NL140657B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL140657B NL140657B NL686808723A NL6808723A NL140657B NL 140657 B NL140657 B NL 140657B NL 686808723 A NL686808723 A NL 686808723A NL 6808723 A NL6808723 A NL 6808723A NL 140657 B NL140657 B NL 140657B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor device
- accordance
- manufacturing
- diffusion treatment
- device manufactured
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/04—Dopants, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/043—Dual dielectric
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/049—Equivalence and options
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/06—Gettering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/106—Masks, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/145—Shaped junctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/916—Autodoping control or utilization
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL686808723A NL140657B (nl) | 1968-06-21 | 1968-06-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
DE1930423A DE1930423C3 (de) | 1968-06-21 | 1969-06-14 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
CH930269A CH496324A (de) | 1968-06-21 | 1969-06-18 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
GB30851/69A GB1270130A (en) | 1968-06-21 | 1969-06-18 | Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor devices |
AT576969A AT307504B (de) | 1968-06-21 | 1969-06-18 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
FR6920310A FR2011964B1 (xx) | 1968-06-21 | 1969-06-18 | |
SE08728/69A SE355263B (xx) | 1968-06-21 | 1969-06-18 | |
BE734861D BE734861A (xx) | 1968-06-21 | 1969-06-19 | |
US834972A US3649387A (en) | 1968-06-21 | 1969-06-20 | Method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL686808723A NL140657B (nl) | 1968-06-21 | 1968-06-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6808723A NL6808723A (xx) | 1969-12-23 |
NL140657B true NL140657B (nl) | 1973-12-17 |
Family
ID=19803954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL686808723A NL140657B (nl) | 1968-06-21 | 1968-06-21 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3649387A (xx) |
AT (1) | AT307504B (xx) |
BE (1) | BE734861A (xx) |
CH (1) | CH496324A (xx) |
DE (1) | DE1930423C3 (xx) |
FR (1) | FR2011964B1 (xx) |
GB (1) | GB1270130A (xx) |
NL (1) | NL140657B (xx) |
SE (1) | SE355263B (xx) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3907615A (en) * | 1968-06-28 | 1975-09-23 | Philips Corp | Production of a three-layer diac with five-layer edge regions having middle region thinner at center than edge |
FR2076037B1 (xx) * | 1970-01-12 | 1975-01-10 | Ibm | |
US3798084A (en) * | 1972-08-11 | 1974-03-19 | Ibm | Simultaneous diffusion processing |
GB1503223A (en) * | 1975-07-26 | 1978-03-08 | Int Computers Ltd | Formation of buried layers in a substrate |
US4099997A (en) * | 1976-06-21 | 1978-07-11 | Rca Corporation | Method of fabricating a semiconductor device |
JPS543479A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device and its manufacture |
US4264383A (en) * | 1979-08-23 | 1981-04-28 | Westinghouse Electric Corp. | Technique for making asymmetric thyristors |
DE2946963A1 (de) * | 1979-11-21 | 1981-06-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schnelle bipolare transistoren |
FR2471668A1 (fr) * | 1979-12-14 | 1981-06-19 | Silicium Semiconducteur Ssc | Procede de diffusion de phosphore dans un semi-conducteur et procede d'obtention de phosphure de silicium |
JPH0793277B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1995-10-09 | インダストリアル・テクノロジー・リサーチ・インステイテユート | InP基板中へのCd拡散方法 |
US5091321A (en) * | 1991-07-22 | 1992-02-25 | Allegro Microsystems, Inc. | Method for making an NPN transistor with controlled base width compatible with making a Bi-MOS integrated circuit |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3193419A (en) * | 1960-12-30 | 1965-07-06 | Texas Instruments Inc | Outdiffusion method |
US3183130A (en) * | 1962-01-22 | 1965-05-11 | Motorola Inc | Diffusion process and apparatus |
US3279963A (en) * | 1963-07-23 | 1966-10-18 | Ibm | Fabrication of semiconductor devices |
FR1438731A (fr) * | 1964-06-20 | 1966-05-13 | Siemens Ag | Procédé pour la diffusion de produits étrangers dans un corps semi-conducteur monocristallin |
-
1968
- 1968-06-21 NL NL686808723A patent/NL140657B/xx not_active IP Right Cessation
-
1969
- 1969-06-14 DE DE1930423A patent/DE1930423C3/de not_active Expired
- 1969-06-18 CH CH930269A patent/CH496324A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-06-18 FR FR6920310A patent/FR2011964B1/fr not_active Expired
- 1969-06-18 AT AT576969A patent/AT307504B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-06-18 GB GB30851/69A patent/GB1270130A/en not_active Expired
- 1969-06-18 SE SE08728/69A patent/SE355263B/xx unknown
- 1969-06-19 BE BE734861D patent/BE734861A/xx unknown
- 1969-06-20 US US834972A patent/US3649387A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6808723A (xx) | 1969-12-23 |
BE734861A (xx) | 1969-12-19 |
DE1930423C3 (de) | 1974-09-26 |
GB1270130A (en) | 1972-04-12 |
FR2011964A1 (xx) | 1970-03-13 |
FR2011964B1 (xx) | 1973-11-16 |
DE1930423B2 (de) | 1974-02-21 |
AT307504B (de) | 1973-05-25 |
CH496324A (de) | 1970-09-15 |
US3649387A (en) | 1972-03-14 |
SE355263B (xx) | 1973-04-09 |
DE1930423A1 (de) | 1970-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152214B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking. | |
NL150887B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bevestigingsorgaan, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigd bevestigingsorgaan. | |
NL156294B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verwarmbare ruit, alsmede ruit vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL181696C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL149859B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL161854B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een kogelscharnier, alsmede kogelscharnier vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL140657B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL150620B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL151213B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL155472B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een houder, alsmede houder, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL144345B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een pooltapijt, alsmede pooltapijt, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL166820C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL150403B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een glasplaat, alsmede een hiermee vervaardigde glasplaat. | |
NL143073B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154867B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: PHILIPS |