DE2132920C3 - Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information - Google Patents

Description

Die erfindungsgemäße Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält und daß mehrere Lesewicklungen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen mit im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker angeschlossen to ist, und eine Andere Lesewicklung mit im zweiten und vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180° gedreht ist in bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne der Lesewicklungen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt, und daß die Lesewicklung, die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker verbunden ist, und daß die Lesewicklung, die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen zweiten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuer- klemmen aller zweiten Leseverstärker verbunden ist

Es sei bemerkt, daß es aus der amerikanischen Patentschrift 31 10 017 an sich bekannt ist, pro Matrixebene zwei Lesewicklungen, die jeweils diagonal gegenüberliegende Quadranten in Serie zusammenschalten, vorzusehen. Diese amerikanische Patentschrift zeigt aber keine zusätzliche Ebene und die besondere Anordnung der Lesewicklungen dieser Räche.

Auch ist bekannt (»IRE Transactions on Electronic Computers« 1961, S. 233-237) Lesewicklungen zum Zweck der Laufzeitenverringerung zu unterteilen. Gleichwohl weisen natürlich unterteilte Lesewicklungen noch Laufzeiten auf.

Die Erfindung wird nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert Für entsprechende Teile in den 4; verschiedenen Figuren sind dieselben Bezugsziffern verwendet Es zeigt

F i g. 1 eine bekannte wortorganisierte dreidimensionale Speicheranordnung,

F i g. 2a das Diagramm einer Hystereseschleife,

F i g. 2b ein Diagramm der Spannungen, die in den Lesewicklungen auftreten, mit denen das Speicherelement gekoppelt ist,

Fig.3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Speicheranordnung,

Fig.4 eine Darstellung einer an sich bekannten Verdrahtungsart zweier Lesewicklungshälften in einer Ebene mit den Speicherelementen,

F i g. 5 ein Diagramm der Spannungen, die in jeder Lesewicklungshälfte einer Speicherelementenfläche w) nach F i g. 4 auftreten,

F i g. 6a und 6b eine Darstellung einer anderen an sich bekannten Verdrahtungsart von Lesewicklungshälften in einer Ebene mit Speicherelementen, wobei die Ebene nach F i g. 6b gegenüber der in F i g. 6a um 180° gedreht (>> angeordnet ist,

F i g. 7 ein Diagramm der Spannungen in der Lesewicklung einer Speicheranordnung, die entsprechend F i g. 6a bzw. 6b ausgelegt ist,

Fig.8 ein erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel einer Speicheranordnung, deren Lesewicklungen entsprechend F i g. 6a und 6b vorgesehen und wirkungsmäßig zusammengeschaltet sind.

Die in F i g. 1 dargestellte wortorganisierte Speicheranordnung entsprechend dem bekannten Stand der Technik enthält in diesem Beispiel 18 Ebenen mit in m Reihen und π Spalten pro Ebene angeordneten Speicherelementen. Hiervon sind nur die Elemente Gq, r. 1 und Gq, _r. ie dargestellt

Jedes dieser Speicherelemente ist zum Schreiben von Information in diese Elemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungs windung xje = 1, 2...m) und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungs windung yi(f = 1,2,... n) und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibitwindung ζ versehen. Zum Lesen von Information aus diesen Elementen sind pro Ebene eine Lesewicklung ρ und ein daran angeschlossener Leseverstärker V vorgesehen. Zum Erhalten einer wortorganisierten Speicheranordnung sind die entsprechenden ersten Erregungswindungen χ der verschiedenen Ebenen miteinander in Reihe verbunden, sind die entsprechenden zweiten Erregungswindungen y der verschiedenen Ebenen miteinander in Reihe verbunden und ist pro Ebene ein Schaltkontakt S₁ vorgesehen. Zum Selektieren von Speicherelementen pro Wortstelle sind Selektionsschalter S_x zum Verbinden nur einer der Reihenschaltungen der ersten Erregungswindungen über die Anschlußkiemme I_x mit einer nicht dargestellten Stromquelle vorgesehen und sind die Selektionsschalter Sy zum Verbinden einer der Reihenschaltungen der zweiten Erregungswindungen über die Anschlußklemme Iy mit einer nicht dargestellten Stromquelle vorgesehen. Die Schalter S_z\ bis S_zit werden in Abhängigkeit von der einzutragenden Information in die Wortstellen gegebenenfalls geschlossen zum Anschließen der Inhibitwindungen z\ bis z\% an die Anschlußklemmen h\ bis I_M der nicht dargestellten Stromquellen.

An Hand der in Fig.2a dargestellten Hystereseschleife werden die wichtigsten Flußänderungen betrachtet, die beim Schreiben bzw. Lesen von Information in der Speicheranordnung auftreten. Hierbei wird angenommen, daß dann, wenn das Speicherelement den durch Punkt A wiedergegebenen Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert ist, die mit dem Symbol »1« bezeichnet wird und dann, wenn das Speicherelement den durch Punkt B wiedergegebenen Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert ist, die mit dem Symbol »0« bezeichnet wird. Zum Schreiben einer »1« in ein eine »0« enthaltendes Speicherelement wird durch das Schließen eines Schaltkontakts des Selektionsschalters S_x und eines Schaltkontakts des Selektionsschalters S_y durch jede der mit diesem Element gekoppelten Erregungswindungen ein halber Schreibestrom I₅ geschickt Dieser halbe Schreibestrom hat die halbe Stärke, die erforderlich ist, um den Remanenzzustand des Speicherelements von Zustand B in Zustaand A zu ändern. Der Summenstrom 27» mit dem dieses Element gekoppelt ist, versetzt das Speicherelement in die Stellung »1«. Während des Schreibens werden die Speicherelemente, die mit nur einer der Erregungswindungen des selektierten Elements gekoppelt sind und die den Remanenzzustand B aufweisen, unter Einfluß des halben Schreibestroms I₅ in jener Erregungswindung ihren Remanenzzustand deshalb, weil die Hystereseschleife nicht rechtwinklig ist,

über den Zustand H nach D ändern. Dieser Remanenzzustand wird »gestörte 0« genannt. Muß eine »0« in das selektierte Element geschrieben werden, wird durch die Inhibitwindung ein Inhibitstrom h gesandt, der dem halben Schreibestrom in den Erregungswindungen s entgegengesetzt entspricht. Der selektierte Kern ist dann mit dem halben Schreibestrom h gekoppelt, wodurch dieses Element gleichfalls in die »gestörte O«-Stellung gesetzt wird. Die hierbei nur mit der Inhibitwindung gekoppelten und in der Stellung »1« stehenden Speicherelemente ändern ihren Remanenzzustand unter Einfluß des lnhibitstroms von A über F nach Q welcher Remanenzzustand »gestörte 1« genannt wird. Auch die in der Stellung »1« stehenden, halbselektierten Speicherelemente ändern während des Lesens ihren Remanenzzustand von A über F nach C. Weil die Speicheranordnung derart eingerichtet ist, daß nach dem Lesen von Information zunächst Information in das gelesene Speicherelement geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen wird, ändern die in C stehenden halbselektierten Speicherelemente ihren Remanenzzustand von Cüber Cnach G.

Die Speicherelemente können sich somit außer in den gewünschten Remanenzzuständen A und B auch in den Remanenzzuständen C, D und G befinden. Im nachfolgenden werden die beim Lesen von Information Störspannungen in den Lesewicklungen induzierenden Flüsse beschrieben. Hierbei werden nur die infolge der Vorderflanke eines Lesestromimpulses auftretenden Störspannungen näher betrachtet. Diese Störspannun- 3n gen sind in Fig.2b dargestellt. Ein im Remanenzzustand D befindliches selektier'.es Speicherelement ändert beim Lesen den Remanenzzustand von D nach L und verursachte eine Flußänderung Qs, die eine Spannung wV_z induziert. Ein mit einem halben Lesestrom /1 und in der »ungestörten 1 «-Stellung stehendes Speicherelement ändert den Remanenzzustand von A nach Fund verursacht eine Flußänderung Q4, die eine Spannung vV_z in der Lesewicklung induziert Steht das Element in der »gestörten 1 «-Stellung, ändert -»n sich der Remanenzzustand von C nach F, was eine Flußänderung Qs verursacht, die eine Spannung rV\_z induziert, und wenn das Element in der »gestörten (!«-Stellung steht, ändert sich die Remanenz von D nach E, was eine Flußänderung Q_z verursacht, die eine Spannung rV_OL in der Lesewicklung induziert. Ein in dem Remanenzzustand G stehendes und mit einem halben Lesestrom gekoppeltes Speicherelement ändert den Remanenzzustand von G nach F, was eine Flußänderung Qi verursacht, die eine Spannung rwV\_z in der * Lesewicklung induziert.

Ein in der »1«- oder »gestörten 1 «-Stellung stehendes Speicherelement ändert denn Remanenzzustand von A nach B bzw. von C nach B, was eine Flußänderung Q₁ bzw. Q2 verursacht, die eine Spannung Vj bzw. V₂ in der Lesewicklung induziert. Diese letzten Spannungen sind die erwünschten Signale.

Die Summe aller Störspannungen, die beim Lesen eines Speicherelements durch die halbselektierten Speicherelemente und das gegebenenfalls in der w> »gestörten "«-Stellung stehende selektierte Speicherelement in der Lesewicklung induziert werden, wird Deltarauschen genannt Dieses Deltarauschen kann eine größere Amplitude haben als das erwünschte Signal. Um den Einfluß des Deltarauschens herabzusetzen, ist *"> es bekannt, die Hälfte der Anzahl von Speicherelementen in einer Ebene im postiven Sinn und die andere Hälfte im negativen Sinn mit der Lesewicklung zu koppeln. Bei größeren Speicheranordnungen und bei besonderen Mustern von eingelesener Information in den Speicherelementen ist dieser Ausgleich jedoch unzureichend.

Wie aus F i g. 2b hervorgeht, liegt das Deltarauschen zeitlich vor dem erwünschten Signal. Zum ungestörten Aufnehmen der erwünschten Signale ist in der bekannten Speicheranordnung nach F i g. 1 ein Ausblendsignalgenerator AG vorgesehen. Dieser Generator AG hat eine Anzahl von Eingangsklemmen, die mit den ersten Erregungswindungen verbunden sind. Die Leseverstärker Vt bis Vie sind mit je einer Steuerklemme versehen, die mit der Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden sind. Dieser Ausblendsignalgenerator AG gibt, solange kein Eingangssignal zugeführt wird, den Steuerklemnsen der Leseverstärker Vi bis V,₈ eine derartige Spannung ab, daß diese Verstärker gesperrt sind. Wird während der Selektion eines Kerns der halbe Schreibestrom Is durch eine der ersten Erregungswindungen gesteuert, wird dieser Strom zugleich einer der Eingangsklemmen des Ausblendsignalgenerators AG zugeführt Dieser Generator AG ist derart entworfen, daß nach einer bestimmten Verzögerungszeit nach dem Empfang eines Eingangssignals ein Ausblendimpuls abgegeben wird. Die Leseverstärker Vi bis V₁₈ werden durch den Ausblendimpuls während dessen Impulszeit geöffnet und detektieren während dieser Zeit die in den Lesewicklungen p\ bis pu induzierten Signale. Zum Abtasten eines möglichst großen nützlichen Teiles der erwünschten Signale müssen die bestimmte Verzögerungszeit und die Dauer des Ausblendimpulses derart gewählt werden, daß ein möglichst großer, störungsfreier Teil des erwünschten Signals innerhalb des Ausblendimpulses liegt. Der von der Vorderflanke des Ausblendimpulses bestimmte Beginn des Ausblendzeitpunkts muß deshalb direkt dann auftreten, nachdem die Deltarausch-Signale in den Lesewicklungen p\ bis p\% bis unter einen nicht störenden Pegel gesunken sind. Die Dauer des Ausblendimpulses muß einen derartigen Wert haben, daß die Signale durch die Rückflanke des halben Lesestromimpulses nach der Impulszeit des Ausblendimpulses in der Lesewicklung p\ bis pig induziert werden.

Das Ableiten eines Ausblendimpulses von einem Stromimpuls, der in einer der ersten Erregungswindungen x\ bis x_m auftritt, eignet sich weniger für große und schnelle Speicheranordnungen. Diese viele Speicherelemente pro Ebene aufweisenden Speicheranordnunger haben viele und lange Erregungs- und Inhibitwindungen Diese Windungen weisen dadurch untereinander unc gegen Erde große Streukapazitäten auf. Wegen des induktiven Charakters der Impedanzen der Inhibit- unc Lesewicklungen weist die Ausgangsspannung dei Stromquelle während der Vorderflanke des Stromim pulses eine Amplitude auf, die zwei- bis dreimal so grol ist wie die Amplitude der während des Stromimpulsda ches auftretenden Spannung. Während des in diesel Speicheranordnungen abwechselnd erfolgenden Schrei bens und Lesens von Information werden die Streuka pazitäten durch den halben Schreibestrom bzw Lesestrom auf die erwähnte hohe Spannung aufgelader Durch die Reihenschaltung von in den verschiedene! Ebenen liegenden entsprechenden Erregungswindun gen, beispielsweise x_q\ bis X₉Ig, entstehen auch zwischei diesen Windungen der verschiedenen Ebenen Span nungsunterschiede. Diese Unterschiede laden di zwischen diesen Windungen auftretenden Streukapaz: täten auf. Dies geht mit einer langen Ladezeit einhe;

Die Ladezeit einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung, die in 128 Reihen und in i2ö Spalten angeordnete Speicherelemente pro Ebene und 18 Ebenen aufweist, beträgt ungefähr 200 ns. Die Zeit, in der die Speicherelemente in den Lesewicklungen Deltarauschen induzieren, nachdem die Amplitude des Lese- bzw. Schreibestromimpulses nach dem Einschalten einen konstanten Wert erreicht hat, also nachdem die Streukapazitäten aufgeladen sind, beträgt nach den in Fig.2b dargestellten Diagrammen ungefähr 150ns. Die Gesamtverzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist ungefähr gleich der Summe dieser Zeiten, nämlich ungefähr 350 ns.

Nachdem die Streukapazitäten auf die Spannung des Spannungsimpulses, der durch die Vorderflanke des Stromimpulses erzeugt wird, aufgeladen sind, wollen sich diese Kapazitäten entladen. In Reihe mit den Erregungswindungen sind zur Selektion dieser Windungen Dioden aufgenommen. Die Dioden der nicht erregten Windungen sperren die Streukapazitäten während des Entladens, so daß die Entladezeit sehr lang ist. Es ist bekannt, die Entladezeit durch das Anbringen von Leckwiderständen zu verringern. Diese dürfen nicht zu klein gewählt werden im Zusammenhang mit der Tatsache, daß die Spannung der Streukapazitäten nicht unter die während des Stromimpulsdaches auftretende Spannung sinken darf, weil die Stromquelle dann den Entladestrom ausgleicht, was eine zusätzliche Verlustleistung ergibt Die Entladezeit der Streukapazitäten beträgt dann noch anderthalb- bis zweimal die Zeit der Dauer des Lese- bzw. Schreibestromimpulses. Die Richtung, in der der halbe Schreibestromimpuls durch die Erregungswindungen verläuft, ist der Richtung des Lesestromimpulses entgegengesetzt. Die Streukapazitäten werden dadurch während des Schreibens in eine andere Richtung geladen als beim Lesen. Weil die Entladezeit lang ist, ist die Ladung der Streukapazitäten beim Lesen der Information unmittelbar nach dem Schreiben noch nicht abgeflossen. Diese Restladung muß erst durch den halben Lesestromimpuls abgeführt werden. Dies erfordert eine zusätzliche Ladezeit Die Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG ist fest, während die zusätzliche Ladezeit von der Zeit abhängig ist, die zwischen dem Schreiben und dem anschließenden Lesen von Information aus der Speicheranordnung liegt, welche Zeit beliebig ist Die Verdrahtungsimpedanzen, über weiche die Streukapazitäten aufgeladen werden, bestimmen ebenfalls die Ladezeiten. Diese Verdrahtungsimpedanzen sind wegen der während der Produktion auftretenden Abweichungen für jede Verdrahtung etwas anders. Somit tritt eine Streuung in den Entladezeiten der Streukapazitäten der verschiedenen Erregungswindungen auf.

In der bekannten Speicheranordnung werden die Startimpulse für den Ausblendsignaigenerator AG nur durch die Ströme in den ersten Erregungswindungen χ erzeugt. Treten die halben Schreibestromimpulse in den zweiten Erregungswindungen y etwas später auf als die in den ersten, wird ein Teil des durch die halben Schreibestromimpulse in diesen Windungen verursachten Deltarauschens in die Zeit des Ausblendimpulses fallen.

Um Information ohne Deltarauschen lesen zu können, darf der halbe Lesestromimpuls nicht innerhalb der Entladezeiten der Streukapazitäten nach dem halben Schreibestromimpuls abgegeben werden. Die Geschwindigkeit, mit der die Speicheranordnung betätigt werden darf, wird hierdurch beträchtlich eingeschränkt. Die Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG muß außerdem so lang gewählt werden, daß die am längsten auftretende Entladezeit und der größte Zeitunterschied, der zwischen den ι Stromimpulsen in den ersten und zweiten Erregungswindungen (x bzw. y) auftreten kann, berücksichtigt ist. Diese Maßnahmen haben den Nachteil, daß beim Auftreten von kürzeren Entladezeiten und bei einem geringeren Zeitunterschied zwischen den Strömen in

κι den Erregungswindungen χ und y nicht der ganze nützliche Teil des erwünschten Signals detektiert wird.

Entsprechend der Erfindung ist eine zusätzliche Ebene 19, die auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, vorgesehen, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente in einen bestimmten Remanenzzustand zu versetzten und sie beim Lesen der Worte in den entsprechenden Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, und wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung pig gekoppelt sind, welche mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden ist

Das in F i g. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung ist zum Erhalten von Startimpulsen für den Ausblendsignaigenerator AG mit einer zusätzlichen Ebene 19 versehen, die Speicherelemente enthält, welche auf dieselbe Weise wie in den Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten vorgesehen sind. Die ersten und zweiten Erregungswindungen dieser Ebene sind mit den entsprechenden ersten und zweiten Erregungswindungen der anderen Ebene in Reihe verbunden, wodurch bei der Selektion der Speicherelemente einer bestimmten Wortstelle, in den Ebenen 1 bis 18 auch das dieser Wortstelle zugeordnete Speicherelement in der Ebene 19 selektiert wird. Die Speicherelemente dieser Ebene 19 sind ferner mit einer Lesewicklung p« gekoppelt Der Ausblendsignalgenerator AG, der in diesem Fall nur einen Eingang hat, ist an diese Lesewicklung ptg angeschlossen, die dem Ausblendsignaigenerator AG Startimpulse zuführen soll.

Das Fehlen eines Inhibitdrahtes hat zur Folge, daß während des Schreibens eines Wortes in eine Wortstelle der Speicheranordnung das dieser Wortstelle zugeordnete Speicherelement in der Ebene 19 immer in die ungestörte »1 «-Stellung und während des Lesens in die »O«-Stellung gesetzt wird.

Während des Lesens eines Wortes wird ein in der »1 «-Stellung stehendes, halbselektiertes Speicherelement in die »gestörte 1« gesetzt. Die Speicherelemente in der zusätzlichen Ebene befinden sich vor dem Lesen

T~> nur in den ungestörten oder gestörten »1 «-Zuständen, weil dann, wenn Information aus einer Wortstelle gelesen ist, zunächst Information in die Wortstelle geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen wird. Ebenso wie die Lesewicklungen p\ bis p\% ist auch

öo die Lesewicklung pig derart angebracht, daß die Hälfte der Speicherelemente positiv und die andere Hälfte der Speicherelemente negativ mit der Lesewicklung gekoppelt ist Die von den Speicherelementen abgegebenen Störspannungen heben sich nahezu auf, weil die Speicherelemente in der Ebene 19 während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung in der »1«- oder »gestörten 1 «-Stellung stehen. Während des Lesens wird das selektierte Speicherelement der

zusätzlichen Ebene in die »O«-Stellung gesetzt, und es induziert ein nahezu deltarauschfreies, erwünschtes Signal in der Lesewicklung p₎₉. Dieses störungsfreie Signal wird dem Ausblendsignalgenerator AG zugeführt. Sobald die Amplitude des störungsfreien Signals <, einen in Fig. 2b durch Dr dargestellten Schwellenwert überschreitet, wird der Ausblendsignalgenerator AG gestartet Die während des Lesens eines Wortes in den Lese wicklungen p\ bis po induzierten erwünschten Signale treten nahezu gleichzeitig auf. Der Zeitpunkt ι ο des Startes des Ausblendsignalgenerators AG durch den in der Lesewicklung ρ₎₉ induzierten Impuls fällt dadurch mit dem Zeitpunkt des Auftretens der erwünschten Signale in den Windungen p\ bis pi₈ zusammen. Wie in Fig.2b ersichtlich, sind die Deltarausch-Signale in den Windungen P\ bis pm ungefähr 150 ns nach dem Überschreiten des Schwellenwertes Dr durch das Signal in der Lesewicklung pw auf einen vernachlässigbaren Pegel gesunken. Der in F i g. 3 dargestellte Ausblendsignalgenerator AG weist eine Verzögerungsanordnung auf, die eine Verzögerungszeit von ungefähr 150 ns hat. Der Ausblendsignalgenerator gibt den Steuerklemmen der Leseverstärker Vj bis Vie nach dieser Verzögerungszeit einen Ausblendimpuls mit ausreichender Länge ab, wobei die Verstärker in der vorstehend bereits beschriebenen Weise arbeiten. Der Teil eines erwünschten Signals, das nach dem Deltarauschen in der Lesewicklung induziert wird, liegt durch die erwähnten Maßnahmen völlig innerhalb des Ausblendimpulses und ist unabhängig von den Lade- und Entladezeiten der Streukapazitäten. Dadurch darf direkt nach dem Schreiben von Information auch Information gelesen werden. Das Entladen der Streukapazitäten durch den Lesestromimpuls erfolgt viele Male schneller als das Entladen über die Ableitungswiderstände, so daß die Speicheranordnung durch das Anbringen der zusätzlichen Ebene beträchtlich schneller betätigt werden kann.

Die Nachteile, die infolge der Unterschiede in den Entladezeiten auftreten, verursacht durch Herstellungsabweichungen der Erregungswindungen, sind gleichfalls behoben, weil sie unabhängig sind vom gleichzeitigen Auftreten der erwünschten Signale in den Erregungswindungen Pj bis pis dieser Auf- und Entladezeit Ebenso übt ein etwaiger Zeitunterschied zwischen dem. Auftreten der Stromimpulse in den ersten und zweiten Erregungswindungen keinen Einfluß aus, weil die erwünschten Signale in den Lesewicklungen p\ bis pig und das erwünschte Signale in der Lesewicklung pig durch den Summenstrom der in den ersten und zweiten Erregungswindungen fließenden Leseströme erzeugt werden.

In sehr großen Spdeheranordnungen hat die Laufzeit der in der Lesewicklung pi₉ induzierten Signale einen großen Einfluß auf den Zeitpunkt, in dem der Ausblendimpuls auftritt Dies wird an Hand des in Fig.4 dargestellten Verdrahtungsschemas der Lesewicklungen in einer Ebene der Speicheranordnung und in dem in Fig.5 dargestellten Diagramm näher erläutert In Fig.4 ist einfachheitshalber als Beispiel ω eine Ebene dargestellt, die fiber acht Reihen und acht Spalten verteilte Speicherelemente enthält Mit der Hälfte der Anzahl der Speicherelemente ist die Lesewicklung P₁ und mit der anderen Hälfte die Lesewicklung Pb gekoppelt Die in diesen Windungen auftretenden Laufzeiten werden an Hand der Lesewicklung Ρ, näher beschrieben. Das mit der Lesewicklung P, gekoppelte Speicherelement GA befindet sich, gemessen über diese Windung, in gleichen Abständen von der Anschlußklemme k\ und der Anschlußklemme A&· Das Speicherelement GB ist nahe der Klemme k\ mit der Lesewicklung P_t gekoppelt. Ein von dem Speicherelement GA beim Lesen von Information in der Lesewicklung P_a induzierter erwünschter Spannungsimpuls pflanzt sich zur Hälfte entlang der Lesewicklung zur Anschlußklemme λι fort und zur anderen Hälfte zur Anschlußklemme A^. Eine Laufzeit τ nachdem der Spannungsimpuls in der Lesewicklung induziert ist, ist dieser zwischen den Klemmen At und fa vorhanden. Die Hälfte eines vom Speicherelement GB beim Lesen von Information in der Lesewicklung gewünschten Spannungsimpulses wird direkt an der Anschlußklemme Jt 1, und die andere Hälfte nach einer Laufzeit 2 τ an der Anschlußklemme k₂ vorhanden sein. Die Spannung zwischen den Anschlußklemmen Αϊ und £2 besteht aus der Summe dieser beiden Impulse, von denen nur ein Impuls gegenüber einem von dem Speicherelement GA herrührenden erwünschten Spannungsimpuls um eine Zeit τ eher zwischen den Klemmen Jti und fo vorhanden ist, und wobei der andere Impuls um die Zeit τ später als der erwähnte Impuls vorhanden ist. Die Summe der vom Element GB herrührenden beiden Spannungsimpulse enthält dadurch mehr höhere Harmonische als die Summe der vom Element GA herrührenden beiden Spannungsimpulse. Durch die große Streukapazität und die Impedanz der Lesewicklungen, die mit einer nicht dargestellten Wandlerwicklung zwischen den Klemmen k\ und A2 abgeschlossen sind, werden die höheren Harmonischen stark gedämpft Die Amplitude der vom Speicherelement GB herrührenden Spannungsimpulse ist dadurch kleiner als die der vom Speicherelement GA herrührenden.

In F i g. 5 sind' Spannungen wiedergegeben, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung mit 19 Ebenen gemessen sind, wobei in jeder Ebene über 128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorgesehen sind. Die Lesewicklungen P, und P/, dieser Speicheranordnung sind in derselben Weise wie die in Fig.4 dargestellten Lesewicklung P_a und P_b vorgesehen und sind in den Ebenen 1 bis 18 an jeweils zugeordnete zwei Leseverstärker und in der Ebene 19 an jeweils zugeordnete zwei Ausblendsignalgeneratoren angeschlossen. Die Speicherelemente, die auf dieselbe Weise mit der Lesewicklung P, gekoppelt sind wie die in F i g. 4 angedeuteten Speicherelemente GA und GB mit der Lesewicklung P_m werden mit Ga und Gb bezeichnet Die zwischen den Ausgangsklemmen k\ und k₂ einer Lesewicklung P, gemessene, durch das Element GA induzierte erwünschte Spannung ist in F i g. 5 durch die Kurve KGa dargestellt Diese Spannung ist um eine Laufzeit τ, nachdem sie in der Lesewicklung P, induziert ist zwischen den Anschlußklemmen k\ und ki vorhanden. Die zwischen den Ausgangsklemmen k\ und fe gemessene, durch das Speicherelement GB induzierte erwünschte Spannung ist durch die Kurve KGb dargestellt

Das Deltarauschen, das zwischen den Anschlußklemmen k\ und ki einer Lesewicklung Pa beim Lesen von Information gemessen wird, ist abhängig vom Magnetisationszustand der Speicherelemente, die mit den Erregungswindungen des selektierten Speicherelements gekoppelt sind. Diese Magnetisationszustände werden durch die Vorgeschichte bestimmt In F i g. 5 ist mit der Kurve VA das zwischen den Anschlußklemmen k\ und Jt₂ einer Lesewicklung P, gemessene Deltarausch-Signal dargestellt Die mit einer der Erregungswindungen des

selektierten Speicherelements gekoppelten Speicherelemente enthalten eine derartige Information, daß sich das von den Elementen getrennt erzeugte Deltarauschen aufsummiert. Der Ausblendsignalgenerator weist einen Schwellenwert auf, der mit der Linie Dr in F i g. 5 dargestellt ist. Tritt der Spannungsimpuls KGb in der Lesewicklung der zusätzlichen Ebene 19 auf, so überschreitet er im Zeitpunkt fi den Schwellenwert Dr und startet den Ausblendsignalgenerator. Die in den Lesewicklungen der Ebenen 1 bis 18 auftretenden Deltarausch-Signale VzI sind im Zeitpunkt U bis zu einem dem Schwellenwert Dr entsprechenden Pegel abgeklungen. Das nach diesem Zeitpunkt auftretende Deltarauschen ist zu schwach um delektiert werden zu können. Zu diesem Zeitpunkt U kann ein Ausblendsignalgenerator an die Leseverstärker Vu bis Vi₈. einen Ausbiendimpuls abgeben. Die entsprechende Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist zum deltarauschfreien Abtasten der erwünschten Signale minimal und ist gleich r₂ = U—t\. Die Zeit, während der die Amplitude des erwünschten Signals nach dem Abtastzeitpunkt U größer ist als der Schwellenwert Dr, ist mit fr bezeichnet Tritt in der Lesewicklung P. der Ebene 19 der Spannungsimpuls KGa auf, wird der Ausblendsignalgenerator durch diesen Impuls zum Zeitpunkt f₂ gestartet Der Ausblendsignalgenerator gibt den Steuereingängen der Leseverstärker Vi, bis Vi₈₁ den Ausblendimpuls zum Zeitpunkt fs ab, das ist nämlich die Verzögerungszeit τ₂ nach dem Zeitpunkt fe. Hierdurch werden nur diejenigen Teile der erwünschten Signale, die von den in den Ebenen 1 bis 18 liegenden Speicherelementen herrühren, durch die Leseverstärker V\, bis Vi₈, detektiert, die nach dem Zeitpunkt f₅ in den Lesewicklungen induziert werden. In F i g. 5 ist die Zeit, während der die Amplitude eines von einem Speicherelement Ga mit der Information »1« herrührenden Signals nach dem Ausblendzeitpunkt fs größer ist als der Schwellenwert Dr, mit fr'bezeichnet Die Zeit fr'ist viel kürzer als die Zeit fr. Die innerhalb des Ausblendimpulses liegenden Teile der oberhalb des Schwellenwertes liegenden erwünschten Signale sind in hohem Maße abhängig von der Stelle in der Speicheranordnung, von der aus diese Information gelesen wird.

Die erfindungsgemäße Speicheranordnung wirkt dieser Abhängigkeit dadurch entgegen, daß die Lesewicklungen gemäß F i g. 6a und 6b angeordnet sind, wie nachfolgend näher dargelegt ist

In Fig.6a sind von einer 19 Ebenen enthaltenden Speicheranordnung die Lesewicklungen nur einer der Ebenen 1 bis 18 dargestellt, welche Ebene beispielsweise so über 8 Reihen und 8 Spalten angeordnete magnetische Speicherelemente enthält In dieser Ebene sind zwei Lesewicklungen Pi und P_t" vorgesehen. Die Lesewicklung Pm ist mit denjenigen Speicherelementen gekoppelt, die im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegen. Die Lesewicklung P_M" ist mit denjenigen Speicherelementen gekoppelt, die im zweiten und vierten Quadranten liegen. Die mit diesen Lesewicklungen gekoppelten Speicherelemente sind zur Hälfte positiv und zur anderen Hälfte negativ damit gekoppelt t,o Aus zeichnerischen Gründen ist die Verkopplung der Lesewicklungen Pi und P." nicht mit allen Elementen dargestellt Natürlich können die Ebenen noch weiter unterteilt werden, indem auch die zusammengeschalteten Quadranten jeweils aus zwei, für sich allein arbeitenden Lesewicklungen bestehen. Dies aber ist nicht Gegenstand der Erfindung.

Wird Information aus dem Speicherelement GA einer

der Ebenen 1 bis 18 gelesen, wird in der Lesewicklung Pa dieser Ebene nur von solchen halbselektierten Speicherelementen herrührendes Deltarauschen induziert, welche im dritten Quadranten dieser Ebene liegen. Dieses Deltarauschen fließt zur Hälfte über eine Seite der Lesewicklung P,' zur Ausgangsklenuve Jti' und zur anderen Hälfte über die andere Seite der L esewicklung Pa zur Ausgangsklemme Jt₂'. Die Laufzeit dieser Signale in der Lesewicklung beträgt ungefähr eine Zeit τ, so daß die Deltarausch-Spannung während ungefähr dieser Zeit τ, nachdem sie in der Windung P,' induziert ist, zwischen den Anschlußklemmen k\ und A₂' vorhanden ist.

Beim Lesen von Information aus dem Speicherelement GB werden nur die von halbselektierten Speicherelementen, die ebenso wie Element GB im ersten Quadranten liegen, herrührenden Deltarausch-Signale in der Lesewicklung Pi induziert

Die Hälfte dieses Deltarausch-Signals ist unmittelbar, nachdem es in der Lesewicklung P, induziert ist, an der Klemme Jti' vorhanden. Die andere Hälfte dieses Signals fließt über den Teil der Lesewicklung P,', der im dritten Quadranten der Ebene liegt, zur Klemme Jt₂' und ist nach einer Zeit 2 τ, nachdem es in der Lesewicklung P,' induziert wurde, an dieser Klemme Jt₂' vorhanden. In F i g. 7 sind Spannungen dargestellt, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung mit 19 Ebenen gemessen sind, wobei in jeder Ebene über 128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorgesehen sind. Die Lesewicklung P,' ist auf dieselbe Weise wie die in der in F i g. 6a dargestellten Lesewicklung P/ vorgesehen. Die Speicherelemente, die auf dieselbe Weise mit der Lesewicklung Pi gekoppelt sind wie die in F i g. 6a dargestellten Speicherelemente GA und GB mit der Lesewicklung P₁', werden mit Ga und Gb bezeichnet Das zwischen den Anschlußklemmen Jti' und Jt₂' der Lesewicklung Pi gemessene Deltarauschen, das bei der Selektion von Speicherelement Ga auftritt, ist in F i g. 7 durch die Kurve Ka dargestellt Diese Spannung ist während einer Laufzeit r«, nachdem diese in der Lesewicklung induziert ist, zwischen den erwähnten Anschlußklemmen vorhanden. Ebenso ist das zwischen den Anschlußklemmen Jti' und ki gemessene Deltarauschen, das bei der Selektion des Speicherelements Gb auftritt durch die Kurve Kb dargestellt Die hierbei in den Speicherelementen gespeicherte Information ist derart gewählt daß sich alle in der Lesewicklung Pi induzierten Deltarausch-Signale aufsummieren.

Wie aus F i g. 7 hervorgeht ist das Deltarauschen, das bei der Selektion von Speicherelementen auftritt, die zugleich mit dem Speicherelement Ga selektiert werden, bereits zum Zeitpunkt t₃ unter den Schwellenwert Dr des Ausblendsignalgenerators AG gesunken. Bei der Selektion von Speicherelementen, die zugleich mit dem Speicherelement Gb selektiert werden, ist das Deltarauschen zu dem späteren Zeitpunkt U unter den Schwellenwert Dr gesunken.

Die zwischen dem in Fig.7 wiedergegebenen Zeitpunkt h und dem in Fig.5 wiedergegebenen Zeitpunkt t₅ liegende Zeit kann als zusätzliche Detektionszeit von in den Lesewicklungen induzierten erwünschten Signalen verwendet werden, die von Speicherelementen herrühren, welche zugleich mit dem Speicherelement Ga selektiert werden.

Dazu ist die Lage der in Fig.6b angegebenen Lesewicklungen Pi und P„"der zusätzlichen Ebene 19 um 180° gedreht in bezug auf die Lage der

Lesewicklungen der anderen Ebenen 1 bis 18, von denen in Fig.6a eine dargestellt ist, so daß die in der Lesewicklung P,' ausgangsnahen Kerne G'B in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen GA in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt

Die Vorteile der auf diese Weise erfolgenden Anordnung der Wicklungen P,' und P," in der zusäulichen Ebene 19 werden an Hand einer in F i g. 8 wiedergegebenen, in der Praxis angewandten Speicheranordnung und den Diagrammen nach Fig.7 näher erläutert

In F i g. 8 ist ein vereinfachtes Schema der erfindungsgemäßen Speicheranordnung dargestellt Die Lesewicklungen in den Ebenen 1 bis 19 sind derart in den Ebenen angebracht, daß im ersten und dritten Quadranten der Ebenen liegende Speicherelemente mit der Lesewicklung P/und die im zweiten und vierten Quadranten der Ebenen liegenden Speicherelemente mit der Lesewicklung P," gekoppelt sind. An die Ausgangsklemmen k\ und k-ί der Lesewicklungen P, 'der Ebenen ( bis 18 sind x> die ersten Leseverstärker Vi/ bis VW angeschlossen. Die Lage der Lesewicklungen /Wund /W'ist um 180 Grad in bezug auf die Lage der Lesewkklungen in den anderen Ebenen gedreht, und sie sind mit den Eingangsklemmen der Ausblendsignalgeneratoren -^r< AG,'bzw. AG," verbunden. Die Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG,'ist mit den Steuerklemmen der Verstärker Vi/ bis Vie/ verbunden, und die Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG," ist mit den Steuerklemmen der Verstärker Vj,"bis Vie," ^!" verbunden. Die Form des Spannungssignals, das den Anschlußklemmen des Ausblendsignalgenerators AG,' bei der Selektion des Speicherelements Ga' der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführt wird, ist in F i g. 7 durch die Kurve KGa' dargestellt. Das dem Ausblend- *' signalgenerator AG/bei der Selektion des Speicherelements Gft'der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführte Signal ist in F i g. 7 durch die Kurve KGb' dargestellt. Die Wirkungsweise der Speicheranordnung nach F i g. 8 ist wie folgt:

Beim Lesen von Information aus den Speicherelementen Ga in den Ebenen 1 bis 18 wird zugleich das Element Gb' in der Ebene 19 gelesen und der Ausblendsignalgenerator AG,' durch das von dem Element Gb'm der Lesewicklung P\j induzierte Signal KGb'zum Zeitpunkt fi gestartet (s. Fig. 7). Das bei dieser Selektion entstandene Deltarauschen in den Lesewicklungen P,' der Ebenen 1 bis 18 ist im Moment ti bis unter den Schwellenwert Dr gesunken. Die feste Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG, braucht dazu nur den Wert τ = fc - t\ aufzuweisen. Nach dem Zeitpunkt tj wird an die Steuerklemmen der Leseverstärker Vi/ bis VW der Ausbiendimpuls abgegeben, der eine Dauer von (/'aufweist Beim Lesen von Information aus den Speicherelementen Gb der Ebenen 1 bis 18 wird zugleich das Element Ga' der Ebene 19 gelesen und wird der Ausblendsignalgenerator AG,'zum Zeitpunkt fe gestartet Der Ausblendsignalgenerator /4G/gibt nach der Verzögerungszeit r₃ den Ausblendimpuls ab, der zum Zeitpunkt U anfängt nämlich (2 + f3- Dieser Ausblendzeitpunkt entspricht dem Moment, in dem das Deltarauschen, das bei dieser Selektion induzie. 1 ist, in den Lesewicklungen P,' der Ebenen 1 bis 18 unter den Schwellenwert Dr gesunken ist. Nach dem Zeitpunkt U wird an die Steuerklemmer der Leseverstärker Vt/ bis VW der Ausblendimpuls abgegeben, der eine Dauer von tr" aufweist Wie au: Fig.7 hervorgeht, sind die Teile der erwünschter Signale, die von den Speicherelementen in den Ebenen 1 bis 18 herrühren, die zugleich mit den Speicherelementen Ga'und Gb'der Ebene 19 selektiert werden und die innerhalb des Ausbiendimpulses fallen, gleich groß Hierdurch ist erreicht, daß die Stärke der detektierter Signale, die von Speicherelementen herrühren, welche die Information »1« enthalten, für alle Speicherelemente unabhängig von der Stelle in den Ebenen gleich groE sind, und sie werden optimal rauschfrei abgetastet

Hierzu 6 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit ^iner Eingfuigsklemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators verbunden ist, um diesem Startimpulse zuzuführen, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene (19) auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält und daß mehrere Lesewicklungen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen (P.'...) mit im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V...) angeschlossen ist, und eine andere Lesewicklung (P"...) mit im zweiten und vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V"...) angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180° gedreht ist im bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne der Lesewicklun- so gen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt, und daß die Lesewicklung (P/...), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen Ebene (19) liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator (Ag'...) angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker (V\) verbunden ist und daß die Lesewicklung (Pa"), die mit den Speicherelemen- < >o ten gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen zweiten Ausblendsignalgenerator (AG") angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller zweiten Leseverstärker (V") ^ verbunden ist.

   Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit einer Eingangsklemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den WortsteHen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanzenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wertstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators verbunden isi, um diesem Startimpulse zuzuführen.

   Eine derartige Speicheranordnung ist aus der DE-AS 1149391 bekannt und wird u.a. in Rechner- und Fernmeldeanordnungen angewendet

   Die während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung durch die Speicherelemente in den Lesewicklungen induzierten Signale bestehen außer aus erwünschten auch aus unerwünschten Signalen. Die erwünschten Signale rühren von selektierten Speicherelementen her, deren Magnetisationszustand seine Richtung umkehrt. Die unerwünschten Signale rühren von Speicherelementen her, in denen eine kleine Änderung im magnetischen Zustand auftritt. Diese unerwünschten Signale werden Deltarausch-Signale genannt. Weil bei einer kleinen Änderung der Magnetisation nur wenig von den insgesamt in einem Speicherelement vorhandenen Spins gedreht werden, ist die Zeit, in der dies erfolgt, kürzer als die Zeit, die zum Kippen aller Spins in einem Speicherelement erforderlich ist. Das Deltarauschen liegt dadurch zeitlich vor den erwünschten Signalen. Hierdurch ist es möglich, beide Signale mittels der Ausblendsignalen zu trennen. Die durch die Speicherelemente in der Lesewicklung der zusätzlichen Ebene induzierten Signale sind nahezu deltarauschfrei. Deswegen werden diese letzten Signale den Abtastgeneratoren als Steuersignale zugeführt.

   Jedes Speicherelement ist an einer bestimmten Stelle mit der zugehörigen Lesewicklung gekoppelt. Das heißt, daß die zu beiden Seiten eines bestimmten Speicherelementes liegenden Teile dieser Lesewicklung im allgemeinen von unterschiedlicher Länge sind.

   In sehr großen Speicheranordnungen üben die unterschiedlichen Laufzeiten der beiden Teile der in einer Lesewicklung induzierten Signale einen großen Einfluß auf die Ausblendzeit dieser Signale aus, wodurch die zum Ausblenden verwendbare Zeit nachteilig beeinträchtigt wird.

   Es ist die Aufgabe der Erfindung, diesen Nachteil zu beheben und eine schnelle Speicheranordnung des eingangs erwähnten Typs zum zuverlässigeren, störungsfreien Ausblenden der Ausgangssignale zu schaf-