DE2142900A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer HalbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE2142900A1 DE2142900A1 DE19712142900 DE2142900A DE2142900A1 DE 2142900 A1 DE2142900 A1 DE 2142900A1 DE 19712142900 DE19712142900 DE 19712142900 DE 2142900 A DE2142900 A DE 2142900A DE 2142900 A1 DE2142900 A1 DE 2142900A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- doping layer
- semiconductor
- germanium
- semiconductor body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
- H10D62/854—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs further characterised by the dopants
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7013226A NL7013226A (enrdf_load_stackoverflow) | 1970-09-08 | 1970-09-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2142900A1 true DE2142900A1 (de) | 1972-03-16 |
Family
ID=19810980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712142900 Pending DE2142900A1 (de) | 1970-09-08 | 1971-08-27 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung |
Country Status (11)
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6509986A (enrdf_load_stackoverflow) * | 1964-08-03 | 1966-02-04 | ||
US3386867A (en) * | 1965-09-22 | 1968-06-04 | Ibm | Method for providing electrical contacts to a wafer of gaas |
GB1101909A (en) * | 1967-01-13 | 1968-02-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Method for producing gallium arsenide devices |
GB1224171A (en) * | 1967-02-07 | 1971-03-03 | Associated Semiconductor Mft | Improvements in and relating to gunn-effect devices |
-
1970
- 1970-09-08 NL NL7013226A patent/NL7013226A/xx unknown
-
1971
- 1971-08-27 DE DE19712142900 patent/DE2142900A1/de active Pending
- 1971-09-03 AU AU33086/71A patent/AU3308671A/en not_active Expired
- 1971-09-03 CA CA122055A patent/CA928870A/en not_active Expired
- 1971-09-03 GB GB4122671A patent/GB1353980A/en not_active Expired
- 1971-09-04 IT IT69939/71A patent/IT939789B/it active
- 1971-09-06 JP JP46068145A patent/JPS5120155B1/ja active Pending
- 1971-09-06 SE SE7111269A patent/SE375187B/xx unknown
- 1971-09-06 BR BR5871/71A patent/BR7105871D0/pt unknown
- 1971-09-06 BE BE772253A patent/BE772253A/xx unknown
- 1971-09-08 FR FR7132438A patent/FR2106379B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR7105871D0 (pt) | 1973-04-17 |
FR2106379B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1975-07-11 |
IT939789B (it) | 1973-02-10 |
CA928870A (en) | 1973-06-19 |
AU3308671A (en) | 1973-03-08 |
SE375187B (enrdf_load_stackoverflow) | 1975-04-07 |
FR2106379A1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-05-05 |
GB1353980A (en) | 1974-05-22 |
JPS5120155B1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1976-06-23 |
BE772253A (fr) | 1972-03-06 |
NL7013226A (enrdf_load_stackoverflow) | 1972-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68909090T2 (de) | Diffusionsbarrierenstruktur für eine Halbleitervorrichtung. | |
DE2006189A1 (de) | Verfahren zum Aufbringen aufeinanderfolgender Epitaxialschichten aus kristallinem Halbleitermaterial auf ein Substrat aus der Flüssigkeitsphase | |
DE2422621A1 (de) | Halbleiteranordnung vom iii-v-typ mit ohmschen kontakten und verfahren zur herstellung dieser kontakte | |
WO1995004171A1 (de) | Verfahren zum herstellen von hochohmigem siliziumkarbid | |
DE1965258A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Epitaxialschicht | |
DE2005271C3 (de) | Epitaxialverfahren zum Aufwachsen von Halbleitermaterial auf einem dotierten Halbleitersubstrat | |
DE2203598A1 (de) | Verfahren zur Oberflächenhärtung von Titan und dessen Legierungen und auf diese Weise erhaltene Produkte | |
DE2142342A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1913565C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kristalls einer halbleitenden Am Bv -Verbindung | |
DE1930423B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
DE2142900A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE2110961C3 (de) | Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen eines ternären III-V-Mischkristalls | |
DE1193766B (de) | Verfahren zur Stabilisierung der durch AEtzen erzielten Sperreigenschaften von Halbleiteranordnungen | |
DE1544204C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer auf ein Halbleitersubstrat aufgedampften Halbleiterschicht | |
DE2013625A1 (de) | Verfahren zur Vorablagerung von Fremdstoffen auf eine Halbleiteroberfläche | |
AT229371B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE2021460A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE1061906B (de) | Verfahren zur Herstellung von Flaechen-Halbleiterkristalloden mit mindestens zwei verschmolzenen Halbleiterteilen vom entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyp | |
DE1186950C2 (de) | Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper | |
DE977513C (de) | Verfahren zur Beseitigung eines Sperreffektes von flaechenhaften Kontaktelektroden an Halbleiterkoerpern aus Germanium oder Silizium | |
DE1164680B (de) | Verfahren zum Herstellen von stabfoermigen Halbleiterkoerpern hoher Reinheit | |
DE1289035C2 (de) | Verfahren zum Eindiffundieren eines die Leitfaehigkeit beeinflussenden Stoerstoffs in einen Verbindungshalbleiterkoerper | |
DE1544305B1 (de) | Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotiertenHalbleiterkristallschicht | |
DE1544305C (de) | Verfahren zum Aufwachsen mindestens einer dotierten Halbleiterkristallschicht | |
DE2540175A1 (de) | Verfahren zur herstellung von galliumphosphid |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHW | Rejection |