DE2509511A1 - Anordnung zur informationsverarbeitung unter anwendung von binaerzeichen, die durch magnetische zylindrische einzelwanddomaenen in einer informationsmagnetschicht dargestellt sind - Google Patents

Anordnung zur informationsverarbeitung unter anwendung von binaerzeichen, die durch magnetische zylindrische einzelwanddomaenen in einer informationsmagnetschicht dargestellt sind

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DE2509511A1
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    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
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    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0833Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using magnetic domain interaction

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  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

Böblingen, den 26. Februar 1975 bu-fr
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: YO 973 041
Anordnung zur Informationsverarbeitung unter Anwendung von Binärzeichen, die durch magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in einer Informationsmagnetschicht dargestellt sind.
.Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Informationsverarbeitung unter Anwendung von Binärzeichen, die durch magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in einer Informationsmagnetschicht dargestellt sind, wobei die Einzelwanddomänenpositionen hierin durch ein Einzelwand-Domänenraster mit D'omänenzeilen und -spalten in einer parallel hierzu liegenden Transportmagnetschicht definierbar sowie räumlich stabilisierbar sind, und daß durch Verschieben der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen der Transportmagnet schicht die hierdurch fixierten Informationsexnzelwanddomänen entsprechend mitverschiebbar sind.
Line solche Anordnung ist grundsätzlich aus der deutschen Auslegeischrift 2. 237. 3^9 bekannt geworden, bei der die Transportmagnetschicht dazu dient, die in der Informationsmagnetschicht vorgesenenen Domänenpositionen zu definieren. Zu diesem Zweck ist die Transportmagnetschicht mit magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen, die nach einem regelmäßigen Muster angeordnet sind, vollständig angefüllt. Damit ist über jeder Domäne in der Transportmagnet schicht eine stabile Domänenposition in der Informationsmagnetschicht definiert. Nachteilig bei dieser bekannten Anordnung ist jedoch, daß zum Verschieben der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in der Informationsmagnetschicht hierauf angebrachte Verschiebungsmittel zeitweise die Wechselwirkung jmit einer magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne in der
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;Transportmagnetsehieht überwinden müssen, was die Struktur der Informationsmagnetschicht stark verkompliziert; Außerdem läßt sich bei Anwendung einer an anderer Stelle beschriebener sehr dichten ihexagonalen Domänen-Zylinderpackung nicht vermeiden, daß bei zeitweiser Überwindung der Wechelswirkungskräfte und bei nicht großer Anfüllung der Informationsmagnetschicht mit magnetischem zylindrischen Einzelwanddomänen eine unerwünschte bzw. uribeabsich-'tigte Verschiebung der Informationseinzelwanddomänen eintreten kann, so daß die hiermit gespeicherte Information entsprechend !abgefälscht wird. Um dies zu verhindern, wird die Transportmagnetjschicht gemäß oben genannter Offenlegungsschrift mit einer magnetischen Leitstruktur versehen, längs derer die Transportmagnetschicht vollständig mit Domänen angefüllt wird.
An anderer Stelle ist, wie bereits erwähnt, beschrieben, in welcher Weise eine dichte hexagonale Domänen-Zylinderpackung in einer Magnetschicht und zwar in einem vorgegebenen Bereich vorgesehen werden kann. Zur Festlegung eines solchen definierten Bereiches ist es dabei lediglich erforderlich, auch auf die an den Grenzen dieses Bereiches, also aussen, liegenden magnetischen zylindrischen Einzel wanddomänen Wechselwirkungskräfte einwirken zu lassen, deren Stärke den Wechselwirkungskräften entspricht, die im Innern dieses Bereiches wirksam sind. Hierzu können verschiedene Mittel Anwendung ' finden und zwar können Eindämmungsmittel darin bestehen, daß eine ] entsprechende Mut in die Magnetschicht längs der Bereichsgrenze | eingeätzt wird, in die dann anschließend nichtmagnetisches Material eingefüllt wird. Eine andere Möglichkeit besteht darin, entsprechend örtlich unterschiedliche Magnetisierungen vorzusehen. In ein-i fachster Weise jedoch läßt sich die Eindämmung durch entsprechende Ionenimplantation in der Magnetschicht längs der Begrenzung des Bereichs herbeiführen.
Ausgehend von diesen anderen Orts beschriebenen Merkmalen und Maß- i nahmen, besteht die Aufgabe in Überwindung der Nachteile der oben aufgeführten bekannten Doppelschichtanordnung darin, ein Informationsverarbeitungssystem unter Ausnutzung von Informationsdarstel-
lung mit Hilfe magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen bereit·*
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zustellen, das sich relativ einfach herstellen läßt und zum anderen bei größtmöglicher Speicherdichte eine einfache Codierung aus Vor- j handensein bzw. nicht Vorhandensein magnetischer zylindrischer | Einzelwänddomänen zuläßt. ,
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit Hilfe der im Anspruch 1 . j gezeigten Maßnahmen gelöst. Hiermit ergibt sich ein vorteil- ! haftes Einzelwanddomanensystem, das bei Ausnutzung hexagonaler j Sichter Domänen-Zylinderpackung hohe Speicherdichten ohne besondere)
Codierung mit Hilfe unterschiedlicher Einzelwanddomäneneigenschaften zuläßt; d.h. die übliche Codierungsart für Einzelwanddomänensysteme läßt sich auch bei Anwendung der Erfindung benutzen.
Sollen verhältnismäßig große Domänenrasterbereiche Anwendung fin" den, dann lassen sich in vorteilhafter Weise Maßnahmen nach Anspruch 5 anwenden.
Es hat sich gezeigt, daß sich in zuverlässiger Weise die Informations-Einzelwanddomänen in der Informationsmagnetschicht bewegen lassen, wenn das Domänenraster in der Transportmagnetschicht durch irgendwelche Maßnahmen verschoben wird, da nämlich die Wechselwirkung zwischen jeweils zwei in beiden Magnetschichten gelegenen und gekoppelten magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen hinreichend stark ist. Dies ist in einfacher Weise gewährleistet, wenn die zwischen beiden Magnetschichten befindliche nicht magnetische bzw. schwach magnetische Schicht entsprechend dünn gehalten wird. Außendem müssen die Substanzeigenschaften dieser Zwischenschicht entsprechend gewählt sein. Einzelheiten hierzu lassen sich folgenden Veröffentlichungen entnehmen:
Conference Proceedings of the American Institute of Physics, Proc. No. 59 17· Annual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials, Chicago, Illinois, S. 135.
Philips Research Reports, Band 27 Nr. 1, Seite 7 vom Februar .1972.
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Y. S. Lin und P. J. Grundy in "Applied Physics Letters" 1973.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung lassen sich den übrigen Patentansprüchen entnehmen.
Es zeigt sich, daß die erfindungsgemäße Anordnung als Laminarstruktur bestehend aus verschiedenen magnetischen, elektrisch isolierenden, elektrisch leitenden und nicht magnetischen Schichten in einfachster Weise herzustellen ist. Es läßt sich dabei jedes belieibige Einzelwanddomanenmaterial als magnetische Schicht verwenden, wenn auch für die Erfindung in vorteilhafter Weise amorphe Magnetschichten zur Aufrechterhaltung und Verschiebung von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen nützlich sind, wie bereits an anderer Stelle beschrieben. Bei Anwendung solcher amorpher magnetischer Schichten ergibt sich noch der große Vorteil, daß keinerlei Restriktionen bezüglich der Substrate und der Ebenheit der verschiedenen Schichtungen zu beachten sind, wie es unbedingt bei Verwendung von kristallinen Granatmagnetschichten der Fall ist.
,Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der !nachfolgenden Ausführungsbeispielbeschreibung und aus den Patentansprüchen.
,Es zeigen:
Fig. 1 einen ausschnittsweisen Querschnitt durch die
Anordnung gemäß der Erfindung, bestehend aus der Speichermagnetschicht und der Weiterleitungsma-
: gnetschicht,
Fig. 2 einen ausschnittsweisen Querschnitt durch eine
geschichtete Struktur, die zur Durchführung mannigfacher Funktionen mit Hilfe magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen dienen kann,
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Pig. 3 ein Schema zur Erläuterung der Verschiebung
magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen
im System,
Fig. 4A-4D ein Schema zur Erläuterung der Eingabe von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in
die Speiehermagnetschicht und der Ausgabe von
magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen
hieraus, :
Fig. 5 eine schematische Ansicht eines SchieberegistersJ
das zur Verschiebung magnetischer zylindrischer ; Einzelwanddomänen in der v/eiterleitungsmagnetschicht außerhalb des Speicherbereichs dient, j
Fig. 6 eine Tabelle zur Erläuterung der Wirkungsweise !
der Anordnung nach Fig. 5,
ι Fig. 7 ein Prinzipschaltbild zur Erläuterung der Er- ;
zeugung von magnetischen zylindrischen Einzel- ! wanddomänenmustern und außerdem Sensoren zur ' Erfassung dieser Einzelwanddomänenmuster,
Fig. 8 einen ausschnittsweisen Querschnitt aus einer i
Struktur zur Realisierung der Anordnungen nach j den Fign. 2 bis 7. '
In der erfindungsgemäßen Betriebsweise bestimmen die Positionen
der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in einem Domänen- > raster die Bitpositionen eines Speichersystems, wobei Informations-j bits durch magnetische zylindrische Einzelwanddomänen und Leerstellen dargestellt sind, die von den durch das Domänenraster umfaßten magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen getrennt und
deutlich abgehoben sind. Jedoch sind die die Informationsbits darstellenden magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen magnetisch : mit den jeweils zugeordneten magnetischen zylindrischen Einzelwand-
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domänen im Domänenraster gekoppelt. Diese Kopplung ist dabei derart stark, daß bei Bewegung der Rastereinzelwanddomänen die jeweils zugeordneten Informationseinzelwanddomänen entsprechend mitbewegt werden.
In der in Fig. 1 gezeigten Struktur enthält eine Transportmagnetschicht 10 ein Domänenraster L mit den magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen ßL und eine Speichermagnetschicht 12 mit den Informations-Einzelwanddomänen Bj. Die Magnetschichten 10 und 12 sind voneinander durch eine nichtmagnetische oder höchstens schwach magnetische Schicht 14 voneinander getrennt. Die Art der für die Schicht 14 verwendeten Substanz und ihre Dicke sind derart gewählt, daß sich die erwünschte starke Kopplung zwischen den magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in den Schichten 10 und 12 ergibt.
Die Transportmagnetschicht 10 ist auf einem Substrat Io aufgebracht, wobei bei Granat als Substratsubstanz die Speichermagnetischicht und die Transportniagnet schicht jeweils aus Seltenen-Erden-Granat-Material bestehen-können. Die nichtmagnetische Schicht 14 kann ebenfalls aus einem Granat gebildet sein, und dem 'gleichen wie für das Substrat 16. Das Substrat Ib, die Einzelwanddomänenschichten 10 und 12 und die nichtmagnetische Schicht 14 können die gleiche Gitterkonstante besitzen, so daß die gesamte geschichtete Struktur nach Fig. 1 unter Anwendung von Epitaxieverfahren hergestellt werden kann.
Selbstverständlich lassen sich auch amorphe magnetische Materialien für die Transportschicht 10 und die Speichermagnetschicht 12 anwenden. Hierbei ergibt sich dann keine Notwendigkeit dafür, daß sowohl das Substrat 16 als auch die nichtmagnetische Schicht 14 aus einem Ein-Kristall bestehen müssen, womit sich die herstellung wesentlich vereinfachen läßt. Bei Anwendung amorpher magnetischer Materialien kann das Substrat aus irgendeinem Material bestehen, wie z.B. Glas, was in gleicher Weise für die nichtmagnetische Schicht l4 gilt, die z.B. auch aus SiOp bestehen
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kann. Zusätzlich lassen sich noch elektrische oder magnetische Schaltungskomponenten wie z.B. Permalloystreifen direkt auf das Substrat aufbringen, um dann anschließend die Transportmagnetschicht hierüber aufzutragen. Zwischen den Magnetschichten 10 und 12 können leitende oder weichmagnetische Schichten angebracht werden. Die Anwendung amorpher magnetischer Materialien gestattet dem Konstrukteur größere Freiheit, da dann beide Seiten des Einzelwanddomänenmaterials zur Auflage von Schaltungskomponenten benutzt werden können.
In Pig. 1 ist das Stabilisierungsvormagnetisierungsfeld H durch einen Pfeil angedeutet, dessen Richtung entgegengesetzt zur Magnetisierungsrichtung der dargestellten magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen liegt, bei denen die Richtungspfeile innerhalb der Domänengrenzen eingezeichnet sind. Es sei jedoch festgestellt, daß magnetisch gekoppelte, magnetische zylindrische Einzelwanddomänen selbst bei sehr geringen Vormagnetisierungsfeldern oder, auch itfenn überhaupt kein Vormagnetisierungsfeld H wirksam ist,
stabil sein können. Das Vormagnetisierungsfeld H kann durch eine
Anzahl üblicher Mittel bereitgestellt werden wie z.B. stromführende Wicklungen oder in Wechselwirkung tretende Magnetschichten. Es läßt sich also eine Vormagnetisierung zwischen Null und einem beliebig kleinen Wert anwenden. Weiterhin können die Dicken der Magnetschichten 10 und 12 und ihre Zusammensetzungen unterschiedlich gewählt werden, um eine entsprechende Wirkung von H herbeizuführen. Im allgemeinen jedoch ist H so gewählt, daß die Infor-
mationseinzelwanddomänen Bj nicht verlaufen können.
Die in Fig. 2 gezeigte Struktur zeigt die vollständige Anordnung, so wie sie erfindungsgemäß verwendet wird. Die Transportmagnetschicht 10, die Speichermagnetschicht 12, die nichtmagnetische Schicht 14 und das Substrat 16 entsprechen dabei der in Fig. 1 gezeigten Struktur. Die in Fig. 2 gezeigte Struktur enthält darüberhinaus noch Eindämmungsmittel 18, die sich durch die Speichermagnetschicht 12, die nichtmagnetische Schicht 14 bis in die Transportmagnetschicht 10 erstrecken. Diese Eindämmungsmittel
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dienen zum Eindämmen der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen und damit zum Begrenzen des Domänenrasters, indem die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen aufgrund ihrer Wechselwirkungskräfte in den jeweiligen Rasterstellen gehalten werden, wobei die Eindämmungsmittel einen äußeren Ring von Einzelwanddomänen in bezug auf die Wechselwirkungskräfte an der Domänentasterbegrenzung ersetzen. Die Eindämmungsmittel können z.B. die Gestalt eines Rhombus einnehmen, um ein Raster, wie in Fig. 3 gezeigt, zu definieren. Um die Eindämmungsmittel bereitzustellen, können die Speichermagnetschicht 12, die nichtmagnetische Schicht 14 und die 'Iransportmagnetschicht 10 bis zu einer Tiefe wie in Fig. 2 gezeigt^ eingeätat sein, um dann in diese eingeätzten Nuten eine nichtma- j gnetische Substanz einzubringen. In einer anderen Ausgestaltung können die Eindämmungsmittel 18 durch Ionenimplantation eingebracht sein, die an entsprachenden Bereichen 18 in Fig. 2 in Anwendung . gebracht wird, Schließlich läßt sich auch eine zusätzliche Schicht ^ die als stromführender Leitungszug ausgebildet ist, in Form der Rasterumrandung auf die Schichtstruktur an den Grenzen des Bereichs 18 als Eindämmungsmittel auftragen.
Auf der Speichermagnetschicht 12 befindet sich eine weitere Schicht 20, die EinzeIwanddomänengeneratoren zur Informationseingabe in die Speichermagnetschicht 12 und Sensoren zur Erfassung der In- ■ formation in der Speichermagnetschicht 12 enthält. Wie weiter ; unter noch im einzelnen gezeigt, können die Einzelwanddomänen- ; generatoren aus Nukleationsbauelementen bestehen, während die j Sensoren in zweckmäßiger Weise aus magnetoresistiven Streifen- i
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mustern bestehen.
Im Zuge der Strukturherstellung werden die Eirizelwanddomänenge- : neratoren, bestehend aus Permalloy und die magnetoresistiven Sensoren, die ebenfalls aus Permalloy bestehen, auf die Schicht 12 niedergeschlagen, um dann anschließend die Leitungszüge, die mit den Generatoren und Sensoren in Verbindung stehen, aufzutragen. Die komplexe Generator-Leitungszug-Sensorauflage xvird dann mit einer Isolationsschicht überzogen und entsprechend nachbearbeitet,
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um eine ebene Oberfläche dieser aufgetragenen Schicht für den Niederschlag der nächsten Schicht 22 zu erhalten.
Die Schicht 22 besteht aus verschiedenen Leitungszugmustern, die zur Bereitstellung der magnetischen Felder in Zusammenwirken mit den Generatoren und Sensoren in der Schicht 20 dienen. Im einzelnen wird dies noch weiter unten ausgeführt.
Diese Leitungszugschicht 22 wird dann mit einer Isolierschicht 21I überdeckt, die im allgemeinen aus SiO2 besteht oder eine ähnliche Substanz enthält. Die Punktion der Schicht 24 ist die Isolation der Leitungszüge in Schicht 22 von denjenigen, die in darüberliegender Schicht 2b gebildet werden.
Die Schicht 26 besteht aus stromführenden Leitungszügen, um die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen im Damänenraster verschieben zu können. Im einzelnen besteht die Schicht 26 aus elektrischen Leitungszügen, die dazu dienen magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in das Domänenraster der Transportmagnetschicht 10 einzugeben, magnetische zylindrische Einzelwanddomänen aus diesem Domänenraster auszugeben und magnetische zylindrische Einzelwanddomänen innnerhalb dieses Domänenasters weiterzuleiten. Diese Leitungszüge sind im einzelnen in Fig. 3 gezeigt.
Die Anordnung der verschiedenen Schichten in der Struktur nach Fig. 2 braucht nicht im einzelnen gebracht zu werden. Jedoch ist zu bedenken, daß bei Anwendung von Granateinzelwanddomänenschichten, Einkristalleingenschaften erforderlich sind und dementsprechend das Substrat und die nichtmagnetische Schicht 14 in zweckmäßiger Weise ebenfalls aus Einkristallgranatmaterialien bestehen müssen. Damit ist eine Epitaxiestruktur für die Zusammensetzung aus Substrat 16, Transportmagnetschicht 10, nichtmagnetische Schicht 14 und Speichermagnetschicht 12 ermöglicht.
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An Hand des Schemas nach Pig. 3 läßt sich die Schaltung zum Verschieben magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen im Domänenraster der Transportmagnetschicht 10 erläutern. Mit anderen Worten: Die verschiedenen Rastermanipulationen werden mit Hilfe der elektrischen Leitungszüge in Schicht 26 durchgeführt. Die im Domänenraster L enthaltenen magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B_ sind durch gestrichelte Kreise angedeutet,um hiermit anzuzeigen, daß sie in einer Schicht gebildet sind, die sich um einige Schichten !entfernt von den Rasterschaltkreisen der Schicht 2ό befindet. Weijterhin sind die Eindämmungsmittel 18, die, wie gesagt, zum Einschluß der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B^ innerhalb eines definierten Domänenrasters dienen, ebenfalls durch !strichpunktierte Linien dargestellt. Die Eindämmungsmittel 18 und die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B,. sind deshalb angedeutet, um die Ausrichtung der verschiedenen elektrischen ;Leitungsmuster in Schicht 26 in bezug auf die Eindämmungsjmittel 18 und die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen innerhalb des Domänenrasters L anschaulich darlegen zu können.
iDie magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen werden dem Domäjnenraster L von einem Einzelwänddomänengenerator 28 zugeführt. Diese Einzelwanddomänengeneratoren sind an sich bekannt und brauchen deshalb hier nicht weiter beschrieben zu werden. Nach Erzeugung iwerden die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in Rieh- ; tung des Pfeils 30 seriell in ein Schieberegister SRI zwischen elektrischen Leitungszügen A und B eingegeben. Unter entsprechender Steuerung der den elektrischen Leitungs zügen A, B, C zugeführt abströme lassen sich dann die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen aus dem Schieberegister SRI parallel in das Raster L !übertragen. Diese Verschiebeanordnung ist von den übrigen Leitungszügen in der Schicht 26 isoliert.
Die aus dem Einzelwandgenerator 28 zugeführten magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen bewegen sich unter dem Einfluß der Domänenverschiebeanordnung in Positionen, die am linken Rand des
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Doirünenrasters L gelegen sind. Aus diesen Positionen werden dann die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in des Domänenraster Jb durch Anlegen entsprechender Stromimpuls^ iii 3 en elektrischen Leitungs zügen A, b, C überführt, die 301r.it die Eingabemittel 32 zur Eingabe magnetischer zylindrischer Einaelwaradoisäneii in das Douiänenraster L darstellen. Wie aus Fig. 3 e-rsiehtlieh, verlaufen die elektrischen Leitung züge A, B, G parallel zum linksseitigen Eindämmungsmittel des Domänenrasrers L.
Die Ausgabemittel 34 dienen zum Entnehmen einer Spalte von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B,. aus dem Rasterbereich L. Die Ausgabemittel ~$h bestehen aus den Leitungswagen AJ, B1, C. Durca Anlegen geeigneter ßtromimpulse unter entsprechender zeitlicher Steuerung in diesen Leitungszügen lassen sich magnetische zylindrische Einzelwanddomänen aus der rechten Seite des Rasterbereiehs L in Positionen zxiischen den Leitungszügen A1 und B' überführen. Aus den letztgenannten Leitungszügen wird ebenfalls wieder ein Schieberegister SR2 gebildet. In diesem Schieberegister üR2 v/erden die magnetischen zylindrischen Einselwanddomänen in Pdcntung des Pfeils 36 auf den Domänenvernichter übertragen. Andererseits läßt sich aber auch ein hier nicht gezeigter Weiterieitungspfau vorsehen, der die magnetischen zylindrisehen EinzelwanddoDiänen nach Bedarf wieder auf das Schieberegister SRI zurück-ÜDertragen kann, um sie dann wiederum in den Rasterbereich L eingeben zu können. Aufbau und Wirkungsweise des Schieberegisters SR2 sind dabei gleich dem des Schieberegisters SRI und werden weiter unten noch ausführlieh beschrieben.
Ist eine Spalte von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in die linke Seite des Rasterbereichs L eingegeben, dann werden v«e chs elwirkungs kräf te mit den bereits im Rasterbereich enthaltenen magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen wirksam, wobei diese iiräfte sich durch dieses Raster hindurch übertragen und auf die letzte rechtzeitige Einzelwanddomänenspalte im Rasterbereich einwirken, Die übertragung dieser tfechselwirkungskräfte kann da-Dei zur Folge haben, daß die rechtsseitige Spalte der magnetischen
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■zylindrischen Einzelwanddomänen im Raster über die entsprechende Eindämmungsmittelseite herausgeschoben werden. Jedoch ist zu bemerken, daß das Domänenraster aufgrund der Koerzitivkräfte der !magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänenschicht 10 nicht volljkommen elastisch ist, so daß eine Kraft zur Eingabe magnetischer 'zylindrischer Einzelwanddomänen in diesen Rasterbereich nicht unbedingt in ihrer vollen Stärke auf die rechtsseitige Spalte des iRasterbereichs übertragen wird. Aus diesem Grunde sind besondere Ausgabemittel vorgesehen, um die Entnahme von magnetischen zylinjdrischen Einzelwanddomänen aus dem Rasterbereich zu unterstützen.
Um eine Verschiebung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen !innerhalb des Rasterbereichs zu fördern, sind sogenannte Einzel- I wanddomänenfeger vorgesehen. Diese Einzelwanddomänenfeger sind ebenfalls stromführende Leitungszüge, deren Breite etwa den zweitiis fünffachen Betrag des Durchmessers der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen aufweist. Ströme in den Leitungszügen 38» *
1 t
jlassen Magnetfelder entstehen, die mit im Domänenraster vorhandenen (magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in Wechselwirkung treten und so ein Gradientenfeld herbeiführen, das die Bewegung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen innerhalb des Rasterbereichs von der einen Seite zur anderen Seite begünstigt. Diese Domänenfeger lassen sich damit auch als Rasterbereichsfeger vertwenden, indem nämlich ein gesamtes Raster nach links oder nach jrechts verschoben werden kann, je nach dem, wie die Richtung des jstromflusses in den Fegerle it ungs zügen vorgesehen ist. i
Im Schema nach Fig. 3 sind die elektrischen Leitungszüge 38 an leine Fegerstromquelle 40 angeschlossen, um die erforderlichen Istromimpulse bereitzustellen. Außerdem ist ein Steuerkreis M2 vorgesehen, der Synchronisiersteuersignale auf die Eingangsleitungszüge A, B, C und die Ausgangsleitungszüge Af, B·, C überträgt. Zusätzlich steuert der Steuerkreis 42 den Domänen-■generator 28 und den Domänenvernichter bzw. einen Rückkopplungs-
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pfad in Zusammenwirken mit Schieberegister SR2.
Das bedeutet, daß die Leitungszugangsordnung in der Schicht 26 in Fig. 2 einen Einzelwanddomänengenerator 28, ein Schieberegister SRI, ßinzelwanddomänenrastereingabemittel 32, Einzelwanddomänenrasterausgabemitte1 34 und ein Schieberegister SR2 enthält. Zusätzlich läßt sich in dieser Schicht außerdem noch ein Domänenvernichter vorsehen, in dem die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen zum Zusammenbruch gebracht werden.
Die Schieberegister SRI und SR2 müssen elektrisch von den Leitungszügen A, B, C und den Leitungszügen A1, B', C isoliert sein. Dies läßt sich leicht dadurch herbeiführen, daß die Schieberegister in einer anderen Schicht untergebracht sind, die isoliert von der Schicht 26, wie in Fig. 8 gezeigt, angeordnet ist.
Anhand der Figuren 4A bis 4D läßt sich die Betriebsweise der Eingangsleitungszüge A, B, C und die der Ausgangsleitungszüge A1, B', C1 bei Betrachtung der verschiedenen Zeitpunkte T = 1, 2, 3, 4 erläutern. Damit wird die Eingabe magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen anhand der Domäne BDI in den Rasterbereich L veranschaulicht, während die Entnahme magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen anhand der Domäne BD2 aus dem Rasterbereich in das Schieberegister SR2 illustriert ist.
Wie in Fig. 3 ist auch hier der Kanal zwischen den Leitungszügen A und B punktiert, um damit anzudeuten, daß sich das Schieberegister SRI zwischen diesen Leitungszügen befindet. In gleicher Weise ist der Kanal zwischen den Leitungszügen A1 und B' punktiert, um anzudeuten, daß sich das Schieberegister SR2 zwischen diesen Leitungszügen befindet.
Die jeweilige Stromrichtung in den verschiedenen Leitungszügen ist durch entsprechende Pfeile an diesen Leitungszügen angedeudet. So wird z.B. angenommen, daß zum Zeitpunkt T=I die magne-
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tische zylindrische Einzelwanddomäne BDI in den Rasterbereich L eingeführt werden soll, wohingegen die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne BD2 aus dem Rasterbereich L entnommen werden !soll. Die Ströme in den Leitungszügen A und B verlaufen in den durch die Pfeile angedeuteten Richtungen. Zusätzlich sind Strö-■me in den Leitungszügen A1 und C vorhanden.
Zum Zeitpunkt T = 2 tritt ein Strom im Leitungszug C und außerdem im Leitungszug A auf. Dies veranlaßt die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne BDI, sich zur entsprechenden Seite des 'Leitungszüges C hin zu bewegen. Während der Zeit T = 2 treten Ströme in den Leitungszügen R1 und C auf, die die zylindrische Einzelwanddomäne BD2 an die entsprechende Seite des Leitungszuges C führen.
Die nächste Folge der angelegten Stromimpulse zu den Zeiten T = 3 und T = 4 ergibt sich aus den Figuren 4C und 4D. Stromimpulse in den entsprechenden Leitungszügen erzeugen Magnetfelder, die die magnetische zylindrische Einzelwanddomäne BDI in den Rasterbereich L übertragen und die magnetische zylindrische jEinzelwanddomäne BD2 .aus diesem Rasterbereich heraus in das 'schieberegister SR2 übertragen.
iDie Schaltkreisanordnung nach Fig. 5 deutet eine Folge von Verschiebungsleitungsmustern an, die für die Anwendung auf Schieberegister SRI und SR2 typisch sein kann. Diese Schieberegister enthalten jeweils Leitungszüge C5, C6, C7 und C8. Die Leitungszüge C5, C6 und C7 stellen ein Dreiphasen-Leitungs-Verschiebungsmuster dar, während der Leitungszug C8 eine Schleife ist, die als Führungsmittel dient, um magnetische zylindrische Einzelwanddomänen im richtigen Verschxebungspfad zu halten.
Die Leitungszüge C5 bis C8 sind an die Stromquellen, wie in Fig. 5 gezeigt, angeschlossen. Diese Stromquellen enthalten j Steuersignale vom Steuerkreis 44.
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Aufeinanderfolgende Positionen von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen während eines Zyklusses der Schieberegisteroperation sind mit A, B, C bezeichnet. Aus der Tabelle nach Fig. 6 ergeben sich die verschiedenen Ströme, die während eines Zyklusses der Schieberegisteroperation verwendet werden, um eine magnetische zylindrische Einzelwanddomäne aus der Position A in die Position B und zur Position C zu verschieben. In dieser Tabelle zeigt ein .Pluszeichen an, daß ein Strom in den angedeuteten Leiter eingegeben wird. Ein solcher Strom teilt sich zu gleichen Teilen auf und wird über geeignete Leitungszüge zurückgeleitet wie es durch den Buchstaben G in der Tabelle nach Fig. 6 bezeichnet ist. So kann sich z.B. eine magnetische zylindrische Einzelwanddomäne von der Position A zur Position B des Registers bewegen, wenn die Zuleitungen C5 und C7 geerdet sind und die Zuleitungen C6 und C8 Ströme führen. Dieses Dreiphasen-Leitungs-Versehiebungsmuster wiederholt sich periodisch, je nach der Anzahl der gewünschten Schieberegisterstellen.
Fig. 7 zeigt die in den Schichten 20 und 22 der Struktur nach Fig. 2 angeordneten Sehaltungszüge. Diese Schaltungszüge dienen zur Herbeiführung des erwünschten Musters von Informationseinzelwanddomänen und für die Erfassung dieses Musters. Ebenso wie in der Anordnung nach Fig. 3 ist jede Spalte von Informationseinzelwanddomänen und jede Spalte von Rastereinzelwanddomänen als beispielhafte Ausführung so ausgelegt, daß hierin jeweils sieben Einzelwanddomänenpositionen enthalten sind.
Im einzelnen zeigt die Anordnung nach Fig. 7 Mittel zur Erzeugung eines Informationsmusters von Einzelwanddomänen unter dem Bezugszeichen 46. Die Mittel 46 bestehen aus einer Mehrzahl von Permalloy-Domänengeneratoren 48A, 48B, 48C, 48D, 48E, 48F und 48g. Diese als Nukleatoren dienenden Generatoren 48 sind in der Schicht 20 der Struktur nach Fig. 2 angeordnet.
Ein Leitungszug 50 verläuft über die Nukleatoren 48 und dient zum Bereitstellen von Magnetfeldern an den Enden der Nukleatoren. Der Leitungszug 50 ist mit der Stromquelle 52 verbunden,
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die entsprechende Stromimpulse auf diesen Leitungszug überträgt. Eine Anzahl von Auswahlleitungen 1, 2, ...., 7 ist in der Schicht 22 (Fig. 2) angeordnet. Diese Auswahlleitungen führen über die einzelnen Nukleatoren 48 und dienen zur Bereitstellung von Magnetfeldern, die die Nukleation einer magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne bei einem ausgewählten Nukleationsgenerator unterstützen. Die Ströme in den Auswahlleitungen sind in ihrem Auftreten von der Leitungsauswahlsteuerung 54 abhängig, die mit jeder der Auswahlleitungen verbunden ist, um Stromimpulse in entsprechend gewünschten Auswahlleitungen bereitzustellen.
Die Nukleationsgeneratoren 48A bis 48G sind im Zusammenwirken mit :dem Leitungszug 50 und den Auswahlleitungen 1, 2, ..., 7 derart ausgelegt, daß eine Kombination von Strömen in den über den Permalloy-Elementen 48 verlaufenden Leitungszügen erforderlich ist, um die Wukleation einer magnetischen zylindrischen Einzel- ;wanddomäne in der Speichermagnetschicht 18 zu ermöglichen. Ist ,so z.B. die Nukleation einer Domäne am rechten Ende des PermalloyiElements 48A erwünscht, dann muß ein Stromimpuls in der Auswahlleitung 1 sowie im Leitungszug 50 auftreten, um ein ausreichendes Magnetfeld am rechten Ende des Permalloyelementes 48A zur Nukle-1 ation einer magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne in der Speichermagnetschicht 18 bereitzustellen. In gleicher V/eise dient die Bereitstellung von Strömen in den anderen Auswahlleitungen 2, 3, *··7 in Kombination mit einem Stromimpuls auf der Zuleitung 50 zur selektiven Nukleation von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen von irgendeinem der anderen Permalloyelemente 48B bis 48g. Auf diese Weise läßt sich eine Spalte von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen im Kombination mit Leerstellen als Information längs der rechten Enden der Permalloy-Generatoren 48a bis 48g bereitstellen.
Die Nukleation von Informationsexnzelwanddomänen tritt an solchen Positionen auf, wo diese Domänen magnetisch mit magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in den in der Transportmagnet-
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schicht 10 gelegegenen Raster in Wechselwirkung stehen, d.h. gekoppelt sind. Im Schema nach Fig. 7 sind drei Informations -Einzelwanddomänen B-j- in gestrichelten Linien dargestellt, so daß ihr Auftreten in der linken Spalte der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen im Rasterbereich entsprechend angedeutet ist. Die in der Speichermagnetschicht 12 angeordneten Eindärnmungsmittel 18 sind in Form von strichpunktierten Linien angedeutet, um so eine Vorstellung der räumlichen Bezüge der verschiedenen Schaltkreiskomponenten zu den magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in der Speichermagnetschicht 12 zu geben, Natürlich sind die Eindämmungsmittel 18 in der Transportmagnetischicht 10 und die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B im hierdurch begrenzten Bereich mit den magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in der Speichermagnetschicht 12 ausgerichtet. Dementsprechend befindet sich der Rasterbereich L in der Magnetschicht 10 direkt unterhalb und in Ausrichtung mit den EindämmungsmitteIn 18, wie in Fig. 7 gezeigt. An der rechten Seite des Rasterbereichs sind die Sensormittel allgemein mit 56 bezeichnet. Die Sensormittel 56 bestehen aus einer Mehrzahl von Sensoren 58A, 58B, 58C, 58D, SSE, 58F und 58G. Diese Sensoren können beliebiger Bauart sein, die im Ansprechen auf erfaßte magnetische Streufelder, die mit den Informationseinzelwanddomänen Cy einhergehen, entsprechende Spannungen oder Ströme; liefern. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel werden hierzu magnetoresistive Abfühlmittel verwendet, die lediglich aus einem Permalloy-Streifen bestehen. Dementsprechend bestehen die einzelnen Sensoren 5δΑ bis 58G aus dem gleichen Material wie die Nukleationselemente 48A bis 48G. Aus diesem Grunde lassen sich in einem Verfahrensgang sowohl Nukleatoren als auch Sensoren auf die entsprechende Schicht anbringen, womit Herstellung und Ausrichtung wesentlich erleichtert werden.
Die einzelnen Sensoren 58A bis 58G sind jeweils an die Sensorstromquelle 60 angeschlossen, die einen Strom über die Leitung 62 zu übertragen vermag, von der dann die einzelnen Sensorströ-
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me abzweigen, um durch den jeweiligen Sensor fließen zu können. Ein Spannungsmesser 64 zur Meßwerterfassung ermittelt jeweils den Spannungsabfall für die Sensoren 58A bis 58G, wenn ein Strom durch den jeweiligen Sensor fließt. Bekanntlich verursacht das Auftreten einer magnetischen zylindrischen Einzelwanddomäne B1 in Flußkopplungsnähe zu einem magnetoresistiven Sensor ei-ne Widerstandsänderung dieses Sensors, so daß eine Spannungsänderung über diesen Sensor auftritt. Entsprechende Spannungsänderungen werden durch den Detektor 64 abgefühlt, um die Signale auf einen Verbraucher wie z.B. Anzeigemittel 66 zu übertragen, die auch durch einen Computer dargestellt sein können.
|Bei Betrieb sprechen die Sensoren 58A bis 58G auf die einzelnen Informationseinzelwanddomänen in einer Spalte von Einzelwanddo-Imänen in der Speichermagnetschicht an. So werden z.B. durch den Nukleationsgenerator 48 magnetische zyklindrische Einzelwanddomäinen oder Leerstellen bereitgestellt, die zu einem späteren Zeitpunkt durch den Sensor 58A erfaßt werden. Die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen werden von den Nukleationsgeneratoren 48a bis 48G auf die Abfühlmittel 56 übertragen, wenn die magnetisch gekoppelten Rastereinzelwanddomänen B. nach rechts verschoben werden, und zwar in solche Positionen, wo die zugeordneten magnetisch gekoppelten Informationseinzelwanddomänen in Flußkopplungsnähe mit den Sensoren 58A bis 58G gelangen.
Eine Vernichterstromquelle 68 vermag Stromimpulse in einer Lei-,terschleife fO zur Vernichtung von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen nach Abfühlen durch die Sensoren 58A bis 58G bereitzustellen. Wie bereits gesagt, lassen sich diese Informations.· 'einzelwanddomänen wieder auf das Eingangsende des Rasterbereichs zurückführen, um sie hierin wiederum zu speichern, wobei ein Leitungszugmuster Verwendung finden kann, das ähnlich gestaltet ist wie diejenigen, um magnetische zylindrische Einzelwanddomänen in den Rasterbereich einzugeben oder hieraus zu entnehmen.
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Der Steuerkreis 22 dient zur Synchronisation des Betriebs der verschiedenen Schaltkreiselemente, um die magnetischen zylindrischen jiinzelwanddomänen B, in der Speichermagnetschicht 12 zu manipulieren. Der Steuerkreis 72 stellt somit Synchronisierungssignale zur Auswahlleitungsquelle 54, zur Generatorstromquelle 52, zur Vernichterstromquelle 68, zur Sensorstromquelle 60 und zu den Meßwerterfassungsmitteln 64 bereit. Zusätzlich wird der Steuerkreis 72 mit dem Steuerkreis 42 (Pig. 3) synchronisiert, der zur Synchronisierung des Betriebs der Schaltelemente des Rasterbereichs der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen B- in der Transportmagnetschicht 10 dient.
Aus eier S chi ent struktur nach Fig. δ geht die räumliche Ausrichtung: der verschiedenen Schaltkreiselemente in bezug auf die magnetiscnen zylindrischen Einzelwanddomänen in der Speichermagnetschicht Id und der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in der Transportmagnetschicht 10 hervor. Dies ist eine mögliche Anordnungsweise von Schaltkreisfunktionen, obgleich auch andere Anordnungsmöglichkeiten denkbar sind.
In der Schichtstruktur nach Fig. 8 treten magnetische zylindri- ' sehe Einzelwanddomänen BL im entsprechenden Rasterbereich auf, während Informationseinzelwanddomänen BT magnetisch hiermit gekoppelt sind. Infolgedessen erzeugen die Generatoren 48B bis 4Bg, die hier allgemein als Generatoren 48 gezeigt sind, Informationseinzelwanddomänen B1 an denjenigen Positionen, wo sie magnetisch mit den Rasterbereichehseinzelwanddomänen BT an der linken Seite des Rasterbereichs gekoppelt sind. Der Leitungszug 50 liegt, wie bereits gesagt, ooerhalb der Generatoren 48. In gleicher Weise befinden sich die Sensoren 58A bis 58 G, hier allgemein durch das Bezugszeichen 58 angedeutet, auf der rechten , Seite der Zeichnung. Die Generatoren 48 und die Sensoren 58 sind in der Schicht 20 untergebracht, deren restlichen Bereiche als
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Isolation dienen. Wie aus der Anordnung nach Fig. 8 hervorgeht, liegen die Auswahlleitungen und der Leitungszug 50 oberhalb der Generatoren 48, um Magnetfelder bereitzustellen, die mit diesen .Generatoren 48 in Kopplung stehen. Der Vernichter 70 liegt in einer derartigen Position, wo er magnetische zylindrische ßinzelwanddomänen nach Abfühlung durch die Sensoren 58 nach Bedarf ver- :nichten kann.
,Die darüberliegende Schicht 26 enthält die Rastermanipulations-Schaltkreise, wie z.B. Eingangsleitungszüge A, B, C und Ausgangsleitungszüge A', B1, C sowie Donaänenfegerleitungszüge 38. Der ;restliche Teil der Schicht 26 besteht wiederum aus Isolationsmaterial. Die zuoberst in der Struktur gelegenen Schaltkreise steljlen die Schieberegister SRI und SR2 dar, die die Domänen in der Transportschicht 10. in Positionen schieben sollen, wo sie in den Rasterbereich eingegeben werden können, oder um magnetische zylindrische Einzelwanddomänen zu verschieben, die aus dem Rasterbereich entnommen worden sind.
Das Vormagnetisierungsfeld H läßt sich wie gesagt durch eine stromführende Wicklung bereitstellen, das die gesamte Struktur in an sich bekannter Weise umgibt. Andererseits lassen sich zu diesem Zweck auch eine permanente Magnetschicht oder wechselwirkungsgekoppelte magnetische Schichten anwenden.
Die oben beschriebene Einzelwanddomäneneinrichtung erfordert nicht die Anwendung codierter magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen bei Verwendung in einem Raster mit in Wechselwirkung stehenden magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen. Stattdessen werden die magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen in einem besonderen Rasterbereich als Transportmittel für Informationseinzelwanddomänen verwendet, die in der anderen Magnetschicht untergebracht sind. Diese Iiiformationseinzelwanddomänen lassen sich in üblicher
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•u·
weise zur informationsdarstellung verwenden, wo das Auftreten und ilicntauftreten von magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen zur Bitdarstellung ausgenutzt wird. Dadurch wird die Notwendig-Keit zusätzlicher Rasterschaltkreise ausgeschaltet.
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Claims (1)

  1. 2bO9511
    PATENTANSPRÜCHE
    (l) Anordnung zur Informationsbearbeitung unter Anwendung von Binärzeichen, die durch magnetische zylindrische Einzelwanddoraänen in einer Informationsmagnetschicht dargestellt sind, wobei die Einzelwanddomänenpositionen hierin durch ein ülinzelwanddomänenraster mit Domänenzeilen- und spalten in einer parallel hierzu liegenden Transportmagnetschient definierbar sowie räumlich stabilisierbar sind, und daß durch Verschieben der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen der Transportmagnetschicht die hierdurch fixierten Informationseinzelvianddomänen entsprechend mitverschiebbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Informationsmagnet schicht (12) als auch die Transportmagnetschicht (10) einen Bereich mit hexagonal dichter Domänen-Zylinderpackung enthalten, dessen Grenzen durch Eindämmungsmittel (18) festgelegt sind, die die Einzelwanddomänen B1, ' Bj ) hierin bei vollständiger Auffüllung aufgrund der gegenseitigen Wechselwirkungskräfte einzuschließen vermögen, daß die Transportmagnetschient (10) jeweils für spalten- bzw. zeilenweise Domänenzu- und abfuhr an der Eingabeseite der Bereiche Domänenerzeugungsmittel (28, 30, 32) und an der Ausgabeseite der Bereiche Domänenvernichtungsmittel (34, 36) bzw. den Eingang eines Rückkopplungspfades aufweist und daß die Informationsmagnetschicht (12) an der Eingabeseite der Bereiche Auswahlmittel (46) zur Eingabe in vorbestimmbare Domänenspalten bzw. -zeilen sowie an der Ausgabeseite der Bereiche Sensoren (56) für spalten- bzw. zeilenweises Auslesen der Informa tionsdomänen (üj) besitzt.
    2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Domänenerzeugungsmittel (28, 30, 32) als auch die Domänenvernichtungsmittel (34, 36) drei Leitungszüge (A, B, C bzw. A', B', C) enthalten, die zwecks Verschie-
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    -Xz.
    bung der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen (B1)
    von einer Außenseite eines Außenleiters (A) bzw. von einer
    Außenseite eines Innenleiters (C) vom Domänengenerator
    (28) bzw. zum Domänenvernichter aufeinanderfolgend mit
    Stromimpulsen beaufschlagbar sind, indem die jeweils zwischen Außen- (A, A1) und Innenleiter (B, B1) liegenden
    und mit Domänengenerator (28) bzw. -vernichter in Verbindung stehenden .MagnetSchichtbereiche (SRI, SR2) jeweils
    als Scnieberegister für magnetische zylindrische Einzelwanddomänen (B1.) mit einer der Rasterzeilenzahl entspre- ι chenden Stufenanzahl ausgebildet sind.
    Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß j die Schieberegister (SRI, SR2) jeweils aus drei in seiner \ Längsrichtung mäanderförmig verlaufenden, mit periodisch ; abwechselnd aufeinanderfolgenden, im wesentlichen senkrecht zur Schieberegisterlängsrichtung liegenden Leitungs- '■ abschnitten versehenen Impulsleitungen (G5, C6, GJ) beste- . hen, die durch angeschlossene Stromquellen entsprechend ; aufeinanderfolgend erregbar sind.
    Anordnung nach Anspruch dadurch gekennzeichnet, daß
    eine vierte Stromquelle an einen vierten Leitungszug (C8)
    angeschlossen ist, der schleifenförmig den gesamten Schieberegisterbereich umschließt. ;
    Anordnung nach Anspruch 1 und/oder Anspruch 2 bis Anspruch
    4, dadurch gekennzeichnet, daß die Transportmagnetschicht ' (10) parallel zu den Schieberegisterbereichen (SRI, SR2)
    verlaufende, elektrische Leitungszüge (38) aufweist, deren Breite, in Bewegungsrichtung der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen (B^) gesehen, dem zwei- bis fünf- ■ fachen Durchmesser der magnetischen zylindrischen Einzelwanddomänen (B^) entspricht. ;
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    6. Anordnung nach Anspruch 1 und/odsr Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß jeder Rasterzeile auf der Informations=
    magnetschicht (12) zur Eingabe von Informationsdomänen
    ; (BT) ein steuerbarer üomänengenerator in Form eines in
    \ Koinzidenz durch zwei Impuls leitungen (1, 2, 3,···7; 50)
    ; erregten Permalloy-Streifens (48) zugeordnet ist.
    Y. Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
    j ein über alle Permalloy-Streifen (48A bis 48G) parallel
    i zur Informationsmagnetschicntkante verlaufender Leitungs-
    i zug (50) unter Impulssteuerung mit jeweils jedem Permalloy-:
    j Streifen (48) zugeordneter Auswahlleitung (1, 2, 3... oder ι
    \ 7) zusammenwirkt, die im Bereich des jeweiligen Permalloy·= ;
    ; Streifens (48) den gemeinsamen Leitungszug (50) überschnei-
    ■ det.
    8. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeich·=. net, daß die Information in an sich bekannter w'eise aus
    ; dem Vorhandensein und NichtVorhandensein von magnetischen ; zylindrischen Einzelwanddomänen (B_) an vorgegebenen Posi- ■ tionen zusammengesetzt ist. ■
    9. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekenn- ;
    ■ zeichnet, daß auf einem nichtmagnetischen Substrat (16) ! die Transportmagnetschicht (10) aufgebracht ist, auf der | ihrerseits wiederum eine nichtmagnetische Schicht (14) :
    , liegt, die die Informationsmagnetschicht (12) trägt, wobei \ die Dicke der nichtmagnetischen Schicht (14) eine ausrei- '■
    chende Wechselwirkung zwischen magnetischen zylindrischen ' Einzelwanddomänen (BT und BT) in beiden Magnetschichten : (10, 12) zuläßt, daß ein erster Schichtbelag (22) ober- ; halb der Informationsmagnetschicht (12) ein erstes Leitungsmuster (48, 50, 58) zur entsprechenden Verarbeitung :
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    der magnetischen zylindrischen liinzelwanddomänen (B1) in der Informationsmagnetschicht (12) und daß ein zweiter Schichtbelag (26) oberhalb des ersten (22) ein zweites Leitungsmuster (A, B, Cj A', B', C) zur Verarbeitung magnetischer zylindrischer Einzelwanddomänen (B1.) in der Transportmagnetschicht (10) enthält.
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    COPY
DE19752509511 1974-03-08 1975-03-05 Anordnung zur informationsverarbeitung unter anwendung von binaerzeichen, die durch magnetische zylindrische einzelwanddomaenen in einer informationsmagnetschicht dargestellt sind Pending DE2509511A1 (de)

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