DE2132920B2 - Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information - Google Patents

Description

Die erfindungsgemäße Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält und daß mehrere Lesewicki'-ngen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen mit im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker angeschlossen ist, und e'uit andere Lesewicklung mit im zweiten und vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180° gedreht ist in bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne der Lesewicklungen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt, und daß aie Lesewicklung, die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker verbunden ist, und daß die Lesewicklung, die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen zweiten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller zweiten Leseverstärker verbunden ist

Es sei bemerkt, daß es aus der amerikanischen Patentschrift 31 10 017 an sich bekannt ist, pro Matrixebene zwei Lesewicklungen, die jeweils diagonal gegenüberliegende Quadranten in Serie zusammenschalten, vorzusehen. Diese amerikanische Patentschrift zeigt aber keine zusätzliche Ebene und die besondere Anordnung der Lesewicklungen dieser Fläche.

Auch ist bekannt (»IRE Transactions on Electronic Computers« 1961, S. 233 —237) Lesewicklungen zum Zweck der Laufzeitenverringerung zu unterteilen. Gleichwohl weisen natürlich unterteilte Lesewicklungen noch Laufzeiten auf.

Die Erfindung wird nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Für entsprechende Teile in den verschiedenen Figuren sind dieselben Bezugsziffern verwendet. Es zeigt

Fig. 1 eine bekannte wortorganisierte dreidimensionale Speicheranordnung,

F i g. 2a das Diagramm einer Hystereseschleife,

Fig.2b ein Diagramm der Spannungen, die in den Lesewicklungen auftreten, mit denen das Speicherelementgekoppeltist,

Fig.3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Speicheranordnung,

Fig.4 eine Darstellung einer an sich bekannten Verdrahtungsart zweier Lesewicklungshälften in einer Ebene mit den Speicherelementen,

Fig.5 ein Diagramm der Spannungen, die in jeder Lesewicklungshälfte einer Speicherelementenfläche nach F i g. 4 auftreten,

F i g. 6a und 6b eine Darstellung einer anderen an sich bekannten Verdrahtungsart von Lesewicklungshälften in einer Ebene mit Speicherelementen, wobei die Ebene nach F i g. 6b gegenüber der in F i g. 6a um 180° gedreht angeordnet ist,

Fig. 7 ein Diagramm der Spannungen in der Lesewicklung einer Speichuranordnung, die entsprechend F i g. 6a bzw. 6b ausgelegt ist,

Fig.8 ein erfindungsgemäßes Aüsführungsbeispiel einer Speicheranordnung, deren Lesewicklungen entsprechend Fi g. 6a und 6b vorgesehen und wirkungsrnä-

■3 Big r-.usammengeschaltet sind.

Die in Fig. 1 dargestellte wortorganisierte Speicheranordnung entsprechend dem bekannten Stand der Technik enthält in diesem Beispie! 18 Ebenen mit in m Reihen und η Spalten pro Ebene angeordneten

ίο Speicherelementen. Hiervon sind nur die Elemente G,. _r. ι und C,, _Λ ie dargestellt.

Jedes dieser Speicherelemente ist zum Schreiben von Information in diese Elemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung x^e = 1,

π 2...m) und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung yff = 1,2,... nr^und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibitwindung ζ versehen. Zum Lesen von Information aus diesen Elementen sind pro Ebene eine Lesewicklung ρ und ein daran angeschlossener Leseverstärker V vorgesehen. Zum Erhalten einer wortorganisierten Speicheranordnung sind die entsprechenden ersten Erregungswindungen χ der verschiedenen Ebenen miteinander in Reihe verbunden, sind die entsprechenden zweiten Erregungswindungen y der

2Ί verschiedenen Ebenen miteinander in Reihe verbunden und ist pro Ebene ein Schaltkontakt 5, vorgesehen. Zum Selektieren von Speicherelementen pro Wortstelle sind Selektionsschalter S_x zum Verbinden nur einer der Reihenschaltungen der ersten Erregungswindungen

ίο über die Anschlußklemme /, mit einer nicht dargestellten Stromquelle vorgesehen und sind die Selektionsschalter Sy zum Verbinden einer der Reihenschaltungen der zweiten Erregungswindungen über die Anschlußklemme Iy mit einer nicht dargestellten Stromquelle

r> vorgesehen. Die Schalter S,\ bis S,,8 werden in Abhängigkeit von der einzutragenden Information in die Wortstellen gegebenenfalls geschlossen zum Anschließen der Inhibitwindungen Z\ bis z_]K in die Anschlußklemmen I,\ bis I,\% der nicht dargestellten

ίο Stromquellen.

An Hand der in Fig. 2a dargestellten Hystereseschleife werden die wichtigsten Flußänderungen betrachtet, die beim Schreiben bzw. Lesen von Information in der Speicheranordnung auftreten. Hierbei wird

r> angenommen, daß dann, wenn das Speicherelement den durch Punkt A wiedergegebenen Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert ist, die mit dem Symbol »1« bezeichnet wird und dann, wenn das Speicherelement den durch Punkt B wiedergegebenen

"in Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert ist, die mit dem Symbol »0« bezeichnet wird. Zum Schreiben einer »1« in ein eine »0« enthaltendes Speicherelement wird durch das Schließen eines Schaltkontakts des Selektionsschalters S_x und eines

r, Schaltkontakts des Selektionsschalters 5, durch jede der mit diesem Element gekoppelten Erregungswindungen ein halber Schreibestrom A geschickt. Dieser halbe Schreibestrom hat die halbe Stärke, die erforderlich ist, um den Remanenzzustand des Speicherelements von

π. Zustand B in Zustaand A zu ändern. Der Summenstrom 2A, mit dem dieses Element gekoppelt ist, versetzt das Speicherelement in die Stellung »1«. Während des Schreibens werden die Speicherelemente, die mit nur einer der Erregungswindungen des selektierten EIe-

·■'< ments gekoppelt sind und die den Remanenzzustand B aufweisen, unter Einfluß des halben Schreibestroms A in jener Erregungswindung ihren Remanenzzustand deshalb, weil die Hystereseschleife nicht rechtwinklig ist.

über den Zustand H nach D ändern. Dieser Remanenzzustand wird »gestörte 0« genannt. Muß eine »0« in das selektierte Element geschrieben werden, wird durch die Inhibitwindung ein Inhibitstrom l_v gesandt, der dem halben Schreibestrom in den Erregungswindungen entgegengesetzt entspricht. Der selektierte Kern ist dann mit dem halben Schreibestrom I₅ gekoppelt, wodurch dieses Element gleichfalls in die »gestörte ((«-Stellung gesetzt wird. Die hierbei nur mit der Inhibitwindung gekoppelten und in der Stellung »1« stehenden Speicherelemente ändern ihren Remanenzzustand unter Einfluß des Inhibitstroms von A über F nach C, welcher Remanenzzustand »gestörte 1« genannt wird. Auch die in der Stellung »1« stehenden, halbselektierten Speicherelemente ändern während des Lesens ihren Remanenzzustand von A über F nach C Weil die Speicheranordnung derart eingerichtet ist, daß nach dem Lesen von Information zunächst Information in das gelesene Speicherelement geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen wird, ändern die in C stehenden halbselektierten Speicherelemente ihren Remanenzzustand von Cüber C'nach C.

Die Speicherelemente können sich somit außer in den gewünschten Remanenzzuständen A und ßauch in den Remanenzzuständen C, D und G befinden. Im nachfolgenden werden die beim Lesen von Information Störspannungen in den Lesewicklungen induzierenden Flüsse beschrieben. Hierbei werden nur die infolge der Vorderflanke eines Lesestromimpulses auftretenden Störspannungen näher betrachtet. Diese Störspannungen sind in Fig. 2b dargestellt. Ein im Remanenzzustar.d D befindliches selektiertes Speicherelement ändert beim Lesen den Remanenzzustand von D nach L und verursachte eine Flußänderung Qj, die eine Spannung wV₇ induziert. Ein mit einem halben Lesestrom /1 und in der »ungestörten 1 «-Stellung stehendes Speicherelement ändert den Remanenzzustand von A nach Fund verursacht eine Flußänderung Q₄, die eine Spannung ν V₇ in der Lesewicklung induziert. Steht das Element in der »gestörten 1 «-Stellung, ändert · sich der Remanenzzustand von C nach F, was eine Flußänderung Qs verursacht, die eine Spannung rV_]z induziert, und wenn das Element in der »gestörten O«-Stellung steht, ändert sich die Remanenz von D nach £, was eine Flußänderung Q_z verursacht, die eine Spannung r\'_O! in der Lesewicklung induziert. Ein in dem Remanenzzustand G stehendes und mit einem halben Lesestrom gekoppeltes Speicherelement ändert den Remanenzzustand von G nach F, was eine Flußänderung Qj verursacht, die eine Spannung nvV_]z in der Lesewicklung induziert.

Ein in der »1«- oder »gestörten 1 «-Stellung stehendes Speicherelement ändert denn Remanenzzustand von A nach B bzw. von C nach B. was eine Flußänderung Qi bzw. Q₂ verursacht, die eine Spannung Vi bzw. V₂ in der Lesewicklung induziert Diese letzten Spannungen sind die erwünschten Signale.

Die Summe aller Störspannungen, die beim Lesen eines Speicherelements durch die halbselektierten Speicherelemente und das gegebenenfalls in der »gestörten O«-Stellung stehende selektierte Speicherelement in der Lesewicklung induziert werden, wird Deltarauschen genannt Dieses Deltarauschen kann eine größere Amplitude haben als das erwünschte Signal. Um den Einfluß des Deltarauschens herabzusetzen, ist es bekannt, die Hälfte der Anzahl von Speicherelementen in einer Ebene im postiven Sinn und die andere Hälfte im negativen Sinn mit der Lesewicklung zu koppeln. Bei größeren Speicheranordnungen und bei besonderen Mustern von eingelesener Information in den Speicherelementen ist dieser Ausgleich jedoch unzureichend.

Wie aus Fig. 2b hervorgeht, licgl das Deltarauschen zeitlich vor dem erwünschten Signal. Zum ungestörten Aufnehmen der erwünschten Signale ist in der bekann ten Speicheranordnung nach F i g. 1 ein Ausblendsignal generator AG vorgesehen. Dieser Generator AG hai eine Anzahl von Eingangsklemmen, die mit den erster Erregungswindungen verbunden sind. Die Leseverstärker V\ bis Viu sind mit je einer Steuerklemme versehen die mit der Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden sind. Dieser Ausblendsignalgene rator AG gibt, solange kein Eingangssignal zugefühn wird, den Steuerklemmen der Leseverstärker V, bis V,, eine derartige Spannung ab, daß diese Verstärkei gesperrt sind. Wird während der Selektion eines Kern; der halbe Schreibestrom Is durch eine der erster Erregungswindungen gesteuert, wird dieser Strom zu gleich einer der Eingangsklemmen des Ausblendsignal generators AG zugeführt. Dieser Generator AG is derart entworfen, daß nach einer bestimmten Verzöge rungszeit nach dem Empfang eines Eingangssignals eir Ausblendimpuls abgegeben wird. Die Leseverstärker V bis Vis werden durch den Ausblendimpuls währenc dessen Impulszeit geöffnet und detektieren währenc dieser Zeit die in den Lesewicklungen p\ bis pu induzierten Signale. Zum Abtasten eines möglichsi großen nützlichen Teiles der erwünschten Signal« müssen die bestimmte Verzögerungszeit und die Dauei des Ausblendimpulses derart gewählt werden, daß eir möglichst großer, störungsfreier Teil des erwünschter Signals innerhalb des Ausbiendimpuises liegt. Der vor der Vorderflanke des Ausblendimpulses bestimmte Beginn des Ausblendzeitpunkts muß deshalb direki dann auftreten, nachdem die Deltarausch-Signale in der Lesewicklungen p\ bis p\s bis unter einen nichi störenden Pegel gesunken sind. Die Dauer de; Ausblendimpulses muß einen derartigen Wert haben daß die Signale durch die Rückflanke des halber Lesestromimpulses nach der Impulszeit des Ausblend impulses in der Lesewicklung p\ bis pig induziert werden

Das Ableiten eines Ausblendimpulses von einen-Stromimpuls, der in einer der ersten Erregungswindun gen χι bis x_m auftritt, eignet sich weniger für große unc schnelle Speicheranordnungen. Diese viele Speicherele mente pro Ebene aufweisenden Speicheranordnunger haben viele und lange Erregungs- und Inhibitwindungen Diese Windungen weisen dadurch untereinander unc gegen Erde große Streukapazitäten auf. Wegen des induktiven Charakters der Impedanzen der Inhibit- unc Lesewicklungen weist die Ausgangsspannung dei Stromquelle während der Vorderflanke des Stromim pulses eine Amplitude auf, die zwei- bis dreimal so grot ist wie die Amplitude der während des Stromimpulsda ches auftretenden Spannung. Während des in dieser Speicheranordnungen abwechselnd erfolgenden Schrei bens und Lesens von Information werden die Streuka pazitäten durch den halben Schreibestrom bzw Lesestrom auf die erwähnte hohe Spannung aufgeladen Durch die Reihenschaltung von in den verschiedener Ebenen liegenden entsprechenden Erregungswindun gen, beispielsweise x_q\ bis x_q\& entstehen auch zwischei diesen Windungen der verschiedenen Ebenen Span nungsunterschiede. Diese Unterschiede laden dii zwischen diesen Windungen auftretenden Streukapazi täten auf. Dies geht mit einer langen Ladezeit einhei

Die Ladezeit einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung, die in 128 Reihen und in 128 Spalten angeordnete Speicherelemente pro Ebene und 18 Ebenen aufweist, beträgt ungefähr 200 ns. Die Zeit, in der die Speicherelemente in den Lesewicklungen Deltarauschen induzieren, nachdem die Amplitude des Lese- bzw. Schreibestromimpulses nach dem Einschalten einen konstanten Wert erreicht hat, also nachdem die Streukapazitäten aufgeladen sind, beträgt nach den in Fig. 2b dargestellten Diagrammen ungefähr 150 ns. Die Gesamtverzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist ungefähr gleich der Summe dieser Zeiten, nämlich ungefähr 350 ns.

Nachdem die Streukapazitäten auf die Spannung des Spannungsimpulses, der durch die Vorderflanke des Siromimpulses erzeugt wird, aufgeladen sind, wollen sich diese Kapazitäten entladen. In Reihe mit den Erregungswindungen sind zur Selektion dieser Windungen Dioden aufgenommen. Die Dioden der nicht erregten Windungen sperren die Streukapazitäten während des Entladens, so daß die Entladezeit sehr lang ist. Es ist bekannt, die Entladezeit durch das Anbringen von Leckwiderständen zu verringern. Diese dürfen nicht zu klein gewählt werden im Zusammenhang mit der Tatsache, daß die Spannung der Streukapazitäten nicht unter die während des Stromimpulsdaches auftretende Spannung sinken darf, weil die Stromquelle dann den Entladestrom ausgleicht, was eine zusätzliche Verlustleistung ergibt. Die Entladezeit der Streukapazitäten beträgt dann noch anderthalb- bis zweimal die Zeit der Dauer des Lese- bzw. Schreibestromimpulses. Die Richtung, in der der halbe Schreibestromimpuls durch die Erregungswindungen verläuft, ist der Richtung des Lesestromimpulses entgegengesetzt. Die Streukapazitäten werden dadurch während des Schreibens in eine andere Richtung geladen als beim Lesen. Weil die Entladezeit lang ist, ist die Ladung der Streukapazitäten beim Lesen der Information unmittelbar nach dem Schreiben noch nicht abgeflossen. Diese Restladung muß erst durch den halben Lesestromimpuls abgeführt werden. Dies erfordert eine zusätzliche Ladezeit. Die Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG ist fest, während die zusätzliche Ladezeit von der Zeit abhängig ist, die zwischen dem Schreiben und dem anschließenden Lesen von Information aus der Speicheranordnung liegt, welche Zeit beliebig ist. Die Verdrahtungsimpedanzen, über welche die Streukapazitäten aufgeladen werden, bestimmen ebenfalls die Ladezeiten. Diese Verdrahtungsimpedanzen sind wegen der während der Produktion auftretenden Abweichungen für jede Verdrahtung etwas anders. Somit tritt eine Streuung in den Entladezeiten der Streukapazitäten der verschiedenen Erregungswindungen auf.

In der bekannten Speicheranordnung werden die Startimpulse für den Ausblendsignalgenerator AG nur durch die Ströme in den ersten Erregungswindungen χ erzeugt Treten die halben Schreibestromimpulse in den zweiten Erregungswindungen y etwas später auf als die in den ersten, wird ein Teil des durch die halben Schreibestromimpulse in diesen Windungen verursachten Deltarauschens in die Zeit des Ausblendimpulses fallen.

Um Information ohne Deltarauschen lesen zu können, darf der halbe Lesestromimpuls nicht innerhalb der Entladezeiten der Streukapazitäten nach dem halben Schreibestromimpuls abgegeben werden. Die Geschwindigkeit, mit der die Speicheranordnung betätigt werden darf, wird hierdurch beträchtlich

eingeschränkt. Die Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG muß außerdem so lang gewählt werden, daß die am längsten auftretende Entladezeit und der größte Zeitunterschied, der zwischen den Stromimpulsen in den ersten und zweiten Erregungswindungen (x bzw. y) auftreten kann, berücksichtigt ist. Diese Maßnahmen haben den Nachteil, daß beim Auftreten von kürzeren Entladezeiten und bei einem geringeren Zeitunterschied zwischen den Strömen in den Erregungswindungen * und y nicht der ganze nützliche Teil des erwünschten Signals detekliert wird.

Entsprechend der Erfindung ist eine zusätzliche Ebene 19, die auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellcn individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, vorgesehen, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente in einen bestimmten Remanenzzustand zu versetzten und sie beim Lesen der Worte in den entsprechenden Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, und wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung p^ gekoppelt sind, welche mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden ist.

Das in F i g. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Anordnung ist zum Erhalten von Startimpulsen für den Ausblendsignalgenerator AG mit einer zusätzlichen Ebene 19 versehen, die Speicherelemente enthält, welche auf dieselbe Weise wie in den Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten vorgesehen sind. Die ersten und zweiten Erregungswindungen dieser Ebene sind mit den entsprechenden ersten und zweiten Erregungswindungen der anderen Ebene in Reihe verbunden, wodurch bei der Selektion der Speicherelemente einer bestimmten Wortstelle, in den Ebenen 1 bis 18 auch das dieser Wortstelle zugeordnete Speicherelement in der Ebene 19 selektiert wird. Die Speicherelemente dieser Ebene 19 sind ferner mit einer Lesewicklung pi9 gekoppelt. Der Ausblendsignalgenerator AG, der in diesem Fall nur einen Eingang hat, ist an diese Lesewicklung p^ angeschlossen, die dem Ausblendsignalgenerator AG Startimpulse zuführen soll. Das Fehlen eines Inhibitdrahtes hat zur Folge, daß während des Schreibens eines Wortes in eine Wortstelle der Speicheranordnung das dieser Wortstelle zugeordnete Speicherelement in der Ebene 19 immer in die ungestörte »1 «-Stellung und während des Lesens in die »0«-Stellung gesetzt wird.

Während des Lesens eines Wortes wird ein in der »1 «-Stellung stehendes, halbselektiertes Speicherelement in die »gestörte 1« gesetzt. Die Speicherelemente in der zusätzlichen Ebene befinden sich vor dem Lesen nur in den ungestörten oder gestörten »1 «-Zuständen, weil dann, wenn Information aus einer Wortstelle gelesen ist, zunächst Information in die Wortstelle geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen wird. Ebenso wie die Lesewicklungen p\ bis p₎₈ ist auch die Lesewicklung p,₉ derart angebracht, daß die Hälfte der Speicherelemente positiv und die andere Hälfte der Speicherelemente negativ mit der Lesewicklung gekoppelt ist Die von den Speicherelementen abgegebenen Störspannungen heben sich nahezu auf, weil die Speicherelemente in der Ebene 19 während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung in der »1«- oder »gestörten 1 «-Stellung stehen. Während des Lesens wird das selektierte Speicherelement der

zusätzlichen Ebene in die »O«-Stellung gesetzt, und es induziert ein nahezu deltarauschfreies, erwünschtes Signal in der Lesewicklung pw. Dieses störungsfreie Signal wird dem Ausblendsignalgenerator AG zugeführt Sobald die Amplitude des störungsfreien Signals ^r> einen in Fig.2b durch Drdargestellten Schwellenwert überschreitet, wird der Ausblendsignalgenerator AG gestartet. Die während des Lesens eines Wortes in den Lesewicklungen p\ bis p\<t induzierten erwünschten Signale treten nahezu gleichzeitig auf. Der Zeitpunkt des Startes des Ausblendsignalgenerators AG durch den in der Lesewicklung pi9 induzierten Impuls fällt dadurch mit dem Zeitpunkt des Auftretens der erwünschten Signale in den Windungen p\ bis pia zusammen. Wie in Fig.2b ersichtlich, sind die i·; Deltarausch-Signale in den Windungen pt bis pm ungefähr 150 ns nach dem Überschreiten des Schwellenwertes Dr durch das Signal in der Lesewicklung p^ auf einen vernachlässigbaren Pegel gesunken. Der in Fig.3 dargestellte Ausblendsignalgenerator AG weist eine Verzögerungsanordnung auf, die eine Verzögerungszeit von ungefähr 150 ns hat. Der Ausblendsignalgenerator gibt den Steuerklemmen der Leseverstärker Vi bis Ki₈ nach dieser Verzögerungszeit einen Ausblendimpuls mit ausreichender Länge ab, wobei die Verstärker in der vorstehend bereits beschriebenen Weise arbeiten. Der Teil eines erwünschten Signals, das nach dem Deltarauschen in der Lesewicklung induziert wird, liegt durch die erwähnten Maßnahmen völlig innerhalb des Ausblendimpulses und ist unabhängig von to den Lade- und Entladezeiten der Streukapazitäten. Dadurch darf direkt nach dem Schreiben von Information auch Information gelesen werden. Das Entladen der Streukapazitäten durch den Lesestromimpuls erfolgt viele Male schneller als das Entladen über die r> Ableitungswiderstände, so daß die Speicheranordnung durch das Anbringen der zusätzlichen Ebene beträchtlich schneller betätigt werden kann.

Die Nachteile, die infolge der Unterschiede in den Entladezeiten auftreten, verursacht durch Herstellungsabweichungen der Erregungswindungen, sind gleichfalls behoben, weil sie unabhängig sind vom gleichzeitigen Auftreten der erwünschten Signale in den Erregungswindungen pi bis pig dieser Auf- und Entladezeit. Ebenso übt ein etwaiger Zeitunterschied zwischen dem <r> Auftreten der Stromimpulse in den ersten und zweiten Erregungswindungen keinen Einfluß aus, weil die erwünschten Signale in den Lesewicklungen pi bis pi₈ und das erwünschte Signale in der Lesewicklung pig durch den Summenstrom der in den ersten und zweiten w Erregungswindungen fließenden Leseströme erzeugt werden.

In sehr großen Speicheranordnungen hat die Laufzeit der in der Lesewicklung pig induzierten Signale einen großen Einfluß auf den Zeitpunkt, in dem der v> Ausblendimpuls auftritt Dies wird an Hand des in Fig.4 dargestellten Verdrahtungsschemas der Lesewicklungen in einer Ebene der Speicheranordnung und in dem in Fig.5 dargestellten Diagramm näher erläutert In Fig.4 ist einfachheitshalber als Beispiel wi eine Ebene dargestellt, die über acht Reihen und acht Spalten verteilte Speicherelemente enthält Mit der Hälfte der Anzahl der Speicherelemente ist die Lesewicklung P, und mit der anderen Hälfte die Lesewicklung P_b gekoppelt Die in diesen Windungen μ auftretenden Laufzeiten werden an Hand der Lesewicklung P₁ näher beschrieben. Das mit der Lesewicklung P_a gekoppelte Speicherelement GA befindet sich, gemessen über diese Windung, in gleichen Abständen von der Anschlußklemme k\ und der Anschlußklemme ki. Das Speicherelement GB ist nahe der Klemme Ai mit der Lesewicklung P_a gekoppelt. Ein von dem Speicherelement GA beim Lesen von Information in der Lesewicklung P_a induzierter erwünschter Spannungsimpuls pflanzt sich zur Hälfte entlang der Lesewicklung zur Anschlußklemme Ai fort und zur anderen Hälfte zur Anschlußklemme A₂. Eine Laufzeit τ nachdem der Spannungsimpuls in der Lesewicklung induziert ist, ist dieser zwischen den Klemmen k\ und A₂ vorhanden. Die Hälfte eines vom Speicherelement GB beim Lesen von Information in der Lesewicklung gewünschten Spannungsimpulses wird direkt an der Anschlußklemme Ai, und die andere Hälfte nach einer Laufzeit 2 τ an der Anschlußklemme A₂ vorhanden sein. Die Spannung zwischen den Anschlußklemmen Ai und A₂ besteht aus der Summe dieser beiden Impulse, von denen nur ein Impuls gegenüber einem von dem Speicherelement GA herrührenden erwünschten Spannungsimpuls um eine Zeit τ eher zwischen den Klemmen Ai und A₂ vorhanden ist, und wobei der andere Impuls um die Zeit τ später als der erwähnte Impuls vorhanden ist. Die Summe der vom Element GB herrührenden beiden Spannungsimpulse enthält dadurch mehr höhere Harmonische als die Summe der vom Element GA herrührenden beiden Spannungsimpulse. Durch die große Streukapazität und die Impedanz der Lesewicklungen, die mit einer nicht dargestellten Wandlerwicklung zwischen den Klemmen Ai und A2 abgeschlossen sind, werden die höheren Harmonischen stark gedämpft. Die Amplitude der vom Speicherelement GB herrührenden Spannungsimpulse ist dadurch kleiner als die der vom Speicherelement GA herrührenden.

In Fig. 5 sind Spannungen wiedergegeben, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung mit 19 Ebenen gemessen sind, wobei in jeder Ebene über 128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorgesehen sind. Die Lesewicklungen P₁₁ und Pb dieser Speicheranordnung sind in derselben Weise wie die in Fig.4 dargestellten Lesewicklung P_a und Pb vorgesehen und sind in den Ebenen 1 bis 18 an jeweils zugeordnete zwei Leseverstärker und in der Ebene 19 an jeweils zugeordnete zwei Ausblendsignalgeneratoren angeschlossen. Die Speicherelemente, die auf dieselbe Weise mit der Lesewicklung P₃ gekoppelt sind wie die in Fig.4 angedeuteten Speicherelemente GA und GB mit der Lesewicklung P_a, werden mit Ga und Gb bezeichnet Die zwischen den Ausgangsklemmen Ai und A₂ einer Lesewicklung P_a gemessene, durch das Element GA induzierte erwünschte Spannung ist in F i g. 5 durch die Kurve KGa dargestellt. Diese Spannung ist um eine Laufzeit τ, nachdem sie in der Lesewicklung P_a induziert ist, zwischen den Anschlußklemmen Ai und A2 vorhanden. Die zwischen den Ausgangsklemmen A₁ und A₂ gemessene, durch das Speicherelement GB induzierte erwünschte Spannung ist durch die Kurve KGb dargestellt

Das Deltarauschen, das zwischen den Anschlußklemmen Ai und ki einer Lesewicklung Pa beim Lesen von Information gemessen wird, ist abhängig vom Magnetisationszusiand der Speicherelemente, die mit den Erregungswindungen des selektierten Speicherelements gekoppelt sind. Diese Magnetisationszustände werden durch die Vorgeschichte bestimmt In F i g. 5 ist mit der Kurve VA das zwischen den Anschlußklemmen Ai und A2 einer Lesewicklung P, gemessene Deltarausch-Signal dargestellt. Die mit einer der Erregungswindungen des

selektierten Speicherelements gekoppelten Speicherelemente enthalten eine derartige Information, daß sich das von den Elementen getrennt erzeugte Deltarauschen aufsummiert. Der Ausblendsignalgenerator weist einen Schwellenwert auf, der mit der Linie Dr in F i g. 5 dargestellt ist. Tritt der Spannungsimpuls KGb in der Lesewicklung der zusätzlichen Ebene 19 auf, so überschreitet er im Zeitpunkt ii den Schwellenwert Dr und startet den Ausblendsignalgenerator. Die in den Lesewicklungen der Ebenen 1 bis 18 auftretenden Deltarausch-Signale VA sind im Zeitpunkt £4 bis zu einem dem Schwellenwert Dr entsprechenden Pegel abgeklungen. Das nach diesem Zeitpunkt auftretende Deltarauschen ist zu schwach um delektiert werden zu können. Zu diesem Zeitpunkt U kann ein Ausblendsignalgenerator an die Leseverstärker V\_a bis V\s„ einen Ausblendimpuls abgeben. Die entsprechende Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist zum deltarauschfreien Abtasten der erwünschten Signale minimal und ist gleich tj = U—t\. Die Zeit, während der die Amplitude des erwünschten Signals nach dem Abtastzeitpunkt U größer ist als der Schwellenwert Dr, ist mit tr bezeichnet. Tritt in der Lesewicklung Pj der Ebene 19 der Spannungsimpuls KGa auf, wird der Ausblendsignalgenerator durch diesen Impuls zum Zeitpunkt h gestartet. Der Ausblendsignalgenerator gibt den Sieuereingängen der Leseverstärker V\_a bis V_tKj den Ausblendimpuls zum Zeitpunkt tt ab, das ist nämlich die Verzögerungszeit τ2 nach dem Zeitpunkt fi. Hierdurch werden nur diejenigen Teile der erwünschten Signale, die von den in den Ebenen 1 bis 18 liegenden Speicherelementen herrühren, durch die Leseverstärker Vi,, bis Visa detektiert, die nach dem Zeitpunkt is in den Lesewickiungen induziert werden. In F i g. 5 ist die Zeit, während der die Amplitude eines von einem Speicherelement Ga mit der Information »1« herrührenden Signals nach dem Ausblendzeitpunkt ft größer ist als der Schwellenwert Dr, mit fr'bezeichnet. Die Zeit ir'ist viel kurzer als die Zeit tr. Die innerhalb des Ausblendimpulses liegenden Teile der oberhalb des Schwellenwertes liegenden erwünschten Signale sind in hohem Maße abhängig von der Stelle in der Speicheranordnung, von der aus diese Information gelesen wird.

Die erfindungsgemäße Speicheranordnung wirkt dieser Abhängigkeit dadurch entgegen, daß die Lesewicklungen gemäß F i g. 6a und 6b angeordnet sind, wie nachfolgend näher dargelegt ist.

In Fig. 6a sind von einer 19 Ebenen enthaltenden Speicheranordnung die Lesewicklungen nur einer der Ebenen 1 bis 18 dargestellt, welche Ebene beispielsweise über 8 Reihen und 8 Spalten angeordnete magnetische Speicherelemente enthält. In dieser Ebene sind zwei Lesewicklungen PJ und PJ' vorgesehen. Die Lesewicklung Pa ist mit denjenigen Speicherelementen gekoppelt, die im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegen. Die Lesewicklung P₁" ist mit denjenigen Speicherelementen gekoppelt, die im zweiten und vierten Quadranten liegen. Die mit diesen Lesewicklungen gekoppelten Speicherelemente sind zur Hälfte positiv und zur anderen Hälfte negativ damit gekoppelt. Aus zeichnerischen Gründen ist die Verkopplung der Lesewicklungen PJ und PJ' nicht mit allen Elementen dargestellt Natürlich können die Ebenen noch weiter unterteilt werden, indem auch die zusammengeschalteten Quadranten jeweils aus zwei, für sich allein arbeitenden Lesewicklungen bestehen. Dies aber ist nicht Gegenstand der Erfindung.

Wird Information aus dem Speicherelement GA einer der Ebenen 1 bis 18 gelesen, wird in der Lesewicklung Pa dieser Ebene nur von solchen halbselektierten Speicherelementen herrührendes Deltarauschen induziert, welche im dritten Quadranten dieser Ebene liegen.

■-, Dieses Deltarauschen fließt zur Hälfte über eine Seite der Lesewicklung PJ zur Ausgangsklemme AV, und zur anderen Hälfte über die andere Seite der Lesewicklung PJ zur Ausgangsklemme AY- Die Laufzeit dieser Signale in der Lesewicklung beträgt ungefähr eine Zeit r, so daß

in die Deltarausch-Spannung während ungefähr dieser Zeit r, nachdem sie in der Windung P_a' induziert ist, zwischen den Anschlußklemmen AY und AY vorhanden ist.

Beim Lesen von Information aus dem Speicherelement GB werden nur die von halbselektierten Speicherelementen, die ebenso wie Element GB im ersten Quadranten liegen, herrührenden Deltarausch-Signale in der Lesewicklung P,' induziert.

Die Hälfte dieses Deltarausch-Signals ist unmittelbar,

_>ii nachdem es in der Lesewicklung P_a' induziert ist, an der Klemme k\ vorhanden. Die andere Hälfte dieses Signals fließt über den Teil der Lesewicklung P₁', der im dritten Quadranten der Ebene liegt, zur Klemme AV und ist nach einer Zeit 2 τ, nachdem es in der Lesewicklung

■, PJ induziert wurde, an dieser Klemme AY vorhanden. In F i g. 7 sind Spannungen dargestellt, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung mit 19 Ebenen gemessen sind, wobei in jeder Ebene über 128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorge-

ü 1 sehen sind. Die Lesewicklung PJ ist auf dieselbe Weise wie die in der in Fig. 6a dargestellten Lesewicklung P, vorgesehen. Die Speicherelemente, die auf dieselbe Weise mit der Lesewicklung PJ gekoppelt sind wie die in Fig. 6a dargestellten Speicherelemente GA und GB

Γι mit der Lesewicklung P₃'. werden mit Ga und Gb bezeichnet. Das zwischen den Anschlußklemmen /ti' und Jt₂' der Lesewicklung PJ gemessene Deltarauschen, das bei der Selektion von Speicherelement Ga auftritt, ist in Fig. 7 durch die Kurve Ka dargestellt. Diese

4(i Spannung ist während einer Laufzeit Γ4, nachdem diese in der Lesewicklung induziert ist, zwischen den erwähnten Anschlußklemmen vorhanden. Ebenso ist das zwischen den Anschlußklemmen AV und AV gemessene Deltarauschen, das bei der Selektion des

.;, Speicherelements Gb auftritt, durch die Kurve Kb dargestellt. Die hierbei in den Speicherelementen gespeicherte Information ist derart gewählt, daß sich alle in der Lesewicklung PJ induzierten Deltarausch-Signale aufsummieren.

■-,11 Wie aus F i g. 7 hervorgeht, ist das Deltarauschen, das bei der Selektion von Speicherelementen auftritt, die zugleich mit dem Speicherelement Ga selektiert werden, bereits zum Zeitpunkt ti unter den Schwellenwert Dr des Ausblendsignalgenerators AG gesunken.

ν, Bei der Selektion von Speicherelementen, die zugleich mit dem Speicherelement Gb selektiert werden, ist das Deltarauschen zu dem späteren Zeitpunkt U unter den Schwellenwert Drgesunken.

Die zwischen dem in F i g. 7 wiedergegebenen

hi Zeitpunkt /3 und dem in F i g. 5 wiedergegebenen Zeitpunkt ts liegende Zeit kann als zusätzliche Detektionszeit von in den Lesewicklungen induzierten erwünschten Signalen verwendet werden, die von Speicherelementen herrühren, welche zugleich mit dem

h> Speicherelement Ga selektiert werden.

Dazu ist die Lage der in Fig.6b angegebenen Lesewicklungen PJ und P,"der zusätzlichen Ebene 19 um 180° gedreht in bezug auf die Laee der

Lesewicklungen der anderen Ebenen 1 bis 18, von denen in Fig. 6a eine dargestellt ist, so daß die in der Lesewicklung P₃ ausgangsnahen Kerne G'B in der zusätzlichen Ebene den Lusgangsfernen Kernen GA in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt.

Die Vorteile der auf diese Weise erfolgenden Anordnung der Wicklungen P₃ und P₃" in der zusätzlichen Ebene 19 werden an Hand einer in Fig.8 wiedergegebenen, in der Praxis angewandten Speicheranordnung und den Diagrammen nach Fig. 7 näher erläutert.

In F i g. 8 ist ein vereinfachtes Schema der erfindungsgemäßen Speicheranordnung dargestellt. Die Lesewicklungen in den Ebenen 1 bis 19 sind derart in den Ebenen angebracht, daß im ersten und dritten Quadranten der Ebenen liegende Speicherelemente mit der Lesewicklung P/und die im zweiten und vierten Quadranten der Ebenen liegenden Speicherelemente mit der Lesewicklung P₃" gekoppelt sind. An die Ausgangsklemmen k\ und k₂' der LesewickJungen P/aer Ebenen J bis 18 sind die ersten Leseverstärker V|/bis Vi₈₃'angeschlossen. Die Lage der Lesewicklungen P^₃'und Pin/'ist um 180 Grad in bezug auf die Lage der Lesewicklungen in den anderen Ebenen gedreht, und sie sind mil den Eingangsklemmen der Ausblendsignalgeneratoren AC₃' bzw. AG₃" verbunden. Die Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG₃'isi mit den Steuerklemmen der Verstärker V]₃' bis Vi«/ verbunden, und die Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG₃" ist mit den Steuerklemmen der Verstärker Vi/'bis V_laa" verbunden. Die Form des Spannungssignals, das den Anschlußklemmen des Ausblendsignalgenerators AG₃' bei der Selektion des Speicherelements Ga' der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführt wird, ist in Fig. 7 durch die Kurve KGa' dargestellt. Das dem Ausblendsignalgenerator ,4G/bei der Selektion des Speicherelements Gb'der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführte Signal ist in Fig. 7 durch die Kurve KGb' dargestellt. Die Wirkungsweise der Speicheranordnung nach Fig. 8 ist wie folgt:

Beim Lesen von Information aus den Speicherele menten Ga in den Ebenen 1 bis 18 wird zugleich da; Element Gb' in der Ebene 19 gelesen und dei Ausblendsignalgenerator AG₃' durch das von derr Element Gb'in der Lesewicklung /V induzierte Signa KGb' zum Zeitpunkt ii gestartet (s. F i g. 7). Das be dieser Selektion entstandene Deltarauschen in der Lesewicklungen P₃ der Ebenen 1 bis 18 ist im Moment /₃ bis unter den Schwellenwert Dr gesunken. Die feste Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators A G₃ braucht dazu nur den Wert τ = h — t\ aufzuweisen Nach dem Zeitpunkt h wird an die Steuerklemmen dei Leseverstärker Vj/ bis Via/ der Ausblendimpuls abgegeben, der eine Dauer von f/'aufweist. Beim Leser von Information aus den Speicherelementen Gb dei Ebenen 1 bis 18 wird zugleich das Element Ga' der Ebene 19 gelesen und wird der Ausblendsignalgeneratoi AG₃ zum Zeitpunkt h gestartet. Der Ausblendsignalgenerator AG_a'gibt nach der Verzögerungszeit Τϊ den Ausblendimpuls ab, der zum Zeitpunkt U anfängt, nämlich h + tj. Dieser Ausblendzeitpunkt entspricht dem Moment, in dem das Deltarauschen, das bei dieser Selektion induzier ist, in den Lesewicklungen P₃ der Ebenen 1 bis 18 unter den Schwellenwert Dr gesunken ist. Nach dem Zeitpunkt U wird an die Steuerklemmen der Leseverstärker Vi/ bis Vi₈₃ der Ausblendimpuls abgegeben, der eine Dauer von tr" aufweist. Wse aus F i g. 7 hervorgeht, sind die Teile der erwünschten Signale, die von den Speicherelementen in den Ebenen 1 bis 18 herrühren, die zugleich mit den Speicherelementen Ca'und Gö'der Ebene 19 selektiert werden und die innerhalb des Ausblendimpulses fallen, gleich groß Hierdurch ist erreicht, daß die Stärke der delektierten Signale, die von Speicherelementen herrühren, welche die Information »1« enthalten, für alle Speicherelemente unabhängig von der Stelle in den Ebenen gleich groß sind, und sie werden optimal rauschfrei abgetastet.

Hierzu 6 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit einer Eingangsldemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators verbunden ist, um diesem Startimpulse zuzuführen, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene (19) auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält und daß mehrere Lesewicklungen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen (P₃'..) mit im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V'...) angeschlossen ist, und eine andere Lesewicklung (P"...) mit im zweiten und vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V"...) angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180° gedreht ist im bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne der Lesewicklungen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt, und daß die Lesewicklung (P₃'..), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen Ebene (19) liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator (Ag'...) angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker (V]) verbunden ist und daß die Lesewicklung (Pa"), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen zweiten Ausblendsignalgenerator (AG") angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller zweiten Leseverstärker (V") verbunden ist.

   Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit einer Eingangsklemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanzenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wortstelltn in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsigralgenerators verbunden ist, um diesem Startimpulse zuzuführen.

   Eine derartige Speicheranordnung ist aus der DE-AS 1149 391 bekannt und wird u.a. in Rechner- und Fernmeldeanordnungen angewendet.

   Die während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung durch die Speicherelemente in den Lesewicklungen induzierten Signale bestehen außer aus erwünschten auch aus unerwünschten Signalen. Die erwünschten Signale rühren von selektierten Speicherelementen her, deren Magnetisationszustand seine Richtung umkehrt. Die unerwünschten Signale rühren von Speicherelementen her, in denen eine kleine Änderung im magnetischen Zustand auftritt. Diese unerwünschten Signale werden Deltarausch-Signale genannt. Weil bei einer kleinen Änderung der Magnetisation nur wenig von den insgesamt in einem Speicherelement vorhandenen Spins gedreht werden, ist die Zeit, in der dies erfolgt, kurzer als die Zeit, die zum Kippen aller Spins in einem Speicherelement erforderlich ist. Das Deltarauschen liegt dadurch zeitlich vor den erwünschten Signalen. Hierdurch ist es möglich, beide Signale mittels der Ausblendsignalen zu trennen. Die durch dit Speicherelemente in der Lesewicklung der zusätzlichen Ebene induzierten Signale sind nahezu deltarauschfrei. Deswegen werden diese letzten Signale den Abtastgeneratoren als Steuersignale zugeführt.

   Jedes Speicherelement ist an einer bestimmten Stelle mit der zugehörigen Lesewicklung gekoppelt. Das heißt, daß die zu beiden Seiten eines bestimmten Speicherelementes liegenden Teile dieser Lesewicklung im allgemeinen von unterschiedlicher Länge sind.

   In sehr großen Speicheranordnungen üben die unterschiedlichen Laufzeiten der beiden Teile der in einer Lesewicklung induzierten Signale einen großen Einfluß auf die Ausblendzeit dieser Signale aus, wodurch die zum Ausblenden verwendbare Zeit nachteilig beeinträchtigt wird.

   Es ist die Aufgabe der Erfindung, diesen Nachteil zu beheben und eine schnelle Speicheranordnung des eingangs erwähnten Typs zum zuverlässigeren, störungsfreien Ausblenden der Ausgangssignale zu schal·