DE2758623A1

DE2758623A1 - Datenuebertragung und -speicher mit voellig isotropem ferromagnetischem nickeleisenfilm in einer dicke von etwa 350 angstroem

Info

Publication number: DE2758623A1
Application number: DE19772758623
Authority: DE
Inventors: Ernest James Torok
Original assignee: Sperry Rand Corp
Current assignee: Sperry Corp
Priority date: 1977-01-03
Filing date: 1977-12-29
Publication date: 1978-12-07
Also published as: FR2376491B1; DE2758623B2; DE2758623C3; FR2376491A1; GB1598320A; IT1126227B; JPS53108244A; US4080591A

Description

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SPIiRRY RAND CORPORATION, New York, N. Y. /U. S. A.

ffcrehbi-S-drrer- e i ^i c h» r«y e-aue-e- oe ee—

Die Erfindung betrifft ein mit Querschwellenwänden arbeitendes Speichersystem für digitale Daten, in dem mehrere Spuren aus je einf:^r. Band eines isotropen magnetischen Filmes ausgebildet sind, der praktisch keine uniaxiale Anisotropie besitzt.

In fiinom Aufsatz von L. J. Schwee mit dem Titel: "Proposal on Cross-Ti·.-· Wall and Bloch-Line Propnqation in Thin Magnetic Films", erschienen in der Zeitschrift: "IEEE Transactions on Magnetics", MAG8, Nr. 3, (September 1972). Seiten 405 - 407, wird die Fortpflanzung von invertierten NeelwanJabschnitten in einem Speichersystem mit Zugriff erläutert, bei dem ein ferromagnetischer Film von

3E-0 Λ Dicke aus 8'. % Nickel und 19 % Eisen verwendet, wird. Durch eine Aufpräfmnjr passendrrMagnetfelder können die Querschwellenwände ir lie el wan de bzw. umgekehrt um?ewandelt werden. Den Querschwellenwi'njtn ist ein invertierter Neelwandabschnitt in der Weise zugeordrtet, daß er am einen Ende von einer Querschwelle und am anderen Ende von einer Blochlinie begrenzt wird.

An dem einen Ende des mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersystems für einen setiellen Zugriff wird die Information durch die Erzeugung eines invertierten N6elwandabschnittes eingebracht, der zur Wiedergabe einer gespeicherten binären Eins an der einen Seite von einer Querschwelle und an der anderen Seite von einer Blochlinie begrenzt ist, während zur Wiedergabe einer gespeicherten binären Null der Neelwandabschnitt nicht invertiert wird, diesem also sowohl die Querschwelle als auch die Blochlinie fehlen; bei der nachfolgen-

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den Erzeugung eines Neelwandabschnittes wird die erste Information längs der Querschwellenwand fortgepflanzt, und dann erfolgt eine wahlweise Löschung der invertierten Neelwandabschnitte an den aufeinanderfolgenden Speicherzellen längs der Querschwellenwand. In der USA-Patentschrift Nr. 3.906.466 von D. S. Lo u. a. ist eine Schaltung zur Beförderung der invertierten Neelwandabschnitte an den aufeinanderfolgenden Speicherzellen längs der Querschwellenwand beschrieben. In einer weiteren USA-Patentschrift Nr. 3.868.660 von L. J. Schwee und in einem Aufsatz von L. J. Schwee mit dem Titel: "Cross-Tie Memory Simplified by the Use of Serrated Strips", erschienen in der Zeitschrift: "AIP Conference Proceedings", Nr. 29, 21. Jahreskonferenz über Magnetismus und magnetische Materialien 1975, (April 1976), Seiten 624 - 625 sind einige neuere Ergebnisse bei der weiteren Entwicklung der Speichersysteme mit Querschwellenwänden dargelegt.

Bei den bekannten Speichersystemen mit Querschwellenwänden weist der magnetische Film, der als Aufzeichnungsträger wirksam ist, eine uniaxiale Anisotropie auf, die von in der leichten Achse induzierten Magnetfeldern hergestellt wird; die leichte Achse entsteht in dem magnetischen Film während seiner Erzeugung in dem Aufdampfverfahren. Von dieser leichten Achse wird eine durch Magnetfelder induzierte Anisotropie geschaffen, die die Erzeugung der Querschwellenwand längs und parallel zur leichten Achse beschränkt» In dem Aufsatz von L. J. Schwee u. a. zur 21. Jahreskonferenz, der oben genannt

ο ist, werden sägezahnartig geformte Bänder von 350 A Dicke und 10 pm Breite aus einem Permalloy-Film erwähnt, die aus einer ebenen Schicht des Magnetmaterials herausgeätzt sind, wobei sie längs der leichten Achse des Filmes ausgerichtet sind. Nachdem ein äußeres Magnetfeld senkrecht zur Längsrichtung der Bänder, also quer zur leichten Achse des Filmes angelegt ist, dreht sich die Magnetisierung längs der sich gegenüberliegenden, sägezahnartigen Ränder in die am stärksten benachbarte Richtung, also parallel zum Rand zurück. Hierbei entstehen zwei umfangreiche Domänen, die durch eine Domänenoder Querschwellenwand getrennt sind, die längs der Mittellinie

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des Bandes ausgebildet wird. Die Querschwellen bilden sich an den Hälsen der sägezahnartigen Ränder, während die Blochlinien in den Potentialmulden zwischen den benachbarten Hälsen entstehen.

Wegen des Umrisses der sich gegenüberliegenden Bandränder stellt dieser Aufbau der sägezahnartigen Bänder ein Hilfsmittel dar, durch das die zusammengehörigen Querschwellen und Blochlinien in vorgegebenen Speicherabschnitten längs des Bandes paarweise auftreten. Da jedoch die uniaxiale Anisotropie der bekannten Bänder durch ein während der Aufdampfung angelegtes Magnetfeld induziert wird, sind derartige Bänder nicht für nichtlineare, also gekrümmte Datenspuren geeignet, die für den Aufbau der mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersysteme von umfangreicher Kapazität zur Ausführung logischer Funktionen von Bedeutung sind.

Um die Eigenschaften von mit Blasendomänen arbeitenden Speichersystemen, die z. B. in der USA-Patentschrift Nr. 3.729.726 von A. H. Bobeck oder in der USA-Patentschrift Nr. 3.735.145 von D. M. Heinz erläutert sind, in mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersystemen zu erzielen, sollen die letzteren nichtlineare, also gekrümmte Datenspuren benutzen. In einem gleichzeitigen Vorschlag von M. C. Paul u. a. ist eine Datenspur für ein mit Querschwellenwänden arbeitendes Speichersystem von einem Band eines Magnetmaterials gebildet, dessen durch ein Magnetfeld induzierte Anisotropie nahezu null ist. Um die Querschwellenwand innerhalb des ebenen Umrisses und längs der Mittellinie des Filmbandes zu beschränken, wird von dem die Datenspur definierenden Band aus dem isotropen Material eine durch seine Gestalt, also durch den Umriß seines Randes induzierte Anisotropie ausgenutzt. Dementsprechend wird die Querschwellenwand gezwungen, der durch das magnetische Filmband festgelegten Bahn zu folgen, die die Form einer größeren Schleife oder einer kreisrunden Datenspur für einen Speicher mit sehr großer Kapazität annehmen kann.

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Gegenstand der Erfindung ist ein Nachbildner von paarweise zusammengehörigen Querschwellen und Blochlinien, der als Schalter oder Verknüpfungsglied zur wahlweisen Übertragung derartiger Paare zwischen verschmelzenden, sich überlappenden Datenspuren angewendet wird. Auf diese Weise können mehrere zusammenhängende Datenspuren in eine Kombination größerer und kleinerer Schleifen für ein Speichersystem mit umfangreicher Kapazität gebracht werden.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher erläutert. Es zeigen:

Figur 1 das mit Querschwellenwänden arbeitende Speichersystem nach dem gleichzeitigen Vorschlag von M. C. Paul,

Figur 2 den Verlauf der Signale, die zur Fortpflanzung der invertierten Neelwandabschnitte längs der Querschwellenwand im System der Figur 1 benötigt werden,

Figur 3 eine Ansicht eines Teiles des mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersystems von oben, das den Nachbildner gemäß der Erfindung enthält,

Figur 4 einen Querschnitt durch das Speichersystem der Figur 3 längs der Linie 4-4 mit den übereinander gestapelten Elementen und einigen magnetischen Vektoren,

Figur 5 in schematischer Wiedergabe die Wechselwirkung zwischen den Querschwellen und den Blochlinien an zwei benachbarten Querschwellenwänden bei der Ausführungsform der Figur 3,

Figur 6 das auf eine Neelwand wirkende Feld, das von einer benachbarten Querschwellenwand hervorgerufen wird, und

Figur 7 den Verlauf von Signalen zur Nachbildung paarweise zusam-

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mengehöriger Querschwellen und Blochlinien in einer zweiten Datenspur während ihrer Fortpflanzung längs der ersten Datenspur.

In dem mit Querschwe11enwänden arbeitenden Speichersystem gemäß dem gleichzeitigen Vorschlag von M. C. Paul u. a. sind an einer nichtmagnetisierbaren Unterlage 10 z. B. aus Glas ein Mikroband 12 aus Kupfer von unten und eine dünne ferromagnetische Schicht 14 von oben befestigt, auf deren Oberseite über dem Mikroband 12 unter Einschaltung eines Isolators z. B. aus Siliciumoxid oder Mylar, einer zähen, durchsichtigen, kältebeständigen Polyesterfolie auf der Basis von Äthylenglykol und Terephthalsäure eine Treibleitung aus Kupfer angebracht ist. Diese Treibleitung 16 besteht aus mehreren in Reihe geschalteten Abschnitten, die je eine Speicherzelle 1 bis N definieren, die oberhalb der Querschwellenwand 24 in gleichförmigem Abstand von den benachbarten Speicherzellen getrennt ist; diese Querschwellenwand 24 ist außerdem auf die Längsachse des Mikrobandes 12 und der dünnen, ferromagnetisehen Schicht 14 ausgerichtet.

Über der Oberseite der Schicht 14 und der Treibleitung 16 befindet sich eine Treibleitung 26 zum Schreiben, die von einem Schreibfeldgenerator 28 erregt wird. Am oberen Rand der Unterlage 10 ist ein allgemeiner Feldgenerator 30 angeordnet, der zwischen zwei Endklemmen 12a und 12b des Mikrobandes 12 zur Zuführung eines Stromsignals angeschlossen ist, von dem im Bereich der dünnen, ferromagnetischen Schicht 14 ein allgemeines Magnetfeld 22 aufgebaut wird. Am oberen Rand der Unterlage 10 ist ferner ein lokaler Feldgenerator 32 angeordnet, der mit Endklemmen 16a, 16b der Treibleitung 16 elektrisch verbunden ist und ein Stromsignal hervorruft, von dem ein lokales Feld 20 der dünnen, ferromagnetischen Schicht 14 aufgeprägt wird. Am linken, gekrümmten Ende der dünnen, ferromagnetischen Schicht 14 sind ein Leseverstärker 36 und ein zugehöriges Aufnahme-Element 38 vorgesehen, von dem der Binärwert der zusammengehörigen Querschwelle 42 und Blochlinie 44 ausgelesen wird, der vom Schreibfeld-

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generator 28 erzeugt wird; diese Binärwerte werden hintereinander von den in Reihe geschalteten Abschnitten der Treibleitung 16 in der Richtung von Pfeilen 40 längs der Querschwellenwand 24 fortgepflanzt, wie bereits in der USA-Patentschrift Nr. 3.906.466 von D. S. Lo u. a. erörtert ist.

Bei dem bisherigen Betrieb des mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersystems treten, wie aus dem Verlauf der Signale in der Figur 2 hervorgeht, zwei aufeinanderfolgende Phasen A und B innerhalb eines Fortpflanzungszyklus auf. Wenn zu Beginn des Fortpflanzungszyklus 1 an der Schreibstation ein invertierter Neelwandabschnitt geschrieben wird, wird vom Signal in der Phase Al an der Speicherzelle 1 ein neuer invertierter Neelwandabschnitt erzeugt, der unmittelbar vor dem invertierten Neelwandabschnitt an der Schreibstation liegt. Als nächstes löscht das Signal in der Phase A2 an der Schreibstation den invertierten Neelwandabschnitt aus. Dann wird vom nächsten Signal in der Phase B3 innerhalb der Speicherzelle 1 ein neuer invertierter Neelwandabschnitt hervorgerufen» der sich aber vor dem in der Phase Al erzeugten invertierten Neelwandabschnitt befindet. Schließlich löscht das Signal in der Phase B4 in der Speicherzelle 1 den invertierten Neelwandabschnitt, der vom Signal in der Phase A2 hervorgerufen wurde, während in der Speicherzelle 1 nur der in der Phase B3 erzeugte invertierte Neelwandabschnitt zurückbleibt. In diesem Zeitpunkt am Ende des Fortpflanzungszyklus 1 ist der eine binäre Eins darstellende invertierte Neelwandabschnitt, der anfänglich an der Schreibstation eingeschrieben wurde, in die Speicherzelle 1 übertragen. Falls in dem nächsten Fortpflanzungszyklus 2 der invertierte Neelwandabschnitt aus der Speicherzelle 1 in die Speicherzelle 2 übertragen werden soll, während zugleich von der Schreibstation aus ein invertierter Neelwandabschnitt in die Speicherzelle 1 einzubringen ist, muß vor dem Signal in der Phase Al des Fortpflanzungszyklus 2 in die Schreibstation ein invertierter Neelwandabschnitt eingeschrieben werden, da sonst in die Speicherzelle 1 ein nichtinvertierter, den Binärwert O darstellender Neelwandabschnitt übertragen würde, wie an sich bekannt ist.

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In der Figur 3 sind eine Speicherebene 48 des mit Querschwellenwänden arbeitenden Speichersystems und ein Nachbildner gemäß der Erfindung und in der Figur 4 ein Querschnitt längs der Linie 4-4 in der Figur 3 dargestellt. An der Unterseite einer Unterlage 50 z. B. aus Glas, die nicht magnetisierbar ist, sind zwei elektrisch isolierte Mikrobänder 52 und 54 aus Kupfer und an der Oberseite eine dünne, ferromagnetische Schicht 56 befestigt, die zwei sich verschmelzende Abschnitte 56a und 56b aufweist, deren Längsachsen oberhalb der Längsachsen des zugehörigen Mikrobandes 52 bzw. 54 verlaufen. Auf der Oberseite der dünnen, ferromagnetischen Schicht 56 sind zwei Treibleitungen 62 und 64 aus Kupfer festgemacht, die jeweils einer Längsachse 58 bzw. 60 des Abschnittes 56a bzw. 56b der Schicht zugeordnet und auf diese ausgerichtet sind. Zu den Treibleitungen 62 und 64 gehören Isolierstiicke, die sie vom jeweils zugeordneten Abschnitt 56a bzw. 56b trennen. Über dem Abschnitt 56a befindet sich eine gewölbte Treibleitung 70 aus Kupfer, die oberhalb seiner Längsachse 58 verläuft; zwei Endabschnitte 70a und 70b der Treibleitung 70 an eineim Generator^ 72; angeschlossen, der das Nachbilden ermöglicht. Zusätzlich ist eine isolierende Schicht vorgesehen, die die Treibleitung 70 von den anderen leitenden Teilen der Speicherebene 48 abtrennt. Die in der Mitte der Abschnitte 56a und 56b liegende Querschwellenwand kann dort in verschiedener Weise angeordnet werden, z. B. wenn die Ränder der Schicht 56 mit Rippen versehen werden, wie L. J. Schwee u. a. auf der eingangs genannten 21. Jahreskonferenz angegeben haben.

In dem Querschnitt durch die Speicherebene 48 gemäß der Figur 4 sind die übereinander gestapelten Elemente aus der Figur 3 mit den Vektoren anschaulich gemacht, die die Richtung der Magnetisierung in der Schicht angeben. Diese Vektoren 76 und 77 sind nach oben aus der Zeichenebene hinaus gerichtet, während die Richtung der Magnetisierung zwischen den benachbarten Querschwellenwänden in den Längsachsen 58 und 60 entgegengesetzt nach unten in die Zeichenebene hineinläuft, wie Vektoren 78 zeigen.

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Experimente mit der Lorentz-Mikroskopie zeigen eine starke Wechselwirkung zwischen zwei benachbarten Querschwellenwänden 80 und Wie in der Figur 5 zu sehen ist, erstreckt sich die Spitze einer Querschwelle 84 an der Querschwellenwand 80 bis zu einer Blochlinie 86 der anderen benachbarten Querschwellenwand 82 und berührt diese. Wenn die Blochlinie der einen Querschwellenwand in Bewegung gesetzt wird, biegt sich die Querschwelle der benachbarten Querschwellenwand in der Weise, daß die Spitze der Querschwelle stets die Blochlinie berührt. Aus der Figur 5 läßt sich mit Hilfe der dort angegebenen Magnetisierungen der Grund für diese Erscheinung erkennen. Wenn das tiefste Energieniveau erreicht ist und eine Polung vermieden wird, bildet die Magnetisierung im eingeschlossenen Rechteck eine magnetische Domäne. Auf Grund der magnetostatischen Wechselwirkung der Magnetisierung zwischen den Querschwellenwänden vereinigen sich die Querschwellen der einen Querschwellenwand mit der Blochlinie der benachbarten Querschwellenwand; es findet also keine gegenseitige Anziehung zwischen der Querschwelle und der Blochlinie statt. Falls in der Tat eine der Querschwellenwände eine Neelwand, also nicht mehr Querschwellenwand ist, geht von der Magnetisierung, die das Feld der Querschwelle umgibt, ein Streufeld aus, das zur Umwandlung der Neelwand in eine Querschwellenwand einen· Beitrag zu leisten sucht, wie noch in Verbinaung mit der Figur 6 erklärt wird.

Wie bereits erwähnt, ist der Nachbildner gemäß der Figur 3 aus den beiden Abschnitten 56a und 56b der dünnen, ferromagnetisehen Schicht 56 mit einer längs der Mittellinie orientierten Domänenwand versehen, und die Abschnitte der Schicht schneiden sich an einer gemeinsamen Fläche. Der Abschnitt 56a hat an seiner linken Eingangsseite in der Längsachse 58 eine Neelwand. Sobald die Treibleitung 70 vom Generator 72 mit einem Impuls beaufschlagt wird, bewirken die paarweise zusammengehörigen Blochlinien und Querschwellen im unteren Abschnitt 56a eine Kernbildung, deren Ursache aus der Figur 6 erkennbar ist: wenn eine Querschwelle und eine Blochlinie zusammengehö-· ren, ist ihnen ein ziemlich starkes Streufeld in der harten Achse zugeordnet, das sich von der Querschwellenwand über eine beträcht-

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liehe Länge erstreckt und die Magnetisierung zwischen der zusammengehörigen Querschwelle und Blochlinie bewirkt, um sich an einem Winkel von der gestaltsinduzierten leichten Achse des Abschnittes 56b zu verjüngen. Die Größe des Streufeldes kann an einem beliebigen Punkt den Lorentz-Mikrographien durch die Messung dieses Winkels unterschieden werden; wenn die gestaltsinduzlerte Anisotropie des Nickeleisenfilmes 4 Oersted und der Winkel zwischen der Magnetisierung und der gestaltsinduzierten leichten Achse 45 beträgt, ist das Feld in der harten Achse 0,707x4 = 2,8 Oersted, dessen Größe mit zunehmendem Abstand von der' Querschwellenwand abnimmt. In der Figur 6 ist die Richtung des Streufeldes von einer Querschwellenwand an einer benachbarten Neelwand gezeigt. Es unterstützt die Bildung der zusammengehörigen Querschwelle und Blochlinie in einer Neelwand des Abschnittes 56a.

Die zusammengehörige Querschwelle und Blochlinie können durch Kerne in einer Neelwand bei Anlegung eines lokalen Feldes in der harten Achse ausgebildet werden, das die Magnetisierung in diesem Neelwandabschnitt umzukehren sucht. Diese Tatsache wird im allgemeinen zur Fortpflanzung der Information durch die Bildung zusammengehöriger Querschwellen und Blochlinien längs einer Querschwellenwand und ihre Löschung ausgenutzt, wie aus der USA-Patentr-r;·? ; schrift Nr. 3.906.466 hervorgeht. In einem Nickeleisenfilm von

A Dicke werden die zusammengehörige Querschwelle und Blochlinie durch Kerne ausgebildet, wenn das in der> Gegenrichtung angelegte Feld in der harten Achse ein Fünftel der Größe des gestaltsinduzierten Anisotropiefeldes übersteigt. Ein Teil dieses Feldes in der harten Achse sollte von der Treibleitung 70 herrühren, während der Rest vom Streufeld aus der Querschwellenwand im Abschnitt 56b geliefert wird, der im) Abschnitt 56a nachgebildet werden soll. Folglich arbeitet die Treibleitung 70 als Verknüpfungsglied. Wie man in Figur 6 sieht, ist das Streufeld an der Neelwand in einigen Bereichen negativ und in anderen positiv, so daß es die Bildung zusammengehöriger Querschwellen und Blochlinien nicht nur fördern, sondern auch verhindern kann.

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Als Beispiel sei angenommen, daß die als Datenspuren dienenden Abschnitte 56a und 56b der Figur 3 derart bemessen sind, daß die Größe des Streufeldes an der Neelwand der Längsachse 58 auf der linken Seite des Abschnittes 56a von der Querschwellenwand im Abschnitt 56b aus 0,4 Oersted betrage. Das gestaltsinduzierte Anisotropiefeld des: Nickeleisenfilmes sei 4 Oersted. Das Gegenfeld in der harten Achse von 0,8 Oersted an der Neelwand muß Kerne für eine zusammengehörige Querschwelle und Blochlinie bilden. Falls ein Feld 71 von 0,6 Oersted ι gemäß-der Figur 7> kür Nachbildung angelegt wird, beträgt das Gesamtfeld an den gewünschten Punkten der Kernbildung in der harten Achse 1 Oersted, damit die zusammengehörigen Querschwellen und Blochlinien Zustandekommen; das Gesamtfeld in der harten Achse an denjenigen Punkten, an denen vermute ι lieh keine zusammengehörigen Querschwellen und Blochlinien ausgebildet werden, beträgt 0,2 Oersted.

Wenn eine zusammengehörige Querschwelle und Blochlinie nachgebildet werden, befindet sich im Nachbild die Blochlinie auf der gegenüberliegenden Seite der Querschwelle; falls beispielsweise die Blochlinie rechts von der Querschwelle in der nachzubildenden Wand ist, endigt die Blochlinie oben links von der Querschwelle im Nachbild. Hierdurch bleibt das nachgebildete Paar aus Blochlinie und Querschwelle in einer Lage, die entgegengesetzt zur Fortpflanzungsrichtung der ursprünglichen Wand zurückzunehmen ist; somit können geschlossene Datenschleifen gestaltet werden. Durch eine weitere Nachbildung kann die Fortpflanzungsrichtung natürlich nochmals umgekehrt werden. Wie ferner beachtet sei, können durch einen einzelnen die Nachbildung hervorrufenden Impuls gleichzeitig zwei oder mehrere zusammengehörige Querschwellen und Blochlinien nachgebildet werden.

Zusammenfassend betrachtet, nutzen alle eine Datenspur definierenden Bänder des isotropen Magnetfilmes eine durch ihre Gestalt, nämlich den Umriß ihres Randes induzierte Anisotropie aus, die sich von der durch ein Magnetfeld induzierten Anisotropie mit einer

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leichten Achse unterscheidet, damit die Querschwellenwand innerhalb des ebenen Umrisses des Filmbandes beschränkt wird. Die gestaltsinduzierte Anisotropie des isotropen Bandes aus dem Magnetfilm erlaubt die Benutzung nichtlinearer, also gekrümmter Datenspuren, die zu Speichersystemen mit Querschwellenwänden in größeren und kleineren Schleifen gestaltet werden.

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Claims

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SPERRT RAND CORPORATION 28. Dezember §?*? ^

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I NAOHeERBOHr]

PATENTANSPRÜCHE

J Datenübertrager und -speicher mit völlig isotropem ferromagnetischem Nickeleisenfilm £ri einer Dicke von etwa 350 JL, der auf einer isolierenden Unterlage in Form zweier gekrümmter Bänder ausgebildet ist, deren gegenüberliegende: Ränder zu einer Mittellinie symmetrisch sind, so daß auf Grund einer gestaltsinduzierten Anisotropie längs der Mittellinie des jeweiligen Bandes eine gekrümmte Domänenwand aufgebaut ist, mit je einem elektrisch, leitenden Mikroband und mit je einer aus mehreren etwa rechtwinkligen Abschnitten zusammengefügten Treibleitung, wobei die gekrümmten Bänder, die Mikrobänder und die Treibleitungen unter Einschaltung isolierender Schichten eine gestapelte Anordnung bilden, in der die gekrümmten Domänenwände in dichter Nachbarschaft zu der jeweiligen Mittellinie der Mikrobänder und Treibleitungen verlaufen und auf diese ausgerichtet, sind, nach der gleichzeitigen Patentanmeldung (Anwaltsakte ρ 222024),dadurch gekennzeichnet, daß die beiden gekrümmten Bänder (56a, 56b) derart an einem gemeinsamen Bereich vereinigt sind, daß die längs der einen Domänenwand (80) übertragenen Querschwellen (84) die längs der anderen Domänenwand (82) übertragbaren Blochlinien (86) berühren, und daß in dem gemeinsamen Bereich über dem einen gekrümmten Band (56a) eine zusätzliche, auf dessen Mittellinie (58) ausgerichtete, bogenförmige Treibleitung (70) angeordnet ist, an der ein Generator (72) angeschlossen ist, von dessen Impulsen die längs der einen Domänenwand (80) übertragenen, zusammengehörigen Querschwellen (84) und Blochlinien in die andere Domänenwand (82) einführbar sind.
2). Datenübertrager und-speicher nach dem Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß die Impulse des Generators (72) ein magnetisches Schaltfeld Ton ausreichender Stärke hervorrufen, das sich mit eisen Streufeld addiert, das von der längs der einen Domänenwand (80) übertragenen Querschwelle (84) und Blochlinie erzeugt ist.

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ORIGINAL INSPECTED

[ NAOHQEREICHT j

SPERRT RAND CORPORATION 28. Dezember 1977

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3) Datenübertrager und -speicher nach dem Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß im gemeinsamen Bereich die Fortpflanzungsrichtung der in der einen Domänenwand (80) übertragenen, zusammengehörigen Querschwellen (84) und Blochlinien entgegengesetzt zur Fortpflanzungsrichtung der in der anderen Domänenwand (82) übertragenen, zusammengehörigen Querschwellen und Blochlinien (86) ist.
4) Daten-übertrager und -speicher nach dem Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß die beiden gekrümmten Bänder (56a, 56b) je eine zusammenhängende Schleife bilden.
5) Datenübertrager und -speicher nach dem Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß im gemeinsamen Bereich die Domänenwände (80 und 82) voneinander einen Abstand aufweisen, der annähernd der halben Länge einer Querschwelle (84) entspricht.

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