DE1638015C3 - Parallelregelschaltung - Google Patents

Description

Aus der Zeitschrift »Tungsram Technische Mitteilungen«, 1963, S. 361, ist eine Parallelregelschaltung bekannt, die eine aus drei nach Art der bekannten Darlington-Schaltung vereinigten Transistoren bestehende Leistungsstufe als Regelstrecke enthält. Diese wird von dem mit einem Arbeitswiderstand beschalteten Kollektor eines Transistors eines unsymmetrischen Differenzverstärkers als Flegelverstärker gesteuert, dessen einer Eingang auf mittels einer Z-Diode erzeugtem konstantem Potential liegt und dessen anderer Eingang am Abgriff eines über der geregelten Gleichspannung liegenden Spannungsteilers angeschlossen ist. Als gemeinsamer Emitterwiderstand des Differenzverstärkers dient ein ohmscher Widerstand.

Aus der Zeitschrift »Scieni ia Electrica«, 1963, S. 86, ist andererseits ein symmetrischer Differenzverstärker mit zwei Verstärkertransistoren und zwei Kollektorwiderständen bekannt, deren gemeinsamer Emitterwider-

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nand aus einem weiteren, mit konstanter llasisspannung u-triebenen Transistor bestellt, dessen Kollektor mit Jen Emittern der Verstärkertransistoren verbunden ist ind dessen Emitter über einen Widerstand i;n einer Hilfsspannung liegt. Die konstante Spannung für die Basis des weiteren Transistors wird durch die Reihenschaltung eines Vorwidoisiuiuls, einer Z-DUkIc und /wcicr I lußdioden erzeugt.

Aus dem Buch von V. J. Kitrpov »Transistoren in Speisegeräten«, Stuttgart 196b, S. K)G, ist eine Serienregelschiiltung bekannt, bei der der Regelvcrstürker aus einem ein/igen Transistor besteht.

Die Referenzspannungsquelle besteht aus einem nur Flußdioden enthaltenden Teil, der /wischen der Basis dieses Transistors und der geregelten Gleichspannung iiegt, und aus einem eine Z-Diode enthaltenden Teil, der zwischen dein Emitter dieses Transistors und dem Schaltungsnullpunkt liegt.

Die Erfindung, die von der eingangs erwähnten LeisUingsstufc ausgeht, den dortigen unsymmetrischen Differenzverstärker jedoch durch den bekannten symmetrischen Differenzverstärker ersetzt und schließlich die oben erwähnte Referenzspannungsquelle benutzt, bezieht sich somit auf eine konstante Gleichspannung erzeugende, insbesondere als monolithisch integriertes Halbleiterbauelement herstellbare Parallclregclschaltung mit einer Leistungssture als Regelstrecke unter Verwendung eines symmetrischen, zwei Kollektorwiderstände und zwei Verstärkertransisioren aufweisenden Differenzverstärkers als Regdvcrstärker, deren gemeinsamer Emitterwiderstand aus einem weiteren, mit konstanter Basisspannung betriebenen Transistor besteht, dessen Kollektor mit den Emittern der Verstärkertransistoren verbunden ist und dessen Emiuer über einen Widerstand am Schaltungsnullpunkt liegt, wobei die Leistungsstufe vom Ausgang des Diffcrcnzvcrstärkers gesteuert ist, ferner unter Verwendung einer aus in Reihe geschalteten Z-Dioden und Flußdioden bestehenden Referenzspannungsquelle, deren einer nur Flußdioden enthaltender Teil einseitig mit dem Schaltungsnullpunkt und deren anderer Teil mit der geregelten Gleichspannung verbunden ist.

Insbesondere bei Realisierung einer solchen Schaltung in monolithisch integrierter Technik tritt die Schwierigkeit auf, daß bei Ausgangsgleichspannungen, die höher als etwa 10 V sind, einige relativ sehr hochohmige Widerstände benötigt werden. Hochohmige Widerstände mit Widerstandswerten von größer als etwa 10 kO sind aber in monolithisch integrierten Schaltungen deshalb ungünstig, weil sie einen zu großen Teil der zur Verfugung stehenden Kristallfläche beanspruchen.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, solche hochohmigen Widerstände zu vermeiden und eine hohe Regelgenauigkeit der Schaltung zu gewährleisten. Diese Aufgabe wird in bezug auf die vorausgesetzte Schaltung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der eine Eingangspol des Differenzverstärkers mit dem anderen Ende des nur Flußdioden enthaltenden Teils der Referenzspannungsquelle und der zweite E'mgangsnol des Diiferenzverstärkers mit dem anderen Ende des anderen Teils der Referenzspannungsquelle verbunden ist, daß die Basis des weiteren Transistors am gemeinsamen Verbindungspunkt zweier Flußdioden des einen Teils der Referenzspannungsquelle angeschlossen ist, daß die miteinander verbundenen kollektorabgewandten Enden der Kollektorwiderstände am Emitter eines zusätzlichen Transistors angeschlossen sind, der mit konstanter Basisspannung betrieben ist und dessen Kollektor am Pol der geregelten Gleichspannung Iiegt, daß der /wischen dem /weilen F.ingaiigspol des Dil'ferenzverslärkers und dem Poi der geregelten ■i Gleichspannung angeordnete andere Teil tier Dioden reihenschaltung aus FTulklioden und /-Dioden besteh], daß die Basis des zusätzlichen Transistors am Verbindungspunkt zweier Dioden des anderen Teils der Diodenreihenschaitung angeschlossen ist und daß der

i" den nur Flußdiotlen enthaltenden Teil tier Diodenreihenschaitung speisende Vorwiderstand ebenfalls am Verbindungspunkt zweier Dioden ties anderen I eils der I >iodenreihensehaltung angeschlossen ist. Die Erfindung gehl hierbei von der Erkenntnis aus,

15, daß 11 er von tier Diodenreihenschaitung gebildete Spannungsteiler mehrfach ausgenutzt werden kann und daß durch diese Mehrfachausnulzung Bauelemente bzw. Ein/elstrukturcn des monolithisch integrierten Baude clients eingespart werden können bzw. daß diese für die Integrierung geeignetere elektrische Kennwerte und damit günstige·rc Abmessungen annehmen können. Außerdem können Z-Dioden und Flußdiodeii auf dem Halbleiterkörper geometrisch günstiger angeordnet werden.

Die Erfindung und Weiterbildungen der F.rfm.'ins; werden nun an Hand der in den Figuren tier Zeichnung tiargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert.

Fig. 1 zeigt eine Parallelregelschalüing unter Anwendung des erfindungsgeniäßen Prinzips; F i g. 2 zeigt eine Weiterbildung der Parallelregelschalutiig nach Fig. t;

Fig.') zeigt eine Weiterbildung der Parallelregelschallung nach F i g. 2 und

F i g. 4 zeigt die Parallelregelschaltung nach Fig. 1, jetloch unter Verwendung einer andersartigen Lci-' stungsstufe.

Fig. 1 zeigt das Schaltbild einer Parallelregelschaltung nach der Erfindung. Die Leistungsstufe LS besieht aus den Transistoren T₆, T₁, T», 7i. Diese Transistoren sind in Form des bekannten Darlington-Verstärkers hintereinandergeschaltet, wobei die Transistoren T₁, Te, T) je einen Emitterwiderstand R7, Rs, R^ besitzen. Die gesamte Schaltung einschließlich der Leistungsstufe LS ist über einen nichtgezeichneten Voi widerstand zwi-

4<i sehen die ungeregelte Spannung und den Schaltungsnullpunkt 0 eingeschaltet, d. h. die Schaltung stellt, wie bei Parallelregelschaltungen üblich, einei Zweipol dar. Der durch den genannten Vorwiderstand fließende Gesamtstrom teilt sich auf den Lastwiderstand, der an tier geregelten Gleichspannung U_g betrieben werden soll, und die Leistungsstufe LS in Abhängigkeit von den S :hwankungen der Eingangsspannung und den Schwankungen des Laststroms auf.

Die Schaltung nach F i g. 1 enthält den weiteren Transistor T4, der den gemeinsamen Emitterwiderstand des Differenzverstärkers DV mit den Verstärkertransistoren Ti, T₂ bildet. Die Basis des Transistors T₄ ist an einer konstanten Spannung angeschlossen, so daß der Transistor einen großen dynamischen Innenwiderstand (Urstromquelle) besitzt. In der Emitterzuleitung des Transistors T₄ ist tier Widerstand Ri angeordnet, dessen emitterfernes Ende am Schaltungsnullpunkt O angeschlossen ist. Zur Erhöhung der Regelgenauigkeit und der Regelgüte ist der Differenzverstärker symmetrisch

(.5 ausgebildet. Es sind daher zwei Kollektorwiderstände Rs, Rb vorhanden.

Die Flußdioden FD_U FD₁,, FD₂, FDj sind zwischen dem einen Eingangspol Λ des Differenzverstärkers DV

und dem Schaltungsnullpunkt 0 angeordnet und werden über den Vorwiderstand W₁. mit Strom gespeist. Die Basis des Transistors Vi ist an einem Punkt der Flußdiodenreihenschaltung angeschlossen, näinlich am Verbindungspunkt der Flußdioden FD₂, FDa. Dadurch wird in bekannter Weise auch erreicht, daß der in den Kollektor des Transistors Vj fließende »Urstrom« nur relativ gering von Temperaturschwankungen beeinflußt wird. Die aus Z-Dioden und Flußdioden bestehende Reihenschaltung wird somit in der Fig. 1 sowohl zur Erzeugung der Referenzspannung für der; Differenzverstärker DV, als auch zur Erzeugung der festen Vorspannung des Transistors Ta verwendet, d. h. diese Reihenschaltung wird in mehrfacher Weise ausgenützt.

Wird der Temperaturkoeffizient des Widerstands Ra geeignet gewählt, was z. B. bei einer Ausbildung von Ra als eine auf der Schaltung durch Aufdampfen oder Aufdrucken aufgebrachte Struktur möglich ist, so läßt sich die Wirkung von Temperaturänderungen auf den Urstrom vollständig kompensieren.

Ein wesentlicher Vorteil für die Integrierung ergibt sich nach der Erfindung dadurch, daß ein zusätzlicher Transistor V5 vorgesehen ist, der die Versorgungsspannung der Kollektorwidcrständc R₅, R_h erzeugt. Er ist mit seinem Emitter am gemeinsamen Anschluß der Kollektorwidcrständc Rs, Rb angeschlossen, während sein Kollektor am Pol der geregelten Ausgangsglcichspiinnung U₁. liegt. Die Basis des Transistors Ti liegt auf festem Potential, und zwar an einem Verbindungspunkt zweier Dioden der Diodcnreihcnschallung, die zwischen dem /weiten Hingangspol B des Differenzverstärkers DV und dem Pol der geregelten Gleichspannung Uf eingeschaltet ist. In F'ig. I besteht dieser Teil der Diodenreihenschaltung aus zwei Z-Dioden ZD\, ZAh und aus zwei Fkißdioden I'D*,, ΙΊ\. Der zweite Hingangspol B licgi ferner über den Widerstand R: am Seluiltungsnullpunkl 0, so daß dieser Teil der Diodenreihenschallung vom erforderlichen Quersirom durchflossen wird.

Die Basis von Transistor Vj. ist am Verbindimgspimki der beiden Dioden ZD₂, /'/>, angeschlossen. Durch diese Maßnahme wird erreicht, daß die beiden Kollektorwiderstände W'„ R₁, - auch bei stromarmem Betrieb für die Integricrung geeignet niederohmige Werte (<: H) kii) annehmen können. Es zeigt sich, daß die Aufteilung der Diodenreihenschallung in vorteilhafter Weise auch /ur Gewinnung der für du· Basis von I rausislor V, benotigten Ik'/.ugsspiiuniing a 11 μ e wen del werden kann.

Die l.cistungsstufe /.,S'wird vom einen Kollektor des Differen/versliirkers, in F ig. I vom Kollektor ties Transistors 7'i< gesteuert, und /war wird die Basis von Transistor Viangesleuert.

Die Anordnung nach Fig. I hat noch weitere Vorteile: Auch der Vorwiderstand W₁, der die I lul.klio dcnketlc l-'l)\, /'7Ai, IDi, I'D\ speist, ist wie der Widerstand W/ relativ iiii'dci'olimig, da ιτ mit dem Finde höheren Potentials am Vcrbindungspunkl der Dioden /Ah. //AÜcgl.

Dadurch wird außerdem erreicht, daß der Kimm durch die /Dioden ZD\, ZAh aus der Summe dor Ströme durch die Flußdiodcnkotten ΙΊ)\ ... ΙΊλ und /·'/''., ΙΊ\, gebildet wird, was dk· Riuisehcigonsehalten der /Dioden bei gegebenem (iesaintstroinverbrauch der Diodenkctleu positiv beeinflußt.

Diese /wi'ipol-Schallunt! hat außerdem die vorteilhafte Eigenschaft, daß durch sie erst ein Strom fließen kann, wenn die an ihren Klemmen stehende Spannung

nahezu den Sollwert der zu regelnden Ausgangsspannung erreicht hat, d. h. diese Parallelregelschaltung besitzt echte Abbruchdioden-Eigenschaft.

Es ist möglich, Z-Dioden- und Flußdiodenkette zu vertauschen, ohne daß die Wirkungsweise der Anordnung, vor allem auch hinsichtlich der Temperatureigenscbaften, ungünstig beeinflußt wird. Allerdings ist es stets unerläßlich, daß das Gleichspannungspotential am Eingang A des Differenzverstärkers ausreicht, den Differenzverstärker in einen geeigneten Arbeitspunkt zu bringen. Es ist lediglich darauf zu achten, daß stets eine solche Anzahl von Z-Dioden und Flußdioden Verwendung findet, daß entweder, wie in den allermeisten Fällen gefordert, sich die Temperaturkoeffizienten gerade vollständig kompensieren oder daß sich ein unerwünschter Temperaturkoeffizient der Ausgangsspannung gerade einstellt.

Eine vorteilhafte Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1 wird entsprechend der in Fig. 2 gezeigten Schaltung dadurch erreicht, daß in die Basiszuleitung des zweiten Transistors T₂ des Differenzverstärkers ein Widerstand Rw eingeschaltet wird und daß zwischen dem Eingangspol B und dem Schaltungsnullpunkt ein Kondensator C angeordnet wird. Der Kondensator C und der Widerstand R\o, die ein WC-Sicbglicd bilden, können ebenfalls in monolithisch integrierter Weise aufgebracht werden und dienen zur Verminderung des Rauschens der Ausgangsspannung. Der Widerstand W₂ ist in diesem Ausführungsbeispiel am basisfernen Ende des Widerstands R\a angeschlossen.

In der Schaltung nach Fig. 2 ist jedoch die Zeitkonstante des Sicbglicds aus folgenden Gründen relativ niedrig:

Der Kapazitätswert monolithisch inlegrierbarcr Kondensatoren ist durch ihren Flächenbedarf auf etwa maximal 200 pi·¹ begrenzt. Der Widerstand Wm darf maximal einen solchen Wen annehmen, daß die an ihm auf Grund des Basisstroms von Transistor T₂ abfallende Spannung wesentlich unter der an einer Flußdiode abfallenden Spannung liegt, da sonst die Regelgenauigkcil der Anordnung ungünstig beeinflußt wird.

Die Anordnung nach Fig. 3 zeigt eine vorteilhafte Weiterbildung, wodurch diese Zeitkonstante erhöhl wird. Vor den Transistor T₂ wird als Ersatz für die llul.Ulioden /■/>„ ΙΊ\ eine I'milterfolgerkette aus ilen Transistoren Vm, l\\ geschaltet.deren Hmiltcrströme in bekannter Weise durch die Widerstände Wn. R\i eingestellt werden können. Der Emitter von Transistor Vn isi mit der Basis von Transistor It verbunden, ebenso der Hiniltor von Transistor Vm mit der Basis von ■Transistor Ί\\. Die Kollektoren der Transistoren Vm und 7'n liegen gemeinsam an der Basis von Transistor V,. Der Widerstand Wn überbrückt Basis und Emitter von Transistor Vn, wahrend Widerstand Wu vom Emitter des Transistors 7'n /um Schaltuiujsnull· punkt 0 führt. Der Widerstand Wn kann auch direkt vom limitier des Transistors Vm zum Soluiltungsnull· punkt υ fuhren,

Der Basisstrom des Transistors Vm kann um etwa zwei Größenordnungen kleiner als der Basissirom des Transistors T₂ gewühlt werden. Damit wird auch der Widerstand Wm und die Zeitkonsiante des Siebglicds WioCum zwei Größenordnungen höher und die Siebwirkuiig für das Rauschen der /.-Dioden steif!! belrikhllieh. Der Absolutwert des Widerstands Wm isl relativ unkritisch, die an ihm abfallende Spannung gering. In der Refereii/diodenkelle übernehmen die

Transistoren 7Ί<>, 7H hinsichtlich der 1 cmpcraturkompensalion die Rolle der beiden Hußdioden /VA. /'VJi, nach I' i g. 2.

[•line vorteilhafte Abwandlung der in den Γ ig. 1 bis 3 angegebenen l'aralleliegelselialiung /eigi die I'ig. 4. Diese Abw aiullung besieht darin, dall die l.cistungssiufe /..S' aus zwei komplementären Transistoren 7Ί.>. 7Ί ι bestellt, die von je einem Kollektor tier I ransistoren 7|. 7j des Differenzverstärkers /Jl angesteuert werilen. daß der Kollektoi ties einen der komplementären Transistoren mit dem Pol der /u regelnden Ausgangsglcichspannung U₁.. und der Kollektor ties anderen der komplementären Transistoren mit dem Schaltungsnullpunkl 0 verbunden ist, daß die limitier tier komplementären Transistoren, gegebenenlalls über einen Widerstand /in, miteinander verbunden sind und daß die dem /weilen llingangspol H des Dilferenzvcrsiärkers zugeordnete I lulkliodenieihensehallung aus den Dioden /'/>,, /VJ₁,um eine llußdiode I-'D; erweitert ist.

Gegenüber den in den Γ ig. I bis i gezeigten l.eistiingsstufen besitzt die l.eistiingssiiile nach Γ i g. A den Vorteil, tlaß sie den Dilleren/v erstärker suiinieirisch belastet. Außerdem benötigt sie nur zu ei Transistoren und somit bei einer Realisierung in monolithisch integrierter Weise wesentlich wcnigei l'latz. Der Witlerstantl /^u, der die limitier der beiden komplementären I ransisioren miteinander verbinden kann, dient der l.inearisiening der l.eisiungssiufe untl kann auüerdem ζικ Strombegrenzung herangezogen w eitlen. Hr ist jedoch nicht unbedingt erlorderlich und kann auch durch einen Kurzschluß ersetzt w eitlen.

Die in die llußdiodenkelie zusätzlich eingeschaltete weitere l'lußdiotie //J,- tlienl dazu, am Ausgang des Dilleren/verstärkers einen ausreichenden Spannungs hub zu gewährleisicn. Der Transistor /Ή isl ein pup I ransisior. Derartige Ί ransisioren lassen sich zusammen mil npn I ransisioren in nionolilhischen I lalhleilerschallimgcn an und lur sich nur schwer realisieren. Diiich ilie I alsache aber, daß tlei Kollekioi um I ransisioi I 11 am negativ si cn I'unk I der Schaltung liegt, kann dieser I ransisior in an sich bekannter Weise als sogcnaniiier Subsii al 11 ausisior ciiilach gebildet w eitlen.

Soll die I .eisiungsstiile Im höhere Siioine bemessen w eitlen, so können, w ie in Γ i g. Ί g es inc he 11 angedeulcl. I uiillei lolgei Ii ansisioien /ii. /1·, den I 1 ansisioreii /ι.·. /1, ν 01 geschähe! w ei de 11. I.s weiden hie 1 bei 11 aiisisio reu Wim gleichen I eiliiugsiv ρ cinaiidei \01geschallci /iisalzhcli isi abet erlorderlich. daß the aus den Nulldiodcu I IK bis l'l>,- besiehciuli· I )iotlenkelle um noch niiiulesiens zwei weitere llußtliotlen /V^. ΙΊΧ eiw eilen w irtl.

l'erner ist es vorteilhall, tlie Basi., des Transistors 7Ί tier l.eisuingsstul'e /..V direkt am Kollektor de; ί zugehörigen Transistors /'> ties Dilfei enzv erstarken anzuschließen, sow ie zw lschen Basis tie-, Transistors 1\ und koliektorseiliges HmIe ties Kollekiorw iderstands R, eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich tie; Kollektorstroms ties Transistors 7', in llußnchtun^

ίο betriebene Dioden /VJi:. /VJn cin/usehallen und fernes tlie Basis ties zum Transistor 7i ι komplemenlärei Transistors 71: über eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorsiroms des Transistors 7"i des Diflerenzverstäi kers in llußrichtiing betrie bene Dioden /VJm, /VJn mit dem Kollektor tie; Transistors 7Ί zu verbinden. In H i g. A sind tliese zusätzlichen Dioden /-7Jm bis /VJi ·, gestrichelt und in tlei angegebenen Weise eingezeichnet.

Die zusätzlichen Dioden gewährleisten, daß die komplementären Transistoren 7"i₃, 7'n der Hcistungsstufe schon bei einer zwischen den Kollektoren dei Transistoren 7Ί. 7} gemessenen Alisgangsspannung, clei Ausgangsdiffcrenzspannung, von O V aufgesteuert werden. Sind die Dioden IDu, bis /VJn dagegen nichl vorhanden, so muß der Differenzverstärker DY eine Ausgangsdifferenzspannung abgeben, die mindestens gleich der Summe tier Hmiiier-Basis-Schwellspannungen tier beiden komplementären Transistoren 71:, 7Ί ist. Dies hat aber zur l'olge, tlaß der Diffcren/verstärkci

.1° schon unsymmetrisch arbeilet, wenn tlie l.eisiungsstufe gerade zu arbeiten beginnt, ti. h. aufgesteuerl wird Durch tliese vorteilhalle Weiterbildung tier lliTintlung wird das s\mmelrische Arbeiten ties Diffeienzverstär kers erreicht, wodurch sich eine optimale Regclgenauig-

J^ keil ergibt, da tier Dillcrenzversiärkcr mit maximalci Verstärkung nur bei vollständiger Sv in metric arbeitet.

Die in Serie geschalteten Dioden wirken hierbei wie Batterien, die auch bei nahezu sv ninieli ischeiii Belriehs zustand ties Dillercnzv ersiarkers dafür sorgen, tlaß the

·)" l.eisiungssiule im aktiven Bereich arbeitet. Hei einei Realisierung tier Regelschaltung als inoiiiliihisch inie grierle lesikoi pci selialliing Irin noch tier wciiere Vorteil aiii, tlaß tlie S\ iimieliie ties DiI I ei cn ζ ν ei si in kers von tier Icniperalui unabhängig ist. da die an den 111

'is Seile geschalteten Dioden ablallciitlen Spannungen und die Basis I niiiici SchwelKpannung der I ransisioi cn tlei I .cisimigssiulc bei geeignclei Bemessung tlei lur die Dioden verwendeten Siriikluieu ties I l.ilbleilci koi pci s tlenselben I einpei alui gang besiizeii.

llieivii y Itliitt /eichiniiij'.en

Claims (1)

1. I'illOlltilM.Njink'lH¹:

   !. I ulic konstante Gleichspannung erzeugende, insbesondere it I s monolithisch integriertes MaIbleiterbauclement herstellbare Para I IeI regelschaltung mit einer l.eistungsstufe als Regelst recke, imier Verwendung eines s\ mmelrischeii, /wei Kollekiorwidcrstande und zwei Verstärkertransisioien aiii· weisenden Dilferenzverstärkers als Regeiveisiarker, deren gemeinsamer Eniiiterwidersiand aus einem weiteren, mit konstanter Basisspannung betriebenen Transistor besteht, dessen Kollektor mit den Emit lern der Veisiärkertransisioren verbunden ist und dessen Emitter über einen Widerstand am Schaltungsnullpunkt liegt, wobei die Leistungsstufe vom Ausgang des Differen/verstiirkers gesteuert ist, ferner unter Verwendung einer aus in Reihe geschalteten Z-Dioden und Fhißdioden bestehenden Referenzspannungsquelle, deren einer nur Flußdiocfen enthaltender Teil einseitig mit dein Schädlingsnullpunkt und deren anderer Teil mit der geregelten Gleichspannung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der eine ungangspol (A) des Dillerenzverstärkers (DV) mit dem anderen Ende des nur Hußdioden (FDu FD_A, FD_:, FDi) enthaltenden Teils der Referenzspannungsquelle und der zweite Eingangspol (B) des Differenzvcrstärkers mit dem linderen Ende des anderen Teils der Referenzspannungsquelle verbunden ist, daß die Basis des weiteren Transistors (T^am gemeinsamen Verbindungspunkt zweier Flußdioclen (FD₂. FDa) des einen Teils der Referenzspannungsquelle angeschlossen ist, daß die miteinander verbundenen kollektorabgewandten Enden der Kollektorwiderstäncle (R₅. R_b) am Emitter eines zusätzlichen Transistors ("TVangeschlossen sind, der mit konstanter Basisspannung betrieben ist und dessen Kollektor am Pol der geregelten Gleichspannung (Ly liegt, daß der /wischen dem zweiten Eingangspol (B) des Differenzverstärkers und dem Pol der geregelten Gleichspannung angeordnete andere Teil der Diodenreihenschaltung aus Flußdioden (T⁷D₅, FD_b) und Z-Dioden ZD_V ZD₂) besteht, daß die Basis des zusätzlichen Transistors (Ts) am Verbindungspunkt zweier Dioden (T⁷D₅, ZD₂) des anderen Teils der Diodenreihenschaltung angeschlossen ist und daß der den nur Flußdioden (FDt, FD₄, FD₂, FDi) enthaltenden Teil der Diodenreihenschaltung speisende Vorwiderstand (R_v) ebenfalls am Verbindungspunkt zweier Dioden (T⁷D₅, ZD₂) des anderen Teils der Diodenreihenschaltung angeschlossen ist (Fig. 1).

   2. Parallelregelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verminderung des Rauschens der Schaltung zwischen dem zweiten Eingangspol (B) des Differenzverstärkers (DV) und dem Schaltungsnullpunkt (0) ein Kondensator (C) angeordnet und daß in die Basiszuleitung des zum /.weiten Eingangspol (B) gehörenden Transistor (T₂) ein Widerstand (ftio/¹ eingefügt ist (F i g. 2).

   3. Parallelregelschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dem zweiten Eingangspol (B) des Differenzverstärkers zugeordneten Flußdioden (T⁷D₁, /⁷DbJ durch eine aus zwei Transistoren (T_w, Γι J bestehende Emitterfolgerkette ersetzt sind (F i g. 3).

   4. Parallelregelschaltung nach Anspruch 2, da-

   durch gekennzeichnet, daß der Widersland (R_w,h\v>, RC -Glieds als verdeck! diffundierter Widerstand ausgebildet ist.

   l>. Parallelregelschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ixistungsstufc (I.S)aus zwei komplementären Transistoren (T\>, l\ 1,·'besieht, die von je einem Kollektor de· Ί ransisioic.i /7Ί, !'<) des Differei.zverstärkers (F>V) an:U'U'iui( sind, daß tier Kollektor ties einen Ολ-ϊ kompleniutiären Transistoren (Tu) mit dem Pol der /11 regelnden Alisgangsgleichspannung und der Kollekior ties anderen der komplementären Transistoren (T₁1) mit dem Schaltungsnullpunkt (0) verbunden ist, daß die limitier der komplementären Transistoren miteinander verbunden sind und daß der andere Teil der Diodenreihenschaltung um eine F i u ßd i od c (7⁷D₇ ) e r w e i t e r t i s 1.

   6. PiirallelreyeMialiung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der komplementären Transistoren über einen Widerstand (R_u) miteinander verbunden .sind.

   7. Parallelregelschaltung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß den komplementären FriMisistoren jeweils mindestens ein in Emitterfolgerschaluing betriebener Transistor (Tw. T^) gleichen Leitungstyps vorgeschaltet ist und tlaß der andere Teil der Diodenreihenschaltung pro gemeinsame Emitterfolgersiufe um mindestens zwei Flußdioden (FD₆. FDq)erweitert ist.

   8. Parallelregelschaltung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des anderen (T_i3)dcr komplementären Transistoren der Leistungsstufe (LS) direkt am Kollektor des zugehörigen Transistors {'!.■) des Differenzverstärkers angeschlossen ist. daß zwischen dem Kollektor und das kollcktorseitige Ende des Kollektorwiderstands (R_b) eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms in Flußrichtung betriebene Dioden (FD<₂, FDm) eingeschaltet sind und daß die Basis des einen (T₁₂) der komplementären Transistoren über eine oder mehrere in Serie geschaltete, bezüglich des Kollektorstroms des zugeordneten Transistors (Ti,)des Differenzverstärkers in Flußrichtung betriebene Dioden (T⁷DiO, FD_n) mit dem Kollektor dieses Transistors (T) verbunden ist.