DE2132920B2 - Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information - Google Patents
Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter InformationInfo
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Description
Die erfindungsgemäße Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene auf dieselbe
Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente
enthält und daß mehrere Lesewicki'-ngen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen mit im
ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten
pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker angeschlossen ist, und e'uit andere Lesewicklung mit im zweiten und
vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen
Leseverstärker angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180°
gedreht ist in bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne
der Lesewicklungen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen
zugeordnet sind und umgekehrt, und daß aie Lesewicklung,
die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen
Ebene liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme
mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker verbunden ist, und daß die Lesewicklung, die mit den
Speicherelementen gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen,
an einen zweiten Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen
aller zweiten Leseverstärker verbunden ist
Es sei bemerkt, daß es aus der amerikanischen Patentschrift 31 10 017 an sich bekannt ist, pro
Matrixebene zwei Lesewicklungen, die jeweils diagonal gegenüberliegende Quadranten in Serie zusammenschalten,
vorzusehen. Diese amerikanische Patentschrift zeigt aber keine zusätzliche Ebene und die besondere
Anordnung der Lesewicklungen dieser Fläche.
Auch ist bekannt (»IRE Transactions on Electronic Computers« 1961, S. 233 —237) Lesewicklungen zum
Zweck der Laufzeitenverringerung zu unterteilen. Gleichwohl weisen natürlich unterteilte Lesewicklungen
noch Laufzeiten auf.
Die Erfindung wird nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Für entsprechende Teile in den
verschiedenen Figuren sind dieselben Bezugsziffern verwendet. Es zeigt
Fig. 1 eine bekannte wortorganisierte dreidimensionale
Speicheranordnung,
F i g. 2a das Diagramm einer Hystereseschleife,
Fig.2b ein Diagramm der Spannungen, die in den
Lesewicklungen auftreten, mit denen das Speicherelementgekoppeltist,
Fig.3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Speicheranordnung,
Fig.4 eine Darstellung einer an sich bekannten Verdrahtungsart zweier Lesewicklungshälften in einer
Ebene mit den Speicherelementen,
Fig.5 ein Diagramm der Spannungen, die in jeder
Lesewicklungshälfte einer Speicherelementenfläche nach F i g. 4 auftreten,
F i g. 6a und 6b eine Darstellung einer anderen an sich bekannten Verdrahtungsart von Lesewicklungshälften
in einer Ebene mit Speicherelementen, wobei die Ebene nach F i g. 6b gegenüber der in F i g. 6a um 180° gedreht
angeordnet ist,
Fig. 7 ein Diagramm der Spannungen in der Lesewicklung einer Speichuranordnung, die entsprechend
F i g. 6a bzw. 6b ausgelegt ist,
Fig.8 ein erfindungsgemäßes Aüsführungsbeispiel
einer Speicheranordnung, deren Lesewicklungen entsprechend Fi g. 6a und 6b vorgesehen und wirkungsrnä-
■3 Big r-.usammengeschaltet sind.
Die in Fig. 1 dargestellte wortorganisierte Speicheranordnung
entsprechend dem bekannten Stand der Technik enthält in diesem Beispie! 18 Ebenen mit in
m Reihen und η Spalten pro Ebene angeordneten
ίο Speicherelementen. Hiervon sind nur die Elemente
G,. r. ι und C,, Λ ie dargestellt.
Jedes dieser Speicherelemente ist zum Schreiben von Information in diese Elemente mit einer pro Reihe
vorgesehenen ersten Erregungswindung x^e = 1,
π 2...m) und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten
Erregungswindung yff = 1,2,... nr^und einer pro Ebene
vorgesehenen Inhibitwindung ζ versehen. Zum Lesen von Information aus diesen Elementen sind pro Ebene
eine Lesewicklung ρ und ein daran angeschlossener Leseverstärker V vorgesehen. Zum Erhalten einer
wortorganisierten Speicheranordnung sind die entsprechenden ersten Erregungswindungen χ der verschiedenen
Ebenen miteinander in Reihe verbunden, sind die entsprechenden zweiten Erregungswindungen y der
2Ί verschiedenen Ebenen miteinander in Reihe verbunden
und ist pro Ebene ein Schaltkontakt 5, vorgesehen. Zum
Selektieren von Speicherelementen pro Wortstelle sind Selektionsschalter Sx zum Verbinden nur einer der
Reihenschaltungen der ersten Erregungswindungen
ίο über die Anschlußklemme /, mit einer nicht dargestellten
Stromquelle vorgesehen und sind die Selektionsschalter Sy zum Verbinden einer der Reihenschaltungen
der zweiten Erregungswindungen über die Anschlußklemme Iy mit einer nicht dargestellten Stromquelle
r> vorgesehen. Die Schalter S,\ bis S,,8 werden in
Abhängigkeit von der einzutragenden Information in die Wortstellen gegebenenfalls geschlossen zum Anschließen
der Inhibitwindungen Z\ bis z]K in die
Anschlußklemmen I,\ bis I,\% der nicht dargestellten
ίο Stromquellen.
An Hand der in Fig. 2a dargestellten Hystereseschleife werden die wichtigsten Flußänderungen betrachtet,
die beim Schreiben bzw. Lesen von Information in der Speicheranordnung auftreten. Hierbei wird
r> angenommen, daß dann, wenn das Speicherelement den
durch Punkt A wiedergegebenen Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert ist, die mit dem
Symbol »1« bezeichnet wird und dann, wenn das Speicherelement den durch Punkt B wiedergegebenen
"in Remanenzzustand aufweist, eine Information gespeichert
ist, die mit dem Symbol »0« bezeichnet wird. Zum Schreiben einer »1« in ein eine »0« enthaltendes
Speicherelement wird durch das Schließen eines Schaltkontakts des Selektionsschalters Sx und eines
r, Schaltkontakts des Selektionsschalters 5, durch jede der
mit diesem Element gekoppelten Erregungswindungen ein halber Schreibestrom A geschickt. Dieser halbe
Schreibestrom hat die halbe Stärke, die erforderlich ist, um den Remanenzzustand des Speicherelements von
π. Zustand B in Zustaand A zu ändern. Der Summenstrom
2A, mit dem dieses Element gekoppelt ist, versetzt das Speicherelement in die Stellung »1«. Während des
Schreibens werden die Speicherelemente, die mit nur einer der Erregungswindungen des selektierten EIe-
·■'< ments gekoppelt sind und die den Remanenzzustand B
aufweisen, unter Einfluß des halben Schreibestroms A in jener Erregungswindung ihren Remanenzzustand deshalb,
weil die Hystereseschleife nicht rechtwinklig ist.
über den Zustand H nach D ändern. Dieser Remanenzzustand wird »gestörte 0« genannt. Muß eine »0« in das
selektierte Element geschrieben werden, wird durch die Inhibitwindung ein Inhibitstrom lv gesandt, der dem
halben Schreibestrom in den Erregungswindungen entgegengesetzt entspricht. Der selektierte Kern ist
dann mit dem halben Schreibestrom I5 gekoppelt, wodurch dieses Element gleichfalls in die »gestörte
((«-Stellung gesetzt wird. Die hierbei nur mit der Inhibitwindung gekoppelten und in der Stellung »1«
stehenden Speicherelemente ändern ihren Remanenzzustand unter Einfluß des Inhibitstroms von A über F
nach C, welcher Remanenzzustand »gestörte 1« genannt wird. Auch die in der Stellung »1« stehenden,
halbselektierten Speicherelemente ändern während des Lesens ihren Remanenzzustand von A über F nach C
Weil die Speicheranordnung derart eingerichtet ist, daß nach dem Lesen von Information zunächst Information
in das gelesene Speicherelement geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen wird, ändern die in C
stehenden halbselektierten Speicherelemente ihren Remanenzzustand von Cüber C'nach C.
Die Speicherelemente können sich somit außer in den gewünschten Remanenzzuständen A und ßauch in den
Remanenzzuständen C, D und G befinden. Im nachfolgenden werden die beim Lesen von Information
Störspannungen in den Lesewicklungen induzierenden Flüsse beschrieben. Hierbei werden nur die infolge der
Vorderflanke eines Lesestromimpulses auftretenden Störspannungen näher betrachtet. Diese Störspannungen
sind in Fig. 2b dargestellt. Ein im Remanenzzustar.d D befindliches selektiertes Speicherelement
ändert beim Lesen den Remanenzzustand von D nach L und verursachte eine Flußänderung Qj, die eine
Spannung wV7 induziert. Ein mit einem halben Lesestrom /1 und in der »ungestörten 1 «-Stellung
stehendes Speicherelement ändert den Remanenzzustand von A nach Fund verursacht eine Flußänderung
Q4, die eine Spannung ν V7 in der Lesewicklung induziert.
Steht das Element in der »gestörten 1 «-Stellung, ändert · sich der Remanenzzustand von C nach F, was eine
Flußänderung Qs verursacht, die eine Spannung rV]z
induziert, und wenn das Element in der »gestörten O«-Stellung steht, ändert sich die Remanenz von D nach
£, was eine Flußänderung Qz verursacht, die eine
Spannung r\'O! in der Lesewicklung induziert. Ein in dem
Remanenzzustand G stehendes und mit einem halben Lesestrom gekoppeltes Speicherelement ändert den
Remanenzzustand von G nach F, was eine Flußänderung Qj verursacht, die eine Spannung nvV]z in der
Lesewicklung induziert.
Ein in der »1«- oder »gestörten 1 «-Stellung stehendes Speicherelement ändert denn Remanenzzustand von A
nach B bzw. von C nach B. was eine Flußänderung Qi
bzw. Q2 verursacht, die eine Spannung Vi bzw. V2 in der
Lesewicklung induziert Diese letzten Spannungen sind die erwünschten Signale.
Die Summe aller Störspannungen, die beim Lesen eines Speicherelements durch die halbselektierten
Speicherelemente und das gegebenenfalls in der »gestörten O«-Stellung stehende selektierte Speicherelement in der Lesewicklung induziert werden, wird
Deltarauschen genannt Dieses Deltarauschen kann eine größere Amplitude haben als das erwünschte Signal.
Um den Einfluß des Deltarauschens herabzusetzen, ist es bekannt, die Hälfte der Anzahl von Speicherelementen in einer Ebene im postiven Sinn und die andere
Hälfte im negativen Sinn mit der Lesewicklung zu koppeln. Bei größeren Speicheranordnungen und bei
besonderen Mustern von eingelesener Information in den Speicherelementen ist dieser Ausgleich jedoch
unzureichend.
Wie aus Fig. 2b hervorgeht, licgl das Deltarauschen
zeitlich vor dem erwünschten Signal. Zum ungestörten Aufnehmen der erwünschten Signale ist in der bekann
ten Speicheranordnung nach F i g. 1 ein Ausblendsignal generator AG vorgesehen. Dieser Generator AG hai
eine Anzahl von Eingangsklemmen, die mit den erster Erregungswindungen verbunden sind. Die Leseverstärker
V\ bis Viu sind mit je einer Steuerklemme versehen
die mit der Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden sind. Dieser Ausblendsignalgene
rator AG gibt, solange kein Eingangssignal zugefühn wird, den Steuerklemmen der Leseverstärker V, bis V,,
eine derartige Spannung ab, daß diese Verstärkei gesperrt sind. Wird während der Selektion eines Kern;
der halbe Schreibestrom Is durch eine der erster Erregungswindungen gesteuert, wird dieser Strom zu
gleich einer der Eingangsklemmen des Ausblendsignal generators AG zugeführt. Dieser Generator AG is
derart entworfen, daß nach einer bestimmten Verzöge rungszeit nach dem Empfang eines Eingangssignals eir
Ausblendimpuls abgegeben wird. Die Leseverstärker V bis Vis werden durch den Ausblendimpuls währenc
dessen Impulszeit geöffnet und detektieren währenc dieser Zeit die in den Lesewicklungen p\ bis pu
induzierten Signale. Zum Abtasten eines möglichsi großen nützlichen Teiles der erwünschten Signal«
müssen die bestimmte Verzögerungszeit und die Dauei des Ausblendimpulses derart gewählt werden, daß eir
möglichst großer, störungsfreier Teil des erwünschter Signals innerhalb des Ausbiendimpuises liegt. Der vor
der Vorderflanke des Ausblendimpulses bestimmte Beginn des Ausblendzeitpunkts muß deshalb direki
dann auftreten, nachdem die Deltarausch-Signale in der Lesewicklungen p\ bis p\s bis unter einen nichi
störenden Pegel gesunken sind. Die Dauer de; Ausblendimpulses muß einen derartigen Wert haben
daß die Signale durch die Rückflanke des halber Lesestromimpulses nach der Impulszeit des Ausblend
impulses in der Lesewicklung p\ bis pig induziert werden
Das Ableiten eines Ausblendimpulses von einen-Stromimpuls,
der in einer der ersten Erregungswindun gen χι bis xm auftritt, eignet sich weniger für große unc
schnelle Speicheranordnungen. Diese viele Speicherele mente pro Ebene aufweisenden Speicheranordnunger
haben viele und lange Erregungs- und Inhibitwindungen Diese Windungen weisen dadurch untereinander unc
gegen Erde große Streukapazitäten auf. Wegen des induktiven Charakters der Impedanzen der Inhibit- unc
Lesewicklungen weist die Ausgangsspannung dei Stromquelle während der Vorderflanke des Stromim
pulses eine Amplitude auf, die zwei- bis dreimal so grot ist wie die Amplitude der während des Stromimpulsda
ches auftretenden Spannung. Während des in dieser Speicheranordnungen abwechselnd erfolgenden Schrei
bens und Lesens von Information werden die Streuka
pazitäten durch den halben Schreibestrom bzw Lesestrom auf die erwähnte hohe Spannung aufgeladen
Durch die Reihenschaltung von in den verschiedener Ebenen liegenden entsprechenden Erregungswindun
gen, beispielsweise xq\ bis xq\& entstehen auch zwischei
diesen Windungen der verschiedenen Ebenen Span nungsunterschiede. Diese Unterschiede laden dii
zwischen diesen Windungen auftretenden Streukapazi täten auf. Dies geht mit einer langen Ladezeit einhei
Die Ladezeit einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung, die in 128 Reihen und in 128
Spalten angeordnete Speicherelemente pro Ebene und 18 Ebenen aufweist, beträgt ungefähr 200 ns. Die Zeit, in
der die Speicherelemente in den Lesewicklungen Deltarauschen induzieren, nachdem die Amplitude des
Lese- bzw. Schreibestromimpulses nach dem Einschalten einen konstanten Wert erreicht hat, also nachdem
die Streukapazitäten aufgeladen sind, beträgt nach den in Fig. 2b dargestellten Diagrammen ungefähr 150 ns.
Die Gesamtverzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist ungefähr gleich der Summe dieser Zeiten,
nämlich ungefähr 350 ns.
Nachdem die Streukapazitäten auf die Spannung des Spannungsimpulses, der durch die Vorderflanke des
Siromimpulses erzeugt wird, aufgeladen sind, wollen sich diese Kapazitäten entladen. In Reihe mit den
Erregungswindungen sind zur Selektion dieser Windungen Dioden aufgenommen. Die Dioden der nicht
erregten Windungen sperren die Streukapazitäten während des Entladens, so daß die Entladezeit sehr lang
ist. Es ist bekannt, die Entladezeit durch das Anbringen von Leckwiderständen zu verringern. Diese dürfen nicht
zu klein gewählt werden im Zusammenhang mit der Tatsache, daß die Spannung der Streukapazitäten nicht
unter die während des Stromimpulsdaches auftretende Spannung sinken darf, weil die Stromquelle dann den
Entladestrom ausgleicht, was eine zusätzliche Verlustleistung ergibt. Die Entladezeit der Streukapazitäten
beträgt dann noch anderthalb- bis zweimal die Zeit der Dauer des Lese- bzw. Schreibestromimpulses. Die
Richtung, in der der halbe Schreibestromimpuls durch die Erregungswindungen verläuft, ist der Richtung des
Lesestromimpulses entgegengesetzt. Die Streukapazitäten werden dadurch während des Schreibens in eine
andere Richtung geladen als beim Lesen. Weil die Entladezeit lang ist, ist die Ladung der Streukapazitäten
beim Lesen der Information unmittelbar nach dem Schreiben noch nicht abgeflossen. Diese Restladung
muß erst durch den halben Lesestromimpuls abgeführt werden. Dies erfordert eine zusätzliche Ladezeit. Die
Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG ist fest, während die zusätzliche Ladezeit von der Zeit
abhängig ist, die zwischen dem Schreiben und dem anschließenden Lesen von Information aus der
Speicheranordnung liegt, welche Zeit beliebig ist. Die Verdrahtungsimpedanzen, über welche die Streukapazitäten
aufgeladen werden, bestimmen ebenfalls die Ladezeiten. Diese Verdrahtungsimpedanzen sind wegen
der während der Produktion auftretenden Abweichungen für jede Verdrahtung etwas anders. Somit tritt eine
Streuung in den Entladezeiten der Streukapazitäten der verschiedenen Erregungswindungen auf.
In der bekannten Speicheranordnung werden die Startimpulse für den Ausblendsignalgenerator AG nur
durch die Ströme in den ersten Erregungswindungen χ erzeugt Treten die halben Schreibestromimpulse in den
zweiten Erregungswindungen y etwas später auf als die in den ersten, wird ein Teil des durch die halben
Schreibestromimpulse in diesen Windungen verursachten Deltarauschens in die Zeit des Ausblendimpulses
fallen.
Um Information ohne Deltarauschen lesen zu können, darf der halbe Lesestromimpuls nicht innerhalb
der Entladezeiten der Streukapazitäten nach dem halben Schreibestromimpuls abgegeben werden. Die
Geschwindigkeit, mit der die Speicheranordnung betätigt werden darf, wird hierdurch beträchtlich
eingeschränkt. Die Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators AG muß außerdem so lang gewählt
werden, daß die am längsten auftretende Entladezeit und der größte Zeitunterschied, der zwischen den
Stromimpulsen in den ersten und zweiten Erregungswindungen (x bzw. y) auftreten kann, berücksichtigt ist.
Diese Maßnahmen haben den Nachteil, daß beim Auftreten von kürzeren Entladezeiten und bei einem
geringeren Zeitunterschied zwischen den Strömen in den Erregungswindungen * und y nicht der ganze
nützliche Teil des erwünschten Signals detekliert wird.
Entsprechend der Erfindung ist eine zusätzliche Ebene 19, die auf dieselbe Weise wie in den erwähnten
Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellcn individuell zugeordnete magnetische
Speicherelemente enthält, vorgesehen, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten
und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente in
einen bestimmten Remanenzzustand zu versetzten und sie beim Lesen der Worte in den entsprechenden
Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, und wobei die Speicherelemente zum Lesen
dieser Information mit einer Lesewicklung p^ gekoppelt
sind, welche mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG verbunden ist.
Das in F i g. 3 dargestellte Ausführungsbeispiel einer
erfindungsgemäßen Anordnung ist zum Erhalten von Startimpulsen für den Ausblendsignalgenerator AG mit
einer zusätzlichen Ebene 19 versehen, die Speicherelemente enthält, welche auf dieselbe Weise wie in den
Ebenen 1 bis 18 in Reihen und Spalten vorgesehen sind. Die ersten und zweiten Erregungswindungen dieser
Ebene sind mit den entsprechenden ersten und zweiten Erregungswindungen der anderen Ebene in Reihe
verbunden, wodurch bei der Selektion der Speicherelemente einer bestimmten Wortstelle, in den Ebenen 1 bis
18 auch das dieser Wortstelle zugeordnete Speicherelement in der Ebene 19 selektiert wird. Die Speicherelemente
dieser Ebene 19 sind ferner mit einer Lesewicklung pi9 gekoppelt. Der Ausblendsignalgenerator
AG, der in diesem Fall nur einen Eingang hat, ist an diese Lesewicklung p^ angeschlossen, die dem Ausblendsignalgenerator
AG Startimpulse zuführen soll. Das Fehlen eines Inhibitdrahtes hat zur Folge, daß
während des Schreibens eines Wortes in eine Wortstelle der Speicheranordnung das dieser Wortstelle zugeordnete
Speicherelement in der Ebene 19 immer in die ungestörte »1 «-Stellung und während des Lesens in die
»0«-Stellung gesetzt wird.
Während des Lesens eines Wortes wird ein in der »1 «-Stellung stehendes, halbselektiertes Speicherelement
in die »gestörte 1« gesetzt. Die Speicherelemente in der zusätzlichen Ebene befinden sich vor dem Lesen
nur in den ungestörten oder gestörten »1 «-Zuständen, weil dann, wenn Information aus einer Wortstelle
gelesen ist, zunächst Information in die Wortstelle geschrieben wird, bevor wieder Information gelesen
wird. Ebenso wie die Lesewicklungen p\ bis p)8 ist auch
die Lesewicklung p,9 derart angebracht, daß die Hälfte
der Speicherelemente positiv und die andere Hälfte der Speicherelemente negativ mit der Lesewicklung gekoppelt
ist Die von den Speicherelementen abgegebenen Störspannungen heben sich nahezu auf, weil die
Speicherelemente in der Ebene 19 während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung in der »1«-
oder »gestörten 1 «-Stellung stehen. Während des Lesens wird das selektierte Speicherelement der
zusätzlichen Ebene in die »O«-Stellung gesetzt, und es
induziert ein nahezu deltarauschfreies, erwünschtes Signal in der Lesewicklung pw. Dieses störungsfreie
Signal wird dem Ausblendsignalgenerator AG zugeführt Sobald die Amplitude des störungsfreien Signals r>
einen in Fig.2b durch Drdargestellten Schwellenwert
überschreitet, wird der Ausblendsignalgenerator AG gestartet. Die während des Lesens eines Wortes in den
Lesewicklungen p\ bis p\<t induzierten erwünschten
Signale treten nahezu gleichzeitig auf. Der Zeitpunkt des Startes des Ausblendsignalgenerators AG durch
den in der Lesewicklung pi9 induzierten Impuls fällt
dadurch mit dem Zeitpunkt des Auftretens der erwünschten Signale in den Windungen p\ bis pia
zusammen. Wie in Fig.2b ersichtlich, sind die i·;
Deltarausch-Signale in den Windungen pt bis pm
ungefähr 150 ns nach dem Überschreiten des Schwellenwertes Dr durch das Signal in der Lesewicklung p^
auf einen vernachlässigbaren Pegel gesunken. Der in Fig.3 dargestellte Ausblendsignalgenerator AG weist
eine Verzögerungsanordnung auf, die eine Verzögerungszeit von ungefähr 150 ns hat. Der Ausblendsignalgenerator
gibt den Steuerklemmen der Leseverstärker Vi bis Ki8 nach dieser Verzögerungszeit einen Ausblendimpuls
mit ausreichender Länge ab, wobei die Verstärker in der vorstehend bereits beschriebenen
Weise arbeiten. Der Teil eines erwünschten Signals, das nach dem Deltarauschen in der Lesewicklung induziert
wird, liegt durch die erwähnten Maßnahmen völlig innerhalb des Ausblendimpulses und ist unabhängig von to
den Lade- und Entladezeiten der Streukapazitäten. Dadurch darf direkt nach dem Schreiben von Information
auch Information gelesen werden. Das Entladen der Streukapazitäten durch den Lesestromimpuls erfolgt
viele Male schneller als das Entladen über die r> Ableitungswiderstände, so daß die Speicheranordnung
durch das Anbringen der zusätzlichen Ebene beträchtlich schneller betätigt werden kann.
Die Nachteile, die infolge der Unterschiede in den Entladezeiten auftreten, verursacht durch Herstellungsabweichungen
der Erregungswindungen, sind gleichfalls behoben, weil sie unabhängig sind vom gleichzeitigen
Auftreten der erwünschten Signale in den Erregungswindungen pi bis pig dieser Auf- und Entladezeit. Ebenso
übt ein etwaiger Zeitunterschied zwischen dem <r> Auftreten der Stromimpulse in den ersten und zweiten
Erregungswindungen keinen Einfluß aus, weil die erwünschten Signale in den Lesewicklungen pi bis pi8
und das erwünschte Signale in der Lesewicklung pig
durch den Summenstrom der in den ersten und zweiten w
Erregungswindungen fließenden Leseströme erzeugt werden.
In sehr großen Speicheranordnungen hat die Laufzeit der in der Lesewicklung pig induzierten Signale einen
großen Einfluß auf den Zeitpunkt, in dem der v>
Ausblendimpuls auftritt Dies wird an Hand des in Fig.4 dargestellten Verdrahtungsschemas der Lesewicklungen
in einer Ebene der Speicheranordnung und in dem in Fig.5 dargestellten Diagramm näher
erläutert In Fig.4 ist einfachheitshalber als Beispiel wi
eine Ebene dargestellt, die über acht Reihen und acht Spalten verteilte Speicherelemente enthält Mit der
Hälfte der Anzahl der Speicherelemente ist die Lesewicklung P, und mit der anderen Hälfte die
Lesewicklung Pb gekoppelt Die in diesen Windungen μ
auftretenden Laufzeiten werden an Hand der Lesewicklung P1 näher beschrieben. Das mit der Lesewicklung Pa
gekoppelte Speicherelement GA befindet sich, gemessen über diese Windung, in gleichen Abständen von der
Anschlußklemme k\ und der Anschlußklemme ki. Das
Speicherelement GB ist nahe der Klemme Ai mit der
Lesewicklung Pa gekoppelt. Ein von dem Speicherelement
GA beim Lesen von Information in der Lesewicklung Pa induzierter erwünschter Spannungsimpuls
pflanzt sich zur Hälfte entlang der Lesewicklung zur Anschlußklemme Ai fort und zur anderen Hälfte zur
Anschlußklemme A2. Eine Laufzeit τ nachdem der
Spannungsimpuls in der Lesewicklung induziert ist, ist dieser zwischen den Klemmen k\ und A2 vorhanden. Die
Hälfte eines vom Speicherelement GB beim Lesen von Information in der Lesewicklung gewünschten Spannungsimpulses
wird direkt an der Anschlußklemme Ai, und die andere Hälfte nach einer Laufzeit 2 τ an der
Anschlußklemme A2 vorhanden sein. Die Spannung
zwischen den Anschlußklemmen Ai und A2 besteht aus
der Summe dieser beiden Impulse, von denen nur ein Impuls gegenüber einem von dem Speicherelement GA
herrührenden erwünschten Spannungsimpuls um eine Zeit τ eher zwischen den Klemmen Ai und A2 vorhanden
ist, und wobei der andere Impuls um die Zeit τ später als der erwähnte Impuls vorhanden ist. Die Summe der vom
Element GB herrührenden beiden Spannungsimpulse enthält dadurch mehr höhere Harmonische als die
Summe der vom Element GA herrührenden beiden Spannungsimpulse. Durch die große Streukapazität und
die Impedanz der Lesewicklungen, die mit einer nicht dargestellten Wandlerwicklung zwischen den Klemmen
Ai und A2 abgeschlossen sind, werden die höheren
Harmonischen stark gedämpft. Die Amplitude der vom Speicherelement GB herrührenden Spannungsimpulse
ist dadurch kleiner als die der vom Speicherelement GA herrührenden.
In Fig. 5 sind Spannungen wiedergegeben, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung
mit 19 Ebenen gemessen sind, wobei in jeder Ebene über
128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorgesehen sind. Die Lesewicklungen P11 und Pb
dieser Speicheranordnung sind in derselben Weise wie die in Fig.4 dargestellten Lesewicklung Pa und Pb
vorgesehen und sind in den Ebenen 1 bis 18 an jeweils zugeordnete zwei Leseverstärker und in der Ebene 19
an jeweils zugeordnete zwei Ausblendsignalgeneratoren angeschlossen. Die Speicherelemente, die auf
dieselbe Weise mit der Lesewicklung P3 gekoppelt sind
wie die in Fig.4 angedeuteten Speicherelemente GA
und GB mit der Lesewicklung Pa, werden mit Ga und Gb
bezeichnet Die zwischen den Ausgangsklemmen Ai und A2 einer Lesewicklung Pa gemessene, durch das Element
GA induzierte erwünschte Spannung ist in F i g. 5 durch die Kurve KGa dargestellt. Diese Spannung ist um eine
Laufzeit τ, nachdem sie in der Lesewicklung Pa induziert
ist, zwischen den Anschlußklemmen Ai und A2 vorhanden.
Die zwischen den Ausgangsklemmen A1 und A2
gemessene, durch das Speicherelement GB induzierte erwünschte Spannung ist durch die Kurve KGb
dargestellt
Das Deltarauschen, das zwischen den Anschlußklemmen Ai und ki einer Lesewicklung Pa beim Lesen von
Information gemessen wird, ist abhängig vom Magnetisationszusiand der Speicherelemente, die mit den
Erregungswindungen des selektierten Speicherelements gekoppelt sind. Diese Magnetisationszustände werden
durch die Vorgeschichte bestimmt In F i g. 5 ist mit der Kurve VA das zwischen den Anschlußklemmen Ai und A2
einer Lesewicklung P, gemessene Deltarausch-Signal dargestellt. Die mit einer der Erregungswindungen des
selektierten Speicherelements gekoppelten Speicherelemente enthalten eine derartige Information, daß sich
das von den Elementen getrennt erzeugte Deltarauschen aufsummiert. Der Ausblendsignalgenerator weist
einen Schwellenwert auf, der mit der Linie Dr in F i g. 5 dargestellt ist. Tritt der Spannungsimpuls KGb in der
Lesewicklung der zusätzlichen Ebene 19 auf, so überschreitet er im Zeitpunkt ii den Schwellenwert Dr
und startet den Ausblendsignalgenerator. Die in den Lesewicklungen der Ebenen 1 bis 18 auftretenden
Deltarausch-Signale VA sind im Zeitpunkt £4 bis zu
einem dem Schwellenwert Dr entsprechenden Pegel abgeklungen. Das nach diesem Zeitpunkt auftretende
Deltarauschen ist zu schwach um delektiert werden zu können. Zu diesem Zeitpunkt U kann ein Ausblendsignalgenerator
an die Leseverstärker V\a bis V\s„ einen
Ausblendimpuls abgeben. Die entsprechende Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators ist zum deltarauschfreien
Abtasten der erwünschten Signale minimal und ist gleich tj = U—t\. Die Zeit, während der die
Amplitude des erwünschten Signals nach dem Abtastzeitpunkt U größer ist als der Schwellenwert Dr, ist mit
tr bezeichnet. Tritt in der Lesewicklung Pj der Ebene 19
der Spannungsimpuls KGa auf, wird der Ausblendsignalgenerator durch diesen Impuls zum Zeitpunkt h
gestartet. Der Ausblendsignalgenerator gibt den Sieuereingängen der Leseverstärker V\a bis VtKj den
Ausblendimpuls zum Zeitpunkt tt ab, das ist nämlich die
Verzögerungszeit τ2 nach dem Zeitpunkt fi. Hierdurch
werden nur diejenigen Teile der erwünschten Signale, die von den in den Ebenen 1 bis 18 liegenden
Speicherelementen herrühren, durch die Leseverstärker Vi,, bis Visa detektiert, die nach dem Zeitpunkt is in den
Lesewickiungen induziert werden. In F i g. 5 ist die Zeit, während der die Amplitude eines von einem Speicherelement
Ga mit der Information »1« herrührenden Signals nach dem Ausblendzeitpunkt ft größer ist als der
Schwellenwert Dr, mit fr'bezeichnet. Die Zeit ir'ist viel
kurzer als die Zeit tr. Die innerhalb des Ausblendimpulses liegenden Teile der oberhalb des Schwellenwertes
liegenden erwünschten Signale sind in hohem Maße abhängig von der Stelle in der Speicheranordnung, von
der aus diese Information gelesen wird.
Die erfindungsgemäße Speicheranordnung wirkt dieser Abhängigkeit dadurch entgegen, daß die
Lesewicklungen gemäß F i g. 6a und 6b angeordnet sind, wie nachfolgend näher dargelegt ist.
In Fig. 6a sind von einer 19 Ebenen enthaltenden Speicheranordnung die Lesewicklungen nur einer der
Ebenen 1 bis 18 dargestellt, welche Ebene beispielsweise über 8 Reihen und 8 Spalten angeordnete magnetische
Speicherelemente enthält. In dieser Ebene sind zwei Lesewicklungen PJ und PJ' vorgesehen. Die Lesewicklung
Pa ist mit denjenigen Speicherelementen gekoppelt,
die im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegen. Die Lesewicklung P1" ist mit denjenigen
Speicherelementen gekoppelt, die im zweiten und vierten Quadranten liegen. Die mit diesen Lesewicklungen
gekoppelten Speicherelemente sind zur Hälfte positiv und zur anderen Hälfte negativ damit gekoppelt.
Aus zeichnerischen Gründen ist die Verkopplung der Lesewicklungen PJ und PJ' nicht mit allen Elementen
dargestellt Natürlich können die Ebenen noch weiter unterteilt werden, indem auch die zusammengeschalteten
Quadranten jeweils aus zwei, für sich allein arbeitenden Lesewicklungen bestehen. Dies aber ist
nicht Gegenstand der Erfindung.
Wird Information aus dem Speicherelement GA einer
der Ebenen 1 bis 18 gelesen, wird in der Lesewicklung Pa dieser Ebene nur von solchen halbselektierten
Speicherelementen herrührendes Deltarauschen induziert, welche im dritten Quadranten dieser Ebene liegen.
■-, Dieses Deltarauschen fließt zur Hälfte über eine Seite
der Lesewicklung PJ zur Ausgangsklemme AV, und zur anderen Hälfte über die andere Seite der Lesewicklung
PJ zur Ausgangsklemme AY- Die Laufzeit dieser Signale in der Lesewicklung beträgt ungefähr eine Zeit r, so daß
in die Deltarausch-Spannung während ungefähr dieser
Zeit r, nachdem sie in der Windung Pa' induziert ist,
zwischen den Anschlußklemmen AY und AY vorhanden
ist.
Beim Lesen von Information aus dem Speicherelement GB werden nur die von halbselektierten
Speicherelementen, die ebenso wie Element GB im ersten Quadranten liegen, herrührenden Deltarausch-Signale
in der Lesewicklung P,' induziert.
Die Hälfte dieses Deltarausch-Signals ist unmittelbar,
_>ii nachdem es in der Lesewicklung Pa' induziert ist, an der
Klemme k\ vorhanden. Die andere Hälfte dieses Signals fließt über den Teil der Lesewicklung P1', der im
dritten Quadranten der Ebene liegt, zur Klemme AV und ist nach einer Zeit 2 τ, nachdem es in der Lesewicklung
■, PJ induziert wurde, an dieser Klemme AY vorhanden. In
F i g. 7 sind Spannungen dargestellt, die an einer in der Praxis angewandten Speicheranordnung mit 19 Ebenen
gemessen sind, wobei in jeder Ebene über 128 Reihen und 128 Spalten angeordnete Speicherelemente vorge-
ü 1 sehen sind. Die Lesewicklung PJ ist auf dieselbe Weise
wie die in der in Fig. 6a dargestellten Lesewicklung P,
vorgesehen. Die Speicherelemente, die auf dieselbe Weise mit der Lesewicklung PJ gekoppelt sind wie die
in Fig. 6a dargestellten Speicherelemente GA und GB
Γι mit der Lesewicklung P3'. werden mit Ga und Gb
bezeichnet. Das zwischen den Anschlußklemmen /ti' und Jt2' der Lesewicklung PJ gemessene Deltarauschen,
das bei der Selektion von Speicherelement Ga auftritt, ist in Fig. 7 durch die Kurve Ka dargestellt. Diese
4(i Spannung ist während einer Laufzeit Γ4, nachdem diese
in der Lesewicklung induziert ist, zwischen den erwähnten Anschlußklemmen vorhanden. Ebenso ist
das zwischen den Anschlußklemmen AV und AV
gemessene Deltarauschen, das bei der Selektion des
.;, Speicherelements Gb auftritt, durch die Kurve Kb
dargestellt. Die hierbei in den Speicherelementen gespeicherte Information ist derart gewählt, daß sich
alle in der Lesewicklung PJ induzierten Deltarausch-Signale
aufsummieren.
■-,11 Wie aus F i g. 7 hervorgeht, ist das Deltarauschen, das
bei der Selektion von Speicherelementen auftritt, die zugleich mit dem Speicherelement Ga selektiert
werden, bereits zum Zeitpunkt ti unter den Schwellenwert
Dr des Ausblendsignalgenerators AG gesunken.
ν, Bei der Selektion von Speicherelementen, die zugleich
mit dem Speicherelement Gb selektiert werden, ist das Deltarauschen zu dem späteren Zeitpunkt U unter den
Schwellenwert Drgesunken.
Die zwischen dem in F i g. 7 wiedergegebenen
hi Zeitpunkt /3 und dem in F i g. 5 wiedergegebenen
Zeitpunkt ts liegende Zeit kann als zusätzliche Detektionszeit von in den Lesewicklungen induzierten
erwünschten Signalen verwendet werden, die von Speicherelementen herrühren, welche zugleich mit dem
h> Speicherelement Ga selektiert werden.
Dazu ist die Lage der in Fig.6b angegebenen Lesewicklungen PJ und P,"der zusätzlichen Ebene 19
um 180° gedreht in bezug auf die Laee der
Lesewicklungen der anderen Ebenen 1 bis 18, von denen in Fig. 6a eine dargestellt ist, so daß die in der
Lesewicklung P3 ausgangsnahen Kerne G'B in der
zusätzlichen Ebene den Lusgangsfernen Kernen GA in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt.
Die Vorteile der auf diese Weise erfolgenden Anordnung der Wicklungen P3 und P3" in der
zusätzlichen Ebene 19 werden an Hand einer in Fig.8 wiedergegebenen, in der Praxis angewandten Speicheranordnung
und den Diagrammen nach Fig. 7 näher erläutert.
In F i g. 8 ist ein vereinfachtes Schema der erfindungsgemäßen
Speicheranordnung dargestellt. Die Lesewicklungen in den Ebenen 1 bis 19 sind derart in den Ebenen
angebracht, daß im ersten und dritten Quadranten der Ebenen liegende Speicherelemente mit der Lesewicklung
P/und die im zweiten und vierten Quadranten der Ebenen liegenden Speicherelemente mit der Lesewicklung
P3" gekoppelt sind. An die Ausgangsklemmen k\
und k2' der LesewickJungen P/aer Ebenen J bis 18 sind
die ersten Leseverstärker V|/bis Vi83'angeschlossen.
Die Lage der Lesewicklungen P^3'und Pin/'ist um 180
Grad in bezug auf die Lage der Lesewicklungen in den anderen Ebenen gedreht, und sie sind mil den
Eingangsklemmen der Ausblendsignalgeneratoren AC3' bzw. AG3" verbunden. Die Ausgangsklemme des
Ausblendsignalgenerators AG3'isi mit den Steuerklemmen
der Verstärker V]3' bis Vi«/ verbunden, und die
Ausgangsklemme des Ausblendsignalgenerators AG3"
ist mit den Steuerklemmen der Verstärker Vi/'bis Vlaa"
verbunden. Die Form des Spannungssignals, das den Anschlußklemmen des Ausblendsignalgenerators AG3'
bei der Selektion des Speicherelements Ga' der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführt wird, ist in Fig. 7
durch die Kurve KGa' dargestellt. Das dem Ausblendsignalgenerator
,4G/bei der Selektion des Speicherelements Gb'der zusätzlichen Ebenen 19 zugeführte Signal
ist in Fig. 7 durch die Kurve KGb' dargestellt. Die
Wirkungsweise der Speicheranordnung nach Fig. 8 ist wie folgt:
Beim Lesen von Information aus den Speicherele
menten Ga in den Ebenen 1 bis 18 wird zugleich da; Element Gb' in der Ebene 19 gelesen und dei
Ausblendsignalgenerator AG3' durch das von derr
Element Gb'in der Lesewicklung /V induzierte Signa
KGb' zum Zeitpunkt ii gestartet (s. F i g. 7). Das be
dieser Selektion entstandene Deltarauschen in der Lesewicklungen P3 der Ebenen 1 bis 18 ist im Moment
/3 bis unter den Schwellenwert Dr gesunken. Die feste
Verzögerungszeit des Ausblendsignalgenerators A G3
braucht dazu nur den Wert τ = h — t\ aufzuweisen
Nach dem Zeitpunkt h wird an die Steuerklemmen dei
Leseverstärker Vj/ bis Via/ der Ausblendimpuls
abgegeben, der eine Dauer von f/'aufweist. Beim Leser
von Information aus den Speicherelementen Gb dei Ebenen 1 bis 18 wird zugleich das Element Ga' der
Ebene 19 gelesen und wird der Ausblendsignalgeneratoi
AG3 zum Zeitpunkt h gestartet. Der Ausblendsignalgenerator
AGa'gibt nach der Verzögerungszeit Τϊ den
Ausblendimpuls ab, der zum Zeitpunkt U anfängt,
nämlich h + tj. Dieser Ausblendzeitpunkt entspricht
dem Moment, in dem das Deltarauschen, das bei dieser Selektion induzier ist, in den Lesewicklungen P3 der
Ebenen 1 bis 18 unter den Schwellenwert Dr gesunken ist. Nach dem Zeitpunkt U wird an die Steuerklemmen
der Leseverstärker Vi/ bis Vi83 der Ausblendimpuls
abgegeben, der eine Dauer von tr" aufweist. Wse aus F i g. 7 hervorgeht, sind die Teile der erwünschten
Signale, die von den Speicherelementen in den Ebenen 1 bis 18 herrühren, die zugleich mit den Speicherelementen
Ca'und Gö'der Ebene 19 selektiert werden und die innerhalb des Ausblendimpulses fallen, gleich groß
Hierdurch ist erreicht, daß die Stärke der delektierten Signale, die von Speicherelementen herrühren, welche
die Information »1« enthalten, für alle Speicherelemente unabhängig von der Stelle in den Ebenen gleich groß
sind, und sie werden optimal rauschfrei abgetastet.
Hierzu 6 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit einer Eingangsldemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wortstellen in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsignalgenerators verbunden ist, um diesem Startimpulse zuzuführen, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Ebene (19) auf dieselbe Weise wie in den erwähnten Ebenen den Wortstellen individuell zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält und daß mehrere Lesewicklungen pro Ebene vorgesehen sind, wobei eine der Lesewicklungen (P3'..) mit im ersten und dritten Quadranten der Ebene liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen ersten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V'...) angeschlossen ist, und eine andere Lesewicklung (P"...) mit im zweiten und vierten Quadranten liegenden Speicherelementen gekoppelt ist und an einen zweiten pro Ebene vorgesehenen Leseverstärker (V"...) angeschlossen ist, und daß die Lage der Lesewicklungen der zusätzlichen Ebene um 180° gedreht ist im bezug auf die Lage der Lesewicklungen der anderen Ebenen, so daß die ausgangsnahen Kerne der Lesewicklungen in der zusätzlichen Ebene den ausgangsfernen Kernen in den anderen Ebenen zugeordnet sind und umgekehrt, und daß die Lesewicklung (P3'..), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im ersten und dritten Quadranten der zusätzlichen Ebene (19) liegen, an einen ersten Ausblendsignalgenerator (Ag'...) angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller ersten Leseverstärker (V]) verbunden ist und daß die Lesewicklung (Pa"), die mit den Speicherelementen gekoppelt ist, welche im zweiten und vierten Quadranten der zusätzlichen Ebene liegen, an einen zweiten Ausblendsignalgenerator (AG") angeschlossen ist, dessen eine Ausgangsklemme mit den Steuerklemmen aller zweiten Leseverstärker (V") verbunden ist.Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung zum Speichern von wortorganisierter Information mit in mehreren Ebenen und in diesen auf gleiche Weise in Reihen und Spalten angeordneten magnetischen Speicherelementen, die mit je einer pro Reihe vorgesehenen ersten Erregungswindung, einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung und einer pro Ebene vorgesehenen Inhibit- und Lesewicklung gekoppelt sind, wobei jede Lesewicklung mit einem daran angeschlossenen Leseverstärker versehen ist, welche Leseverstärker je eine Steuerklemme enthalten, an welche zum Ausblenden der in der Lesewicklung induzierten Störsignale ein Ausblendsignalgenerator angeschlossen ist, der zum Starten mit einer Eingangsklemme versehen ist, und eine zusätzliche Ebene vorgesehen ist, die ebenso in Reihen und Spalten angeordnete, den Wortstellen zugeordnete magnetische Speicherelemente enthält, welche Speicherelemente mit einer pro Reihe vorgesehenen ersten und einer pro Spalte vorgesehenen zweiten Erregungswindung gekoppelt sind, um die Speicherelemente beim Schreiben in einen bestimmten Remanzenzzustand zu setzen und sie beim Lesen von Worten in den entsprechenden Wortstelltn in den anderen Remanenzzustand zu setzen, wobei die Speicherelemente zum Lesen dieser Information mit einer Lesewicklung gekoppelt sind, die mit der Eingangsklemme des Ausblendsigralgenerators verbunden ist, um diesem Startimpulse zuzuführen.Eine derartige Speicheranordnung ist aus der DE-AS 1149 391 bekannt und wird u.a. in Rechner- und Fernmeldeanordnungen angewendet.Die während des Lesens von Information aus der Speicheranordnung durch die Speicherelemente in den Lesewicklungen induzierten Signale bestehen außer aus erwünschten auch aus unerwünschten Signalen. Die erwünschten Signale rühren von selektierten Speicherelementen her, deren Magnetisationszustand seine Richtung umkehrt. Die unerwünschten Signale rühren von Speicherelementen her, in denen eine kleine Änderung im magnetischen Zustand auftritt. Diese unerwünschten Signale werden Deltarausch-Signale genannt. Weil bei einer kleinen Änderung der Magnetisation nur wenig von den insgesamt in einem Speicherelement vorhandenen Spins gedreht werden, ist die Zeit, in der dies erfolgt, kurzer als die Zeit, die zum Kippen aller Spins in einem Speicherelement erforderlich ist. Das Deltarauschen liegt dadurch zeitlich vor den erwünschten Signalen. Hierdurch ist es möglich, beide Signale mittels der Ausblendsignalen zu trennen. Die durch dit Speicherelemente in der Lesewicklung der zusätzlichen Ebene induzierten Signale sind nahezu deltarauschfrei. Deswegen werden diese letzten Signale den Abtastgeneratoren als Steuersignale zugeführt.Jedes Speicherelement ist an einer bestimmten Stelle mit der zugehörigen Lesewicklung gekoppelt. Das heißt, daß die zu beiden Seiten eines bestimmten Speicherelementes liegenden Teile dieser Lesewicklung im allgemeinen von unterschiedlicher Länge sind.In sehr großen Speicheranordnungen üben die unterschiedlichen Laufzeiten der beiden Teile der in einer Lesewicklung induzierten Signale einen großen Einfluß auf die Ausblendzeit dieser Signale aus, wodurch die zum Ausblenden verwendbare Zeit nachteilig beeinträchtigt wird.Es ist die Aufgabe der Erfindung, diesen Nachteil zu beheben und eine schnelle Speicheranordnung des eingangs erwähnten Typs zum zuverlässigeren, störungsfreien Ausblenden der Ausgangssignale zu schal·
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
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