben
26 der Scheibenstapel 22 und 24 übertragen werden. Von einem Steuergerät 34 werden entsprechende
Steuersignale dem Banddomänen-Generator 30, dem Banddomänen-Detektor 32 und einem dus in der Ebene
verlaufende Magnetfeld erzeugenden Generator 35 zugeführt, damit das bipolare Magnetfeld Wp(Vektor36)
in der Fortpflanzungsrichtung der Banddomänen 40 (Vektor 37) aufgekoppelt wird: außerdem wird von
einem Generator 38 das Vormagnetisierungsfeld Hn im
stetigen Zustand dem Sysiem 10 senkrecht zur Ebene der Unterlage 12 aufgeprägt, wie durch einen Punkt und
einen konzentrischen Kreis 39 gezeigt ist.
In der Fig. 2 ist ein Querschnitt durch ein Schcibcnelcmeni 26 dargestellt, das in die benachbarten
Schcibenstapel 22 und 24 des Systems 10 zur Fortpflanzung der Banddomänen eingefügt ist. Bei
dieser Anordnung, die längs der Linien 2-2 der Fig. 1 geschnitten ist. sind die Scheibe 16 aus der eingangs
bezeichneten Eiscn-Nickel-Legierung, die Isolierschicht 18 und die Cobaltscheibe 20 übereinander gestapelt und
bilden das aus einem Stück bestehende Schcibenclcment
26. in dem die rcmancnlc Magnetisierung M der
Scheibe 16 (Vektor 17) und die rcmanente Magnetisierung M sowie die leichte Achse der Cobaltschcibc 20
(Vektor 21) übereinander antiparallel ausgerichtet sind. Die Isolierschicht 18 hat eine solche Dicke, daß eine
Austauschkopplung im wesentlichen unterdrückt ist, aber .-.in·: magnetostatischc Kopplung zwischen der
Coballschcibc 20 und der Scheibe 16 aus der Eiscn-Nickcl-Lcgierung ermöglicht wird. Die rcmanente
Magnetisierung M ist auf die leichte Achse der Cobaltscheibe 20 ausgerichtet; die zugehörige Koerzitivkraft
Hk ist im wesentlichen von dem in der Ebene der Banddomänenschicht 14 angelegten Treibfeld Hn
unbeeinflußt, das orthogonal zur leichten Achse 21 der Cobaltscheibe 20 gerichtet ist, aber parallel zur
Fortpflanzungsrichtung der Banddomänen 40 in der Banddomänenschicht 14 verläuft (Vektor 37 der F i g. 1).
Im Gegensatz hierzu kann die leichte Achse der Scheibe 16 aus der Eisen-Nickcl-Legicrung auf die leichte Achse
der Cobaltscheibe 20 ausgerichtet sein; ihr Anisotropiefeld Hk ist jedoch so klein, daß es vom Treibfeld WpStark
beeinflußt wird. Somit kann es leicht aus seiner Richtung
längs der leichten Achse der Cobaltscheibe 20 herausgedreht werden; sobald das Treibfeld Hn
verschwindet, kehrt es in eine antiparallclc Lage zur
äußeren, remanenten Magnetisierung der Cobaltscheibe 20 zurück, die durch das äußere remnncnle Magnetfeld
der Cobaltscheibe 20 festgelegt ist, das auf die leichte Achse 21 ausgerichtet ist.
In der F i g. 3 ist der Verlauf des Treibfeldes Hn für das
System 10 zur Forlpflanzung der Banddomänen dargestellt. Die Fig. 4a bis 4k machen zusätzlich die
Einwirkungen dieses Verlaufes auf die Drehung der Magnetisierung M des Schcibcnclcmentes 26 und auf
die sich daraus ergebende Fortpflanzung der eingefangenen Banddomänen 40 anschaulich.
Nun sei die Arbeitsweise des Systems 10 der Fig. I
näher betrachtet, bei der das Trcibfeld //,, parallel zum
Vektor 37 der Fig. !. der 'Ji**
i'nrinfl:in-
zung der Banddomänen 40 in der Ebene der
Banddomäncnschicht 14 angibt, die Magnetisierung 17
der Scheibe 16 aus der Eiscn-Niekel-Legicrung in den Schcibcnclcmcntcn 26 zum Schwingen um die leichte
Achse 21 der Cobaltschcibe 20 veranlaßt. Auf Grund dieser Schwingungen wird das zugehörige Ende der
Banddomäne 40 in seiner Position unter dem Einfluß der ziemlich langsam ansteigenden Vorderflanke des ji
Treibfeldes //,, in der Richtung des Vektors 37 zur Fortpflanzung gebracht. Im Gegensatz hierzu ist die
Hinterflankc des Trcibfcldcs //,, in der Speicherebene
mit der ziemlich kurzen Abfalls/eil zu steil, um das
zugehörige Ende der Banddomäne 40 festzuhalten und es in seine ursprüngliche Position in der Laufrichtung
oberhalb zurückzubringen, so daß die Randdomäne 40 aus der Poteniialscnke freikommt und hinter ihrer in der
Laufrichtung unterhalb liegenden Position zwischen den benachbarten Scheibenelcmenten 26 zurückgelassen π
wird. Die sich zu schnell drehende Magnetisierung 17 rotiert an der leichten Achse 21 der Cobalischeibe 20
vorbei rückwärts, um das Ende der nächsten, in der Laufrichtung oberhalb befindlichen Randdomäne 40
einzufangen. die in Vorbereitung für die nächste m Vordcrllanke des in der Spctcherebene verlautenden
Magnetfeldes //,, in dieser Position bereitsteht: wie
zuvor bewegt dieses Magnetfeld die cingefangene Banddomäne 40 in ihre in der Laufrichtung tiefer
liegende Position. Bei dieser Wiederholung der ziemlich 4 >
langsam ansteigenden Vordcrflanke und der ziemlich kurz andauernden Rückflanke des Treibfeldes Hn wird
die eingefangene Banddomäne 40 nacheinander aus der oberhalb liegenden Position jedes zugehörigen Schcibcnclcmentes
26 in die tiefere Position fortgepflanzt, so w daß die cingefangenen Enden der betreffenden Banddomänen
an den benachbarten Scheibenstapeln 22 bzw. 24 entlang von links nach rechts durch die Fläche des
Systems 10 hindurch fortbewegt werden.
In den Fig.4a bis 4k sind die Einwirkungen des Verlaufes des Treibfeldes Hp in der Speicherebene mit
Hilfe der Winkellage der Magnetisierung 17 der Scheibe 16 aus der Eisen-Nickel-Legierung im Schcibenelement
26 deutlich gemacht; dabei ist es dem Verlauf des Treibfeldes Hp gemäß der Fig.3 während der
angemerkten Zeiten unterworfen, während die Magnetisierung 21 der Cobaltscheibe 20 von diesem Treibfeld
Hp ziemlich unbeeinflußt bleibt.
!π der Fig.4a sind die Positionen der Magnetisierungsvektoren 17a, 176und 17cdes Scheibenelementes
26a. 266 bzw. 26c angegeben, wenn im Zeitpunkt to der F i g. 3 das System 10 ohne das Treibfeld Hp arbeitet. In
diesem Zeitpunkt liegen also die Magnetisierungsvekto ren 17«, I76und I7cüberdcn Magnctisicrungsvcklorcn
21/1. 216 bzw. 2It-und sind auf die leichten Achsen von
Cobaltschcibcn 20.·/. 206 b/w. 20causgerichtet (F i g. 2).
In der sich anschließenden Zeitspanne in- (\ (F i g. 3)
ruft die Quelle 35 das Treibfeld Hn mit einer langsam
ansteigenden Vorderflanke hervor. Seine maximale Stärke reicht im Zeitpunkt t\ aus. um die Magnetisierung
der Scheiben 16 aus der Eisen-Nickel-Lcgicrung
abwärts zu drehen, wobei die Magnetisierung der Coballscheibcn 20 nahezu unbeeinflußt bleibt. Dieser
Zustand im Zeitpunkt U ist in der F i g. 4b gezeigt, in «lern
die Magnetisierungsveklorcn 17;/. 17/) und 17c der
Scheiben 16 um annähernd 45 im Uhrzeigersinn gedreht sind; wie beachtet sei. sind die Magnetisierungsvektoren
17 der entsprechend angeordneten Scheiben 16 des benachbarten Schcibenstapels 24 zugleich gegen
dm I Ihr/riprrsinn abwärts gedreht. Im Zeitpunkt U
bleibt eine Banddomäne 40,7. die nicht von der Magnetisierung der Scheibe 16 eingefangen ist.
bezüglich des Schcibcnelemenlcs 26.1 in ihrer anfänglichen,
oberhalb befindlichen Position.
Während des sich anschließenden Zeitraumes l< - h
wird dem System 10 von der Quelle 35 ein Treibfeld //,, abnehmender Stärke mi! einer ziemlich steilen Hinter
flanke /wischen dem maximalen positiven Wert -f //,,
und dem maximalen negativen Wert — //,, aufgeprägt. Wie die Fig. 4b. 4c und 4d zeigen, klappen die
Magnctisierungsvektorcn 17;/. 176 und I7r schnell um etwa 45 gegen den Uhrzeigersinn zurück. Somit wird
im Zeitpunkt I1 die Banddomäne 40;/ von der Magnetisierung der Scheibe 16;; aus der Eisen-Nickel-Legierung
des Schcibcneleinentes 26;; eingcfangen.
Im Anschluß hieran legt die Quelle 35 während des Zeitraumes /] - i, an das System 10 das Trcibfeld //,. mit
der zunehmenden Stärke, wobei seine sehr langsam ansteigende Vordcrflankc von der maximalen negativen
Stärke //,. zur maximalen positiven Stärke f //,, wahrend einer sehr langen Zeitspanne läuft. Wie die
F i g. 4d. 4e und 4f zeigen, drehen sich im Zeitraum U I,
die Magnctisierungsvektoren 17;;. 176 und 17c'langsam
um etwa 4> in cmc Position in der Unrzcigerricniung.
Folglieh ist im Zeitpunkt r, die cingefangene Randdomäne
40;; von der Magnetisierung der Scheibe 16;; aus der
Eisen-Nickcl-Legicrung des Schcibcnelementes 26,;
cingcfangen und von der oberhalb befindlichen Kante des Schcibcnclcmcntes 26;; zur unterhalb liegenden
Kante fortgepflanzt: sie befindet sich also nun zwischen den benachbarten Scheibenclcmenten 26;; und 26/).
während zugleich im Zeitpunkt Is eine Banddomär~406
vom Banddomänen-Generator 30 an den oberen Rand des benachbarten Scheibenstapels 22 gebracht w ird. wie
an dem Scheibenelement 26a gezeigt ist.
In dem darauffolgenden Zeitraum is— ti wird von der
Quelle 35 im System 10 das Treibfeld Hn mit einer
abnehmenden Stärke hervorgerufen, wobei eine sehr kurz andauernde Hinterflanke von der maximalen
positiven Stärke + Hn zur maximalen negativen Stärke
- Hn abfällt Gemäß den F i g. 4f. 4g und 4h klappen in
der Zeitspanne is— ti die Magnetisierungsvektoren 17a,
176 und 17c schnell in eine Position gegen den Uhrzeigersinn um etwa 45° zurück. Somit ist die
Banddomäne 40a im Zeitpunkt
h
von der Magnetisierung einer Scheibe 166 aus der Eisen-Nickel-Legierung
im Scheibenelemen! 266 eingefangen, während die
Banddomäne 406 von der Magnetisierung der Scheibe 16a des Scheibenelementes 26a eingefangen ist.
Während des folgenden Zeitraumes t7 — h bringt die
Quelle 35 an das System 10 das Treibfeld Hp von
zunehmender Stärke mit einer sehr langsam anstcigenden Vorderfliinke heran, die von der maximalen
negativen Stärke - H1, zur maximalen positiven Stärke
+ //,,verläuft. Gemäß den Fig. 4h.4i und 4j rotieren die
Magnetisierungsvektoren 17.7. 176 und 17c* in dem
Zeitraum ti — h langsam um etwa 45" im Uhrzeigersinn
zuruv.!\. Somit sind im Zeitpunkt fo die eingefangenen
Banddomänen 4Od und 406 von der Magnetisierung der Scheiben 166 und I6<i der Scheibenelemente 266 und
26,/ Min deren oberer Kante zur linieren in der
Laufrichtung fortgepflanzt und befinden sich nun zwischen ilen Scheibenelementen 26c'und 266 bzw. 2bb
UNiI 2h. ι. wahrend zugleich im Zeitpunkt h die
K.indilninane 4Ol' \om Banddomäncn-Gcncralor 30 in
ihre Lage am oberen Hand des benachbarten Scheibenstiipels
22 gebracht ist. wie am Scheibenelement 26.) gezeigt ist. Wenn nachfolgend im Zeitpunkt rln ilas
Treibieid /'/,., verschw imiet. werden gemäß der i ι g. 4k
die Banddomänen in die I lachen der benachbarten
Ränder der Scheibenelemente 26c und 266 bzw. 26/miikI
26,ι positioniert.
I1IiICi dem Einfluß des Feldverlaufes gcmäU der
LiL'. 3 mit der bipolaren, entgegengesetzt gerichteten,
sehr langsam ansteigenden Vorderflanke und der sehr schnell abfallenden Hinierilankc werden die Banddomänen
40. die vom Banddomiincn-Gcncraior 30 am
oberen f.nde der für die Banddomänen vorgesehenen I lachen /wischen den benachbarten Scheibenstapeln 22
und 24 erzeugt werden, in der L.iufnchtiing abwärts
(Vei.ior 38) zum Banddomänen-Detektor 32 hin
fortgepflanzt. Die Theorie des Arbeilsablaufes. bei dem die Bewegung der Banddomänen 40 in ihrer Schicht 14
hinter der Drehung der Magnetisierung Λ/der Scheiben 16 aus der Eisen-Nickel-I.egierung wahrend der sehr
schnell abfallenden Hinlerflanke des Verlaufes der I ig. 3 nachläuft, ist ausführlicher von T. H O-UeII im
Buch: »Magnetic Hubbies« erschienen im Verlag von lohn Wiley & Sons. Seiten 98 bis 114. erläutert. Wie
weiterhin einleuchtet, sind die sich gegenüberliegenden Luden jeder Banddomäne 40 von den in gleicher Weise
•c- ~c —c-
m111n C .1,.,;
bcnclemcnten 26 cingefangen und werden von ihnen
fortbewegt.
Zusammenfassend betrachtet, sind auf der magnctisierbaren
Schicht zwei parallele, benachbarte Scheibenstapel jeweils aus mehreren linear ausgerichteten,
einander ähnlichen, anstoßenden Schcibcnclemcnlen ausgebildet. Jedes Scheibenelement ist dabei aus einer
Scheibe eines ziemlich weichmagnetisierbaren Materials, z. B. einer Eisen-Nickel-Legierung, und aus einer
über ihr liegenden Scheibe eines ziemlich harten. magnetisierbaren Materials, z. B. Cobalt unter Zwischenschaltung einer Isolierschicht z. B. aus Siliciumdioxid aufgebaut. Die Magnetisierungen der übereianderliegenden. weich- und hartmagnetisierbaren Scheiben
aller Scheibenelemente verlaufen in geschlossenen.
ίο antiparallelen Richtungen zur Magnetisierung aller
weichmagnetisierbaren Scheiben des ersten benachbarten .Scheibenstapels quer zu der trennenden Flüche für
die Forlpflanzung tier Banddomänen, aber mil entgegengesetzter
Poking hinsichtlich der Magnetisierung in den zugeordneten weichmagnetisierbaren Seheiben in
dem anderen, also zweiten benachbarten Schcibcnstapel.
In dieses der Fortbewegung dienende Gerät wird eine liancldomänc dadurch übertragen, daß die beiden
Finden mil den beiden entsprechenden, entgegengesetzt gepolten, ausgerichteten Scheibenelementcn der beiden
benachbarten Scheibenstapcl gekoppelt weiden. Hin angemessenes Treibfeld, das in der Fortpflanzungsrichiiing
tier Banddomäne verläuft und auf die beiden parallelen Schcibenstapel ausgerichtet ist. dreht nur die
.'■-, Magnetisierungen der weichmagnetisierbaren Scheiben
in den beiden benachbarten Scheibenstapeln in derselben Richtung: beispielsweise werden die weichmagnetisierbaren
Scheiben im ersten Stapel im Uhrzeigersinn gedreht, wahrend die des zweiten Stapels gegen den
jo Uhrzeigersinn getrieben werden. Durch die sich
drehende Magnetisierung der weichmagnetisierbaren Scheiben der beiden Scheibenelcmcnte. von denen sich
eines an den beiden Enden der Banddomäne befindet, wird diese in der Richtung des fortpflanzenden
j5 Treibfeldcs befördert. Falls das letztere plötzlich
verschwindet, klappen die Magnetisierungen der weichmagnetisierbaren
Scheiben unter dem Einfluß der Magnetisierung der hartmagnetisierbaren Scheibe zurück,
während die Bandciomänc in ihrer neuen, abwärts liegenden Position zwischen den .Scheibenelementen
Treibfelder werden die beiden Enden der Banddomäne vom oberen Scheibenelement zum nächsten, unteren
Scheibenelement übertragen, während alle Banddomänen des Gerätes parallel durch ihre Fortpflanzungsfläche
längs der beiden ausgerichteten .Scheibenstapel weiterbewegt werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Fortpflanzung von Banddomänen innerhalb einer magnetisierbaren Schicht, die
zwischen einer nichtmagnetisierbqren Unterlage und einer Isolierschicht angeordnet ist, von einem
am einen Rand der Schicht vorgesehenen Banddomänen-Generator zum gegenüberliegenden Rand in
der Gegenwart eines beständigen, senkrecht zur Schicht verlaufenden Vormagnetisierungsfeldes,
dadurch gekennzeichnet, daß an der
magnetisierbaren Schicht (14) in der Fortpflanzungsrichiung (37) ein bipolares magnetisches Wechselfeid (± H1) mit einer langsam ansteigenden Vorderflankc und einer steil abfallenden Rückflanke von
solcher Stärke angelegt wird, daß neben den beiden von den Enden der Banddomänen (40) zu durchlaufenden Bahnen mehrere im Fortpflanzungsabstand
der BanddoKiänen (40) hervorgerufene Magnetisierungen (17) zur Schwingung zwischen zwei Winkelpositionen veranlaßt werden, so daß die vom
Banddomänen-Generator (30) in die magneiisierbare Schicht (14) eingeführte Banddomäne (4Oa^ an
ihren beiden Enden von den Magnetisierungen (\7a) in ihrer einen Winkclposition e'mgefangen. dann von
der langsam ansteigenden Vorderflankc in die
andere Winkelposition mitgenommen und von der steil abfallenden Rückflanke in dieser freigegeben
wird, um für den Einfang durch die benachbarten Magnetisierungen (17b,} bereitzustellen.
2. Verfahren nach e'em A^jpruch I1 dadurch
gekennzeichnet, daß die Magnetisierung (17) durch eine magnctosiatischc Kopplung -nil der remanentcn Magnetisierung (Ά^längs der leichten Achse (21)
eines vom magnetischen Wechsclfcld (+ H1) unbccinflußbarcn, hartmagnctisicrbarcn Materials (20)
hervorgerufen wird, und daß die beiden mit den Enden einer Banddomäne (40) zusammenwirkenden
Magnetisierungen (17) in der Mitlc zwischen ihren beiden Winkclpositioncn zueinander anliparallcl
gestellt werden.
3. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach dem Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß neben den beiden von den Enden der
Banddomänen (40) durchlaufenen Bahnen auf der Isolierschicht (15) zwei Reihen (22, 24) kreisrunder
Schcibcnclcmcntc (26) ohne gegenseitigen Zwischenraum angebracht sind, und daß im Schcibcnclcmcnt (26) eine auf der Isolierschicht (15) aufliegende
weichmagnctisicrbarc Schicht (16). eine nichlmagnclisehc Abslandsschicht (18) und eine Schicht aus dem
hartmagnctisicrbarcn Material (20) übereinander gestapelt sind, deren leichte Achse (21) senkrecht zur
Fo.rtpflanzungsrichlung (37) der Banddomänen (40) verläuft.
4. Anordnung nach dem Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß am gegenüberliegenden Rand
der die Banddomänen (40) führenden, magnetisierbaren Schicht (14) ein Banddomänen-Delektor (32)
vorgesehen ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/785,808 US4112503A (en) | 1977-04-08 | 1977-04-08 | Stripe domain propagation using contiguous bicore disk file structure |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2815040A1 DE2815040A1 (de) | 1978-10-12 |
DE2815040B2 DE2815040B2 (de) | 1979-11-08 |
DE2815040C3 true DE2815040C3 (de) | 1980-07-24 |
Family
ID=25136681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782815040 Granted DE2815040A1 (de) | 1977-04-08 | 1978-04-07 | Verfahren und anordnung zur verschiebung von banddomaenen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4112503A (de) |
JP (1) | JPS53126228A (de) |
DE (1) | DE2815040A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3060913D1 (en) * | 1979-05-12 | 1982-11-11 | Fujitsu Ltd | Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
US5083112A (en) * | 1990-06-01 | 1992-01-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer thin-film eas marker |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3125743A (en) * | 1958-03-19 | 1964-03-17 | Nondestructive readout of magnetic cores | |
US3541535A (en) * | 1968-12-18 | 1970-11-17 | Bell Telephone Labor Inc | Domain propagation arrangement having repetitive patterns of overlay material of different coercive forces |
US3887905A (en) * | 1973-01-29 | 1975-06-03 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic domain shifting arrangement employing movable strip domain |
US3811120A (en) * | 1973-04-05 | 1974-05-14 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic domain propagation arrangement having channels defined by straight line boundaries |
US4040040A (en) * | 1976-03-29 | 1977-08-02 | Canadian Patents And Development Limited | Channel bar bubble propagate circuit |
-
1977
- 1977-04-08 US US05/785,808 patent/US4112503A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-04-07 JP JP4114978A patent/JPS53126228A/ja active Pending
- 1978-04-07 DE DE19782815040 patent/DE2815040A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2815040A1 (de) | 1978-10-12 |
US4112503A (en) | 1978-09-05 |
JPS53126228A (en) | 1978-11-04 |
DE2815040B2 (de) | 1979-11-08 |
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