DE2159062A1 - Informationsübertragung bei Bläschendomänen-Speicher- und Schaltvorrichtungen - Google Patents

Informationsübertragung bei Bläschendomänen-Speicher- und Schaltvorrichtungen

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DE2159062A1 DE19712159062 DE2159062A DE2159062A1 DE 2159062 A1 DE2159062 A1 DE 2159062A1 DE 19712159062 DE19712159062 DE 19712159062 DE 2159062 A DE2159062 A DE 2159062A DE 2159062 A1 DE2159062 A1 DE 2159062A1
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Description

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket YO 970 055
Informationsübertragung bei Bläschendomänen-Speicher- und Schaltvorrichtungen
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Übertragen von Informationen zwischen zwei aneinander angrenzenden magnetischen Medien in Form von Chips, in denen jeweils Informationen durch magnetische Bläschendomänen darstellbar sind, die durch senkrecht zur Chipoberfläche wirksame magnetische Felder stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberfläche anlegbare magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf den Chips verschiebbar sind, insbesondere zur Verwendung als Schieberegister.
Anordnungen dieser Art sind infolge ihrer Größe, d. h. der des magnetischen Chips, in ihrer Kapazität begrenzt. Es ist nicht ganz einfach, magnetische Chips mit größeren Abmessungen, die für Bläschendomänen-Verschiebung geeignet sind, herzustellen. So ist es schwierig, mit heutigen Herstellungsverfahren z. B. lange Schieberegister bereitzustellen; eine größere Länge läßt sich vielmehr nur auf elektrischem Wege erzielen, indem durch Rückkopplungsmaßnahmen die Information umlaufen gelassen wird.
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Es ist zvrar in der USA-Patentschrift 3 480 925 ein Schieberegister beschrieben worden, bei dem zwei Magnetfolien verwendet werden, wo einzelne Wanddomänen gegenseitig aufeinander von einer Magnetfolie auf die andere einwirken; dieser asynchrone Schaltkreis nutzt jedoch die Abstoßung zwischen den einzelnen Wanddomänen dazu aus, diese Wanddomänen aneinander zu reihen. Das die Information darstellende Auftreten und Fehlen von Wanddomänen kann in dem bekannten System nicht mit nur einer Magnetfolie durchgeführt werden, da jegliche Information, die durch das Fehlen von Wanddomänen dargestellt werden soll, hierbei in Verlust gerät. Das Prinzip bei der bekannten Anordnung ist derart, daß das Auftreten einer Wanddomäne in der zweiten Magnetfolie dem Fehlen einer Wanddomäne in der ersten Magnetfolie entspricht. Obgleich also eine Information durch das Auftreten von Wanddomänen sowohl in der ersten Magnetfolie als auch in der zweiten Magnetfolie angezeigt wird, läßt sich die Information auf der ersten Magnetfolie als Auftreten und Fehlen von Wanddomänen erfassen. Es ist hierbei also nicht so, daß durch die Verwendung zweier Magnetfolien die Kapazität des hierdurch gebildeten Schieberegisters erhöht wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, die Kapazität von Bläschendomänen-Anordnungen, insbesondere zu Speicherzwecken, unabhängig von Herstellungsverfahren einzelner magnetischer Chips in einfacher Weise wesentlich zu erhöhen; wobei weiterhin die Möglichkeit gegeben sein soll, Teilbereiche mit unterschiedlichen magnetischen Eigenschaften zu versehen. Hierzu soll das magnetische Chip in bezug auf seine Verschiebebahnen für die Bläschendomänen entsprechend ausgestaltet sein.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Verschiebebahnen auf den Chips jeweils von einem Bläschengenerator längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden Chip auf eine zweite Kante zu und daran längs zur Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip verlaufen, indem die Bläschendomänen-Generatoren bezüglich der Bläschen-
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domänen-Erzeugung zeitlich, so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Bläschendomäne an der Aufnahmekante eines Chips eintrifft, wenn eine Bläschendomäne des an die Aufnahmekante angrenzenden anderen Chips in den Wirkungsbereich der ersten Bläschendomäne auf dem einen Chip verschoben ist und daß die Verschiebebahnen jeweils in einen Bläschendomänen-Auslöscher enden.
In vorteilhafter Weise ist hierzu vorgesehen, daß die Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekante besitzen, derart, daß ein Zweig längs der Aufnahmekante verläuft, um ebenfalls in einen Bläschendomänen-Auslöseher zu enden. Eine Bläschendomäne auf dem zweiten Chip wird also nur dann weitergeleitet, wenn auf dem ersten Chip eine Bläschendomäne in ihren Wirkungsbereich eintritt, so daß eine Abstoßung erfolgen kann. Wird nun angenommen, daß das Auftreten einer Bläschendomäne im ersten Chip eine "L" darstellt, wohingegen das Fehlen einer Bläschendomäne eine "O" bedeutet, wobei diese Zeichen, wie an sich bekannt, zu fest vorgegebenen Taktzeiten auftreten, dann wird eine Bläschendomäne beim Auftreten einer "L" abgestoßen, wohingegen bei "0" die Bläschendomäne den ursprünglichen Weg fortsetzt und in einen Bläschendomänen-Auslöscher gelangt, ohne eine Information auf das nächste Chip weitergeben zu können. Hat eine Bläschendomäne ihre Wirkung auf eine Bläschendomäne eines angrenzenden Chips ausgeübt, dann gelangt sie ebenfalls auf einen Bläschendomänen-Aus lös eher.
Die Abgabe von Bläschendomänen im ersten Chip läßt sich in sehr einfacher Weise steuern, wenn gemäß einer Weiterbildung der Erfindung zur wahlweisen Auslöschung einer Bläschendomäne eine Leitungsschleife mit der Verschiebebahn gekoppelt ist. Hiermit ist in vorteilhafter Weise eine vollständige Unabhängigkeit zwischen der Bläschendomänen-Erzeugung und dem Signaleingang am ersten magnetischen Chip erreicht.
Die magnetischen Chips, die aneinanderstoßen, um so eine entsprechend größere Anordnung zu bilden, können alle vom gleichen
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Material mit gleichen magnetischen Eigenschaften sein, jedoch im Bedarfsfall lassen sich auch unterschiedliche Materialien oder magnetische Eigenschaften verwenden. Dies kann insbesondere dann von Vorteil sein, wenn den einzelnen Chips unterschiedliche Aufgaben zukommen; z. B. Chips zur Eingabe von Daten, zur Ausgabe bzw. Anzeige von Daten und zur Verarbeitung von Daten. Als weitere Alternative lassen sich auch auf ein Substrat mehrere Chips in unterschiedlicher Orientierung aufbringen, so daß sich eine hybride Dünnfilmstruktur, bestehend aus einer Vielzahl kleiner Chips, ergibt.
Da die Bläschendomänen ihre gegenseitige Wechselwirkung über eine Entfernung von mehreren Bläschendomänen-Durchmessern - eine starke Wechselwirkung ergibt sich noch für Abstände in der Größenordnung von 3 bis 4 Bläschendomänen-Durchmessern - ausüben, ist die Grenzfläche zwischen benachbarten magnetischen Chips nicht sehr kritisch. Das bedeutet, daß die magnetischen Chips an ihren Kanten nicht besonders fein poliert zu sein brauchen, um die erwünschte Wirkung herbeiführen zu können. Als Verschiebemittel auf den magnetischen Chips lassen sich alle bekannten Maßnahmen verwenden. In vorteilhafter Weise jedoch können unterschiedliche Vormagnetisierungen bzw. Stabilisierungsfelder auf die einzelnen Chips einwirken gelassen werden.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen an Hand der unten aufgeführten Zeichnungen und aus den Patentansprüchen.
Es zeigen:
Fig. 1 drei magnetische Chips auf einem Substrat,
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel zur Informationsübertragung zwischen den beiden Chips,
Fig. 3 ein zweites Ausführungsbeispiel zur Informations-Docket YO 970 055 209828/0906
- 5 Übertragung zwischen zwei Chips.
Die in Fig. 1 gezeigte Bläschendomänen-Vorrichtung besteht aus den drei magnetisierbaren Chips A, B und C. Diese magnetischen Chips bestehen aus Kristallen, die zur Verschiebung und Aufrechterhai tung magnetischer Bläschendomänen geeignet sind. Kristalle dieser Art sind bekannt und können z. B. Orthoferrite oder Granate sein. Diese Kristalle können als Dünnschichtfilme oder Kristallkörper ausgebildet sein. Diese magnetischen Chips A, B, C sind auf einem Substrat 10 angeordnet, das üblicherweise aus Isolationsmaterial besteht. Eine hier nicht gezeigte Vormagnetisierungsquelle, wie z. B. eine Spule oder ein Permanentmagnet, bestreitet das Stabilisierungsfeld H„, das normal
zur Ebene der Magnetchips A, B und C gerichtet ist.
Es sei nun angenommen, daß das Chip A zuerst eine Information übertragen erhält, wobei die Information in Form von Bläschendomänen vom Chip A auf das auf Chip C gelegene Abfühlbauelement 12 zu übertragen ist. Da die Bläschendomänen von sich aus nicht in der Lage sind, die physikalischen Grenzen 13 zwischen den einzelnen Chips zu überschreiten, stellt die vorliegende Erfindung Maßnahmen für die Informationsübertragung zwischen den einzelnen Chips bereit. Infolgedessen ergibt sich ein erhöhtes Daten-Fassungsvermögen, selbst wenn die magnetischen Chips A, B und C ganz klein sein sollten.
Auf den einzelnen magnetischen Chips A, B, C sind die verschiedenen Bläschendomänen-Generatoren 14A, 14B und 14C angeordnet. Außerdem befinden sich auf den magnetischen Chips die Bläschendomänen-Auslöscher 16A, 16B-1, 16B-2 und 16C. Weiterhin sind Mittel zur Verschiebung der Bläschendomänen längs der Bahnen, wie sie durch die Pfeile 18A, 18B-1, 18B-2, 18C-1 und 18C-2 angedeutet sind, auf den Chips vorgesehen. Die einzelnen Bläschendomänen-Generatoren 14A, 14B und 14C erzeugen die Bläschendomänen 2OA, 2OB bzw. 2OC. Bläschendomänen-Generatoren dieser Art sind bekannt; sie produzieren jeweils eine Bläschendomäne während eines
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Bläschendomänen-Verschiebezykluses. Ein Bläschendomänen-Generator könnte z. B. aus einer rotierenden Permalloyscheibe bestehen, wie es von Perneski in "IEEE Transactions oh Magnetics", Band MAG-5, Nr. 3, September 1969, auf Seite 557 ff beschrieben ist. -
Im Betrieb wird ein durch den Bläschendomänen-Generator 14A erzeugtes Signal durch das Auftreten oder Fehlen einer Bläschendomäne 2OA im Chip A angezeigt. Eine Inhibit—Schleife 21 dient dazu, zu verhindern, daß der Bläschengenerator 14A eine Bläschendomäne abgibt, wenn ein O-Bit verlangt ist. Bläschendomänen 2OA bewegen sich längs der Bahn 18A auf die Obergangszone 22 zu. In der Übergangszone 22 tritt eine Bläschendomäne oder das Fehlen einer Bläschendomäne in magnetische Wechselwirkung mit der Bläschendomäne 20B, die im Chip B durch den Bläschendomänen-Generator 14B hervorgerufen worden ist. Bläschendomänen 2OB treten während jedes Zykluses in der Übergangszone 22 auf, da im Chip B keine Inhibit-Windung am Ausgang des Bläschendomänen-Generators 14B vorgesehen ist.
Ist eine Bläschendomäne 2OA in der Übergangszone 22 vorhanden, wenn außerdem eine Bläschendomäne 2OB in diese Übergangszone gelangt, dann haben die zwischen diesen beiden Bläschendomänen wirksamen gegenseitigen Abstoßkräfte zur Folge, daß die Bläschendomäne 2OB von ihrer normalen Bahn 18B-1 auf die Bahn 18B-2 verschoben wird. Ist jedoch keine vom Bläschengenerator 14A stammende Bläschendomäne in der Übergangszone 22 zwischen den Chips A und B vorhanden, wenn die Bläschendomäne 2OB in diese Übergangszone gelangt, dann wird natürlich auch die Bläschendomäne 2OB nicht in die Bahn 18B-2 verschoben, sondern setzt ihre Bewegung längs der Bahn 18B-1 fort, bis der Bläschenauslöscher 16B-1 erreicht ist.
Es ist also festzuhalten, daß das Auftreten von Bläschendomänen 2OA im Chip A veranlassen, daß Bläschendomänen 2OB im Chip B von ihrer bevorzugten Bahn 18B-1 abgelenkt werden, um ihren Weg dann längs der Bahn 18B-2 fortzusetzen. Das Auftreten einer Bläschen-
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domäne 2OA zur Darstellung eines Wertes 11L" im Chip A ordnet damit einer Bläschendomäne 2OB im Chip B ebenfalls den Wert "L" zu. Infolgedessen wird das Auftreten oder Fehlen von Bläschendomänen im Chip A in Form eines Auftretens bzw. Fehlens von Bläschendomänen 20B längs der Bahn 18B-2 im Chip B dupliziert.
Eine weitere Übergangszone befindet sich zwischen den Chips B und C. Wie bereits oben angedeutet, stellen die sich längs der Bahn 18B-2 bewegenden Bläschendomänen Informationsträger dar.
In dieser Übergangszone treten dann dieselben Wirkungen ein, wie oben beschrieben, da die Bläschendomänen 2OC in jedem Zyklus des Bläschengenerators 14C erzeugt werden, hat das Auftreten einer Bläschendomäne 2OB in der Bahn 18B-2 zur Folge, daß eine Bläschendomäne 2OC in die Bahn 18C-2 verschoben wird und damit nicht mehr der Bahn 18C-1 folgen kann. Die Bahn 18C-2 führt zu einem auf dem Chip C angeordneten Bläschendomänen-Detektor 12.
Es versteht sich von selbst, daß die Anordnung auch aus mehr als den drei gezeigten magnetischen Chips bestehen kann und daß die verschiedensten Bläschenverschiebesysteme vorgesehen werden können, um die Information zirkulieren zu lassen. Die magnetischen Chips A, B und C können aus Kristallkörpern oder Einkristalldünnschichten bestehen, die auf einem Substrat aufgewachsen sind. Kristallkörper werden mit Ultraschall zurechtgeschnltten, um entsprechende Grenzflächen zu erhalten, und dann auf ein gemeinsames Substrat 10 aufgebracht. Da die Bläschendomänen ihre Wechselwirkung über eine Entfernung von mehreren Bläschendomänen-Durchities sern - innerhalb von drei oder vier Bläschendomänen-Durchmessern ist diese Wechselwirkung noch als stark zu bezeichnen - ausüben, ist eine etwaige Rauhigkeit der Grenzflächen weitgehend ohne Belang. So haben z. B. Unregelmäßigkeiten von einigen pm an den Kanten benachbarter Chips keinen Einfluß auf die Wechselwirkung zwischen Bläschendomänen, die in jedem Chip etwa 5 um jeweils von der gemeinsamen Grenzfläche entfernt sind.
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Magnetische Chips lassen sich auf einem Substrat aufwachsen, das aus einzelnen Teilen verschiedener Kristallorientierung besteht. Die Grenzflächen zwischen Chips, die auf diese Weise aufgewachsen sind, entsprechen ja den Grenzflächen zwischen Körperkristallen, die einzeln auf das Substrat aufgebracht sind.
Weiterhin brauchen die magnetischen Chips A, B und C nicht unbedingt aus dem gleichen Material bestehen noch ist es notwendig, daß sie gleiche Materialeigenschaften besitzen, wie z. B. Trägerbeweglichkeit und Bitdichte. Schließlich ist es auch nicht erforderlich, daß auf allen magnetischen Chips gleiche Bläschendomänen-Verschiebemittel angewendet werden. Es ist lediglich erforderlich, daß eine Bläschendomäne (bzw. keine Bläschendomäne) in der Übergangszone 22 zur gleichen Zeit gelangt, wenn eine Bläschendomäne im benachbarten Chip ebenfalls diese Übergangsζone erreicht, um die gewünschte Informationsübertragung zwischen benachbarten magnetischen Chips zu erhalten. Eine Zeitsteuervorrichtung 23 synchronisiert zu diesem Zweck die Bläschengeneratoren 14B und 14C im Zusammenwirken mit der Inhibit-Windung Auf diese Weise ist sichergestellt, daß die im Chip A vorhandene Information auf die Chips B und C übertragen werden kann, ohne daß Phasenprobleme auftreten.
In Fig. 2 ist die erfindungsgemäße Anordnung gezeigt, bei der die einzelnen Chips in an sich bekannter Weise T- und I-förmige Verschiebemittel für die Bläschendomänen aufweisen. In üblicherweise wird hierzu Permalloy oder ein anderes weichmagnetisches Material verwendet. Die Grenzfläche zwischen Chip A und B ist mit 13 bezeichnet und kann nicht durch Bläschendomänen überschritten werden, da die Austauschkopplung von Magnetisierungsvektoren in Domänenwänden vom Vorhandensein magnetisierbaren Materials abhängig ist. An der Schnittstelle 13 zwischen den Chips liegt jedoch eine Diskontinuität vor, so daß die Austauschkopplung verhindert wird. Auf der anderen Seite ist es aber möglich, daß die Verschiebemittel (T- und I-förmige Streifen) die Schnittstelle 13 überqueren.
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Im Chip A bewegen sich die Domänen 2OA von links nach rechts in Richtung des Pfeiles 18A, Erzeugt werden diese Domänen durch einen gesteuerten Bläschengenerator 14A; sie können auch Informationsbits darstellen, die in Chip A durch ein anderes benachbartes magnetisches Chip eingebracht worden sind.
Im Chip B werden die Bläschendomänen 2OB in jedem Zyklus des rotierenden magnetischen Feldes H erzeugt, wobei die Rotationsebene des magnetischen Feldes mit der Chipoberfläche zusammenfällt. Dabei werden die Bläschendomänen 2OB kontinuierlich durch den Generator 14B abgegeben und verfolgen eine Bahn 18B-1 beim Fehlen einer Domäne 20A in der Übergangszone 22. Die Bläschendomänen 20A auf dem Chip A gelangen in jedem Falle zu einem Bläschendomänen-Auslöscher 16A. Die Bläschendomänen 20B auf dem Chip B bewegen sich nur dann auf einen Bläschendomänen-Auslöscher 16B-1 zu, wenn sie nicht auf die Bahn 18B-2 infolge des Auftretens einer Bläschendomäne 20A in der Übergangszone 22 gedruckt werden und diese weiter verfolgen.
Wenn nun speziell eine Bläschendomäne 20A in enge Nachbarschaft zur Schnittstelle 13 gerät und dabei auf die Position 2, 3 des L-förmigen Streifens 28 gelangt, dann wird eine Bläschendomäne 20B in Position 2 des L-förmigen Streifens 30 abgestoßen, so daß diese Domäne 20B nun der durch die Positionen 3', 4', I1, 2' gekennzeichneten Bahn auf dem L-förmigen Streifen 32 folgt. Die Domäne 20B folgt dann der durch die Positionen 31, 4' und I1 längs des T-förmigen Streifens 34 gebildeten Bahn, wonach sie dann in Richtung des Pfeiles 18B-2 zum magnetischen Chip C wandert. Befindet sich die Bläschendomäne 2OA nicht in der Übergangszone 22 zwischen den Chips A und B, wenn die Bläschendomäne 2OB zur Position 2 auf dem L-förmigen Streifen 30 angelangt ist, dann wandert die Bläschendomäne 2OB zu den Positionen 3,4 und 1 des L-förmigen Streifens 30, um dann abwärts in Richtung des Pfeiles 18B-1 längs der T- und I-förmigen Streifen 6, 38, 40, usw. vorüberzugleiten.
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Es versteht sich, daß das Verschiebefeld H sich in der Ebene der Chipoberfläche dreht und auf die beiden Chips A und B einwirkt. Natürlich läßt sich dies auch durch zwei getrennte magnetische Felder, die entsprechend miteinander synchronisiert sind, durchführen, um sicherzustellen, daß die Bewegung zu entsprechenden Positionen in jedem magnetischen Chip zur gleichen Zeit erfolgt. Ebenso versteht sich, daß das Vormagnetisierungsfeld EL· normal zur Magnetchipoberfläche ausgerichtet ist.
Die Verschiebemittel in der Anordnung nach Fig. 3 bestehen aus Leiterschleifen, die abwechselnd aufeinanderfolgend entsprechend polarisiert sind. Es versteht sich von selbst, daß unter Kenntnis der Erfindungsprinzipien, wie sie mit Hilfe der Darstellungen in den Fign. 1 bis 3 erläutert sind, es ohne weiteres möglich ist, auch hier nicht gezeigte Verschiebemittel für Bläschendomänen unter Ausnutzung der Erfindung zur übertragung von einem Chip zum anderen anzuwenden.
Zurückkommend auf die Anordnung nach Fig. 3 ist zu bemerken, daß die vom Chip A zum Chip B zu übertragende Information sich in Richtung des Pfeiles 18A aufgrund der durch die Ströme I . und IA2 entsprechend erzeugten magnetischen Felder bewegt. Die Bläschendomänen 2OA gelangen in die Übergangszone 22, wenn sie die Leiterschleife 42 erreicht haben. Entsprechend treten die Domänen 20B auf dem Chip B in die Übergangszone 22 ein, sobald sie die Leiterschleife 44 erreichen. Befindet sich eine Bläschendomäne 2OA in der Leiterschleife 42 gleichzeitig, wenn eine Bläschendomäne 2OB in der Leiterschleife 44 ist, dann wird die Bläschendomäne 2OB in Richtung des Pfeiles 18B-2 verschoben, um sich auf das magnetische Chip C zu zubewegen. Ist keine Bläschendomäne 2OA in der Leiterschleife 42 vorhanden - also bei "0" -, wenn sich gleichzeitig eine Domäne 2OB in der Leiterschleife 44 befindet, dann setzt die Bläschendomäne 2OB ihre Bewegung in Richtung des Pfeiles 18B-1 fort, um auf den Bläschendomänen-Auslöscher 16B-1 zu gelangen. Alle Bläschendomänen 2OA hingegen bewegen sich in Richtung des Pfeiles 18A auf den Bläs-
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chendomänen-Auslöscher 16A zu.
Wenn auch die einzelnen magnetischen Chips A, B und C aufgrund der Herstellungsmöglichkeiten bestimmte Ausmaße nicht überschreiten können, so hat doch die Kombination, bestehend aus den Chips A, B und C, eine verhältnismäßig große Bitkapazität, da jedes magnetische Chip mit dem anderen zusammenwirkt, so daß eine entsprechend vergrößerte Anordnung zur Verfügung steht. So besitzt z. B. ein Schieberegister, bestehend aus drei magnetischen Chips, eine verhältnismäßig hohe Bitkapazität; wobei also magnetische Chips verwendet werden können, obwohl aufgrund der begrenzten Abmessungen eine Magnetchipverwendung bisher nicht für möglich gehalten worden ist.
Als weiterer Vorteil ergibt sich, daß magnetische Chips mit unterschiedlichen Eigenschaften Anwendung finden können, um so die Möglichkeiten einer aus magnetischen Chips bestehenden Speicheranordnung zu vergrößern. Wenn es auch bisher bekannt gewesen ist, daß sich magnetische Bläschendomänen gegenseitig abstoßen, so liegt mit der Erfindung doch eine vorteilhafte Ausnutzung dieses Effektes vor, um die einzelnen magnetischen Bläschendomänen zugeordneten Informationen von einem magnetischen Chip auf das andere übertragen zu können.
Falls es erforderlich ist, lassen sich Bläschendomänen zweier verschiedener magnetischer Chips, die sich gegenseitig an einer Grenzfläche abgestoßen haben, anstatt zu einem Bläschendomänen-Auslöscher auch auf eine andere Grenzfläche zu bewegen, um hier entsprechende Wirkungen auslösen zu können. Schließlich können auch die magnetischen Chips mehr als einer oder zwei Grenzflächen benachbart sein und die Bläschendomänen in einem Chip können mehreren Quellen auf diesem Chip entstammen, anstatt nur von einem Bläschendomänen-Generator erzeugt zu sein. Die Erfindung beruht also auf einer Informationsübertragung zwischen getrennten magne-
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tischen Chips, indem die Bläschendomänen-Wechselwirkung über die Grenzflächen dieser Chips hinweg in vorteilhafterweise ausgenutzt wird.
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Claims (3)

  1. - 13 PATENTANSPRÜCHE
    . lj Anordnung zum übertragen von Informationen zwischen zwei aneinander angrenzenden magnetischen Medien in Form von Chips, in denen jeweils Informationen durch magnetische Bläschendomänen darstellbar sind, die durch senkrecht zur Chipoberfläche wirksame magnetische Felder stabilisiert und durch selektiv auf der Chipoberfläche anleg-. bare magnetische Felder längs vorgegebener Bahnen auf dem Chip verschiebbar sind, insbesondere zur Verwendung als Schieberegister, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebebahnen (18A, 18B-2, 18C-2) auf den Chips (A, B, C) jeweils von einem Bläschengenerator (14A, B, C) längs einer ersten Kante zur Aufnahme der Information vom hieran angrenzenden Chip (A) auf eine zweite Kante zu und daran längs zur Abgabe der Information an das hieran angrenzende Chip (B) verlaufen, indem die Bläschendomänen-Generatoren (14A, B, C) bezüglich der Bläschendomänen-Erzeugung zeitlich so aufeinander abgestimmt sind, daß eine Bläschendomäne (2OB) an der Aufnahmekante eines Chips (B) eintrifft, wenn eine Bläschendomäne (2OA) des an die Aufnahmekante angrenzenden anderen Chips (A) in den Wirkungsbereich der Bläschendomäne (20B) auf dem einen Chip (B) verschoben ist, und daß die Verschiebebahnen (18A, 18B-2) jeweils in einen Bläschendomänen-Auslöscher (16A, 16B-2) enden.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebebahnen jeweils eine Verzweigung an der Aufnahmekante besitzen, derart, daß ein Zweig (18B-1, 18C-1) längs der Aufnahmekante verläuft, um ebenfalls in einen Bläschendomänen-Auslöscher (16B-1, 16C) zu enden.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur wahlweisen Auslöschung einer Bläschendomäne (20A)
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    eine Leitungsschleife (21) mit der Verschiebebahn (18A) gekoppelt ist.
    Anordnung mindestens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Chips (A, Bf C) aus verschiedenen magnetischen Materialien bestehen und/oder verschiedene magnetische Eigenschaften besitzen.
    Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Chips (A, B, C) aus auf einem Substrat aufgewachsenen Dünnschichtfilmen bestehen.
    Docket YO 970 055 2 0 9 8 2 8/0906
DE19712159062 1970-12-31 1971-11-29 Informationsübertragung bei Bläschendomänen-Speicher- und Schaltvorrichtungen Granted DE2159062A1 (de)

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Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2159062A1 true DE2159062A1 (de) 1972-07-06
DE2159062B2 DE2159062B2 (de) 1979-02-22
DE2159062C3 DE2159062C3 (de) 1979-10-25

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FR (1) FR2119938B1 (de)
GB (1) GB1367289A (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3824567A (en) * 1972-11-17 1974-07-16 Ibm Magnetic domain code repeater
US3811118A (en) * 1972-12-22 1974-05-14 Bell Telephone Labor Inc Intermedium magnetic domain logic control arrangement
US3940631A (en) * 1974-03-13 1976-02-24 Monsanto Company Magnetic bubble logic gates
US5253439A (en) * 1992-04-06 1993-10-19 Silvatrim Associates Picture frame and method of forming same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3508225A (en) * 1967-11-22 1970-04-21 Bell Telephone Labor Inc Memory device employing a propagation medium
US3543255A (en) * 1969-06-18 1970-11-24 Bell Telephone Labor Inc Single wall domain apparatus having intersecting propagation channels
US3596261A (en) * 1969-11-17 1971-07-27 Bell Telephone Labor Inc Single wall domain switching arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
DE2159062B2 (de) 1979-02-22
GB1367289A (en) 1974-09-18
FR2119938A1 (de) 1972-08-11
US3736577A (en) 1973-05-29
CA939057A (en) 1973-12-25
JPS517971B1 (de) 1976-03-12
DE2159062C3 (de) 1979-10-25
FR2119938B1 (de) 1974-05-31

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