DE1947665B2 - Speicheranordnung mit seriellem Zugriff - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit iellem Zugriff mit wenigstens einem magnetischen eichermcdium und mit einem magnetischen Steuer- :dium, das zur Fortpflanzung einer ausgelösten wandernden Blnch-Wand geeignet ist, wobei das Speichermedium benachbart zu dem magnetischen Steuermedium angeordnet ist, ferner mit einer mit dem Steuermedium induktiv gekoppelten Startspulc sowie mit Lese- und Schreibeinrichtungen.

Eine derartige Speicheranordnung, bei der ein magnetisches Speichermedium durch die Störung abgefragt wird, die durch das Feld einer wandernden Bloch-Wand hervorgerufen wird und bei der das

ίο Speichermedium durch eine KoinzidenH des Feldes dieser Bloch-Wand und eines stromerzeugteu Magnetfeldes an einer gegebenen Stelle beschrieben wird, isl bekannt (USA.-Patentschrift 3 140 471).

Das magnetische Steuermedium ist zu Beginn in

ι = einer Richtung leichter Magnetisierbarkeit magnetisch gesättigt, wobei alle Elektronenspin-Achsen parallel zueinander ausgerichtet sind, so daß es einen einheitlichen Weißschen Bezirk bildet. Wenn das Feld, das diese Magnetisierung bewirkt, umgekehrt wird und

wenn dieses Feld ausreichend stark iii, kann d:\: Orientierung des gesamten Bezirkes rasch umgekehrt werden, wobei alle Elektronenspin-Achsen gleichzeitis eine 180"-Drehung durchführen. Wählt man das die Umkehr bewirkende Feld jedoch derart, daß seine Stärke lediglich etwas größer ist als die zur Umkehr der Magnetisierung notwendige Koerzitivkraft, so tritt die Umwandlung des Bezirks langsamer ein, wobei eine Grenzwache zwischen dem ursprünglichen und dem umgewandelten Bezirk eine Bloch-Wand

bildet, die längs des Steuermediums fortschreitet. Die Stärke des Magnetfeldes muß dabei jedoch sehr genau einsehalten werden, damit die Bloch-Wand mit der für die Steuerzsvecke notwendigen Genauigkeit durch das Steuermedium wandert. Hierbei ist einerseits darauf zu achten, daß sie groß genug ist, um eine Umkehr des Bereichs und die gewünschte Lese-Geschwindigkeit sicherzustellen, andererseits darauf daß sie klein genug bleibt, um ein gleichzeitiges Umklappen an mehreren Stellen, das heißt eine Bildunc

von mehreren Bloch-Wänden und eine irrtümliche Löschung der gespeicherten Information, zu vermeiden. Dies ist lediglich mit sehr aufwendigen Mittelr zu erreichen und insbesondere dann schwierig, wenn wie im Falle von Speicheranordnungen, zusätzliche weitere Felder vorhanden sind, welche sich dieser Feldern überlagern. Für eine praktische Realisierung insbesondere in Massenproduktionen, ist daher die oben beschriebene, von einer wandernden Bloch Wand gesteuerte Speicheranordnung wenig geeignet Es ist ferner bekannt (Buch »Ferromagnetism« vor Richard M. B ο ζ ο r t h. 6. Auflage, Seiten 494 bis 498) daß bei einigen Materialien dann, wenn die Umkeh rung eines Bereiches der Magnetisierung mit der dazi notwendigen Kraft begonnen worden ist, für die wei tere Umkehrung der Magnetisierung in dem Bereicl nur eine kleinere Kraft notwendig ist, wenn dies« Materialien einer mechanischen Spannung unterwor fen werden.

Eine Nickel-Eisen-Legierung mit etwa 79% Ni die im Handel erhältlich ist, stellt ein gutes Beispie für die vielen Stoffe dar, in welchen diese Erscheinunj möglich ist. Die Hystereseschleife dieses Material: unter mechanischer Spannung ist in Fig. 2 darge stellt. Sie zeigt eine Schwellen-Kennlinie, bei welche die Erzeugung eines Bereichs oder Bezirks entgegen gesetzter Magnetisierung ein Feld erfordert, dessei Stärke gleich oder größer als Hs ist. Die Fortpflan zung einer vorhandenen Bloch-Wand erfordert eil

Feld gleich Ho oder stärker, Ein Feld, welches stärker ist als Ho, jedoch schwächer als Hs, ruft die Fortpflanzung einer vorhandenen Bloch-Wand ohne Erzeugung unerwünschter neuer Bezirke hervor. Die Beziehung zwischen Ho, Hs und der mechanischen Spannung für die genannte Legierung ist in Fig. 3A dargestellt. Ein Vergleich dieser Beziehung nut der in Fig. 3B dargestellten Beziehung für eine andere Eisen-Nickel-Legiming mit etwa 14% Ni, die ebenfalls im Handel erhältlich ist, zeigt die wesentlichen Unterschiede zwischen den beiden Stoffen. 'Er zeigt auch die besondere Eignung der erstgenannten Legierung für die Anwendung als Magnetspeicher der hier angesprochenen Art.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Speicheranordnung der eingangs genannten Gattung zu schaffen, bei der die Empfindlichkeit gegenüber der Stärke des anliegenden Magnetfeldes verringert ist und eine Schutzwirkung gegen unerwünschtes Um-Idannen der Bereiche sowie gegen eine versehentliche Löschung der gespeicherten Information erreicht wird.

Erfindungsgemäß wird diese Auff ibe dadurch gelöst, daß mit dem Steuermedium, in dem die Bloch-Wand wandert, eine Einrichtung verbunden ist, die auf das Steuermedium eine mechanische Spannung ausübt, und daß die magnetische Schicht des Steuermediums aus einem Material besteht, dessen Hystereseschleife unter Einwirkung der mechanischen Spannung eine Einschnürung aufweist, auf Grund der die Fortpflanzung der durch ein Startmagnetfeld ausgelösten Bloch-Wand mittels eines Magnetfelds, das kleiner ist als das Startmagnetfeld, bewirkt wird.

Es ist noch eine Anordnung bekannt (deutsche Auslegeschrift 1 218 519), bei der zur Speicherung digitaler Daten in einem magnetischen Speichermedium mechanische Spannungen angewendet werden. Bei dieser Anordnung wird jedoch das Speichermedii. η zeitlich sich ändernden Spannungen unterworfen, die sich darin als mechanische Schwingungen fortpflanzen. Hierdurch erreicht man, daß sich in dem Speichermedium magnetische Anisotropien ausbilden, die zu einem Wechsel der magnetischen Vorzugsrichtung führen. Ein derartiger Speicher ist teuer und schwierig herzustellen, zudem anfällig und relativ langsam. Im Gegensatz hierzu wird bei der vorliegenden Erfindung das Speichermedium keinen mechanischen Kräften unterworfen, und lediglich das Steuermedium ist fest eingespannt, womit sich eine sehr hohe Abtastgeschwindigkeit mit minimalen Zugriffzeiten zu den Speichern erreichen läßt.

An Hand der Figuren wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Ansicht eines Stabes mit wandernder Bloch-Wand.

Fi g. 2, auf die oben schon Bezug genommen worden ist, eine charakteristische Hystereseschleife eines Materials, in welchem die Erscheinung der wandernden Bloch-Wand auftritt,

Fig. 3 A und 3B, die ebenfalls schon erwähnt worden sind, Diagramme der Beziehungen zwischen Ho, Hs und der mechanischen Spannung in zwei geeigneten Stoffen,

Fig. 4 einen Schnitt, der eine Bloch-Wand in einem magnetisieren Stab des betrachteten Materials zeigt,

F i g. 5 A, 5 B und 5 C die Hystereseeigenschaften eines magnetischen Speichermediums, dessen Schiel· ten eine magnetisch erzeugte Anisotropie aufweiser welche eine leichte und zwei harte Magnetisierung* richtungen gemäß F i g. 5 B ergibt, Fig. 6 die Umschalteigenschaften der magne tischen Schicht unter der Wirkung von Feldern ii einer leichten oder einer harten Magnetisierungsrich tung,

F i g. 7 eine bevorzugte Ausführungsform der korn

ίο binierten Anordnung des magnetischen Stabes unc einer Mehrzahl von Scheiben mit dünnen magne tischen Schichten,

F i g. 8 und 8 B eine Scheibe mit dünner magne tischer Schicht in ihrem normalen bzw. gestörten Ma

J5 gnetisierungszustand,

Fig. 9 eine Abschirmung, welche über der Stab-Scheibenanordnung gemäß F i g. 7 angeordnet ist unc der Abtastung durch die wandernde Bloch-Wanc bildet,

Fig. 10 eine andere Ausführungsform der Erfindung, die statt der mehren-! kreisförmigen Speicherscheiben gemäß Fig. 7 einen einzigen, fortlaufenden Streifen als magnetisches Speichermedium aufweist. Fig. 11 einen typischen Magnetisierungszustand des in Fig. 10 gezeigten Speichermediums,

Fig. 12A, 12B und 12C den magnetischen Zustand des Speichermediums vor, während bzw. nach der Abtastung durch die wandernde Bloch-Wand, und

Fig. 13 mehrere Arbeits-impulsdiagramme der in F i g. 10 dargestellten Speicheranordnung.

Fig. 1 zeigt prinzipiell einen magnetischen Stab 10, durch den sich eine wandernde Bloch-Wand 20 fortpflanzen soll. Beim 3etrieb möge der Stab 10 eine ursprüngliche Magnetisierung in Richtung des Pfeils 14 aufweisen. Wird nun ein statisches Magnetfeld 16, dessen Größe Ho zum Umschalten oder Umklappen des Stabes 10 nicht ausreicht, in der entgegengesetzten Richtung angelegt, so geschieht nichts, bis ein neuer Weißscher Bezirk 18 erzeugt wird, welcher eine Bloch-Wand oder Trennfläche zwischen dem ursprünglichen Bezirk 14 und dem neuen Bezirk 18 bildet. Sodann pflanzt sich diese neue Blech-Wand durch den Stab fort, bis derselbe in dieser neuen Richtung 22 gesättigt ist. Es kann also erreicht werden, daß sich eine Bloch-Wand vom einen Ende des magnetischen Stabes 10 zum anderen Ende bewegt, wobei Geschwindigkeiten von 400 m/sec und darüber erreicht werden.

5" F i g. 4 zeigt die Form einer Bloch-Wand 50 in einem magnetisiertcn Stab 40 der beschriebenen Art im Schnitt. An der Oberfläche der Bloch-Wand ist eine große Magnetfiußdichte vorhanden. Dieses Magnetfeld ist von der Mitte dej Stabes radial nach außen gerichtet.

Die Bloch-Wand 50 hat eine Breite von etwa 5000 A. Bei Verwendung der obenerwähnten Legierung miL 79% Nickel würde der Magnetfluß an der Oberfläche des Stabes etwa 7000 Gauß betragen. In kurzem Abstand vom Stab 40 fällt das Feld auf einige Oersted ab.

Ein weiter unten erläutertes Speichermedium nützt Eigenschaften aus, welche sich beispielsweise in einer Nickel-Eisen-Legierung mit etwa 82% Ni finden, die ebenfalls im Handel erhältlich ist. Filme oder dünne Schichten aus diesem Material haben eine magnetisch hervorgerufene Anisotropie, weiche eine leichte und zwei harte Mapneiisip.runosrirhtiinonn pimi-if ««<!«»

graphisch in F-"ig. 5 dargestellt ist. Die Umschaltcigenschaften unter dein Einfluß von Feldern in den leichten und harten MagnctisicrimgsrichUingen sind in F i g. ή geneigt. Diese Figur zeigt, daß ein Feld mit der Starke B in der horizontalen oder leichten Magnetisicrungsrichtung die Schicht nicht stört, wenn nicht gleichzeitig ein Feld mit der Stärke A oder darüber in der vertikalen oder harten Magnetisierungsrichtimg angewendet wird. Das Feld in tier vertikalen Magnetisiertingsrichtung stört selbst den statischen Spcichcrzustand nicht.

Ähnliche Eigenschaften sind in bloekförmigen und streifen- oder bandförmigen StofTen durch Kaltwalzen und Glühen, durch magnetisches Glühen und durch Anwendung von Magnetfeldern während des Herstellungsverfahrens, wie Elektroplattieren oder Niederschlagen, erzielbar.

Die gewünschten Eigenschaften können durch diese Verfahren an dem die Bloch-Wand tragenden Organ auch erzielt werden, wenn es andere Formen besitzt wie die Form von Rohren, Bändern oder flachen Stäben.

Im folgenden werden zwei Ausführungsformen der Erfindung erläutert. Die eine weist einen Stab mit wandernder Bloch-Wand mit einer Vielzahl von Scheiben mit dünner Magnetschicht auf, welche nacheinander längs des Stabes angeordnet sind. Eine Stromimpulsqiicllc und ein Leseverstärker zum Lesen und .Schreiben an den Scheiben sind gemeinsam mit dem magnetischen Stab verbunden. Die zweite Ausführungsform weist ebenfalls einen Stab mit wandernder Bloch-Wand auf. Das magnetische Speichermedium besitzt jedoch die Form eines fortlaufenden Streifens, welcher an dem Stab anliegt, und ein getrennter Lese-Schreiblciter ist zwischen dem Stab und dem Speichermedium angeordnet.

Die in Fig. 7 gezeigte Anordnung weist eine Startspule 72 und eine Vielzahl von Scheiben 74. 76 und 78 mit dünner Magnetschicht auf. Diese Kombination bildet eine grundlegende Speicherzelle gemäß der Erfindung. Um die in der Zelle gespeicherte Information zu lesen, wird durch einen Stromimpuls in der Startspule 72 eine Bloch-Wand 80 gestartet oder in Gang gesetzt, die unter dem Einfluß des Vormagnetisierungsfeldes ///(/is- in Richtung des Pfeiles 75 längs des Stabes 70 wandert. Wenn die Bloch-Wand an einem Magnetschichtelement 74 vorbeigeht, wird das Element dem Feld Hd (dem Feld der Wand) in der schweren (radialen) Magnetisierungsrichtung unterworfen. Wie in den Fig. 8A und 8B gezeigt, wird dadurch die Mg'jnetisierung der Schicht gestört und aus ihrem Normalzustand (Fig, 8A) in den Zustand gemäß Fig. 8B gebracht. Dadurch wird der magnetische Zustand nicht zerstört oder »dauernd gestört«. Es wird definiert, daß eine im Uhrzeigersinn der Scheibe 76 gespeicherte Information bei Stoning eine Spannung längs des Stabes erzeugt, welche am Startende negativ und am Zielende positiv ist. Dies wird als »1« bezeichnet. Im Gegenzeigeisinn gespeicherte Information, wie in der Scheibe 78 gezeigt, erzeugt eine Spannung am Stab 70 mit entgegengesetzter Polarität, und diese gespeicherte Information wird als binäre ■>()« bezeichnet. Wenn die Bloch-Wand 80 den Stab 70 durchläuft, werden alle Magnetfilmelemente 74. 76 und 78 der Reihe nach nicht zerstörend gestört oder gelesen.

Um Information in einer bestimmten Scheibe 74, 76 oder 78 zu speichern (zu schreiben), ist die Koinzidenz eines Umfangsfeldcs Hc und eines radialer Feldes Hd erforderlich. Dies wird erreicht, indem eir Stromimpuls längs des Stabes geschickt wird (bei spiclsweise positiv zur Speicherung einer »I«, negatn zur Speicherung einer »0«), und zwar im gleicher Zeitpunkt, in dem die Bloch-Wand oder Bereichs wand an der jeweiligen Schicht vorbeigeht, in wclchei die binäre Information gespeichert werden soll.

Eine Reihe von Stromimpiilscn von der mit den ίο linken Ende des Stabes 70 verbundenen Stromimpuls· quelle während des Durchgangs der Bloch-Wanc bringt oder schreibt der Reihe nach Information ir die Scheiben 74, 76 und 78 mit der dünnen Magnetschicht.

Nachdem die Bloch-Wand 80 entlang dem Star 70 gelaufen ist, muß der magnetische Zustand des ganzen Stabes zurückgestellt werden. Dies wird durch Umkehren und Vergrößern des Vormagnetisicrungsfeldcs {H,_IIAS) in einem zur Rückorientierung des Bereiches ausreichenden Ausmaß bewirkt, oder es kann eine Umkehrspule mit einem Umkehrstromimpuls in Verbindung mit einem umgekehrten Vormagnetisicrungsfeld /7,._(JS verwendet werden. Es ist auch möglich, die Richtung der Bloch-Wand durch Umkehren des Vormagnetisierungsfeldcs H_nlA!i in einem geeigneten Zeitpunkt umzukehren.

Eine solche Speicheranordnung ergibt viele nützliche Anwendungsmöglichkeiten. Beispielsweise kann die Geschwindigkeit der Bloch-Wand durch das Feld HiiiAs gesteuert werden, so daß sich eine veränderliche Datenübertragungsgeschwindigkeit ergibt und auf diese Weise eine Pufferwirkung ausgeübt wird. Durch Umkehren des Feldes H_mAS und Hervorrufen einer Bewegung der Bloch-Wand vom Zielende zum Startende können die Daten in der umgekehrten Reihenfolge gelesen werden.

Die Bloch-Wand-Bewegung kann an jeder Stelle im Stab umgekehrt werden. Dies ergibt einen Betrieb gleich einer mechanischen Bewegungsumkehr in einer Magnetband-Speicheranlage.

Wenn man 0,20 mm dicke Glasträger verwendet, weiche auf einen Stab der in Fig. 7 gezeigten Form gestapelt sind, so läßt sich eine Tmpulsaufzeichnungsdichte von 125 Bits je 2,54 cm erzielen. Dicke Schichten mit beispielsweise i 0 000 A werden zur Verbesserung der Signalhöhe verwendet, da der Magnetisierungsweg in der leichten Magnetisierunssrichtuna ein geschlossener Kreis ist. Bei 125 Bits je 2.54 cm und einer Bloch-Wand-Geschwindigkeit von 240 m je Sekunde beträst die Datcnübertragun ^frequenz 1.17MHz.

Einer der Faktoren, welcher die volle Leistungsfähigkeit dieser Anordnung beeinträchtigen kann, ist die Streuung des Bloch-Wand-Feldes. Um dies zu verhindern, ist ein schirmartiger Bauteil über der aus Stab und dünnen Schichten bestehenden Anordnung angebracht. Diese Abschirmung ergibt einen Rückweg für den Magnetfluß der Bloch-Wand. Eine solche Ausbildung ist in Fig. 9 dargestellt. Die Verwendung dieser Abschirmung fokussiert das Feld, wie in der Figur dargestellt. Die Vormagnetisierungsspule wird sodann zwischen den Lamellen eingesetzt.

Eine zweite Ausführungsform dieser Speicheranordnung ist in Fig. 10 dargestellt. Diese Form weist einen Stab 100 mit wandernder Bloch-Wand und einer Startspule 102, einen Streifen aus magnetischem Speichermedium 104 und einen Lese-Schreibleiter auf.

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Bei dieser Ausführungsform weist das Speicher- vorgerufen. Wenn der B-Vcktor auf einen Wink(

medium 104 schwere Magnetisierungsrichtungen längs von 45° angehoben wird, wie beim Lesen, un

der Achse des Stabes 100 und in der Dickcnabincs- gleichzeitig ein Feld in der leichten Magnctisicrungs

tung des Speichennediums 104 auf, während die richtung entgegengesetzt zum vorigen Zustand ange

leichte Magnetisicrungsrichtung c|iicr zur Achse des 5 legt wird, dann klappt der magnetische Vektor in die

Stabes verlauft. Wenn die Bloch-Wand den Stab 100 sen entgegengesetzten Zustand um. Dieses Umschal

durchläuft, legt sie ein Feld an das Speichermedium ten oder Umklappen wird regelmäßig in dünnen Ma

104 in einer radialen Richtung nacheinander längs gnctschichtcn hervorgerufen und wurde in anisotropei

des bandförmigen Speichermediums. Es sei angenom- Bandmaterialicn beobachtet.

men, daß der in Fig. Il gezeigte Magnctisicrungs- io Die der in Fig. 10 dargestellten Speichcranord

zustand der gegenwärtige Zustand des in F i g. 10 ge- nung zugeordneten Impulsvvcllenformen sind sehe

zeigten Speichermediums ist. matisch in Fig. 13 dargestellt. In der mit »Lesen« be

Eine Störung eines gegebenen magnetischen Zu- zeichneten oberen Gruppe von Wellenformen ist eir

Stands wird beim Durchgang der Bloch-Wand hervor- Strom in der Vormagnetisierungs-Feldspule vorhan

gerufen. Diese Wirkung ist in den Fig. 12A, !2B 15 den, und dieses Feld bleibt auf einer Stärke + Ho

und 12C dargestellt. Die Figuren entsprechen dem wenn der Strom in der Startfeldspule, welcher unmit·

Normalzustand, dem Zustand während der Anwesen- telbar darunter dargestellt ist, einen positiven Impuli

heit einer Bloch-Wand bzw. dem Zustand nach dem auf eine Höhe +Hs erhält. Dieser Startimpuls lösi

Durchgang der Wand. die Fortpflanzung einer wandernden Bloch-Wanc

Diese Drehung in radialer Richtung vom Stab nach 20 längs des Stabes 100 aus. Wenn der magnetische Zu-

außen ergibt nur dann eine Änderung des mit dem stand des Speichermediums 104 so ist, wie in F i g. 11

Leselciter gekoppelten Magnetflusses, wenn ein Über- dargestellt, so entsprechen die in der nächst niedri-

gangs- oder Umschlagbereich angetroffen wird wie geren Wellenform dargestellten, nacheinander abge-

beim Übergang von der Stelle α zur Stelle b in dem tasteten Ausgangssignale den jeweiligen Zuständen

in Fig. 11 gezeigten Speichermedium. Da keine 25 des magnetischen Mediums. Beim Durchgang der

Änderung zwischen der Stelle b und der Stelle c vor- Bloch-Wand wird eine »1«, »0«, »1«, »1«, »0« aus

handen ist, wird kein Signal erzeugt. Wenn eine dem Speichermedium gelesen.

Änderung vorhanden ist, erzeugt dieser Übergang In gleicher Weise entspricht die mit »Schreiben« eine Spannung in der Leseleitung in einer Richtung bezeichnete untere Gruppe der in Fig. 13 dargestell-(positiv), wenn der Übergang von α zu b erfolgt, und 30 ten Wellenformen den für das Schreiben der entin der entgegengesetzten Richtung (negativ) für den sprechenden Signale auf das Speichermedium erfor-Uber^ang von c zu d. derlichen Eingangsströmen. Wenn die Bloch-Wand

Bei der Ausführungsform gemäß Fi g. 10 wird das längs des Stabes wandert, wird ein Schreibstrom Schreiben durch eine Kombination des Feldes der gleichzeitig auf die aufeinanderfolgenden Speicherabwandernden Bloch-Wand und des auf dem Strom in 35 schnitte gegeben, so daß in diesen Speicherabschnitt dem Lese-Schreibleiter 106 beruhenden F'eldes her- die binäre Information geschrieben wird.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

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Claims (6)

Patentansprüche:

1. Speicheranordnung mit seriellem Zugriff mit wenigstens einem magnetischen Speichermedium und mit einem magnetischen Steuermedium, das zur Fortpflanzung einer ausgelösten wandernden Bloch-Wand geeignet ist, wobei das Speichermedium benachbart zu dem magnetischen Steuermedium angeordnet ist, ferner mit einer mit dem Steuermedium induktiv gekoppelten Startspule sowie mit Lese- und Schreibeinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Steuermedium (70, 100), in dem die Bloch-Wand wandert, eine Einrichtung verbunden ist, die auf das Steuermedium (70, 100) eine mechanische Spannung ausübt, und daß die magnetische Schicht des Steuermediums aus einem Material besteht, dessen Hysterese-Schleife unter Einwirkung der mechanischen Spannung eine Einschnürung aufweist, auf Grund der die Fortpflanzung der durch ein Startmagnetfeld (Hs) ausgelösten Bloch-Wand mittels eines Magnetfeldes (Ho), das kleiner ist als das Startmagnetfeld (Hs), bewirkt wird.

2. Speicheranordnung nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß das Speichermedium (104) ein kontinuierliche!· Teil eines magnetischen Dünnfilms ist und daß die Lese- und Schreibeinri htungen eine Leiteranordnung (106) umfassen, die das Speichermedium (104) umgibt und teilweise zwischei dem jteuermedium (100) und dem Speicherniedium (104) verläuft.

3. Speicheranordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuermedium (70) von einem elektrisch leitenden Stab, der mit einer magnetischen Schicht überzogen ist, oder von einem magnetischen Stab gebildet ist und daß als Speichermedium längs des Stabes eine Anzahl von den Stab umgebenden magnetischen Scheiben (74, 76, 78) angeordnet ist.

4. Speicheranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetischen Scheiben (74, 76, 78) kreisförmig ausgebildet sind und daß der magnetische Stab (70) durch deren Mitte hindurchgeht.

5. Speicheranordnung nach Anspruch 3 oder 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Scheiben (74, 76, 78) aus einem Glassubstrat und einer Überzugsschicht aus magnetischem Material bestehen.

6. Speicheranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug aus einem magnetischen Material besteht, das eine in Umfangsrichtung der Scheiben (74, 76, 78) verlaufende Richtung leichter Magnetisierbarkeit aufweist.