DE1930423B2 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei dem ein Halbleiterkörper örtlich durch Diffusion dotiert wird und bei dem während des Diffusionsvorganges eine eine Verunreinigung enthaltende Maskierungsmaterialschicht auf einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers angebracht wird und die Verunreinigung aus dieser Schicht in den darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers eiiuliffundiert wird, während ein anderer Teil der Halbleiteroberfläche unmaskiert ist.
Der Ausdruck »Halbleiterbauelement« bezeichnet hier u.a. Dioden, Transistoren, Thyristoren, Feldeffekttransistoren und integrierte Schaltungen.
Unter einer Verunreinigung ist hier ein dotierender Stoff zu verstehen, der die Lcitungscigcnschuftcn, z. B. den Leitungstyp und/oder den elektrischen Widerstand des HalhliMtcrkörpers, beeinflussen kann. Die Verunreinigung kann z. B. aus für den Halbleiterkörper geeigneten Donatoren und/oder Akzeptoren bestehen.
Eine Maskierungsmaterialschicht wird in der PIanar-Halbleitertechnik nicht nur als Maskierung bei der örtlichen Diffusion von Verunreinigungen aus der Gasphase, sondern auch für andere Zwecke, z. B. als
Diffusionsquelle von Verunreinigungen, als Abschirmung gegen atmosphärische Einflüsse und als isolierender Überzug der Halbleiteroberfläche verwendet. Die Schicht kann z. B. aus den Stoffen Aluminiumsilikat, Siliziumoxyd und/oder Siliziumnitrid und ge-
gebenenfalls aus einer Anzahl dieser Stoffe bestehen, die gewünschtenfalls mehrere neben- und/oder aufeinanderliegende Teile der Schicht bilden können. Bei dem bekannten Verfahren der eingangs genannten Art (siehe die USA.-Patentschrift 3 200019)
is wird der Halbleiterkörper von einem inerten Gas umflossen und in einem Ofen auf eine Temperatur erhitzt, bei der die Verunreinigung aus der Schicht in den unter der Schicht gelegenen, angrenzenden Teii des Halbleiterkörpers eindiffundiert.
Bei diesem bekannten Verfahren kann die Verunreinigung als solche, oder in Form einer flüchtigen Verbindung, bei der Diffusionstemperatur aus der Schicht verdampfen, wobei die Gefahr entsteht, daß die Verunreinigung in den unmaskierten Teil der
as Halbleiteroberfläche eindiffundiert. Es läßt sich nämlich oft nicht vermeiden, daß der Gasstrom die verdampfte Verunreinigung am unmaskiertcn Teil der Halbleiteroberfläche entlangführt. Für die Diffusion in einem abgeschlossenen Raum treffen diese Nach-
teile in noch viel größerem Maße zu.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diesen Nachteil des bekannten Verfahrens möglichst weitgehend zu vermeiden. Sie geht aus von der Erkenntnis, daß eine Diffusion der Verunreinigung aus dem Maskierungsmaterial den unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche verhindert werden kann, wenn die Verunreinigung oder eine Verbindung derselben, sobald sie an der Oberfläche der Schicht frei wird, unmittelbar über die Gasphase derart abgeführt wird, daß der
Kontakt zwischen der Verunreinigung und dem unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche völlig vermieden oder wenigstens in erheblichem Maß verringert wird.
Ausgehend von dieser Erkenntnis wird die ge-
nannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Diffusionsvorgang in Anwesenheit eines Halbleitermaterialpulvers durchgeführt wird.
Dadurch wird eine Diffusion der Verunreinigung aus der Maskierungsmaterialschicht in den unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche verhindert.
Durch das Vorhandensein des Halbleitermaterialpulvers wird proportional zu der Oberflächengröße eine Rivalität zwischen dein unmaskierten, d.h. dem freiliegenden Teil der Halbleiteroberfläche, und der Pulveroberfläche bei der Aufnahme der Verunreinigung herbeigeführt. Auf besonders einfache Weise kann der Diffusionsvorgang durchgeführt werden, wenn der Halbleiterkörper und das Pulver auf der gleichen Temperatur gehalten werden.
6ü Vorzugsweise bestehen daher das verwendete Pulver und der Halbleiterkörper aus demselben Halblei termaterial.
Für den Diffusions- und Gettervorgang ist es wichtig, daß um den Halbleiterkörper und das Halbleiterpulver eine geeignete Atmosphäre aufgebaut wird. Vorzugsweise wird der Diffusionsvorgang daher in einem verschlossenem Raum durchgeführt.
Oft kann die Getterwirkung des Pulvers verbessert
werden, wenn die Atmosphäre, in der das Verfahren durchgeführt wird, frei von inerten Bestandteilen ist, die den Transport der Verunreinigungen in der Gasphase behindern. Vorzugsweise wird daher der Raum vor dem Diffusionsvorgang evakuiert und luftdicht verschlossen.
Das Verfahren nach der Erfindung ist besonders vorteilhaft, wenn die Maskierungsschicht, die als Verunreinigung z. B. Phosphor enthält, als Abschirmung gegen atmosphärische Einflüsse dient. In diesem Falle befindet sich die Verunreinigung in einem Teil der Schicht, der nicht an die unter der Schicht liegende Halbleiteroberfläche angrenzt. Beim Diffusionsvorgang wird durch das Vorhandensein des Halbleiterpulvers die Verunreinigung aus der Maskierungsschicht, soweii sie verdampft ist, nahezu völlig von dem Halbleiterpulver und praktisch nicht von dem unmaskierten Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgenommen.
Wird die Verunreinigung aus der Maskierungsmaterialschicht in den darunterliegenden Teil des HaIbleiterkörpers eindiffundiert, so ergibt sich der große Vorteil, daß ein Halbleiterkörper an der Stelle, an der er mit der Maskierungsschicht bedeckt ist, dotiert werden kann, ohne daß die Gefahr besteht, daß die freiliegenden Teile der Oberfläche mit der Verunreinigung dotiert werden.
Die Verunreinigung braucht nicht in den gesamten, unter der Maskierungsmaterialschicht liegenden Teil des Halbleiterkörpers eindiffundiert zu werden. Die Diffusion kann beschränkt werden, wenn gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung in dem an die Halbleiteroberfläche angrenzenden Maskierungsmaterial die Verunreinigung nur örtlich angebracht wird.
Das Verfahren gemäß der Erfindung ist besonders vorteilhaft, wenn mindestens eine andere Verunreinigung aus der Gasphase wenigstens in den unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche eindiffundiert wird. Bei Diffusion einer Verunreinigung aus der Gasphase ist es besonders wichtig, daß ein getterndes Halbleilerpulver vorhanden ist, um Diffusion der Verunreinigung aus der Maskierungsschicht an derselben Stelle, nämlich dem unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche, zu behindern. Dadurch ergibt sich außerdem die Möglichkeit, mehr als eine Verunreinigung, z. B. eine Verunreinigung aus der Maskierungsschicht und eine aus der Gasphase gleichzeitig und räumlich getrennt in den Halbleiterkörper einzudiffundieren, wodurch viele Bearbeitungen eingespart werden können.
Die Diffusionsquelle für die aus der Gasphase diffundierte Verunreinigung kann auf verschiedene Weise ausgebildet werden. Diese Verunreinigung kann als Element oder als Verbindung entweder in Pulverform oder in komprimierter Form angewandt werden. Auch kann diese Verunreinigung mit inertem Trägermaterial gemischt werden.
Vorzugsweise enthält das verwendete Halbleiterpulver die aus der Gasphase diffundierte Verunreinigung in Pulverform. Die Verwendung eines eine aus der Gasphase diffundierte Verunreinigung zum Dotieren eines Halbleiterkörpers enthaltenden Halbleiterpulvcrs ist an sich bekannt. Das beim Verfahren nach der Erfindung verwendete Halbleiterpulver nimmt auch die Verunreinigung aus der Maskierungsschichl auf. Ein derartiges Pulver hat den Vorteil, daß mit demselben Pulver sowohl eine unerwünschte Diffusion der Verunreinigung aus der Maskierungsschicht in den unmaskierten Teil der Oberfläche ver hindert als auch die Diffusion der anderen Verunreinigung durchgeführt werden kanu.
Vorzugsweise enthält das verwendete Halbleiterpulver die aus der Gasphase diffundierte Verunreini-
gung in gelöster Form. Beim Diffusionsvorgang werden dann genau voraussagbare und reproduzierbare Ergebnisse erzielt. Dies ist darauf zurückzuführen, daß sich bei Diffusion ein festes Gleichgewicht einstellt, wobei die Konzentration der aus der Gasphase
ίο diffundierten Verunreinigung an der Halbleiteroberfläche nahezu gleich der Konzentration dieser Verunreinigung im Halbleiterpulver sein kann. Geeignete Halbleitermaterialien sind z. B. die bekannten Elemente Silizium und Germanium, ihre Mischkristalle und Verbindungen, wie die AIUBV-Verbindungen.
Für die Verunreinigung im Maskierungsmaterial und die aus der Gasphase diffundierte Verunreinigung können die als Donatoren und Akzeptoren für die obenerwähnten Halbleitermaterialien zu verwendenden Elemente gewählt werden. Es ist bekannt, daß Verbindungen nichtflüchtiger Dotierungselemente sehr flüchtig sein können. Zum Beispiel können mit dem bei hohen Temperaturen flüchtigen Boroxyd in einer Silikatschicht auf einem aus Silizium bestehen-
»5 den Halbleiter und mit Elementarphosphor in einer Siliziumpulverquelle bei Erhitzung auf 1000" C bis 1300" p- bzw. η-leitende in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden. Es stellt sich aber heraus, daß der Diffunsionsvorgang, bei dem Bor und Phosphor
in den Halbleiterkörper eindiffundiert werden, bei derselben Diffusionstemperatur stattfindet, wenn als Verunreinigung in der Maskierungsmaterialschicht Phosphor in Form von Phosphoroxyd und als Verunreinigung im Halbleiterpulver das nicht sehr flüchtige
Bor in elementarer oder gelöster Form angewandt wird. Dieses unerwartete Ergebnis ist möglicherweise auf bestimmte Gleichgewichte in der Gasphase während des Diffusionsvorganges zurückzuführen, in dem neben dem nicht sehr flüchtigen Bor das flüchtige
♦o Boroxyd und z. B. neben Silizium Siliziummonoxyd und Siliziumdioxyd gebildet wird.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger Ausführungsbeispiel und der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 schematisch einen senkrechten Längsschnitt durch eine Vorrichtung, mit der das Verfahren nach der Erfindung durchgeführt wird,
Fi g. 2 schemalisch einen Schnitt durch einen durch
das Verfahren nach der Erfindung hergestellten Thyristor,
Fig. 3 schematisch einen Schnitt durch einen bekannten Transistor, und
Fig. 4 schematisch einen Schnitt durch einen durch das Verfahren nach der Erfindung hergestellten transistor.
In den nachstehenden Vergleichsversuchen und Ausführungsbeispielen wird die in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung angewandt.
In einem Quarzrohr 1 (siehe Fig. 1) mit einer Länge von etwa 35 cm und einem Innendurchmesser von etwa 3,8 cm befindet sich ein Quarzhalter 2, in dem ein oder mehrere Halbleiterkörper in Form von Scheiben 3 aus Halbleitermaterial, z.B. Einkristallsilizium, angebracht sind. Die Anzahl Scheiben kann erheblich, z. B. zwischen 3 und 300, variieren. Der Seheibendurchmesser ist z.B. 2,4 bis 3,0cm und die Dicke der Scheiben z. B. etwa 225 um. Die Scheiben
sind mit einer Maskierungsschicht überzogen, die vorher durch Ätzen mil Hilfe an sich bekannter Photoätzlechniken auf einen Teil der Halbleiteroberfläche beschränkt ist, wodurch ein anderer Teil der Oberfläche unmaskiert ist. Im Quarzrohr befindet sich auch ein Quarzkübel 4 mit z. B. 12 g Halbleiterpulver 5 fur je 10 Scheiben. Die Korngröße des Pulvers ist kleiner als 40/im, wodurch in einem Rohr mit 10 Scheiben mit einem Durchmesser von je 2,4 cm bereits ein Verhältnis zwischen Pulveroberfläche und Gesamthalb- m leiieroberflache (maskiert und unmaskiert) von mehr als 100: 1 erhalten wird. Durch ein offenes Ende 6 des Rohres 1 werden die Scheiben 3 und das Pulver 5 in das Rohr eingeführt. Dann wird das Rohr in einem Ofen auf 600" C evakuiert und während einer Stunde ' ausgeheizt, während welcher Behandlung der Druck auf etwa 5· 10"'Torr gehalten wird. Anschließend wird das Ende 6 des Quarzrohres unter Beibehaltung des Vakuums zugeschmolzen und in einem Ofen 7 erhitzt. Diese Erhitzung erfolgt z.B. in Abhängigkeit 2» von der Diffusionsgeschwindigkeit der Verunreinigungen und von der gewünschten Diffusionstiefe während z. B. 1 bis 13 Stunden auf 1000 bis 1300 C.
Die oben beschriebene Apparatur wird bei den nachstehenden Beispielen und Vergleichsversuchen angewandt. Die Wirkung des Pulvers kann genau festgestellt werden, wenn gleiche Versuche mit und ohne Pulver durchgeführt werden. Diese Versuche werden zunächst beschrieben. Bevor 10 Scheiben aus n-lei- 3" lendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 20 Ωαη im Quarzrohr angebracht werden, werden sie auf übliche Weise bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur, bei der eine vernachlässigbare Diffusion im Halbleitermaterial stattfindet, dadurch mit einer Boralglasschicht versehen, daß sie in einer Gasatmosphäre behandelt werden, die Teraäthylsilikat und Triäthylboran in einem Volumenverhältnis von etwa 92 : 8 enthält. Der Borgehall der Glasschicht ist derart, daß an der Haibleileroberfläche unter der «o Schicht bei Diffusion eine Oberflächenkonzentration von 3 102" Al/cm' erhallen wird. Die Dicke der Maskicrungsschicht beträgt etwa 0,4/im. Mit Hilfe von-Photoätztechniken wird in der Schicht eine öffnung angebracht. Es stellt sich heraus, daß bei der während 3 Stunden auf 1240 C durchgeführten Wärmehehandlung in Abwesenheit von Pulver Bor in den unmaskierien Teil der Oberfläche eindiffundiert, wobei die Borkonzenlration an der unmaskierten Halbleiteroberfläche 2,5 102" At/cm' betragt. Dies kann auf an sich bekannte Weise aus der Messung des Quadratwiderstandes des Bors und der Eindringsliefe dieses Bors in den unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche abgeleitet werden. Der Widerstand wird durch eine 4-Punkt-Widerstandsmessung bestimmt, wanrend die Eindringliefe dadurch festgestellt wird, daß die Oberfläche der Scheibe unier einem Winkel von 6 geschliffen und mit einer Kupferioncnlösung behandelt wird, durch welche Behandlung p- und nlcilende Gebiete verschiedene Farben anneh- ft« men.
Wenn 12g Siliziiimpulvcr mit einer Korngröße < 40 /<m im Rohr vorhanden ist, wird Bor bis zu einer Konzentration an der Oberfläche von weniger als 10'" At cm' in den unmaskierten Teil der Halbleiter- fts oberflache eindiffundiert. Wenn das Pulver 10'"At/ cm3 enthalt, bleibi das ursprüngliche η-leitende Silizium n-leitend.
Beispiel 1
In eine n-leitende Siliziumscheibe mit einem spezifischen Widerstand von 20 Ω-cm (siehe Fig. 2) wire auf beiden Seiten vorher Aluminium eindiffundiert wodurch die Zoiicn 23 und 28 gebildet werden, die eine Dicke von 23 μη\ haben und durch eine Zone 27 aus dem ursprünglichen Material mit einer Dicke von 119μπι voneinander getrennt sind. Dann wird aiii der Scheibe auf die oben beschriebene Weise cine Bo ratglasschicht 21, 25 angebracht, die mit einer öffnung 26 versehen wird. Anschließend werden gleichzeitig in den Halbleiterkörper Bor und Phosphor eindiffundiert, und zwar das Bor aus der Glasschichi und das Phosphor aus phosphorhaltigem Siliziumpul ver, das sich im Quarzrohr befindet. Dabei kann von einem Standardgemisch von Siliziumpulver und K)21 At/cm3 ausgegangen werden, das nach Bedarf mil reinem Siliziumpulver verdünnt werden kann. Dei Diffusionsvorgang wird während einer Stunde bei 1240 C durchgeführt. Das Bor bildet unter der Glas schicht die Gebiete 22 und 29 mit einer Tiefe von 10/im, während das Phosphor durch die öffnung 2<i das Gebiet 24 mit einer Tiefe von 11 /<m bildet.
Nach dem Diffusionsvorgang ist die Phosnhorkon zenlration an der Halbleiteroberfläche 2 10'"AtAm1 was der mittleren Phosphorkonzentration im Siliziumpulver entspricht.
Die durch diese Diffusionsbehandlung erhaltene npnp-Konfiguration kann auf an sich bekannte Weise dadurch zu einem Thyristor verarbeitet werden, daß ein Kaihodenkontakt auf dem Gebiete 24, ein Ano dcnkontakt auf dem Gebiet 29 und ein Steuerkontakt auf dem Gebiet 22 angebracht wird. Bei einer Ah wandlung dieses Beispiels wird Phosphor in die Glasschicht eingebaut, und wird Bor in das Siimumpuhci aufgenommen. Diese Aufnahme kann dann ?.. B. da durch erfolgen, daß das mit Bor dotierte Pulver au·· einem Stab hergestellt wird, der aus einer Silizium schmelze gezogen wird, der Bor zugesetzt ist. Dir Borkonzentration im Pulver kann z. B. zwischen 10'' und 5· Kl2" At/cm' liegen und die Phosphnrkonzcn tration in der Maskierungsschiehl kann derart sein daß die Konzentration an der Oberfläche bei Diffusion 10" bis 10" At/cm3 belrägt.
Es ist nicht erforderlich, daß die Verunreinigung in der Maskierungsschicht und die aus der Gasphase diffundierte Verunreinigung entgegengesetzte Leitfä higkeitstype aufweisen.
Durch das Verfahren gemäß der Erfindung kann ein bekanntes Problem bei der Herstellung vein Halb leitervorrichtungen gelöst werden. Wenn nämlich ant an sich bekannte Weise mit Hilfe zweier aufeinander folgender planarer Diffusionsvorgänge ein Transistoi hergestellt wird (siehe Fig. 3), wobei zunächst eine Basis 32 und dann ein Emitter 31 eindiffundiert wird dringt infolge der Emitterdiffusion der unter dem Emitter liegende Teil der Basis von der Oberfläche her in den Halbleiterkörper ein, wodurch der Basis Kollektor-Übergang eine Ausstülpung 33 aufweist, die die elektrischen Eigenschaften des Transistors be cinirächtigt. Wie aus dem nachstehenden Ausfiihrungsbcispicl ersichtlich ist, kann die Bildung einer derartigen Ausstülpung durch das Verfahren nach der Erfindung vermieden werden.
Beispiel 2
Auf einer epitaktischen Schicht 47 mit einem spezifischen Widerstand von 1.5 Ω cm nnH <-in<>r Dirke
von 4,2 //m, die auf einer Scheibe 48 angebracht wird, die aus mil Sb doliertem n-leitcndem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 0,007 Ω cm besieh! (siehe Fig. 4), wird auf die oben beschriebene Weise eine Borglasschiehi 41 gebildet. Mit Hilft- von l'holoäl/tcchnikcn wird in der (ilasschicht eine Öffnung 42 angebracht. Die andere Seile der Scheibe ist /.. B. durch eine mehl dotierte Glasschicht gegen Diffusionen abgeschirmt.
Das Siliziumpulver enthüll K)-'1/Wem* As und 10|gAt/cm' U, welche Verunreinigungen durch die öffnung 42 in der Glasschieht in den Halbleiterkörper eindiffundieren, wodurch das η-leitende Gebiet 43 b/w. das p-leitende Gebiet 46 gebildet werden. Die Diffiisionsbehandliin-.· wird während einer Stunde bei 10501Tdurchgefühlt. Uniei der Glasselnehl 41 wird eine Oberflächenkonzenlralion von 3 10:" Αι/cm1 an Hör gebildet. I η diesem Beispiel erfolwn somit gleichzeilig zwei Mordiffusionen, und zwar eine Diffusion mit hoher Oberflächenkonzentration aus der (ilasschicht 41 und eine mit niedrigerer Obcrflächenkonzenlralion durch die Öffnung 42 in der Glasschicht. Infolge der laugsamen Diffusion und der hohen Konzentration von As ist letzteres Element indem iinmaskierten Gebiet 43 mil einer liefe von 0,25 /im des Halbleiterkörper*, insbesondere in der Nähe der Oberfläche vorwiegend und dimgt das Bor tiefer m den Halbleiterkörper ein. Diese Hindringtiefe ist fur das aus der Glasschicht in den Halbleiterkörper emdilfundiercnde Bor, wobei die 1 agc des Kollektor-Basis-Übergangs mit 45 bezeichnet ist, großer (liefe 1.5/nn) als für das durch die Öffnung 42 diffundierende Boi, wobei die Lage des Kollektor-Basis-Uhcrgangs mit 44 bezeichnet ist (Tiefe 0,54 /nn). Auf diese Weise wird die in fig. 4 dargestellte TransislorkomV giiration mit dem Basisgebiet 46 erhallen. Ir.s stellt sich heraus, daß die länge und die Breite der Basis genau geregelt werden können, und ilaL der Jui'c.i diese Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung hergestellte Transistor nicht die obenerwähnte Ausstülpung aufweist.
Beispiel 3
Der im Beispiel i besehnebene Thyristor kann auch in einem Diffusionsschritt hergestellt werden, da Al durch eine Glasschicht hindurchdiffundieren kann.
Auf beiden Seiten einer n-leitcndcn Siliziumseheibe wird auf die oben besehnebene Weise (siehe Fig ^) eine Boralglasschiehl 21, 25 angebracht. Auf einer Seite wird in der Boratglasschicht eine Öffnung 26 geätzt Die Scheibe wird dann in einem Quarzrohr der in Fig 1 dargestellten Art erhitzt, welches Rohr Siliziumpulver enthält, und zwar 3g Siliziumpuiver mil einem spezifischen Widerstand von mehr als 200 Ω cm, auf dem ein Al-Tüpfel von 7 mg ruhi, und 3 g Siliziumpulver mit 2- K)2" At/cm1 As. Durch Diffusion während 13 Stunden bei 1240" C bilden sich daraus die Diffusionsgebiete 22 und 29, die eine Tiefe von 33 //in haben und mil deren Hilfe nachher die Schichten 23 bzw. 28 kontaktiert werden. In der
:> Schicht 23, die von der Oberfläche her, durch die Diffusion stattfindet, eine Tiefe von etwa 53//m hat, überwiegt Al, das viel schneller als As diffundiert. Außerdem diffundiert Al auch durch die Boratglasschicht 42. Das As-Diffusionsgebiet 24 hat eine Tiefe von
"> 11 /<m. Auf der Seite der Scheibe, die völlig mit der Boratglasschicht 25 bedeckt ist, wird eine Borschicht 29 bis zu einer Tiefe von 33 /im unter der Halbleiteroberfläche diffundiert. Auch unter dieser Borschicht liegt eine Aluminiumschicht 28 mit einer Dicke von
'? 53 /im. Das Gebiet 27 mit einer Dicke von 119/zm verbleibt noch von der n-leitcnden Seheibe, von der ausgegangen wurde. Mit Hilfe der eben beschriebenen AiisK.hrungsform des Verfahrens nach der Erfindung kann ein Thyristor hergestellt werden. Die oben be-
-'•n schrieheneii Halbleiterscheiben werden auf die für den Fachmann bekannte Weise dadurch weiter verai beitet, daß mit Hilfe von Photoätztechniken die zu kontakticrenden 'Teile der Halbleiteroberfläche ei forderlichenfalls frei gemacht werden, die unmaskic; ten Teile kontaktiert und die Halbleitervorrichtungen mil einer Schutzschicht abgedeckt werden. Wenn eine Scheibe mehrere Halbleitervorrichtungen enthält. wird sie geteilt, wonach kontaktierl und erforderl· ebenfalls eine Passivierungsschicht angebracht wüii
Λ" und die Halbleitervorrichtungen in einer geeigneten Umhüllung untergebracht werden.
Die Erfindung beschränkt sieh nicht auf die ohci· beschriebenen Ausführungsformen des Verfahren· gemäß der Erfindung. Auf diese Weise können /. 1 Dioden, Zenerdioden, hergestellt werden. Diese Diden werden auf ahnliche Weise wie der im Beispiel .' beschriebene Transistor hergestellt, mit dem l'niei schied, daß das Substrat in diesem Falle aus mit H-. doliertem Silizium (spezifischer Widerstand
4>i 0,1 ß-cm) besieht und daß statt Bor Phosphor in, der gleichen Oberflächenkonzentration wie das B->; aus der Glasschicht in den Halbleiterkörper eindiffur. dicrl.
Zum Beispiel die Verunreinigung in dem an de;
Halbleiteroberfläche angrenzenden Maskierungsint lerial nur örtlich angebracht werden. Auf diese Weisi kann eine Al-Diffusion an einer Stelle erhalten wer den, an der keine andere Verunreinigung diffundieii wird. Außer der erwähnten Verunreinigung werde 1:
5" z. B. Ga, In, Sb und Bi als Verunreinigung in der M;is kierungsmaterialschicht oder als aus der Gasphast diffundierte Verunreinigung angewandt. Ferner kön nen statt Silizium auch andere Halbleitermaterialier Anwendung finden. Auch Germanium und A'"BX Verbindungen lassen sich als Halbleitermaterial verwenden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Palentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei dem ein Halbleiterkörper örtlich durch Diffusion dotiert wird und bei dem während des Diffusionsvorganges eine eine Verunreinigung enthaltende Maskierungsmaterialschicht auf einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers angebracht wird und die Verunreinigung aus dieser Schicht in den darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers eindiffundiert wird, während ein anderer Teil der Halbleiteroberfläche unmaskiert ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsvorgang in Anwesenheit eines Halbleitermaterialpulvers durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Pulver und der Halbleiterkörper aus demselben Halbleitermaterial bestehen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in dem an die Halbleiteroberfläche angrenzenden Maskierungsmaterial die Verunreinigung nur örtlich angebracht wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine andere Verunreinigung aus der Gasphase wenigstens in den unmaskierten Teil der Halbleiteroberfläche eindiffundiert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterpulver eine, gegebenenfalls andere als in der Maskierungsmaterialschicht enthaltene, Verunreinigung in Pulverform enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterpulver eine Verunreinigung in Form einer festen Lösung enthält.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusion in einem verschlossenem Raum durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Raum vor dem Diffusionsvorgang evakuiert und luftdicht verschlossen wird.
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