DE2136134A1 - Gasentladungsanzeige- und Speicherfeld mit niedrigeren Betriebsspannungen erhöhter Gleichmäßigkeit - Google Patents

Description

PATENTANWÄLTE

»b.ing. H. NEGENDANK · dipl-ing. H. HAUCK · dipl.-phys. W. SCHMITZ

HAMBURG-MÜNCHEN

ZPSTKILUNGSAMSCHRIFI; HAMBURG 86 · NEUER WALL 41

TEL. 3 0 74 3» UND 36 41 10

TEI.KGR. NEGEDAFATENT HAMBURG

„_._. . ,. MÜNCHEN 15 ■ MOZARTSTR. 29

Owens-Illinois Inc.

^TEI"^EGR·

Toledo. Ohio 45601/USA

Hamburg. 19> Juli 1971

Gasentladungsanzeige-und Speicherfeld mit niedrigeren Betriebsspannungen erhöhter Gleichmäßigkeit

Die Erfindung bezieht sich auf neue Mehrfach-Gasentladungsanzeige- und Speicherfelder, die ein elektrisches Speicherver&ögen haben und die fähig sind, eine Sichtanzeige oder die Darstellung von Daten, wie Zahlen, Buchstaben, Fernsehbilder, Radarfttlder, Binärwörter usw. zu erzeugen. Insbesondere betrifft die Erfindung neue Gasentladungsanzeigeußd Speicherfelder Bit wesentlich verminderten und gleichmäßigeren Betriebsspannungen; d.h. Betriebsspannungen, welche im wesentlichen stabil sind als eine Funktion der Feldbetriebszeit. Der Ausdruck Spannung, wie er hier gebraucht ist, umfaBt jede Spannung, die zum Betreiben des Feldes erforderlich ist, einschließlich Zünd- und Brenn-Spannungen sowie irgendwelche andere Spannungen zur Handhabung der Entladung. Hehrfach-Gasentladungsanzeige- und Speicherfelder der Art, auf

- 2 2G9826/086S

die die Erfindung gerichtet ist, sind gekennzeichnet durch ein ionisierbares Gasmedium, gewöhnlich ein Gemisch von mindestens zwei Gasen bei geeignetem Gasdruck, in einer schmalen Gaskammer oder einem Raum zwischen einem Paar sich gegenüberstehender Ladungsspeicherkörper, die mit Leiterkörpern (Elektroden) hinterlegt sind; die Leiterkörper hinter federn dielektrischen Körper sind transversal angeordnet, um eine Vielzahl von diskreten Entladungsvolumina festzulegen und eine Entladungseinheit zu bilden. Bei einigen bekannten Entladungsfeldern sind die Entladungseinheiten zusätzlich durch umgebende oder begrenzende körperliche Strukturen, wie durch Zellen oder Öffnungen in perforierten Glasplatten und dergleichen genau bestimmt, so daß sie körperlich von den anderen Einheiten isoliert sind. In federn Fall, mit oder ohne begrenzende Strukturen, werden Ladungen (Elektronen, Ionen), die nach Ionisierung des Gases in einer ausgewählten Entladungseinheit, wenn geeignet wechselnde Betriebspotentiale an die Leiter angelegt werden, erzeugt, auf den Oberflächen des Dielektrikums an bestimmten festgelegten Orten gesammelt und bauen ein elektrisches Feld auf _f das dem elektrischen Feld entgegengesetzt ist_r welches sie geschaffen hat, so daß die Entladung für die restliche Halbperiode beendet ist und zum Zünden oder Entladen bei der folgenden entgegengesetzten Halbperiode der angelegten

2ÖS&2S/0865

Spannung beitragen; solche Ladungen bilden, wenn sie gespeichert werden, ein elektrisches Gedächtnis.

So verhüten die dielektrischen Schichten den Durchgang leitender Ströme von den Leiterkörpern zum gasförmigen Medium und dienen als Sammeloberflächen für ionisierte Ladungen des gasförmigen Mediums (Elektronen, Ionen) während der aufeinander folgenden Halbperiode der Wechselbetriebspotentiale. Solche Ladungen sammeln sich erst auf einem elementaren oder diskreten dielektrischen Oberflächengebiet und dann auf einem gegenüberliegenden elementaren oder diskreten dielektrischen Oberflächengebiet bei aufeinander folgenden Halbperioden und bilden ein elektrisches Gedächtnis. Ein Beispiel für eine Feldstruktur mit nicht körperlich getrennten oder offenen Entladungseinheiten ist in der US-Patentschrift 3 499 offenbart.

Ein Beispiel für ein Feld mit körperlich isolierten Einheiten ist in dem Artikel D. L. Bitzer und H. G. Slottow "The Plasma Display Panel - A Digitally Addressable Display With Inherent Memory¹¹, Proceeding of the Fall Joint Computer Conference, IEEE, San Francisco, California, Nov. 1966, S. 541-547, beschrieben.

209826/0865

eicoi-i;·:.;!·;-:.-! am iü

Bei Betrieb des Feldes wird ein kontinuierliches Volumen ionisierbaren Gases zwischen einem Paar dielektrischer Oberflächen, die von Leiteranordnungen hinterlegt sind, die Matrixelemente bildend, begrenzt. Die Kreuzleiteranordnungen können orthogonal zueinander angeordnet sein (aber auch jede andere Konfiguration der Leiteranordnungen kann verwendet werden), um eine Vielzahl von sich gegenüberliegenden Paaren von Ladungsspeichergebieten auf den Oberflächen der das Gas einschließenden dielektrischen Körper festzulegen. So wird bei einer Leitermatrix mit Η-Zeilen und C-Spalten die Zahl der elementaren Entladungsvolumina das Produkt von HxC sein und die Zahl der elementaren und diskreten Gebiete wird das Doppelte der Zahl der elementaren Ladungsvolumina sein.

Das Gas ist ein solches, das Licht erzeugt (wenn Sichtanzeige ein Merkmal ist) und während der Entladung reichlich Ladungen (Ionen und Elektronen) liefert. In einem Feld, wie in der schon erwähnten US-Patentschrift 3 449 beschrieben, reichen Gasdruck und elektrisches Feld aus, die bei Entladung entstandenen Ladungen in den elementaren oder diskreten Gasvolumina zwischen gegenüberstehenden Paaren elementarer oder diskreter dielektrischer Gebiete innerhalb des Umfangs solcher Gebiete zu begrenzen, insbesondere in einem Feld mit nicht isolierten Einheiten.

209826/0865

ewf-i^iron iiffl α-, A4.φ

2136734

Wie in der eben erwähnten US-Patentschrift beschrieben, ist der von Gas erfüllte Raum zwischen den dielektrischen Oberflächen so, daß Photonen, die auf Entladung in einem ausgewählten oder elementaren Gasvolumina gebildet sind, das Gasraum frei passieren können und auf die Oberflächengebiete des Dielektrikums, die von den ausgewählten diskreten Volumina entfernt sind, auftreffen; solche entfernten dielektrischen Oberflächengebiete, auf die Photonen aufschlagend, senden dadurch Elektronen aus und schaffen in anderen und noch entfernter·liegenden elementaren Volumina die Voraussetzungen für Gasentladungen bei einem gleichbleibenden angelegten Potential.

Mit Bezug auf die Gedächtnisfunktion eines gegebenen Entladungsfeldes hängt der zulässige Abstand od-er Raum zwischen den dielektrischen Oberflächen u.a. von der Frequenz der Wechselstromquelle ab, wobei der Abstand bei höheren Frequenzen größer sein kann.

Während die bekannten Gasentladungsvorrichtungen außerhalb angeordnete Elektroden zur Auslösung einer Gasentladung aufweisen, manchmal als ^welektrodenlose Entladung¹* bezeichnet, benutzen diese Vorrichtungen Frequenzen und Abstände oder Entladungsvolumina und Betriebsdrücke der Art, daß, obwohl Entladungen in dem Gasmedium ausgelöst

- 6 209826/086B

werden, solche Entladungen unwirksam sind oder zur Ladungsbildung und Speicherung wie bei der vorliegenden Erfindung nicht ausreichen.

Der Ausdruck "Speichergewinn" ist hiern definiert als

S.G. = V_f- V₈

worin V- die Größe der angelegten Spannung, bei welcher eine Entladung in einem diskreten, in den entsprechenden Zustand gebrachten (conditioned, wie in der oben erwähnten US-PS 3 499 167 erklärt) Gasvolumen, das durch gemeinsamen Gebiete sich überdeckender Leiter begrenzt wird, und V die Größe der niedrigsten angelegten periodischen Wechselspannung, die zum Brennen einer einmal gezündeten Entladung ausreicht, bedeuten. Es ist ™ so zu verstehen, daß das elektrische Grundphänomen, das in dieser Erfindung ausgenutzt wird, die Bildung von Ladungen (Ionen und Elektronen) ist, die nacheinander an Paaren sich gegenüberstehender oder zugekehrter diskreter Punkte oder Gebiete auf einem Paar dielektrischer Oberflächen, die von mit einer Betriebsspannungsquelle verbundenen Leitan hinterlegt sind, gespeichert werden. Solche gespeicherten Ladungen resultieren in einem elektri-

- 7 209826/0865

sehen Feld, das dem Feld, das durch die angelegte Spannung erzeugt ist und welches sie geschaffen hat, entgegengesetzt ist und bewirkt daher die Beendigung der Ionisation in dem elementaren Gasvolumen zwischen den sich gegenüberstehenden oder einander zugekehrten Punkten oder Gebieten der dielektrischen Oberfläche. Der Ausdruck "Brennenlassen¹¹ bedeutet die Erzeugung einer Folge von kurzzeitigen Entladungen, eine Entladung für jede Halbperiode angelegter wechselnder Brennspannung, nachdem das elementare Gasvolumen gezündet worden ist, um die aufeinander folgende Speicherung von Ladungen an Paaren gegenüberstehender diskreter Gebiete auf den dielektrischen Oberflächen aufrechtzuerhalten.

Es ist nun überraschend gefunden worden, daß die Höhe der Betriebsspannung des Gasentladungsfeldes wesentlich vermindert und die Stabilität oder Gleichmäßigkeit solcher Spannung als Funktion der Betriebszeit des Gasentladungsfeldes außerordentlich erhöht und verbessert werden kann, indeffl 4uf4ie Ladvttigsßpeicherflachen des dielektrischen Materials eine erste Schicht «ines Oxyds, ausgewählt aus der Gruppe Aluminium, Titan, Zirkon, Hafnium und Silizium, und eine zweite Schicht aus Bleioxyd aufgebracht wird. Insbesondere wird auf die dielektrischen Ladungsspeicheroberflächen eine erste Schicht aus mindestens einem Oxyd der Elemente Al, Ti, Zr, Hf und Si und darauf eine zweite Schicht aus Bleioxyd aufgebracht, so daß die Betriebs-

209826/0865

— O —

-8- 2)36134

spanntmgen des Gasentladungsfeldes wesentlich vermindert werden,und sich über eine gegebene Feldbetrieszeitperiode nicht merklich ändern oder schwanken, wodurch die Wirksamkeit und die Lebensdauer des Gasentladungsfeldes verbessert wird.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird ) mindestens eine der Oxydschichten direkt auf die Oberfläche des dielektrischen Materials aufgebracht.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird mindestens eine der Oxydschichten in situ auf der dielektrischen Oberfläche gebildet, z. B. durch Aufbringen des elementaren Metalls oder Metalloids (oder einer Qjelle davon) auf die dielektrische Oberfläche und anschließendes Oxidieren. Ein solches in-situ-Verfahren umfaßt das Auf_fc bringen des geschmolzenen Metalls oder Metalloids auf die dielektrische Oberfläche und Oxidieren der Schmelze während sie sich abkühlt .Ein aüeres in-situ-Verfahren besteht im Aufbringen einer Quelle für das Metall oder das Metalloid auf die Oberfläche. Beispiele für solche oxidierbaren Quellen sind Minerale und/oder Verbindungen, die das Element enthalten, insbesondere Organometall- oder Organometalloid-Verbindungen, welche durch Wärme schnell zersetzt oder pynolisiert werden.

209826/0865

Jede Oxydschicht (oder eine Quelle davon) wird auf irgendeine bekannte Weise aufgebracht, z.B. durch Dampfabscheidung, Vakuumabscheidung, Aufsprühen einer Mischung oder Lösung des suspendierten Oxyds auf die Oberfläche oder Aufsprühen einer Lösung des Oxyds und Verdampfen der Flüssigkeit, Trockenaufsprühen des Oxyds auf die Oberfläche, Elektronenstrahlverdampfung, mittels Plasmabrenner und/oder Lichtbogenversprühen und/oder Abscheiden und Kathodenstrahlzerstäubungstechnik (die Erfindung ist jedoch auf diese Beispiele nicht beschränkt).

Jedes ausgewählte Oxyd wird auf die dielektrische Oberfläche als sehr dünner EiIm oder sehr dünne Schicht aufgebracht oder auf ihr gebildet. Die Dicke und Menge beider Oxydfilme ader Schichten ist ausreichend, um die Betriebsspannungen als eine Funktion der Feldbetriebszeit wesentlich zu vermindern und merklich zu stabilisieren. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die beiden Oxydschichten zu einer Gesamtdicke und in einer Menge aufgebracht, die ausreicht, die Feldbetriebsspannungen eynergistisch zu vermindern, d.h. eine Feldbetriebsspannung zu schaffen, die kleiner ist als die Betriebsspannung jeder einzelnen Schicht. Bei der Durchführung der Erfindung wird jede der beiden Oxydschichten auf der dielektrischen Oberfläche in einer Dicke von mindestens 100 Ä pro Schicht mit einem Bereich von 100 Ä bis 1 Mikron (10 000 Ä pro Schicht) aufgebracht oder gebildet.

209826/0865

- 10 -

Die Ausdrücke "Film" oderⁿSchicht^w, wie sie hier gebraucht werden, schließen alle anderen ähnlichen Ausdrücke, wie Abscheidung, Überzug, Finish, Ausbreitung, Beschichtung und dergleichen ein. Bei der Herstellung eines Gasentladungsfeldes wird das dielektrische Material meist auf die Oberfläche eines tragenden Glassubstrates oder einer Grundlage, auf welche die Elektroden- oder Leiter-Elemente vorher aufgebracht sind, aufgetragen und gehärtet. Das Glassubstrat kann irgendein geägnetes Glas sein, z. B. ein Soda-Kalk-Glas. Zwei Glassubstrate mit Elektroden und gehärteten Dielektrikum werden dann in geeigneter Weise unter Bildung eines Feldes heiß miteinander verschmolzen.

Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird jede öxydschicht auf die Oberfläche des gehärteten Dielektrikums aufgebracht, bevor das Feld heiß-verschmolzen wird.

Es hat sich gezeigt, daß abhängig von den bestimmten Oxydschichten und Kombinationen davon die Anwendung der Erfindung besonders günstig über gegebene Feldbetriebszeitperioden ist. Beste Ergebnisse werden nach geeigneter Alterung des Feldes erreicht, wobei die erforderliche Dauer der Alterung eine Funktion der verwendeten Oxyde ist. Feldalterung ist definiert als die angefallene Gesamtbetriebszeit des Feldes.

Die folgenden Beispiele veranschaulichen einige besonders

209826/0865

- 11 -

gute Ausführungsformen der Erfindung. Beispiel 1

Es wurde eine Schicht Aluminiumoxyd (AIpO,) in verhältnismäßig ä-eichmäßiger Dicke von etwa 600 Ä auf die entsprechenden freien Oberflächen von zwei gehärteten dielektrischen Materialschichten aufgebracht; jede dielektrische Schicht war vorher aufgebracht und auf den Elektroden enthaltenden GlasSubstraten gehärtet.

Das Aluminiumoxyd war mittels der Elektronenstrahlverdampfungstechnik aufgebracht worden. Das Dielektrikum war ein Bleiborsilikat, bestehend aus 73,3 Gew.-96 PbO, 13,4 Gew.-96 B₂O, und 13,3 Gew.-96 SiO₂. Die Glassubstrate waren aus Soda-Kalkglas folgender Zusammensetzung: 73 Gew.-96 SiO₂, 13 Gew.-96 Na₂O, 10 Gew.-% CaO, 3 Gew.-96 HgO, 1 Gew.-96 Al₂O, und kleine Mengen (weniger als 196) Ie₂O,, K₂O, As₂O, und Cr₂O,. Die Elektrodenleitungen oder Leiteranordnungen waren aus Hanovia-Gold.

Die beiden Substrate waren miteinander heiß verschmolzen worden (unter Verwendung eines Standard-Verschmelzglases), so daß sie ein Gasentladungsfeld mit offenen Zellen bildeten, (wie in der eingangs mehrfach erwähnten US-Patantschrift be-

- 12 209826/0865

schrieben). Nach geeignetem Evakuieren wurde das Feld mit einem inerten ionisierbaren Gas, bestehend zu 99,9 Atom-% aus Neon und zu 0,1 Atom-% aus Argon, gefüllt. Nach Alterung des Feldes über 50 Stunden, während der die dynamische Brennspannung auf etwa +18 Volt anstieg, verflachte sich die Spannung mit einer Änderung von nur - 2 Volt über die nächsten 500 Stunden Feldbetriebszeit. Die Höhe der dynami- ^ sehen Brennspannung nach Alterung war etwa 225 Volt.

Beispiel 2

Die Herstellung des Feldes wurde wie in Beispiel 1 beschrieben durchgeführt unter Verwendung einer Bleioxydschicht (einer Dicke von 1000 Ä) anstelle einer Aluminiumoxydschicht. Nach drei Stunden Alterung des Feldes, während der die dynamische Brennspannung auf etwa +10 Volt stieg, verflachte sich die Spannung mit einer Änderung von nur + 4VoIt während der nächsten 570 Stunden Feldbetriebszeit. Die Höhe der dynanischen Brennspannung nach Alterung betrug etwa 145 Volt.

Beispiel 3

Die Herstellung des Feldes wurde wie in Beispiel 1 beschrieben vorgenommen, und zwar unter Verwendung einer ersten Schicht aus Aluminiumoxyd (einer Dicke von 1000 £) und einer zweiten Schicht über der ersten Schicht aus Bleioxyd (einer Dicke von 1000 A). Nach 30stündiger Alterung des Feldes,

209826/0865

2)36134

während welcher sich die dynamische Brennspannung um etwa -4 Volt verminderte, verflachte sich die Spannung ohne wesentliche Änderung über die nächsten 530 Stunden Feldbetriebszeit. Die Höhe der dynamischen Brennspannung nach Alterung betrug etwa 115 Volt.

Beispiel 4

Die Herstellung des Feldes wurde, wie in Beispiel 1 beschrieben, wiederholt, jedoch wurde keine Oxydschicht auf das Dielektrikum aufgebracht. Das Feld erforderte etwa 100 Stunden Alterung, bevor sich die dynanische Brennspannung bei einer Höhe von etwa 140 Volt verflachte.

Die vorstehenden Beispiele zeigen, daß, wenn eine Oxydschicht auf die dielektrische Oberfläche wie in den Beispielen 1 und 2 aufgebracht wird, die Alterungszeit des so hergestellten Gasentladungsfeldes wesentlich vermindert wird, wie ein Vergleich mit Beispiel 4 zeigt, wo keine Oxydschicht verwendet wurde.

Wenn, wie in Beispiel 3, mindestens zwei Oxydschichten erfindungsgemäß auf die dielektrischen Oberflächen aufgebracht worden sind, wird die Alterungszeit auch wesentlich verküzt, wie ein Vergleich mit Beispiel 4 zeigt. Zu-

209826/0865

- 14 -

sätzlich jedoch wird die Höhe der dynamischen Brennspannung vermindert, wie ein Vergleich mit allen anderen Beispielen zeigt, und zwar synergistisch, wie ein Vergleich mit den Beispielen 1 und 2 zeigt.

- 15 -

209826/0865

Claims (10)

1. Patentansprüche ;

   η J Gasentladungsfeld mit einem ionisierbaren gasförmigen Medium in einer Gaskammer, die mit einem Paar sich gegenüberstehender Ladungsspeicherflächen aus dielektrischem Material gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß jede dielektrische Oberfläche mit dner ersten Schicht mindestens eines Oxyds der Elemente Al, Ti, Zr, Hf oder Si, und einer zweiten Schicht aus Bleioxyd über der ersten Schicht versehen ist, wobei beide Schichten in einer Menge aufgebracht sind, die ausreicht, die Feldbetriebsspannungen für eine gegebene Feldbetriebseit wesentlich zu vermindern und zu stabilisieren.
2. 2. Gasentladungsfeld nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke jeder Schicht auf jeder dielektrischen Oberfläche mindestens 100 Ä beträgt.
3. 3. Gasentladungsfeld nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke jeder Oxydschicht zwischen 100 und 10 000 8 liegt.
4. 4. Gasentladungsfeld nach Anspruch 1 mit einem ionisierbaren gasförmigen Medium in einer Gaskammer, die von einem Paar sich gegenüberstehender Ladungsspeicherflächen aus dielektrischem Material gebildet wird, und bei der die Ladungsspeicherflächen von Elektrodenkörpern hinter-

   209826/0865

   legt sind, die Elektrodenkörper hinter jeder dielektrischen Fläche transverse!, mit Bezug auf die Elektrodenmaterialkörper hinter der gegenüberstehenden dielektrischen Fläche angeordnet sind, um eine Vielzahl von Entladungseinheiten zu begrenzen, dadurch gekennzeichnet* daß eine erste Schicht aus mindestens einem Oxyd der Elemente Al, Ti, Zr, Hf oder Si und eine zweite Schicht, auf der ersten Schicht aus Bleioxyd auf jeder der sich gegenüberstehenden dielektrischen Oberfläche aufgebracht ist,und beide Schichten in Mengen aufgebracht sind, die ausreichen, die Betriebsspannungen des Feldes zu vermindern und stabile Feldbetriebsspannungen für eine gegebene FeIdbetriebszeitperiode zu schaffen.
5. 5. Körper aus dielektrischem Material zur Verwendung in .einem Gasentladungsfeld gemäß den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dielektrische Körper eine Ober-

   P fläche aufweist, die mit einer ersten Schicht aus mindestens einem Oxyd von Al, Ti, Zr, Hf oder Si, und einer zweiten Schicht auf der ersten, aus Bleioxyd versehen ist, wobei beide Schichten in Mengen abgeschieden sind, die ausreichen, die Feldbetriebsspannungen zu vermindern und Feldbetriebsspannungen zu schaffen, die sich über eine gegebene Feldbetriebizeitperiode nicht wesentlich ändern.
6. 6. Körper nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke jeder Schicht mindestens 100 8 beträgt.

   209826/0865
7. 7« Körper nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die

   ο Dicke jeder Schicht zwischen 100 und 10 000 A liegt.
8. 8. Verfahren zum Betreiben eines Gasentladungsfeldes gemäß Anspruch 1 mit einem ionisierbarem Medium in einer Gaskammer, die von einem Paar Körpern aus dielektrischem Material mit sich gegenüberstehenden Ladungsspeicherflächen gebildet wird, wobei die dielektrischen Körper mit einer Reihe von parallelen Elektrodenkörpern hinterlegt sind, die Elektrodenkörper hinter jedem dielektrischen Köper transversal mit Bezug auf die Elektrodenkörper hinter dem gegenüberstehenden dielektrischen Körper orientiert sind, um dne Vielzahl dieskreter Entladungsvolumina zu begrenzen, die eine Entladungseinheit bilden, und darin das Gas in jeder Entladungseinheit selektiv durch Anlegen von Betriebsspannungen an die transversalorientierten Elektrodenkörper ionisiert wird, dadurch

   gesenkt, gekennzeichnet, daß die Feldbetriebsspannungen/über eine gegebene Feldbetriebszeitperiode stabilisiert und die Lebensdauer des Feldes erhöht wird durch Beschichten jeder der sich gegenüberstehenden dielektrischen Ladungsspeicherflächen mit einer ersten Schicht aus mindestens einem Oxyd von Al, Ti, Zr, Hf oder Si und einer zwLten Schicht aus Bleioxyd.

   - 18 -

   209826/0865

   MS 643*
9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß jede Schicht in einer Dicke von mindestens 100 2 aufgebracht wird.
10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede Schicht in einer Dicke zwischen 100 und 10 000 Ä
    aufgebracht wird.

    209826/0865