DE2140509A1 - Leseverstärker - Google Patents
LeseverstärkerInfo
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Description
7223 - 71 Ks/Sö . 2U0509
R C A 62 818
ü. S. Serial N03 63 757
filed: August 14, 1970
HCA Corporation New York, N* T,,V.. St. A.
Ie s everatärke r·
Die Erfindung bezieht sich auf Leseverstärker und betrifft insbesondere
einen Leseverstärker, mit dessen Hilfe aus einem Speicher Informationen gelesen werden können, die aus Lesesignalen
verhältnismässig sehwacher Amplitude bestehen·
Zum Verständnis der mit der vorliegenden Erfindung zu lösenden Aufgabe sei ein Magnetkernspeicher vom Zweidraht - 2 - 1/2 ■*. D
- Typ betrachtet, der zur Zeit in vielen Elektronenrechnern
verwendet wird. Es sei daran erinnert, daß diese Speicher aus einer Matrix von zwei Gruppen senkrecht zueinander verlaufender
Drähte aufgebaut sind, wobei an jedem Kreuzungspunkt von zwei Drähten ein Magnetkern angeordnet ist. Das Einschreiben
einer Information in die Kerne geschieht durch Anlegen von
Stromimpulsen an beide mit dem betreffenden Kern verketteten Drähte, Zum Auslesen der in einem Kern gespeicherten Informa- λ
tion wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst wird ein verhältnisaäasig
langer Stromimpuls durch einen der mit dem Kern
verketteten Drähte geschickt, worauf abgewartet wird, bis die von der Vafderflanke des Impulses erzeugte Störung abgeklungen
ist, hierauf wird ein zweiter Stromimpuls durch den anderen, orthogonalen,mit de« Kern verketteten Draht geschickt,und di·
Spannung aa ersten Draht wird abgeftihlt>
ua festzustellen, ob der Ktrn al« Folge einer darin gespeicherten logischen
"Bins11 ufeaagn· ti eiert wurde oder ob er als Folge einer darin
gespeicherten "Null" nicht ummagnetiaiert wurde·
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Ein bei einest solchen Speicher verwendeter Leseverstärker
liegt mit seinem Eingang an dem Speicherdraht, dem ein Treiberimpuls zur Adressenwahl zugeführt wird. Der Verstärker erfährt daher eine sehr starke Eingangsstörung, von der
er sich erst erholen mu3, bevor er die nachfolgenden sehr schwachen Lesesignale fühlen kann. Diese schwachen Lesesignale sind einem hohen Spannungs-Grundpegel überlagert, der
durch den Wählimpuls erzeugt wird.
Die bisüer bekannten Leseverstärker für Speicher der erwähnten
Art enthalten verschiedene Abgleich- und last- oder Klemmeinrichtungen, 119 die Erholung des Verstärkers von den Auswirkungen der Wählimpulse zu erleichtern. Ein· beliebte Maßnahme besteht in dem Ansteuern oder Treiben zweier gleicher Wege im Speicher, unter denen der eine gewünschte Weg ist, wobei man dann die beiden Wege auf differenzielle Weise abfühlt,
sodafl die Treiberstörungen im wesentlichen ausgelöscht werden. Diese Lösung bedeutet jedoch eine Verschwendung an Treiberleistung und erfordert ein sehr sorgfältiges Abgleichen der
Schaltungselemente in den beiden Wegen, um die gewünschte Auslöschung zu erreichen.
Der noch zu beschreibende erfindungsgemäfle Leseverstärker ist
jedoch nicht abhängig von abgeglichenen oder einander angepaßten Komponenten, er verschwendet keine Leistung in einer
Scheinadressen- oder Syeeetrierleitung und bei ihn sind kein·
Tast- oder Klemaiepulse für die Irholung ader die Grunip·-
gelhaltung erforderlich. D·r Leetveretürktr paflt eich ichntil
an ein· höh· Bifferential-GlaichgpammBf an sein·« Eingang an»
ohne daS Problem· ait der Sät tigunfserholung auftreten, und
•r niaat da· »chwach· L«>«*ie»al au» ein·· Ha«n*tip«ioi*r
zu seiner Differentialverstärkung auf· Saft dpbti entstentnd*
Ausgangeeifnal ist *in T*rstärk*rl«e*iignal, welch·· auf
•in·« niedrigen Gleichspannungep«g*l tob beispielsweise 0 YoXt
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reitet, der von Schwankungen des Gieichstromeihgängspegels
oder von Versorgungsschwankungenunabhängig* ist.'Der Verstärker enthält mindestens einen Eingangstransistor mit
einer Konstantstromquelle und eine derart vorgespannte Aus—"'
gangsschaltung, daß normalerweise am Ausgang im wesentlichen Nullspannung herrscht. Wenn der Speicher angewählt wird,
ändert sich "die"Eingangsspannung des Verstärkers von etwa
der Versorgungsspannung auf einen niedrigen'Wert nahe dem
Massepotential. Dieses hat einen Stromstoß aus einem Kondensator durch die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors ■
zur Ausgangsschaltung zur Folge. Die" Ausgangsschaltung ent-"
hält eine derart gepolte Diode,* daß der Spannungsstoß am :
Ausgang auf einen niedrigen Wert"nähe dem Maesepotential geklemmt wird. Nach der Entladung des Kondensators kehrt der
Strom im Transistor auf seinen normalen Wert zurück, und der
Verstärker befindet sich in einem Zustand, wo er ein Lesesignal
aus dem Speicher voll verstärkt. Eine bevorzugte Ausführungsform des Verstärkers enthält zwei Transistoren entgegengesetzten
Leitungstyps in symmetrischer Schaltung.
Die Erfindung war d nachstehend ausführlich anhand der Zeichnungen erläutert.
Figur 1 ist ein Schaltbild eines erfindungsgemäflen Leseverstärkers
und zeigt den Teil eines Magnetkernspeichersfan
welchem der Eingang des Verstärkers liegtJ
Figur 2 zeigt eine andere Ausführungsform eines Teils der
Schaltung nach Figur 1;
Figur 3 ist ein vereinfachtes Schaltbild, welches die Grundelemente des Lesöverstärkers zeigt} .
Figur 4 zeigt den Verlauf verschiedener Spannungen und Ströme, auf die bei der Erläuterung der Funktionsweise der Erfindung
Bezug genommen wird· 20 9808/1751
.■.-.-:■■-■ - 4 -
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Anhand der Figur 1 wird nun die Erfindung ausführlicher beschrieben.
Die Leitung 10 ist ein Draht in einem Magnetkernspeicher, der mit mehreren Magnetkernen 11 verkettet ist*
Die dazu senkrechten Drähte, die ebenfalls mit den Kernen verkettet sind,sind in der Zeichnung fortgelassen. Während
des Leseteils des Speicherzyklus wird ein Strom durch den Speicherdraht 10 geschickt, der vom Anschluß +V über einen
Widerstand 12, einen Leseschalter 13, eine Diode 14, den
Speicherdraht 10, die Diode 15f den Leseschalter 16 und einen
Widerstand 17 zum Anschluß - V fließt. Während des Schreibteils des Speicherzyklus fließt ein Strom in umgekehrter
Richtung aus dem Anschluß +V über den Widerstand 18, den Schreibschalter 19, die Diode 20, den Speicherdraht 10, die
Diode 21* den Schreibschalter 22 und einen Widerstand 23 zum
Anschluß -V, Alle symbolisch eingezeichneten Schalter sind durch Transistorschaltungen realisiert, die einen Teil einer
Speicherdraht—Wähleinrichtung bilden. Die Eingangsklemmen 24 und 25 eines Leseverstärkers sind mit den entgegengesetzten Enden des Speicherdrahts 10 über gesonderte Leseschalter
13 und 16 verbundene Da die Leseschaltei J 3 und Ib normalerweise geöffnet sind, Bind die normalerweise an den VerstärkGreingaugsklemmen
24 und 25 liegenden Spannungen et v/a gleich den Yersorgungßspannungen +V bzw« -V«,
Der·Leseverstärker enthält einen ersten pnp-Transietor Ql
und einen zweiten Transistor .Q2 vom entgegengesetzten Lei—
tunßstyp,"also vom npn-Typ, Durch die beiden Transistoren
kann ein Oerienntrom fließen,, und zwar vom Anschluß -i-Y durch
den Widerstand H lf die Kmitter-Kolleitt-or-Eir^cke des Transistors- Q lf eine Ausgangsr>chaltun;:: mit dein Widerstand K und
der Diode I)s die Kollelctor-ümitter-ntroclff1 des TranGiotorf-Q2
und den Widorrtanu A 5 au einen* AncchluiB. ·=»¥ der Yersor-
c K-i« h\iBi:-3U^i-i\ch&l tuii^ enihalt ■ auscerdc^i einen
M&som&Fm ' - bad
- 5 - . 2H0509-
Widerstand R 6, der zwischen dem Kollektor des Transistors
Q 1 und einem Anschluß -V liegt, sowie einen Widerstand R 2, der den Kollektor des Transistors Q 2 mit einem Anschluß +V
verbindet. Die Kollektoren der Transistoren Q 1 und Q 2 liegen an den Eingängen eines vergleichers 30, der eine einzige
Ausgangsklemme 32 aufweist*
Mit dem Transistor Q 1 ist aber die V/iderstände R 7 und R 9
ein Transistor Q 3 zusammengeschaltet, wodurch der Widerstand
R 1 wie eine Konstanbsfcromquelle für den Transistor Ql wirken
soll, Die Transistoren Q 1 und Q 3 seien auf irgend eine bekannte V/eise zusammengeschal bet, um einen im wesentlichen (|
konstanten Strom an die obere Seite oder den Ausgangsanschluß
40 der Ausgangsschaltung zu liefern» Auf ähnliche Weise ist
mit dem Transistor Q 2 über die Widerstände R 8 und A 10 ein
Konstanfcstromtransistor Q 4 zusamüiengeschalfcet, womit ein im
wesentlichen konstanter Strom zur unteren Seite oder zum Ausgangsanschluß 42 der Ausgangsschaltung geliefert wid«
Zwischen dem Emitter des Transistors Q 1 und dem Emitter des' Transistors Q 2 liegt ein Kondensator C« Die Basis des Transistors
Q 1 ist über eine Diode D 3 an die eingangsklemme 24
des Verstärkers angeschlossen, während die Basis des Transistors
Q 2 über eine Diode D 4 mit der Eingangsklemme 25 *
verbunden ist. Die Basiselektroden der Transistoren Q 1 und Q 2 sind normale rweise auf eine Spannung nahe der Versorgungsspannung
+V bzw« «V mittels eines Netzwerks aus den Widerständen
H 11, £ 12 und R 13 vorgespannt, Die Dioden D 3 und D 4 sind vorgesehen, um die Transistoren von den Eingangsklemmen
während einer Phase des Bstriebszyklus abzutrennen,
die ansonsten einen Emitter-Basis-Durchüruch in den Transistoren
-Q 1 und Q 2 zur Folge hätte. Diese Phase dee Speicherzyklus
liegt zwischen dem SchreiD- und dem Leseteil des Zyklus,
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"'0 QAB
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Man erkennt, da3 die Schaltung; nach Figur 1 symmetrie cn aufgebaut
ist, wobei der Spannungspol +V am oberen Ende des Schaltbildes Über den pnp-Transisbor Q 1, eine symmetrische
Ausgangsschaltung und über den npn-Transistor Q 2 mit dem
Pol -V der Versorgungsspannung verbunden is t, An den Punkten
in der Mitte der Schaltung zwischen den Polen +V und -V liegt Nullspannung oder Massepobential* Die Schaltung nach Figur
ist eine bevorzugte Ausführungsform, es kann jedoch auch, wie in Figur 2 gezeigt ist, ein Masseanschluß vorgesehen sein.
An die Stelle der Bauelemente R 12, C, R und ΰ gemäß Fijur
treten bei der Ausführungsform nach Figur 2 die die Teilwiderstände 11*12, die 'Teilkapazitäten C, die Teilwiders bände
R und die Teildioden D, deren gemeinsame Anschlüsse jeweils mit Masse verbunden sind»
Die Schalt ung nach Figur 1 wird deshalb bevorzugt, weil sie eine zusätzliche Unterdrückung von Gleichtakt-Einöa.ngsstörungen
bringt, mehr als wenn die mittlere Kasseverbindung gemäß Figur 2 vorhanden ist, uie Funktionsweise der Schaltung nach Figur 2 ist jedoch etwas leichter zu erklären, weil
die obere und die untere Hälfte der Schaltung deublich äquivalent
sind und in der gleichen Weise, jedoch mit entgegengesetzten
Polaritätsänderungen arbeiten, Die obere Hälfte der Schaltung nach Figur 2 ist in vereinfachter Forai in Figur
3 noch einmal dargestellt, um den Betrieb der Schaltungen nach i'igur 1 und 2 besonders deutlich erläutern zu können.
Die Arbeitsweise der Erfindung wird nun anhand der Figuren 1 und 3 und anhand aer Kurven nach Figur 4 beschrieben*
Figur 4 a zeigt einen Stroaverlauft mit welchem der(in Figur
1 nicht "gezeigte) orthogonale öpeicherdraht während des
Lesetöils und des Jehreibteils eines vollständigen Opeicherzyklus
beaufschlagt wird. Figur 4 b zei^t den Verlauf des
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BAD ORiQtNM.
2 HO 5
durch den Speicheraraht 10 nach Figur 1 geschickten Stroms.
Figur 4 c zeigt die Spannung am Basiseingang des Transis-
tors Q 1 nach Figur 3 während der Gehreib- und Leseauschnitte
eines 3peicherzyklus.
In Fi. ur 4 c ist zu erkennen, daß die Basiseingangsspannung
am Transistor Q 1 normalerweise und anfänglich zum Zeitpunkt t annähernd gleich ist der Versorgungsspannung +V, Der Transistor
Q 1 ist im Normal- oder Nennbetrieb leitend" und führt einen Strom von 2 oder 3 Milliampere, der hauptsächlich von
der Stromquelle I bestimmt wird. Der Strom ist schwach, weil Emitter und Basis des Transistors Q 1 nahezu auf gleichem
Potential liegen. Der Kondensator C wird auf eine Spannung über Ilasßepotential aufgeladen, die etwa gleich der Versörgungsspannung
ist,, Der Konstantstrom aus dem Transistor Q 1
in Figur 3 fliegt in die Ausgangsschaltung, die den mit dem
Spannungspol -Y verbundenen .Widerstand R 6 enthält. Der Widerstand
Λ b ist so bemessen, daß er als Stronrsenke bzw. Quelle
wirkt, die den gleichen Stroinbetrag ziehts wie er von
der Stromquelle I geliefert wird« Die Widerstände R 6 und Rf
sind so proportioniert, daß die Gleichspannung an der Ausgangskleame
40 nahezu gleich Massepotential ist. Zusammengefaßt sei gesagt, daß zur Anfangszeit t der Basiseingang
des Transistors Q 1 auf annähernd +V liegt und an der Ausgangski
emme 4Ü im wesentlichen 0 Volt liegen«
Zum Zei tpunkt t" erscheint die Vorderflanke 50 des Wähl —
oder Treiberstromirapulses (Kurve 4 b) am Speicherdraht 10»
Dies hat ein sehr steiles Abfallen der Spannung zur'Folge,
die vom Speicherdraht an den Basiseingang des Transistors
Q 1 fiele...;i v/ird, wie es bei 52 in der Kurve 4 c gezeigt ist«
Die 3pi'iumri,-r am Emitter des Transistors Q 1 folgt dem Abßinken-uc-r
.^anuun; an der Barde diere.p Transistor^« Die
Folge ist ein Stromstoß aus dem. aufgeladenen. Kondensator G
durch den Transistor zur Ausgangsschaltung. Der vom Kondensator
kommende Stromstoß, der bei 24 in der Kurve 4 d gezeigt
istr bewirkt ein Ansteigen der Spannung am Widerstand.
H* über die Schwellen spannung der Diode D* , so. daß der größte
Teil des Stromstoßes durch die Diode D nach Masse fließt.
Die Spannung, am Ausgang, 40 wird somit von der Diode D auf
dem bei 56 in der Kurve 4 e gezeigten Wert gehalten* Der erwähnte
Stromstoß läßt einen Maximal strom von. 50· bis 10Q1 Milliampere
durch den Transistor fließen.»
Nachdem der Stromstoß aus dem Kondensator C durch den. Transistor
Q 1 und die Diode D nach Masse geflossen ist» kehrt
der Strom durch den Transistor Q 1 auf seinen nominellen Konstantwert
von etwa 2 bis 3 Milliampere zurück. Die Spannung am Ausgang 40 fällt dann bei 58 auf ihren normalen Viert nahe
dem Massepotential zurück. Der tatsächliche normale Gleich— spannungswert am Ausgang 40 wird hauptsächlich von den Werten
der Widerstände R1 und R 6 bestimmt.
Zum Zeitpunkt t„ erscheint die Vorderflanke des dem orthogonalen
Speicherdraht zugeführten Treioerstromimpulses, wie es bei 60 in Figur 4 a gezeigt ist. Die Wirkung des Treiberstroms
nach Figur 4 a addie rt sich dann mit der Wirkung des Treiberstroms nach Figur 4 b in dem mit beiden Drähten
verketteten Magnetkern, sodaß dieser Kern umklappt, wenn er im Speicherzustand "1" war. Das Umklappen des Kerns induziert
ein Lesesignal im Speicherdraht 10, welches zum Basiseingang des Transistors Q 1 gelangt. Das dort empfangene
Lesesignal hat eine Polarität, welche die Leitfähigkeit des Transistors Q 1 zu vermindern trachtet, und erzeugt ein ins
Negative gehendes Signal am Ausgang 40, wie es bei 62 in Figur 4 e gezeigt ist. Das verstärkte Lesesignal am Ausgang 40
ist ein auf das Massepotential bezogenes Signal, obwohl die
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Eingangsspannung an der Basis des Transistors Q 1 nun von
der anfänglichen Spannung +V auf einen vernaltnismässig
niedrigen Wert über Masse geändert wird. Das Lesesignal am Ausgang 40 wird zum Zeitpunkt t_ zu einem (nicht gezeigten)
Flipflop durchgelassen, welches die aus dem Speicher herausgelesene
Informationseinheit festhält.
Zum Zeitpunkt t. licxrt der dem Speicherdraht 10 zugeführte
Treiberstrom auf r wie es bei 64 in Figur 4 a gezeigt ist,
wodurch die Eingangsspannung an .der Basis des Transistors Q 1 schnell bia auf den Wert +V ansteigt, wie ep bei 66 in
Figur 4 c gezeigt ist. Die Eingangespannung bleibt dann für
die Dauer.des Schreibteils des Speicherzyklus auf dem Wert
+V, wie bei 68 in Figur 4 c gezeigt. Die Spannung am Kondensator
C steigt jedoch langsam an, da aus der Quelle I Strom in den Kondensator fließt. Die allmählich ansteigende Spannung
am Kondensator c' ist durch die gestrichelte Linie 70 in Figur 4 c gezeigt. Der Kondensator C hält die Emitter-Spannung
niedriger als die Basiseingangsspannung, sodaß der Transistor Q 1 gesperrt wird und während des ganzen Schreibteils
des Speieherzykius in seinem nicht leitenden Zustand gehalten wird.
Während des Schreibteils des Speicherzyklus, wenn der Transistor
Q 1 gesperrt ist, fällt die Spannung am Ausgang 4o auf einen niedrigen-tfsrt 72 unterhalb Masse,der durch die
Spannungsteilerwirkung der zwischen Masse und dem Anschluß
-V geschalteten Widerstand© H und. H 6 bestimmt x?irdo B@r
Verstärker ist dann am End© d©s Schreibteile des Speicherzyklus
in einem Zustande wo ®f mi& ä©m Laseteil &®e nächstfolgenden Spsicii©!·zyklus beginnen-teaas« Di© tatsächliche^
Spamraageii an Terschisdensn Punkten dar Seiialfeung am Ende
eines Spei eher zyklus hängt von d©r forgescMcfet® der SpeioiiQf
zugriff θ ab. Beispiel sw©is© häagfc der War I9 bis auf den
dor Kondensator ara Esid© ©ines Speishorsyklus- aufgeladen wird
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von der Strommenge aus der Quelle I in Fi^ur 3* dem Kapazitätswert
des Kondensators Gr der Einäargsspannung zum Zeitpunkt
t. nach Figur 4 und von der Zeitdauer des Schreioteils
des Speicherzyklus ab.
Die vorangegangene Beschreibung des Betriebs der vereinfachten
Schaltung nah Figur 3 gilt auch für den Betrieb der oberen
Hälfte der Schaltungen nach Figur 1 und 2. In den symmettrischen
Schaltungen nach Figur 1 und 2 sind die Basiselektroden der Transistoren Q 1 und Q 2 mit entgegengesetzten Enaen des
Speicherdrahts 10 verbunden. Das Umklappen eines eine wlw
speichernden Kerns induziert ein Lesesignal im Speicherdraht 10, welches in entgegengesetzten dichtungen mit entgegengesetzten
Polaritäten zu den Basiseingängen der Transistoren Q 1 und Q 2 läuft.
Die den Basiselektroden der Transistoren Q 1 und Q 2 züge—
geführten Lesesignale entgegengesetzter Polarität vermindern die Leitfähigkeit der beiden Transistoren Q 1 und Q 2 und erzeugen
ein ins Negative gehendes Signal am Ausgang 40 und ein ins Positive gehendes Signal am Ausgang 42. Das verstärkte
Lesesignal am Ausgang 32 des Vergleichers hat eine Amplitude, die der Differenz zwischen dem in der oberen Hälfte der Schaltung
und dem in der unceren Hälfte der Schaltung erzeugten Signal
gleich ist. Jede Hälfte der Schaltung trägt zu dem Ausgangssignal bei. Gleichtaktstörungen werden jedoch infolge
der symmetrischen Differentialanordnung wirksam unterdrückt.
Der in Figur 1 gezeigte Vergleicher 30 ist eine übliche
Schaltung zur Erzeugung einer nl" am Ausgang, wenn das vom
Anschluß 40 kommende Eingangssignal negativer ist als das vom Anschluß 42 kommende Signalf und zur Erzeugung einer M0"
am Ausgang, wenn der Anschluß 40 positiv gegenüber dem Anschluß 42 ist* Wenn der Verstärker genau abgeglichen istg
sind die Spannungen an dan Anschlüssen. 40 und 42 beide Q1
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wenn am Eingang des Verstärkers eine 11O" liegt. Zur Erzeugung
einer Schwelle, die das ein^angsseitige Lesesignal überschreit
en muß, bevor der Vergleichelausgang eine "1" liefert, ist es zweekmässig, die //iderstände R 6 und R 2 bezüglich
der Stromquellen so zu besessen, dai3 normalerweise ein kleiner
Strom durch den Viiderstand R fließt und an ihm eine Spannung erzeugt, die den Anschluß 40 normalerweise etwa 100 bis
200 Millivolt positiver als den Anschlu3 42 spannt. Diese Schwelle muä überschritten werden, bevor der Vergleicherausgang
von "0" auf "1" übergeht.
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Claims (4)
- 7223-71 2H0509Al,Patentansprüche. '\J Leseverstärker mit einer Eingangsklemme, einem Kondensator und einer Ausgangsschaltung, die eine Ausgangsklemme und eine Klemmdiode enthält, und mit einem Transistor, dessen Basis mit der Eingangsklemme und dessen Kollektor mit der Ausgangsschaltung und der Klemmdiode verbunden ist und der so vorgespannt ist, daß in seiner Emitter-Kollektor-Strecke Strom fließen kann, dadurch gekennzeichnet, daß ein Anschluß des Kondensators (C) mit dem Emitter des Transistors (Ql) verbunden ist und daß ferner eine mit dem Emitter des Transistors gekoppelte Konstantstromquelle (Rl, R9, R7, Q3) vorgesehen ist, die den Transistor normalerweise stromleitend macht, den Kondensator auflädt und die Ausgangsschaltung mit im wesentlichen konstantem Strom versorgt, wobei der Strom aus der Konstantstromquelle normalerweise die Ausgangsschaltung auf Nullspannung hält.
- 2. Leseverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine solche Ankopplung der Eingangsklemme (24) an einen Speicherdraht (10) eines Speichers, daß die Zuführung eines Wählstroms zum Speicherdraht eine starke Spannungsänderung von einem Versorgungsspannungspegel(+V) auf einen niedrigen Spannungspegel erzeugt, auf die ein schwaches Lesesignal folgt.
- 3. Leseverstärker mit Eingangskieminen, einem Kondensator, einer symmetrischen Ausgangsschaltung, die Ausgangsklemmen für eine Differenzspannung und eine derart gepolte Klemmdiode enthält, daß die an den Ausgangsklemmen auftretende— 2 «■ 209808/17512U0509Differenzspannung begrenzt wird, sowie mit zwei Transistoren, deren Basiselektroden jeweils mit einer zugeordneten Eingangsklemme verbunden sind und deren Kollektoren jeweils mit einer zugeordneten Seite der symmetrischen Ausgangsschaltung verbunden sind, d a d u r c h gekennzeichnet, daß der Kondensator (C) zwischen die Emitter der beiden Transistoren (Ql, Q2) geschaltet ist und daß die beiden Transistoren vom entgegen-. gesetzten Leitungstyp (pnp, npn) sind und daß ferner eine . Spannungß- und Stromversorgung vorgesehen ist, die die Transistoren normalerweise etromleitend macht, den Konden- ( sator auflädt, an die Ausgangsschaltung Konstantströme lie- x fert und an den Differenzspannungeauegängen (40, 42) im wesentlichen Nullspannung erzeugt.
- 4. Leseverstärker nach Anspruch 3» gekennzeichnet durch eine solche Ankopplung an einen Speicher, daß die Zuführung eines Wählstroms zu einem Speicherdraht (10.) des Speichers starke Spannungsänderungen von den positiven und negativen Versorgungsspannungspegeln (+V, -■ V) auf niedrige Spannungspegel erzeugt, worauf ein schwaches Lesesignal folgt, wobei die Basiselektroden der beiden Transistoren (Ql, Q2) mit verschiedenen Enaen des Speicherdrahts (10) verbunden ' sind und die Zuführung eines V/ählstroms zu dem Speicherdraht die Basisspannungen so stark vermindert, daß die Transistoren einen zusätzlichen Stromstoß aus dem Kondensator (C) zur symmetrischen Ausgangsschaltung leiten, worauf nach Entladung des Kondensators und Rückkehr der Leitfähigkeit der Transistoren auf den iiormalwert und Rückkehr der Ausgangsdifferenzspannung auf nahe Null das Erscheinen eines Lecesignals an den Basiselektroden der Transistoren ein Verstärkersignal an den Differenzspannun^sausgängen (40, 42) erzeugt.209808/1751eerseite
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