DE2948918C1 - Magnetblasenspeicher - Google Patents
MagnetblasenspeicherInfo
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Description
a) eine zweite elektrisch leitende Schicht (26) ist auf der ersten elektrisch leitenden Schicht (25)
angeordnet und hiergegen durch eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (27) teilweise isoliert;
b) die zweite elektrisch leitende Schicht (26) enthält ein Muster, von der ersten elektrisch
leitenden Schicht (25) ähnlichen Öffnungen;
c) die Öffnungen in jeder der beiden elektrisch leitenden Schichten (25, 26) sind gegeneinander
versetzt, um eine Magnetbfasenbewegung als
Folge von Stromimpulsen durch die beiden elektrisch leitenden Schichten zu erzeugen.
2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen im wesentlichen ovale
Form besitzen.
Die Erfindung bezieht sich auf einen Magnetblasenspeicher der im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebenen
Art.
Magnetblasenspeicher sind nunmehr allgemein bekannt. Man unterscheidet hauptsächlich zwischen zwei
Typen, nämlich dem Feldzugriffstyp und dem Leiterzugriffstyp. Letzterer ist in der US-PS 34 60 116 (Bobeck)
beschrieben.
Vor kurzem ist ein neuer Magnetblasenspeichertyp aufgekommen, bei dem durch eine elektrisch leitende
Schicht, die mit Öffnungen versehen ist, Strom mit im wesentlichen gleichförmiger Stromflußdichte hindurchgeschickt
wird. Die Öffnungen in der Schicht verursachen lokalisierte Störungen in der Stromflußdichte, was
zu einem entsprechenden Feldgradienten bei jeder Öffnung führt. Dieser Feldgradient sorgt dann für die
gesteuerte Bewegung der Magnetblasen in einer hierzu benachbarten magnetischen Blasenführungsschicht. Die
Öffnungen befinden sich in versetzter Anordnung gegenüber den Ruhepositionen, in die sich die
Magnetblasen bewegen, wenn die durch den Strom erzeugten Feldgradienten aufhören. Daher führt ein
zweiphasiger Betrieb zu einer gerichteten Magnetblasenbewegung. Blasenspeicher dieser Bauart sind in den
US-PS 41 43 419 und 41 43 420 (beide Bobeck) beschrieben.
Bei Speichern dieser neueren Bauart treten zwei Probleme auf. Das eine ist die Ausrichtung der
Ruhepositionen gegenüber den Öffnungen in der leitenden Schicht. Die Ruhepositionen sind typischerweise
durch Ionenimplantation bestimmt, und die resultierenden Bereiche müssen innerhalb einer Toleranz
von einer Achtel Periode des Übertragungsmusters ausgerichtet sein (eine Periode ist der Abstand
zwischen sich wiederholenden Merkmalen des Übertragungsmusters). Mit den derzeit industriell verfügbaren
photolithographischen Methoden sind Linienbreiten von einem Mikrometer erreichbar, was zu Übertragungsmindestperioden
von 8 Mikrometern führt. Naturgemäß sind aber kleinere Perioden erwünscht.
Das andere Problem dieser Speicher ergibt sich daraus, daß die Bewegung der Blasen in eine
Ruiieposition beim Aufhören des die Feldgradienten erzeugenden Stromflusses durch einen anderen Mechanismus
oder physikalischen Effekt als jener erfolgt, der die Blasenbewegung ansprechend auf die vom Stromfluß
erzeugten Feldgradienten aus einer solchen Ruheposition heraus besorgt; und die bisherigen
Methoden, mit denen man die nach dem einen Mechanismus erfolgende Blasenbewegung zu erhöhen
suchte, verlangsamen aber zugleich denjenigen Teil der Blasenbewegung, der nach dem anderen Mechanismus
erfolgt.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, einen solchen Magnetblasenspeicher insbesondere dadurch zu verbessern,
daß man nur mit einem einzigen Blasenbewegungi-Wirkungsmechanismus
auskommt, so daß dieser einer uneingeschränkten Optimierung hinsichtlich der Blasenbewegungsgeschwindigkeit zugänglich bleibt und
gleichzeitig auch die Möglichkeit eröffnet, die Musterperiode kleiner als bisher zu machen.
Diese Aufgabe ist mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruches 1 gelöst. Eine vorteilhafte
Weiterbildung der Erfindung ist Gegenstand des Unteranspruchs.
Mit anderen Worten hat also der Magnetblasenspeiehe·- im wesentlichen zwei, je mit Öffnungen versehene, elektrisch leitende Schichten, die zur Bewegung der Magnetblasen in einer benachbarten Magnetblasenschicht verwendet werden. Die beiden Schichten sind dabei so übereinander angeordnet, daß die Öffnungen der einen Schicht gegenüber denen der anderen Schicht versetzt sind. Die beiden leitenden Schichten sind durch eine isolierende Schicht voneinander getrennt, so daß — ansprechend auf jeder Schicht zugeführte Stromimpulse — ein Stromfluß über die jeweils angesteuerte Schicht stattfinden kann. Die unterschiedlichen Impulse treiben die Magnetblasen in aufeinanderfolgende Positionen, die durch die gegeneinander versetzten Öffnungen definiert sind. Da die Bewegung in jedem Fall die Reaktion auf einen Impuls ist, kann eine Magnetblase zum Erhalt großer Magnetblasenübertragungsgeschwindigkeiten einer grundsätzlich beliebig hohen Ansteuerung unterworfen werden. Wie woher gefunden wurde, ist der erfindungsgemäße Speicher überraschenderweise gegenüber einer Fehlausrichtung wesentlich unempfindlicher als bisher. So sind Fehlausrichtungen der Öffnungen in den beiden Schichten von bis zu einem Viertel der Übertragungsperiode akzeptabel. Bei dem bekannten Speicher waren die zugelassenen Fehlausrichlungen auf maximal ein Achtel der Übertragungsperiode beschränkt. Dieses bedeutet eine Erhöhung der Bitspeicherdichte um den Faktor Vier; und es lassen sich mit den derzeit photolithographisch erreichbaren ein Mikrometer-Linienbreiten Bitübertragungsperioden von 4 Mikrometern erreichen. Dieses bedeutet etwa 106 Bit-Speicherstellen auf einem 6,3 χ 6,3 mm großen Chip.
Mit anderen Worten hat also der Magnetblasenspeiehe·- im wesentlichen zwei, je mit Öffnungen versehene, elektrisch leitende Schichten, die zur Bewegung der Magnetblasen in einer benachbarten Magnetblasenschicht verwendet werden. Die beiden Schichten sind dabei so übereinander angeordnet, daß die Öffnungen der einen Schicht gegenüber denen der anderen Schicht versetzt sind. Die beiden leitenden Schichten sind durch eine isolierende Schicht voneinander getrennt, so daß — ansprechend auf jeder Schicht zugeführte Stromimpulse — ein Stromfluß über die jeweils angesteuerte Schicht stattfinden kann. Die unterschiedlichen Impulse treiben die Magnetblasen in aufeinanderfolgende Positionen, die durch die gegeneinander versetzten Öffnungen definiert sind. Da die Bewegung in jedem Fall die Reaktion auf einen Impuls ist, kann eine Magnetblase zum Erhalt großer Magnetblasenübertragungsgeschwindigkeiten einer grundsätzlich beliebig hohen Ansteuerung unterworfen werden. Wie woher gefunden wurde, ist der erfindungsgemäße Speicher überraschenderweise gegenüber einer Fehlausrichtung wesentlich unempfindlicher als bisher. So sind Fehlausrichtungen der Öffnungen in den beiden Schichten von bis zu einem Viertel der Übertragungsperiode akzeptabel. Bei dem bekannten Speicher waren die zugelassenen Fehlausrichlungen auf maximal ein Achtel der Übertragungsperiode beschränkt. Dieses bedeutet eine Erhöhung der Bitspeicherdichte um den Faktor Vier; und es lassen sich mit den derzeit photolithographisch erreichbaren ein Mikrometer-Linienbreiten Bitübertragungsperioden von 4 Mikrometern erreichen. Dieses bedeutet etwa 106 Bit-Speicherstellen auf einem 6,3 χ 6,3 mm großen Chip.
Nachstehend ist die Erfindung anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher
erläutert; es zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung eines Magnetblasenspeichers
der hier in Rede stehenden Bauart,
F i g. 2,6,7 und 8 schemalische Draufsichten auf Teile
des Speichers nach Fig. 1,
F i g. 3 und 4 vergrößerte Draufsichten auf Teile des
Speichers nach F i g. 1,
Fig.5 und 11 Impuisdiagramme für den Betrieb des
Speichers nach F i g. 1,
Fig.9 und 10 sowie 14 bis 17 schematische Darstellungen alternativer Draufsichten auf Teile des
Speichers nach F i g. 1 und
Fig. 12 und 13 schematische Darstellungen von Teilen einer Ausführungsform für den Speicher nach
Fig. 1. ίο
Der in F i g. 1 und 2 dargestellte Magnetblasenspeicher 10 weist eine Schicht 11 auf, in der Magnetblasen
bewegt werden können. Im Regelfall ist die Schicht 11 eine einkristalline magnetische Granatschicht, die auf
einem einkristallinen unmagnetischen Granatsubstrat epitaktisch aufgewachsen ist. Alternativ sind auch schon
amorphe Materialien auf einem Glassubstrat für Magnetblasenspeicher vorgeschlagen worden.
Ein serpentinenförmiger Weg für die Magnetblasen ist durch die Linie 13 in F i g. 1 und im größeren Detail in
den Fi g. 2, 3 und 4 dargestellt. Die bei 14 eingeführten
Magnetblasen werden bei 15 in einer beispielhaften Testschaitung nachgewiesen. Die Magnetblasen werden
von einem Magnetblasengenerator bei 14 eingeführt, der in bekannter Weise von einer Generatorimpulsquel-Ie
16 gepulst wird. Ein Expansionsdetektor, der durch das diamantförmige Gebiet 17 dargestellt ist, ist
dahingehend wirksam, die Magnetblasen zu expandieren, während sie sich zum Detektor 18 hin bewegen. Der
Detektor liefert ein Signal an den Verbraucher 20.
Der Weg 13, längs dessen die Blasen in der Schicht 11
übertragen werden, ist durch eine spezielle Übertragungsstruktur definiert. Diese Struktur umfaßt eine
erste und eine zweite Schicht 25 bzw. 26 aus elektrisch leitendem Material. Die beiden Schichten sind durch
eine elektrisch isolierende Schicht 27 voneinander getrennt. Zweckmäßig wird jedoch aus einem noch zu
beschreibenden Grund die Isolierschicht 27 am einen Ende der Vorrichtung weggelassen, so daß dort ein
direkter Kontakt zwischen den Schichten 25 und 26 vorhanden ist. Jede dieser elektrisch leitenden Schichten
weist ein Muster von Öffnungen auf, die als Vertiefungen in der Schicht vorliegen oder die Schicht vollständig
durchdringen können.
Rechteckige, ovale, kreisförmige, quadratische etc. Öffnungen sind brauchbar. Im vorliegenden Beispiel
sind ovale Öffnungen vorgesehen, sie sind nachstehend als »Ovale« bezeichnet.
F i g. 3 und 4 zeigen Teile der Schichten 25 und 26 mit Ovalen 30 (gestrichelt gezeichnet) bzw. Ovalen 31. so
Magnetblasenübertragungswege sind durch die in der dargestellten Weise gegeneinander versetzten Öffnungsmuster
der beiden Schichten 25 und 26 definiert.
Bipolare Impulse I\ und /3 sowie I2 und U (F i g. 5)
werden den Schichten 25 und 26 zugefüh-t. Wie in F i g. 5 dargestellt, ist jeder Stromimpuls gesondert
identifiziert, d. h., die der Schicht 25 zugeführten positiv und negativ gehenden Impulse sind mit U bzw. /3
bezeichnet, während die der Schicht 26 zugeführten positiv und negativ gehenden Impulse mit h bzw. U
bezeichnet sind. Obgleich Fig.5 eine spezielle Impulsfolge,
d. h. /], /2, /3, /4 in der angegebenen Reihenfolge,
darstellt, können andere Impulsfolgen von einem Impulsgenerator 70 aus den noch zu erörternden
Gründen erzeugt werden.
Auf die Zufuhr der verschiedenen Impulse zu den beiden Schichten 25 und 26 hin, wie dieses im einzelnen
noch erörtert wird, Fließt ein Strom durch diese Schichten längs eirer Richtung in jeder dieser
Schichten, wie diese durch die Pfeile in F i g. 6 dargestellt sind.
Die Magnetblasenbewegung als Folge eines Stromimpulses durch eine mit Öffnungen versehene leitende
Schicht ist im einzelnen in den oben erwähnten US-PS 41 43 419 und 41 43 420 beschrieben. Hiernach stört die
Gegenwart der Öffnungen oder ähnlicher struktureller Merkmale in den Schichten generell den anderweitig
gleichförmigen Stromfluß durch die Schichten, wobei die lokalisierten Stromdichtestörungen benachbart den
Öffnungsrändern Magnetfelder erzeugen, die die Magnetblasen anziehen. Wie in den beiden erwähnten
US-PS beschrieben ist, kann der Stromfluß entweder parallel oder quer zur Übertragungsachse der Magnetbissen
orientiert sein.
Vorliegend sind nun zwei mit Öffnungen versehene Schichten anstelle der nach den beiden US-PS
benutzten einzigen Schicht. Die Öffnungen in jeder der beiden Schichten 25 und 26 sind jedoch gegeneinander
versetzt, um eine Magnetbiasenbewegung als Fo;'ge von Stromimpulsen durch die beiden Schichten zu erzeugen.
Im dargestellten Beispiel werden vier Positionen in jeder Periode (d. h. ein Paar gegeneinander versetzter
Öffnungen) der Öffnungsmuster, ansprechend auf einen einzigen Zyklus einander überlappender Impulse der in
Fig. 5 dargestellten Art besetzt. Fig. 7 zeigt die vier
Positionen Px, P2, F\ Ρλ, für eine einzige beispielhafte
Periode. Die ausgezogenen und gestrichelten Linien sind lediglich der besseren Darstellung halber nebeneinander
verlaufend dargestellt, wobei die ausgezogene Linie die Positionen gegenüber einer Öffnung in der
Schicht 26 und die gestrichelte Linie die Positionen gegenüber der zugeordneten Öffnung der Schicht 25
zeigen. Sonach wird auf einen Stromfluß durch die Schicht 25 als Folge des Stromimpulses /1 hin eine
»Magnetblasenanziehungs«-Position an der Stelle Px in
der Schicht 25 erzeugt, wie diese durch die Öffnung definiert und in den beiden erwähnten US-PS
beschrieben ist. Eine Magnetblase bewegt sich daher in die Position P\. Auf das Auftreten des Impulses /2 durch
die Schicht 26 wandert die Blasenanziehungsposition nach P2, die durch die Öffnung der Schicht 26 definiert
ist; die Magnetblase bewegt sich daher zur neuen Position P2. Die weitere Bewegung der Magnetblase in
die Positionen Pj und P4 tritt ansprechend auf die Zufuhr
der restlichen Impulse zu den beiden Schichten auf.
Wie erwähnt, wird bei der hier beschriebenen Anordnung ein viel schnellerer Betrieb erreicht, wobei
jede Magnetblasenbewegung auf einen Stromimpuls hin erzeugt wird; dieses steht im Gegensatz zu der
bekannten Verwendung einer einzigen mit Öffnungen versehenen Schicht, wo alternierende Blasenbewegungen
durch Anziehen der Blasen zu permanent angeordneten Ruhepositionen, z. B. ionenimplantierten
Bereichen innerhalb der Blasenschicht, erzeugt werden.
Fig. 1 und 2 zeigen des weiteren, daß Kehren und
geschlossene Schleifen ebenso wie geradlinige Wege lediglich durch entsprechende Anordnung der Öffnungen
in den Schichten 25 und 26 realisierbar sind. F i g. 8 zeigt eine vergrößerte Ansicht aufeinanderfolgender
Positionen für eine geschlossene Schleife einschließlich deren Kehren. Die Positionen für jede Periode sind
wiederum als Pi, P2, P3 und Pe, bezeichnet. Beachte, daß
die durch die Ovale 30 und 31 sowie 32 und 33 in F i g. 8 dargestellten Öffnungen nebeneinander liegen, während
die Ovale 35 und 36 sowie 37 und 38 mit der Magnetblasenübertragungsachse ausgerichtet, jedoch
in dieser Achsrichtung gegeneinander versetzt sind. Jede der verbleibenden öffnungen der einen Schicht ist
sowohl axial als auch lateral gegenüber der zugeordneten öffnung in der anderen Schicht versetzt. Die
Magnetblase folgt dem im allgemeinen ovalen Weg, wie dieser durch die in F i g. 8 angegebene Positionenfolge
definiert ist. Man sieht, daß die Blasenbewegung in; Uhrzeigersinn erfolgt. Jedoch erzeugt eine Umkehr der
Impulsfolge eine Bewegung im Gegenzeigersinn.
Die Anordnung einer Öffnung gegenüber deren zugeordneter öffnung in der benachbarten elektrisch
leitenden Schicht bestimmt die Aufeinanderfolge der Feldgradienten und damit die genaue Magnetblasenbewegung
in jedem Moment. Die relative Anordnung kann so sein, daß die öffnungen eines Paares
gegeneinander längs der und/oder quer zur Blasenbewegungsachse versetzt sind.
F i g. 9 zeigt eine Anordnung von Öffnungsmustern (wobei jede ausgezogene und gestrichelte vertikale
Linie eine ovale Öffnung in der Schicht 26 bzw. 25 darstellt), die eine Übergabeoperation von beispielsweise
einer geschlossenen Schleife der in F i g. 8 dargestellten Art aus ermöglicht. Die normale Übertragungsimpulsfolge
(d. h. die Impulsfolge h, h, h. h in der
angegebenen Reihenfolge — siehe Fig.5) nimmt eine
Blase, die bei der Position 40 liegt, über die Folge der Positionen P2, Pj. P4 (45), Px* P7 (41), P3. P4 (46), P1, P2,
Pz, Pa zu der Position 43 hin mit. Wenn jedoch eine
»Ubergabew-Operation für eine Blase gewünscht ist, d. h., die Blasenübergabe, beginnend bei der Position 40,
zur Position 44 anstelle zur Position 43, dann wird eine unterschiedliche Treibimpulsfolge verwendet, nämlich
I2. /3, /4, /ia, I2. hb. Ia. he h. h, Ia- (Der leichteren
Beschreibung halber bezeichnet ein Buchstaben-Index. z. B. der Buchstabe »a« für den Impuls Ix* eine
bestimmte Blasenanziehungsposition, die von dem Stromimpuls für die Blase erzeugt wird, deren Weg
gerade beschrieben wird.) Sonach beginnt die Blase bei der Position 40 und durchläuft die Posilionenfolge Pj, Pi,
Pa (45), Pu. P7 (41). Px s Pa (42). Pn , P2.
P3, Pa. Beachte, daß die Position 41 näher bei Pi* als bei Pu liegt, so daß die Impulsfolge l-.b, U in einer Blasenbewegung von der Position 41 zu Ρ,ι, und zu 42 und nicht von 41 rückwärts zu Pi„undzu45 resultiert. In ähnlicher Weise resultiert die Impulsfolge /,„ /2 zu einer Blasenbewegung von 42 nach Pu und nicht rückwärts zu Pm, Sonach führt die Substitution der Impulsfolge Ub. h. IXc, h anstelle der normalen Folge /3, /4, Z1. I2 zu der Übergabe einer Blase an die Position 44 und nicht an die Position 43.
P3, Pa. Beachte, daß die Position 41 näher bei Pi* als bei Pu liegt, so daß die Impulsfolge l-.b, U in einer Blasenbewegung von der Position 41 zu Ρ,ι, und zu 42 und nicht von 41 rückwärts zu Pi„undzu45 resultiert. In ähnlicher Weise resultiert die Impulsfolge /,„ /2 zu einer Blasenbewegung von 42 nach Pu und nicht rückwärts zu Pm, Sonach führt die Substitution der Impulsfolge Ub. h. IXc, h anstelle der normalen Folge /3, /4, Z1. I2 zu der Übergabe einer Blase an die Position 44 und nicht an die Position 43.
Während der Zufuhr der »Übergabe«-Impulsfolge statt der normalen Impulsfolge werden die anderen
Blasen im Speicher, die sich nicht an einer Position für
eine Übergabe befinden, durch die Übergabe-Impulsfolge lediglich zunächst aus ihrer ursprünglichen Position
heraus und dann wieder in diese zurückbewegt Die normale Bewegung der Blasen wird daher wieder
aufgenommen, wenn die normalen Impulsfolgen wieder auftreten.
Fig. 10 zeigt (wiederum durch vertikale Linien dargestellte) Öffnungsmuster, die so angeordnet sind,
daß sie eine noch weitergehende Flexibilität bei der Blasenbewegung ermöglichen. Im einzelnen erzeugen
die Muster eine gleichzeitige Blasenbewegung in Richtung der x- und y-Achse sowie eine Bewegung um
eine 90°-Kurve. Ansprechend auf die normale Impulsfolge (Fig.5) bewegen sich verschiedene Blasen
gleichzeitig von unten nach oben längs der y-Achse und von links nach rechts längs der Af-Aehse in Fig. 10,
wobei der üblichen Positionenfolge P], P2, P3, P4 gefolgt
wird. Die öffnungen 50,51,52,53 und 54 definieren eine
Positionenfolge, die eine Blase durch eine 90°-Kurve
hindurchführt, wobei sich die Blase von P2 der öffnung
53 zu Pj der Öffnung 54 und nicht zu Pi der öffnung 52
bewegt, weil der Abstand von P2 (53) zu P3 (54) kleiner ist
als der zu P3 (52).
Die Quellen zum Erzeugen und Steuern von Stromimpulsfolgen der hier benutzten Art sind bekannt.
Der Block 70 in Fig. 1 stellt eine solche Quelle zum Erzeugen dieser Impulse für die Schichten dar. Die
Quelle 70 steht unter der Steuerung einer Steuerschaltung 71.
Eine Vormagnetisierungsquelle zum Halten der Magnetblasen beim gewünschten Betriebsdurchmesser
ist durch den Block 72 in F i g. 1 dargestellt.
Die Quelle 70 für die Überiragungsimpulse kann eine
Rechteckwellenspannungssteuerung enthalten, die Stromwellenformen der in F i g. 11 dargestellten Art
erzeugt. Die Spannungswellenform (Vr) wird am Punkt 80 in Fig. 12 zugeführt. Wie dargestellt, sind die
Schichten 25 und 26 elektrisch parallel zueinander geschaltet, liegen jedoch ihrerseits in Serie mit einer
Kapazität 81 bzw. einer Induktivität 82. Die Schaltung ist dahingehend wirksam, Energie zwischen der
Induktivität und der Kapazität in einer Weise umzuschalten, die im wesentlichen zu der Stromwellenform
nach F i g. 5 in den Schichten 25 und 26 führt, um die erforderliche Magnetblasenübertragung zu erzeugen.
Rei diener Ausführungsform ist es wichtig, daß der
Gesamtstromfluß im wesentlichen gleichförmig in jeder der Schichten 25 und 26 erzeugt wird. F i g. 13 zeigt eine
vergrößerte Draufsicht auf eine Ausführungsform zum Aufprägen der Ströme. Hiernach ist eine Faserplatte 86
mit einer elektrisch leitenden Beschichtung 87 vorgesehen. Letztere ist geerdet (siehe Fig. 13 unten). Die
Beschichtung 87 ist in elektrisch leitende Bereiche 88, 89, 90, 91, 92 und 93 unterteilt, die als Anschlüsse für
äußere elektrische Verbindungen dienen. Ein Magnetblasenspeicherchip 95 ist auf der Platte mit seinen
Schichten 25 und 26 nach oben weisend angeordnet. Ein aktives Gebiet AR mit 200 χ 600 Perioden enthält
einen 100 000-Bit-Speicher mit einer Periodenlänge von 8 Mikrometer. Eine Vielzahl von Verbindungen sind
zwischen der geerdeten, leitenden Beschichtung 87 und den beiden leitenden Schichten 25 und 26 mit Hilfe der
Leiter 96 vorgesehen, wobei die Verbindungen jenes Chip-Ende kontaktieren, wo, wie oben erwähnt, die
beiden Schichten 25 und 26 einander kontaktieren. Elektrische Verbindungen zwischen der Übertragungsimpulsquelle
70 und jeder der Schichten 25 und 26 erfolgt über die Anschlußbereiche 88 und 89 und die
Verbindungen 100 bzw. 101. An diesem Ende des Chips 95 sind die beiden Schichten 25 und 26 elektrisch
gegeneinander isoliert, und die Anschlüsse zur Schicht 25 (am Bereich 103) erfolgen durch Öffnungen durch die
Schicht 26 hindurch. Die Bereiche 91 und 92 stellen die Verbindung zu einem Detektorstreifen, typischerweise
einem Magnetowiderstandsdetektorstreifen aus weichmagnetischer Nickel-Eisen-Legierung (Permalloy) im
Expansionsdetektorteil des Übertragungsweges der expandierten Magnetblasen her. Der äußere Anschluß
geht zum Verbraucher 20 und zur Steuerschaltung 71 in Fig. 1, wobei letztere Abfrageimpulse dem Detektor
zuführt.
Der Bereich 93 ist mit der Quelle 16 in Fig. 1
verbunden. Die interne elektrische Verbindung mit einem Magnetblasen-Generator und -Auslöscher an der
Position 14 in F i g. 1 erfolgt über die Leitung 106 zwischen den Bereichen 93 und 105. Der Bereich 105 ist
elektrischer Bestandteil der Schicht 25. Der Magnetwiderstandsdetektor, der Expansionsdetektor und der
Magnetblasen-Generator und -Auslöscher können von bekannter Bauart sein.
Ein Ausführungsbeispiel eines Magnetblasenspeichers der in F i g. 1 und 2 beschriebenen Art wurde unter
Verwendung einer 1,7 Mikrometer dicken magnetischen YSmCaGe-Granatschicht hergestellt. Die Schicht
war dabei auf einem einkristallinen unmagnetischen Gadolinium-Gallium-Granat epitaktisch aufgewachsen.
Eine elektrisch leitende Schicht aus 96 Gew.-% Aluminium und 4% Kupfer wurde auf der Oberfläche
der Granatschicht erzeugt. Diese leitende Schicht (25) war 0,25 Mikrometer dick. Sodann wurde auf die erste
leitende Schicht eine 0,15 Mikrometer dicke SiO2-Schicht
niedergeschlagen, und auf diese die zweite leitende Schicht (26). Letztere war 0,38 Mikrometer dick
und hatte eine ähnliche Zusammensetzung wie die Schicht 25. Ovale öffnungen von 4x3 Mikrometer
wurden nach photolithographischen Methoden erzeugt, wobei die öffnungen in der ersten Schicht vor dem
Niederschlagen der SiO2-Schicht erzeugt wurden. Die Übertragungsquelle lieferte Stromimpulse bei einer
Stromdichte von 2 Milliampere pro Mikrometer Flächenleiter-Breite ohne Nullstromabstand zwischen den
Impulsen. Es konnte ein Betrieb bei bis zu 1 Megahertz erreicht werden.
Ein Expansionsdetektor, bei dem Schlitze sukzessiv zunehmender Länge quer zum Weg der Magnetblasen
vorgesehen waren, expandierte die Blasen von einem Nenndurchmesser von 1,7 Mikrometer auf eine 30 Mikrometer
lange streifenförmige Domäne. Ein Magnetowiderstands-Dünnschicht-(30 nm)Detektor der unterhalb
der ersten leitenden Schicht angeordnet und hiergegen isoliert war, lieferte eine Ausgangsspannung
von 2 Millivolt. Es wurde dabei eine Gesamtanordnung wie nach Fig. 13 benutzt. Das aktive Gebiet (AR in
Fig. 13)enthielt 100 000 BiL
Fig. 14 zeigt eine schematische Draufsicht auf ein Magnetblasen-Verknüpfungsglied, das sich zur Verwendung
als Logikvorrichtung der in Scientific American (Juni 1971) 89, beschriebenen Art eignet In F i g. 14 sind
Magnetblasenübertragungskanäle 121, 122 und 123 dargestellt die durch öffnungen in einem Paar leitender
Schichten 124 und 125 definiert sind und dahingehend wirksam sind, ein Muster von Blasen zu den öffnungen
130 und 131 hin zu bewegen, von denen jede eine seitliche Ausdehnung hat, die zur Wechselwirkung mit
lauen drei Kanälen ausreicht, jede längs einem öder
mehreren der Kanäle transportierte Blase wird unter dem Einfluß der Feldgradienten, die an den Öffnungen
130 und 131 erzeugt werden, weitertransportiert Die weiteren öffnungen 132 und 133 sowie 134 und 135
haben die dargestellte Form, so daß, wenn nur eine einzige Magnetblase längs der drei Kanäle während
eines bestimmten Betriebszyklus transportiert wird, diese Blase während ihrer weiteren Übertragung zur
Achse 136 hin gedrängt wird. Die Blase wird dann schließlich durch Felder an der öffnung 137 für eine
Bewegung während der Stromimpulse h, h und U zu der
Position 140 hinbewegt
Andererseits resultiert die Gegenwart je einer Blase in irgend zwei der drei Kanäle 121,122 und 123 während
eines bestimmten Zyklus dazu, daß beide Magnetblasen wegen der gegenseitigen Abstoßungskraft zwischen
den Blasen daran gehindert werden, die Position 140 zu erreichen. Folglich erscheinen in diesem Fall die Blasen
schließlich an den Positionen 141 und 142. In Fig. 15,16
und 17 sind die verschiedenen Funktionen für die Blasen
in aiien drei Kanälen, Biasen in irgend zwei Kanälen und einer Blase in nur einem der Kanäle dargestellt.
Der Betrieb der Anordnung nach Fig. 14 erfordert
die Verwendung einer vergleichsweise hohen Vormagnetisierung, um eine physikalische Expansion der
Blasen unter dem Einfluß der sich seitlich erstreckenden Magnetfeldgradienten zu vermeiden, die an den sich
seitlich erstreckenden öffnungen 130 und 131 erzeugt
werden. Umgekehrt tritt bei Verwendung einer kleineren Vormagnetisierung eine seitliche Expansion
der Blasen auf, so daß die Anordnung in einem solchen Fall als Expansionsdetektor verwendet werden kann.
Es versteht sich, daß auch nur Teile eines Blasenspeichers entsprechend den hier beschriebenen Prinzipien
ausgebildet zu sein brauchen. Andere Teile können in einer hiermit verträglichen Art und Weise aufgebaut
und betrieben werden, beispielsweise mit einer einzigen mit öffnungen versehenen leitenden Schicht und
hiergegen versetzten Kräften versehen werden. Auch können statt der zweiseitig gerichteten Stromflüsse die
Schichten an unterschiedlichen Positionen entlang gepulst werden, um Stromvektoren zu erzeugen, die sich
in der Ebene der leitenden Schichten drehen.
Obgleich die vorliegende Beschreibung nur anhand eines Betriebes mit Hilfe üblicher Magnetblasenabstände,
wie diese für weichmagnetische Nickeleisen-Elementsysteme typisch sind, erfolgte, ist die hier
beschriebene Magnetblasen-Übertragungseinrichtung gleichermaßen anwendbar für die Magnetblasen-Gitterkonfiguration
der in der US-PS 40 52 711 (vom 4. Oktober 1977) beschriebenen Art Das Magnetblasen-Gesamtgitter
kann beispielsweise unter Verwendung einer Anordnung gegeneinander versetzter kreisförmiger
Löcher in jeder der beiden Leiterebenen umgesetzt werden. Des weiteren kann eine Verknüpfungsgliedstruktur
mit einem einzigen Eingang und einem Paar Ausgängen daZu verwendet Werden, S = O ülid S=I
Blasen als Bestandteil des Nachweisprozesses zu separieren, wie dieser erforderlich wird, wenn der
Datenspeicher in diesen Blasen-Zuständen kodiert ist
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Magnetblasenspeicher mit einer magnetischen Schicht (11), in der magnetische Blasen bewegt
werden können, und einer auf der magnetischen Schicht befindlichen ersten elektrisch leitenden
Schicht (25), die ein Muster von Öffnungen hierin aufweist, gekennzeichnet durch folgende
Merkmale:
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/914,959 US4162537A (en) | 1978-06-12 | 1978-06-12 | Magnetic bubble memory |
US91495978 | 1978-06-12 | ||
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