DE2140509B2 - Leseverstärker - Google Patents

Description

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dienen oder einander angepaßten Komponenten, er sind mit den entgegengesetzten Enden des Speicherverschwendet keine Leistung in einer Scheinadres- drahts 10 über gesonderte Leseschalter 13 und 16 sen- oder Symmetrierleitung und bei ihm sind keine verbunden. Da die Leseschalter 13 und 16 normaler-Tast- oder Klemmimpulse für die Erholung oder die weise geöffnet sind, sind die normalerweise an den Grundpegelhaltung erforderlich. Der Leseverstärker 5 Verstärkereingangsklemmen 24 und 25 liegenden paßt sich schnell an eine hohe Differential-Gleich- Spannungen etwa gleich den Versorgungsspannungen spannung an seinem Eingang an, ohne daß Probleme +Vbzw. —V.

mit der Sättigungserholung auftreten, und er nimmt Der Leseverstärker enthält einen ersten pnp-Trandas schwache Lesesignal aus einem Magnetspeicher sistor β1 und einen zweiten Transistor Q 2 vom entzu seiner Differentialverstärkung auf. Das dabei ent- io gegengesetzten Leitungstyp, also vom npn-Typ. stehende Ausgangssignal ist ein Verstärkerlesesignal, Durch die beiden Transistoren kann ein Serienstrom welches auf einem niedrigen Gleichspannungspegel fließen, und zwar vom Anschluß +F durch den von beispielsweise 0 Volt reitet, der von Schwankun- Widerstand R1, die Emitter-Kollektor-Strecke des gen des Gleichstromeingangspegels oder von Versor- Transistors Q1, eine Ausgangsschaltung mit dem gungsschwankungen unabhängig ist. Dies wird erfin- 15 Widerstand/? und der DiodeD, die Kollektor-Emitdungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des ter-Strecke des Transistors Q 2 und den Widerstand Anspruchs 1 angegebenen Merkmale erreicht. R 5 zu einem Anschluß — V der Versorgungsspan-Wenn der Speicher angewählt wird, ändert sich die nung. Die Ausgangsschaltung enthält außerdem Eingangsspannung des Verstärkers von etwa der einen Widerstand R 6, der zwischen dem Kollektor Versorgungsspannung auf einen niedrigen Wert nahe 20 des Transistors β1 und einem Anschluß — V liegt, dem Massepotential. Dieses hat einen Stromstoß sowie einen Widerstand R2, der den Kollektor des aus dem Kondensator durch die Emitter-Kollektor- Transistors Q 2 mit einem Anschluß +V verbindet. Strecke des Transistors zur Ausgangsschaltung zur Die Kollektoren der Transistoren β1und Q 2 liegen Folge. Die Klemmdiode hält den Spannungsstoß an den Eingängen eines Vergleichers 30, der eine am Ausgang auf einem niedrigen Wert nahe dem 25 einzige Ausgangsklemme 32 aufweist.
Massepotential. Nach der Entladung des Kondensa- Mit dem Transistor ßl ist über die Widerstände tors kehrt der Strom im Transistor auf seinen norma- R 7 und R 9 ein Transistor β 3 zusammengeschaltet, len Wert zurück, und der Verstärker befindet sich in wodurch der Widerstand R1 wie eine Konstanterem Zustand, wo er ein Lesesignal aus dem Spei- stromquelle für den Transistor ßl wirken soll. Die eher voll verstärkt. Eine bevorzugte Ausführungs- 30 Transistoren Ql und β 3 seien auf irgendeine beform des Verstärkers enthält zwei Transistoren ent- kannte Weise zusammengeschaltet, um einen im wegegengesetzten Leitungstyps in symmetrischer Schal- sentlichen konstanten Strom an die obere Seite oder tung. den Ausgangsanschluß 40 der Ausgangsschaltung zu

Die Erfindung wird nachstehend ausführlich an liefern. Auf ähnliche Weise ist mit dem Transistor

Hand der Zeichnungen erläutert. 35 Q 2 über die Widerstände RS und i?10 ein Kon-

F i g. 1 ist ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen stantstromtransistor Q 4 zusammengeschaltet, womit Leseverstärkers und zeigt den Teil eines Magnetkern- ein im wesentlichen konstanter Strom zur unteren Speichers, an welchem der Eingang des Verstärkers Seite oder zum Ausgangsanschluß 42 der Ausgangsliegt; schaltung geliefert wird.

F i g. 2 zeigt eine andere Ausführungsform eines 4° Zwischen dem Emitter des Transistors Q1 und

Teils der Schaltung nach F i g. 1; dem Emitter des Transistors Q 2 liegt ein Kondensa-

Fig. 3 ist ein vereinfachtes Schaltbild, welches die torC. Die Basis des Transistors Ql ist über eine

Grundelemente des Leseverstärkers zeigt; Diode D 3 an die Eingangsklemme 24 des Verstär-

F i g. 4 zeigt den Verlauf verschiedener Spannun- kers angeschlossen, während die Basis des Transigen und Ströme, auf die bei der Erläuterung der 45 stors Q 2 über eine Diode D 4 mit der Eingangs-Funktionsweise der Erfindung Bezug genommen klemme 25 verbunden ist. Die Basiselektroden der wird. Transistoren β 1 und β 2 sind normalerweise auf

An Hand der Fig. 1 wird nun die Erfindung aus- eine Spannung nahe der Versorgungsspannung +V führlicher beschrieben. Die Leitung 10 ist ein Draht bzw. — V mittels eines Netzwerks aus den Widerin einem Magnetkernspeicher, der mit mehreren Ma- 50 ständen R 11, R12 und R 13 vorgespannt. Die Dignetkernen 11 verkettet ist. Die dazu senkrechten öden D 3 und D 4 sind vorgesehen, um die Tran-Drähte, die ebenfalls mit den Kernen 11 verkettet sistoren von den Eingangsklemmen während einer sind, sind in der Zeichnung fortgelassen. Während Phase des Betriebszyklus abzutrennen, die ansonsten des Leseteils des Speicherzyklus wird ein Strom einen Emitter-Basis-Durchbruch in den Transistoren durch den Speicherdraht 10 geschickt, der vom An- 55 β 1 und β 2 zur Folge hätte. Diese Phase des Speischluß + V über einen Widerstand 12, einen Lese- cherzyklus liegt zwischen dem Schreib- und dem schalter 13, eine Diode 14, den Speicherdraht 10, die Leseteil des Zyklus.

Diode 15, den Leseschalter 16 und einen Widerstand Man erkennt, daß die Schaltung nach F i g. 1 sym-17 zum Anschluß — V fließt. Während des Schreib- metrisch aufgebaut ist, wobei der Spannungspol + V teils des Speicherzyklus fließt ein Strom in umge- 60 am oberen Ende des Schaltbildes über den pnpkehrter Richtung aus dem Anschluß+V über den Transistor ßl, eine symmetrische Ausgangsschal-Widerstand 18, den Schreibschalter 19, die Diode 20, tung und über den npn-Transistor β 2 mit dem Pol den Speicherdraht 10, die Diode 21, den Schreib- — V der Versorgungsspannung verbunden ist. An schalter 22 und einen Widerstand 23 zum Anschluß den Punkten in der Mitte der Schaltung zwischen den — V. Alle symbolisch eingezeichneten Schalter sind 65 Polen +Fund — V liegt Nullspannung oder Massedurch Transistorschaltungen realisiert, die einen Teil potential. Die Schaltung nach F i g. 1 ist eine bevoreiner Speicherdraht-Wähleinrichtung bilden. Die zugte Ausführungsform, es kann jedoch auch, wie in Eingangsklemmen 24 und 25 eines Leseverstärkers F i g. 2 gezeigt ist, ein Masseanschluß vorgesehen

sein. An die Stelle der Bauelemente R12, C, R und D gemäß F i g. 1 treten bei der Ausführungsform nach Fig. 2 die Teilwiderstände R'12, die Teilkapazitäten C", die Teilwiderstände R' und die Teildioden D', deren gemeinsame Anschlüsse jeweils mit Masse verbunden sind.

Die Schaltung nach F i g. 1 wird deshalb bevorzugt, weil sie eine zusätzliche Unterdrückung von Gleichtakt-Eingangsstörungen bringt, mehr als wenn

größte Teil des Stromstoßes durch die Diode D' nach Masse fließt. Die Spannung am Ausgang 40 wird somit von der Diode D auf dem bei 56 in der Kurve 4 e gezeigten Wert gehalten. Der erwähnte Stromstoß läßt einen Maximalstrom von 50 bis 100 Milliampere durch den Transistor fließen.

Nachdem der Stromstoß aus dem Kondensator C durch den Transistor Q1 und die Diode D' nach Masse geflossen ist, kehrt der Strom durch den Tran-

durch den Speicherdraht 10 nach F i g. 1 geschickten Stroms. F i g. 4 c zeigt die Spannung am Basiseingang des Transistors Q1 nach F i g. 3 während der Schreib- und Leseabschnitte eines Speicherzyklus.

In F i g. 4 c ist zu erkennen, daß die Basiseingangsspannung am Transistor Q1 normalerweise und anfänglich zum Zeitpunkt t₀ annähernd gleich ist der Versorgungsspannung + V. Der Transistor Q1 ist im

die mittlere Masseverbindung gemäß F i g. 2 vorhan- io sistor Q1 auf seinen nominellen Konstantwert von den ist. Die Funktionsweise der Schaltung nach etwa 2 bis 3 Milliampere zurück. Die Spannung am F i g. 2 ist jedoch etwas leichter zu erklären, weil die Ausgang 40 fällt dann bei 58 auf ihren normalen obere und die untere Hälfte der Schaltung deutlich Wert nahe dem Massepotential zurück. Der tatsächäquivalent sind und in der gleichen Weise, jedoch liehe normale Gleichspannungswert am Ausgang 40 mit entgegengesetzten Polaritätsänderungen arbeiten. 15 wird hauptsächlich von den Werten der Widerstän-Die obere Hälfte der Schaltung nach F i g. 2 ist in de R' und R 6 bestimmt.

vereinfachter Form in F i g. 3 noch einmal darge- Zum Zeitpunkt t₂ erscheint die Vorderflanke des

stellt, um den Betrieb der Schaltungen nach F i g. 1 dem orthogonalen Speicherdraht zugeführten Trei- und 2 besonders deutlich erläutern zu können. berstromimpulses,w ie es bei 60 in F i g. 4 a gezeigt

Die Arbeitsweise der Erfindung wird nun an Hand 20 ist. Die Wirkung des Treiberstroms nach F i g. 4 a adder Fig. 1 und3 und an Hand der Kurven nach diert sich dann mit der Wirkung des Treiberstroms F i g. 4 beschrieben. F i g. 4 a zeigt einen Stromver- nach F i g. 4 b in dem mit beiden Drähten verketteten lauf, mit welchem der (in Fig. 1 nicht gezeigte) or- Magnetkern, so daß dieser Kern umklappt, wenn er thogonale Speicherdraht während des Leseteils und im Speicherzustand »1« war. Das Umklappen des des Schreibteils eines vollständigen Speicherzyklus 25 Kerns induziert ein Lesesignal im Speicherdraht 10, beaufschlagt wird. Fig.4b zeigt den Verlauf des welches zum Basiseingang des Transistors Ql gelangt. Das dort empfangene Lesesignal hat eine Polarität, welche die Leitfähigkeit des Transistors Q1 zu vermindern trachtet, und erzeugt ein ins Negative ge-30 hendes Signal am Ausgang 40, wie es bei 62 in F i g. 4 e gezeigt ist. Das verstärkte Lesesignal am Ausgang 40 ist ein auf das Massepotential bezogenes Signal, obwohl die Eingangsspannung an der Basis des Transistor Q1 nun von der anfänglichen Span-Normal- oder Nennbetrieb leitend und führt einen 35 nung +V auf einen verhältnismäßig niedrigen Wert Strom von 2 oder 3 Milliampere, der hauptsächlich über Masse geändert wird. Das Lesesignal am Ausvon der Stromquelle / bestimmt wird. Der Strom ist
schwach, weil Emitter und Basis des Transistors Q1
nahezu auf gleichem Potential liegen. Der Kondensator C" ist auf eine Spannung über Massepotential auf- 4°
geladen, die etwa gleich der Versorgungsspannung
ist. Der Konstantstrom aus dem Transistor Q1 in
F i g. 3 fließt in die Ausgangsschaltung, die den mit
dem Spannungspol — V verbundenen Widerstand

R 6 enthält. Der Widerstand R 6 ist so bemessen, daß 45 ist. Die Eingangsspannung bleibt dann für die Dauer er als Stromsenke bzw. -quelle wirkt, die den glei- des Schreibteils des Speicherzyklus auf dem Wert chen Strombetrag zieht, wie er von der Stromquelle/ +V, wie bei 68 in Fig. 4c gezeigt. Die Spannung geliefert wird. Die Widerstände R 6 undi?' sind so am Kondensator C" steigt jedoch langsam an, da aus proportioniert, daß die Gleichspannung an der Aus- der Quelle / Strom in den Kondensator fließt. Die gangsklemme 40 nahezu gleich Massepotential ist. 50 allmählich ansteigende Spannung am Kondensator C" Zusammengefaßt sei gesagt, daß zur Anfangszeit i₀ ist durch die gestrichelte Linie 70 in F i g. 4 c gezeigt.

Der Kondensator C" hält die Emitter spannung niedriger als die Basiseingangsspannung, so daß der Transistor Q1 gesperrt wird und während des gan-

Zum Zeitpunkt t_± erscheint die Vorderflanke 50 55 zen Schreibteils des Speicherzyklus in seinem nicht des Wähl- oder Treiberstromimpulses (Kurve 4 b) leitenden Zustand gehalten wird, am Speicherdraht 10. Dies hat ein sehr steiles Abfal- Während des Schreibteils des Speicherzyklus,

len der Spannung zur Folge, die vom Speicherdraht wenn der Transistor Q1 gesperrt ist, fällt die Spanan den Basiseingang des Transistors Q1 gelegt wird, nung am Ausgang 40 auf einen niedrigen Wert 72 wie es bei 52 in der Kurve 4 c gezeigt ist. Die Span- 60 unterhalb Masse, der durch die Spannungsteilerwirnung am Emitter des Transistors Q1 folgt dem Ab- kung der zwischen Masse und dem Anschluß — V sinken der Spannung an der Basis dieses Transistors. geschalteten Widerstände R' und R 6 bestimmt wird. Die Folge ist ein Stromstoß aus dem aufgeladenen Der Verstärker ist dann am Ende des Schreibteils des Kondensator C durch den Transistor zur Ausgangs- Speicherzyklus in einem Zustand, wo er mit dem Leschaltung. Der vom Kondensator kommende Strom- 6g seteil des nächstfolgenden Speicherzyklus beginnen stoß, der bei 54 in der Kurve 4 d gezeigt ist, bewirkt kann. Die tatsächlichen Spannungen an verschiedeein Ansteigen der Spannung am Widerstand R' über nen Punkten der Schaltung am Ende eines Speicherdie Schwellenspannung der Diode D', so daß der zyklus hängen von der Vorgeschichte der Speicher

gang 40 wird zum Zeitpunkt t₃ zu einem (nicht gezeigten) Flipflop durchgelassen, welches die aus dem Speicher herausgelesene Informationseinheit festhält. Zum Zeitpunkt i₄ hört der dem Speicherdraht 10 zugeführte Treiberstrom auf, wie es bei 64 in F i g. 4 a gezeigt ist, wodurch die Eingangsspannung an der Basis des Transistors Q1 schnell bis auf den Wert +V ansteigt, wie es bei 66 in Fig.4c gezeigt

der Basiseingang des Transistors Q1 auf annähernd + V liegt und an der Ausgangsklemme 40 im wesentlichen 0 Volt liegen.

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Zugriffe ab. Beispielsweise hängt der Wert, bis auf den oberen Hälfte der Schaltung und dem in der unteren

der Kondensator am Ende eines Speicherzyklus auf- Hälfte der Schaltung erzeugten Signal gleich ist. Jede

geladen wird, von der Strommenge aus der Quelle/ Hälfte der Schaltung trägt zu dem Ausgangssignal

in F i g. 3, dem Kapazitätswert des Kondensators C, bei. Gleichtaktstörungen werden jedoch infolge der

der Eingangsspannung zum Zeitpunkt i₄ nach Fi g. 4 5 symmetrischen Differentialanordnung wirksam un-

und von der Zeitdauer des Schreibteils des Speicher- terdrückt.

zyklus ab. Der in Fig. 1 gezeigte Vergleicher 30 ist eine üb-

Die vorangegangene Beschreibung des Betriebs liehe Schaltung zur Erzeugung einer »1« am Ausder vereinfachten Schaltung nach F i g. 3 gilt auch für gang, wenn das vom Anschluß 40 kommende Einden Betrieb der oberen Hälfte der Schaltungen nach io gangssignal negativer ist als das vom Anschluß 42 Fig. 1 und 2. In den symmetrischen Schaltungen kommende Signal, und zur Erzeugung einer »0« am nach Fig. 1 und 2 sind die Basiselektroden der Tran- Ausgang, wenn der Anschluß 40 positiv gegenüber sistoren Q1 und Q 2 mit entgegengesetzten Enden des dem Anschluß 42 ist. Wenn der Verstärker genau Speicherdrahts 10 verbunden. Das Umklappen eines abgeglichen ist, sind die Spannungen an den Aneine »1« speichernden Kerns induziert ein Lesesignal 15 Schlüssen 40 und 42 beide 0, wenn am Eingang des im Speicherdraht 10, welches in entgegengesetzten Verstärkers eine »0« liegt. Zur Erzeugung einer Richtungen mit entgegengesetzten Polaritäten zu den Schwelle, die das eingangsseitige Lesesignal über-Basiseingängen der Transistoren Q1 und Q 2 läuft. schreiten muß, bevor der Vergleicherausgang eine

Die den Basiselektroden der Transistoren Ql und »1« liefert, ist es zweckmäßig, die Widerstände R 6 Q 2 zugeführten Lesesignale entgegengesetzter Polä- 20 und R 2 bezüglich der Stromquellen so zu bemessen, rität vermindern die Leitfähigkeit der beiden Transi- . daß normalerweise ein kleiner Strom durch den stören Q1 und Q 2 und erzeugen ein ins Negative ge- Widerstand R fließt und an ihm eine Spannung erhendes Signal am Ausgang 40 und ein ins Positive zeugt, die den Anschluß 40 normalerweise etwa 100 gehendes Signal am Ausgang 42. Das verstärkte Le- bis 200 Millivolt positiver als den Anschluß 42 sesignal am Ausgang 32 des Vergleichers hat eine 35 spannt. Diese Schwelle muß überschritten werden, beAmplitude, die der Differenz zwischen dem in der vor der Vergleicherausgang von »0« auf »!«übergeht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

ι '■·■■■'■■; 2 auf den Normalwert und Rückkehr der AusPatentansprüche: gahgsdifferenzspannung auf nahe Null das Erscheinen eines Lesesignals an den Basiselektro-

1. Leseverstärker mit einem Transistor, dessen den der Transistoren ein Verstärkersignal an den Basis ein Eingangssignal zugeführt ist und dessen 5 Differenzspannungsausgängen (40, 42) erzeugt. Kollektor mit einer Ausgangsschaltung und einer

Klemmdiode verbunden ist und der so vorgespannt ist, daß in seiner Emitter-Kollektor-

Strecke Strom fließen kann, und mit einem Kondensator, dadurch gekennzeichnet, io

daß ein Anschluß des Kondensators (C) mit dem Die Erfindung bezieht sich auf Leseverstärker mit Emitter des Transistors (Q 1) verbunden ist und einem Transistor, dessen Basis ein Eingangssignal daß ferner eine mit dem Emitter des Transistors zugeführt ist und dessen Kollektor mit einer Ausgekoppelte Konstantstromquelle (R 1, R 9, R 7, gangsschaltung und einer Klemmdiode verbunden ist Q 3) vorgesehen ist, die den Transistor normaler- 15 und der so vorgespannt ist, daß in seiner Emitterweise stromleitend macht, den Kondensator auf- Kollektor-Strecke Strom fließen kann, und mit einem lädt und die Ausgangsschaltung mit im wesentli- Kondensator.

chen konstantem Strom versorgt, wobei der Zum Verständnis der mit der vorliegenden Erfin-Strom aus der Konstantstromquelle normaler- dung zu lösenden Aufgabe sei ein Magnetkernspeiweise die Ausgangsschaltung auf Nullspannung 20 eher vom Zweidraht-2-l/2-D-Typ betrachtet, der zur hält. Zeit in vielen Elektronenrechnern verwendet wird.

2. Leseverstärker nach Anspruch 1, dadurch Es sei daran erinnert, daß diese Speicher aus einer gekennzeichnet, daß der Verstärkereingang der- Matrix von zwei Gruppen senkrecht zueinander verart an einen Speicherdraht (10) eines Speichers laufender Drähte aufgebaut sind, wobei an jedem angekoppelt ist, daß die Zuführung eines Wähl- 25 Kreuzungspunkt von zwei Drähten ein Magnetkern Stroms zum Speicherdraht eine starke Spannungs- angeordnet ist. Das Einschreiben einer Information änderung von einem Versorgungsspannungspegel in die Kerne geschieht durch Anlegen von Stromim- (+V) auf einen niedrigen Spannungspegel er- pulsen an beide mit dem betreffenden Kern verkettezeugt, auf die ein schwaches Lesesignal folgt. te Drähte. Zum Auslesen der in einem Kern gespei-

3. Leseverstärker mit einer symmetrischen 30 cherten Information wird folgendermaßen vorgegan-Ausgangsschaltung, die Verstärkerausgänge für gen: Zunächst wird ein verhältnismäßig langer Stromeine Differenzspannung und eine derart gepolte impuls durch einen der mit dem Kern verketteten Klemmdiode enthält, daß die an den Verstärker- Drähte geschickt, worauf abgewartet wird, bis die ausgängen auftretende Differenzspannung be- von der Vorderflanke des Impulses erzeugte Störung grenzt wird, sowie mit zwei Transistoren, deren 35 abgeklungen ist, hierauf wird ein zweiter Stromim-Basiselektroden jeweils mit einem zugeordneten puls durch den anderen, orthogonalen, mit dem Kern Verstärkereingang verbunden sind und deren verketteten Draht geschickt, und die Spannung am Kollektoren jeweils mit einer zugeordneten Seite ersten Draht wird abgefühlt, um festzustellen, ob der der symmetrischen Ausgangsschaltung verbunden Kern als Folge einer darin gespeicherten logischen sind, und mit einem Kondensator, dadurch ge- 4° »Eins« ummagnetisiert wurde oder ob er als Folge kennzeichnet, daß der Kondensator (C) zwischen einer darin gespeicherten »Null« nicht ummagnetidie Emitter der beiden Transistoren (Q 1, Q 2) ge- siert wurde.

schaltet ist und daß die beiden Transistoren vom Ein bei einem solchen Speicher verwendeter Le-

entgegengesetzten Leitungstyp (pnp, npn) sind severstärker liegt mit seinem Eingang an dem und daß ferner eine Spannungs- und Stromver- 45 Speicherdraht, dem ein Treiberimpuls zur Adressensorgung vorgesehen ist, die die Transistoren nor- wahl zugeführt wird. Der Verstärker erfährt daher malerweise stromleitend macht, den Kondensator eine sehr starke Eingangsstörung, von der er sich erst auflädt, an die Ausgangsschaltung Konstant- erholen muß, bevor er die nachfolgenden sehr schwaströme liefert und an den Differenzspannungsaus- chen Lesesignale fühlen kann. Diese schwachen Legängen (40, 42) im wesentlichen Nullspannung 50 sesignale sind einem hohen Spannungs-Grundpegel erzeugt. überlagert, der durch den Wählimpuls erzeugt wird.

4. Leseverstärker nach Anspruch 3, gekenn- Die bisher bekannten Leseverstärker für Speicher zeichnet durch eine solche Ankopplung an einen der erwähnten Art enthalten verschiedene Abgleich-Speicher, daß die Zuführung eines Wählstroms zu und Tast- oder Klemmeinrichtungen, um die Erhoeinem Speicherdraht (10) des Speichers starke 55 lung des Verstärkers von den Auswirkungen der Spannungsänderungen von den positiven und ne- Wählimpulse zu erleichtern. Eine beliebte Maßgativen Versorgungsspannungspegeln (+V, — F) nähme besteht in dem Ansteuern oder Treiben auf niedrige Spannungspegel erzeugt, worauf ein zweier gleicher Wege im Speicher, unter denen der schwaches Lesesignal folgt, wobei die Basiselek- eine gewünschte Weg ist, wobei man dann die beiden troden der beiden Transistoren (Q 1, Q 2) mit 60 Wege auf differentielle Weise abfühlt, so daß die verschiedenen Enden des Speicherdrahts (10) Treiberstörungen im wesentlichen ausgelöscht werverbunden sind und die Zuführung eines Wähl- den. Diese Lösung bedeutet jedoch eine Verschwenstroms zu dem Speicherdraht die Basisspannun- dung an Treiberleistung und erfordert ein sehr sorggen so stark vermindert, daß die Transistoren fältiges Abgleichen der Schaltungselemente in den einen zusätzlichen Stromstoß aus dem Kondensa- 65 beiden Wegen, um die gewünschte Auslöschung zu tor (C) zur symmetrischen Ausgangsschaltung lei- erreichen.

ten, worauf nach Entladung des Kondensators Der noch zu beschreibende erfindungsgemäße Le-

und Rückkehr der Leitfähigkeit der Transistoren severstärker ist jedoch nicht abhängig von abgegli-