DE2135621B2 - Zweistufiger Breitband-Transistorverstärker - Google Patents
Zweistufiger Breitband-TransistorverstärkerInfo
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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-
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft einen zweistufigen Breitband-Transistorverstärker,
bei dem die erste Stufe in Kollektorschaltung ausgeführt ist, wobei Jer Emitteranschluß
den Ausgang der ersten Stufe bildet und die zweite Stufe einen Transistor in Emitterschaltung aufweist,
bei welcher der Basisanschluß den Eingang bildet, der Emitter mit dem Kollektor des Transistors
der ersten Stufe verbunden ist und der Kollektor an den Ausgang geschaltet ist.
Es ist bereits ein zweistufiger Hochfrequenz-Transistorverstärker bekannt, bei welchem die erste Stufe
einen Transistor in Emitterschaltung und die zweite Stufe einen komplementären Transistor in Kollektorschaltung
aufweist (USA.-Patentschrift 3 239 770). Dabei sind in der Rückkopplung der zweiten Stufe
in Reihe ein Widerstand und eine Induktivität geschaltet, welche die Verstärkercharakteristik der
Schaltungsanordnung bei niedrigen Frequenzen glätten, indem Spitzenwerte des Signals kurzgeschlossen
werden. Parallel zum Ausgang der zweiten Stufe ist zur Einstellung eines ausreichenden Wertes des Ausgangswiderstandes
der Schaltung ein Widerstandselement angeordnet, welches einen Teil der Leistung
verbraucht. Da die Ausgangsimpedanz der Kollektorschaltung der zweiten Stufe in dem interessierenden
Hochfrequenzbereich beinahe Null ist, wird in dem Widerstand zur Reihenrückkopplung über beide Stufen
ebenfalls ein relativ hoher Anteil der Leistung verbraucht.
Weiterhin ist eine zweistufige Verstärkerschaltung bekannt, bei welcher eine erste Treiberstufe mit einem
Paar komplementärer Transistoren vorgesehen ist, deren Basis-, Emitter- und Kollektoranschlüsse jeweils
miteinander verbunden sind. Die Treiberstufe ist mit einer zweiten Verstärkerstufe in Form eines
Transistors in Basisschaltung verbunden (italienische Patentschrift 594 479).
Schließlich ist ein Breitband-Transistorverstärker der eingangs genannten Gattung bekannt, bei welchem
die Basis der ersten Stufe von einem Vorverstärker angesteuert wird der Emitter die Basis der zweiten
Stufe ansteuert und über einen Widerstand mit Masse verbunden ist und der Kollektor der ersten
Stufe direkt an Masse liegt. Der Kollektor der zweiten Stufe bildet den Ausgang des Verstärkers, während
der Emitter wieder über einen Gegenkopplungswiderstand an Masse liegt und über eine Parallelgegenkopplung
mit dem Vorverstärker verbunden ist (deutsche Patentschrift 1 789 119). Auch ist es aus
ίο dieser Druckschrift bekannt, in der Ausgangsstufe
zwei gleiche Transistoren zur Leistungserhöhung parallel zu schalten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Breitband-Transistorverstärker zu schaffen, bei welehern
vor allem die Ausgangsnutzleistung erhöht und die Verlustleistung herabgesetzt wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Breitband-Transistorverstärker
der eingangs genannten Gattung erfindungsgemäß vorgesehen, daß parallel zu
ao dem Transistor der zweiten Stufe ein zusätzlicher zu
diesem komplementärer Transistor derart geschaltet ist, daß jeder seiner Anschlüsse jeweils iiiit dem entsprechenden
Anschluß des anderen Transistors der zweiten Stufe verbunden ist, die Kollektoren der
»5 zweiten Stufe über eine einen Widerstand aufweisende Gegenkopplung mit der Basis der zweiten Stufe
und über eine einen Widerstand aufweisende Gegenkopplung mit der Basis des Transistors der ersten
Stufe verbunden sind. Durch die Verwendung eines Paares komplementärer Ausgangstransistoren wird
eine Erhöhung des Grundwellensignals bei gleichzeitiger Unterdrückung der geradzahligen Harmonischen
erreicht. Auch ergibt sich eine geringe Verlustleistung, da der Innenwiderstand der Transistoren der
zweiten Stufe hoch gegenüber dem Reihenrückkopplungswiderstand ist und im übrigen kein paralleler
Ausgangiwiderstand erforderlich ist. Weiterhin kann kein optimaler Leistungswirkungsgrad durch Leistungsanpassung
beider Stufen erreicht werden.
♦o Durch die sich über beide Stufen erstreckenden Rückkopplungen
können die Eingangs- und Ausgangsimpedanzen eingestellt werden, und in Verbindung mit
der Rückkopplung über der zweiten Stufe kann eine vorbestimmte Gesamtverstärkung eingestellt werden.
Im folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung an Hand der Zeichnung erläutert;
es stellt dar
Fig. 1 das Wechselstrom-Ersatzschaltbild eines
zweistufigen Hochfrequenzverstärkers,
Fig. 2 das Schaltbild eines zweistufigen Hochfrequenzverstärkers, aus welchem auch die Schaltkreise
zur Vorspannungserzeugung hervorgehen.
Gemäß dem Wechselstrom-Ersatzschaltbild in F i g. 1 enthält der zweistufige Breitband-Transistorverstärker
30 in der ersten Stufe einen NPN-Transistor 16 in Kollektorgrundschaltung und in der zweiten
Stufe ein Paar komplementärer NPN- und PNP-Transistoren 32 und 34 in Emittergrundschaltung. Dementsprechend
sind die Basis des Transistors 16 mit einer Eingangsklemme 12 verbunden, der Kollektor des
Transistors 16 mit den gemeinsamen Emitteranschlüssen und der Emitter mit den gemeinsamen Basisanschlüssen
der Transistoren 32 und 34 verbunden.
Die gemeinsamen Kollektoranschlüsse der Transistoren 32 und 34 sind mit einer Ausgangsklemme 14
verbunden.
In der zweiten Transistorstufe ist eine lokale Rück-
kopplungsverbindung mit einem Widerstand 20 und einer Induktionsspule 36 zwischen den gemeinsamen
Kollektor- und Basisanschlüssen vorgesehen. Ein zwischen den gemeinsamen Emitteranschüissen der
Transistoren 32 und 34 und der Basis des Transistors 16 angeschlossener Widerstand 22 bildet eine beide
Transistorstufen umfassende Parallel-Rückkopplung.
Ein zwischen dem Kollektor des Transistors 16 und den gemeinsamen Emitteranschlüssen der Transistoren
32 und 34 einerseits und einer für beide Stufen gemeinsamen Leitung 13 wechselstrommäßig angeschlossener
Widerstand 34 bildet eine Gesamt-Reihenrückkopplung.
In Fig. 2 ist eine ausführlichere Schaltungsanordnung
angegeben. Diese enthält Vorspannungswider- *5 stände Rl, R2, R3, R6 und RT, Entkopplungskondensatoren
Cl, C3, C4, CS, C6 und einen Ableitungskondensator Cl. Wechselstrommäßig wird
der lokale Rückkopplungswiderstand 20 durch Widerstände A4 und RS gebildet. ao
Der Wert FT, d.h. die Frequenz der Einheitsverstärkung
der Transistoren 16,32 und 34 beträgt ungefähr 1,2 GHz. Bei der Ausführung in herkömmlicher
Hybrid-Dünnfilm-Technologie wurden folgende Betriebswerte der Schaltung ermittelt: Verstärkung »5
17 dB im Bereich von 40 bis 300 MHz, Eingangsimpedanz 75 Ohm, Ausgangsimpedan7 50 Ohm.
Die Schaltung hat im wesentlichen folgende Merkmale:
- Eine optimale Leistungsübertragung von der ersten auf die zweite Stufe wird erreicht, da der
Ausgangswiderstand der Kollektorgrundschaltung der ersten Stufe gut auf den Eingangswiderstand
der Emitter-Grundschaltung der zweiten Stufe abstimmbar ist.
- Eine Stabilisierung auch bei hohen Frequenzen wird mittels der lokalen Rückkopplung über der
zweiten Stufe durch den W.derstand 2U bewirkt,
der die sonst bei höheren Frequenzen aiiftrefende
nichtlineare Phasendrehung herabsetzt:
Kts bei Frequenzen über 0,1 FT wurde der
Verstärker sonst unbrauchbar. Die Eingangs- und Ausgangs.mpedanzen der
Verstärkerschaltung sind über d.e Widerslande
22 und 24 einstellbar.
. Die Verstärkungs/Frequenzfunktion kann über
den Widerstand 20 eingestellt werden, welcher dfe Frequenz der Null-Rückkopplung festlegt.
D?ese Frequenz bestimmt nut der Gesamt-Rci-Ep
und Gesamt-Parallelrückkopplung, ob d.e Verstärkung als Funktion der Frequenz konstant,
abnehmend oder zunehmend veriauft.
- Die Phasendrehung und Wirkung der Gesamt-R irkkoDDlune wird durch die Widerstände 20.
SndÄsfimmt. Bei Frequenzen über 0, F
beträgt die Phasendrehung - 180 , so daß die
Gesamt-Rückkopplung negativ wird. Be. hohen Frequenzen(über(),4FT)ändertsichdie Phasendrehung
linear bis etwa zu - 360° so daß d.e Gesamt-Rückkopplung positiv wird.
- Die Frequenz, bei welcher der Ruckkopplung,
effekt ausbleibt ergibt eine Phasendrehung von
27()° undi ist durch den Widerstand 20 festgelegt
Diese Frequenz bestimmt zusammen mit Gesamt-Reihen-undParallel-RückkopplungobdR
Verstärkung der Schaltungsanordnung als Funktion der Frequenz konstant bleibt, abnimmt oder
- BrTiohere Ausgangsleistung wird durch die
Anordnung der komplementären Transistoren 32 und 34 in der Ausgangsstufe erreicht.
_ Eine weitere Erhöhung der obengenannten Grenzfrequenz des Verstärkers kann durch d.e
Induktionsspule 36 bewirkt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Zweistufiger Breitband-Transistorverstärker, bei dem die erste Stufe in Kollektorschaltung ausgeführt ist, wobei der Emitteranschluß den Ausgang der ersten Stufe bildet und die zweite Stufe einen Transistor in Emitterschaltung aufweist, bei welcher der Basisanschluß den Eingang bildet, der Emitter mit dem Kollektor des Transistors der ersten Stufe verbunden ist und der Kollektor ars den Ausgang geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zu dem Transistor (34) der zweiten Stufe ein zusätzlicher zu diesem kompienenfärer Transistor (32) derart geschaltet ist, daß jeder seiner Anschlüsse jeweils mit dem entsprechenden Anschluß des anderen Transistors der zweiten Stufe verbunden ist, die Kollektoren der zweiten Stufe über eine einen Widerstand (20) aufweisende Gegenkopplung mit der Basis der zweiten Stufe und über eine einen Widerstand (22) aufweisende Gegenkopplung mit der Basis des Transistors (16) der ersten Stufe verbunden sind.
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