DE1904787B2 - Elektrisches speicherelement und betrieb desselben - Google Patents
Elektrisches speicherelement und betrieb desselbenInfo
- Publication number
- DE1904787B2 DE1904787B2 DE19691904787 DE1904787A DE1904787B2 DE 1904787 B2 DE1904787 B2 DE 1904787B2 DE 19691904787 DE19691904787 DE 19691904787 DE 1904787 A DE1904787 A DE 1904787A DE 1904787 B2 DE1904787 B2 DE 1904787B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- element according
- storage
- clock pulses
- circuit
- charging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356069—Bistable circuits using additional transistors in the feedback circuit
- H03K3/356078—Bistable circuits using additional transistors in the feedback circuit with synchronous operation
Landscapes
- Dram (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Speicherelement mit mindestens zwei steuerbaren Bauelementen
die sich abhängig vom Ladezustand zweier parallel zu ihren Steuerstrecken liegender Kapazitäten gegenphasig
im leitenden bzw. gesperrten Zustand befinden. Die Erfindung besteht bei einem derartigen Speicherelement
darin, daß für jede dieser Kapazitäten je eir Ladestromkreis sowie ein Entladestromkreis vorgese
hen sind, über die die Speicherkapazitäten durcl· zyklisch sich wiederholende, gesonderten Impulseingän
gen zugeführte Taktimpulse aufgeladen und anschlie ßend entsprechend ihrem ursprünglichen Ladezustanc
wieder entladen oder im geladenen Zustand belasset werden.
Das erfindungsgemäße Speicherelement eignet siel vor allem zur Speicherung von digitalen Informations
und läßt sich z. B. in vorteilhafter Weise zum Aufbau voi Speichern und Registern in digitalen Schaltungsanord
nungen aller Art verwenden. Das erfindungsgemäß Speicherelement zeichnet sich, verglichen mit bekann
ten Speicherelementen, besonders durch seine höh Schnelligkeit aus, mit der es bei einer Änderung der ζ
fi5 speichernden Information zwischen seinen beide
möglichen Schaltzuständen wechselt. Ein weitere Vorteil dieses Speicherelementes liegt in seiner außen
geringen Leistungsaufnahme während des Betriebe
Dies ist insbesondere darauf zurückzuführen, daß dieses Speicherelement nur während des Nachladens bzw.
Aufladens der Speicherkapazität Leistung aufnimmt und dabei gleichzeitig ohmsche Verluste durch den
völlig neuartigen Aufbau dieses Speicherelementes sehr klein gehalten werden. Darüber hinaus ist bei dem
Speicherelement gemäß der Erfindung durch die zyklisch sich wiederholenden Taktimpulse dafür gesorgt,
daß durch die von diesen Impulsen veranlaßte ständige Erneuerung der in den Speicherkapazitäten
herrschenden Ladezustände die gespeicherte Information auf praktisch unbegrenzte Zeit erhalten bleibt.
Das Einlesen einer Information in das Speicherelement gemäß der vorliegenden Erfindung erfolgt auf
einfache Weise dadurch, daß eine oder auch beide Speicherkapazitäten entsprechend der zu speichernden
Information einmalig in einen bestimmten Ladezustand gebracht werden, wodurch dann die mit ihren
Steuerstrecken parallel zu diesen Speicherkapazitäten liegenden Bauelemente in den leitenden bzw. gesperrten
Zustand übergehen. Das Einschreiben einer Information in einer Speicherkapazität des erfindungsgemäßen
Speicherelementes kann beispielsweise dann erfolgen, wenn der Entladestromkreis der anderen
Speicherkapazität wirksam ist.
Für die zeitliche Zuordnung der Taktimpulse sind an sich verschiedene Variationen möglich. Generell muß
die zeitliche Lage der Impulse jedoch so gewählt werden, daß zunächst das Aufladen bzw. Nachladen und
anschließend gegebenenfalls das Entladen einer Speicherkapazität erfolgt und erst dann, wenn der
Entladestromkreis dieser Kapazität wieder geöffnet ist, der Lade- und Entladevorgang bei der anderen
Speicherkapazität einsetzt Im Rahmen dieser Grundbedingung können nun die Taktimpulse in ihrer zeitlichen
Zuordnung zueinander beliebig gewählt werden. Besonders günstig ist es beispielsweise, die einzelnen Impulse
so gegeneinander zu versetzen, daß jeweils zwischen zwei zeitlich aufeinanderfolgenden Impulsen eine
gewisse Pause liegt Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß die Impulse, die den Lade- und Entladestromkreis
einer Kapazität wirksam werden lassen, jeweils zum gleichen Zeitpunkt beginnen, wobei der den
Ladevorgang steuernde Impuls jedoch stets vor dem Taktimpuls endet, der den Entladestromkreis wirksam
werden läßt. Bei einer derartigen zeitlichen Lage der Taktimpulse muß bei dem Speicherelement gemäß der
Erfindung durch schaltungstechnische Maßnahmen allerdings dafür gesorgt werden, daß bei gleichzeitiger
Anwesenheit des Lade- und Entladeimpulses stets die Aufladung der betreffenden Speicherkapazität erfolgt
und ihre etwaige Entladung erst zu dem Zeitpunkt einsetzen kann, in dem nur noch der den Entladestromkreis
steuernde Impuls vorliegt Der Vollständigkeit halber sei noch darauf hingewiesen, daß die Taktimpulse
für jeden der Lade- bzw. Entladestromkreise von gesonderten Ausgängen eines diese Impulse liefernden
Generators entnommen werden und dann über getrennte Leitungen an entsprechende Impulseingänge
des erfindungsgemäßen Speicherelementes herangeführt werden.
Die Steuerung der Lade- bzw. Entladevorgänge erfolgt bei dem erfindungsgemäßen Speicherelement
beispielsweise dadurch, daß im Entlade- und/oder Ladestromkreis jeder Speicherkapazität Gatter vorgesehen
sind, die durch die ihren Steuereingängen zugeführten Taktimpulse geöffnet werden. Die beiden
gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente sind dabei derart miteinander verbunden, daß der Entladestromkreis
einer jeden parallel zur Steuerstrecke eines Bauelementes liegenden Speicherkapazität jeweils über
den Strompfad des anderen Bauelementes führt. Unter dem Begriff »Strompfad« ist dabei derjenige Stromweg
durch das steuerbare Bauelement zu verstehen, der unter dem Einfluß der an der Steuerstrecke des
betreffenden Bauelementes liegenden Steuerspannung geöffnet bzw. gesperrt wird.
Eine spezielle Ausführungsform der Erfindung weist sowohl im Lade- als auch im Entladestromkreis jeder
Speicherkapazität jeweils ein Gatter auf. |edes der steuerbaren Bauelemente liegt dabei beispielsweise in
Serie mit der Reihenschaltung aus zwei Gattern zwischen den Polen einer Gleichspannungsquelle, die
die für die Ladung der Speicherkapazitäten erforderlichen Ströme liefert Die Steuerelektrode eines jeden der
beiden gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente ist dabei mit dem Schaltungspunkt zwischen den
beiden Gattern verbunden, die in Serie mit dem anderen Bauelement liegen.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Speicherelementes ist wiederum in dem
Lade- und Entladestromkreis jeder Speicherkapazität je ein Gatter vorgesehen. Jedes im Ladestromkreis einer
Speicherkapazität liegende Gatter ist dabei jedoch derart mit einem Ausgang des die Taktimpulse
liefernden Generators verbunden, daß die das Gatter steuernden Taktimpulse der betreffenden Speicherkapazität
über dieses Gatter als Ladespannungen zugeführt werden. Die Ladeströme der Speicherkapazitäten
werden bei diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung also nicht von einer Gleichspannungsquelle, sondern
von dem die Taktimpulse erzeugenden Genera.01
geliefert
Für die gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente werden bei dem erfindungsgemäßen Speicherelement
beispielsweise Transistoren, insbesondere Feldeffekttransistoren verwendet. Letztere haben durch ihre
hohen Eingangswiderstände vor allem den Vorteil, daß ihre Eingangskapazitäten, also die zwischen den
Steuerelektroden und dem Halbleiterkörper wirkenden Kapazitäten, als Speicherkapazitäten verwendet werden
können. Hierdurch ergibt sich ein besonders einfacher Aufbau des erfindungsgemäßen Speicherelements,
der vor allem auch die Herstellung dieses Speicherelementes als integrierter Schaltkreis ermöglicht.
Darüber hinaus können die Strukturen dieser Transistoren, die lediglich während der Ladung bzw.
Entladung der Speicherkapazitäten kurzzeitig sehr niedrige Ströme führen, der dabei auftretenden
geringen Verlustleistung wegen sehr klein gewählt werden, so daß sich für die Speicherkapazitäten äußerst
niedrige Kapazitätswerte ergeben, die dann ihrerseits wiederum für das mit Feldeffekttransistoren aufgebaute
Speicherelement gemäß der Erfindung besonders kurze Umschaltzeiten von einem Schaltzustand in den
anderen Schaltzustand sicherstellen.
Ebenso wie für die gegenphasig arbeitenden steuerbartn Bauelemente finden auch für die Gatter
vorzugsweise Transistoren und dabei besonders Feldeffekttransistoren Verwendung, deren St^erelel n_ en
die entsprechenden Taktimpulse zugeleitet werden und die mit ihren Emitter-Kollektorstrecken bzw. ihren
zwischen Quelle und Senke sich erstreckenden Strompfaden in den Lade- bzw. Entladestromkreisen der
beiden Speicherkapazitäten liegen.
Im folgenden werden nun der Aufbau und die
Wirkungsweise des erfindungsgemäöcn Speicherelementes im Zusammenhang mit den Fig. 1 bis 6 näher
erläutert.
In den F i g. 1 bis 3 sind drei spezielle Ausführungsbeispiele
des erfindungsgemäßen Speicherelementes wiedergegeben. In der F i g. 4 ist ein aktives Bauelement
in seinem prinzipiellen Aufbau dargestellt, das in vorteilhafter Weise zum Aufbau eines Speicherelementes
gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Die F i g. 5 und 6 zeigen hingegen zwei
verschiedene Möglichkeiten für die zeitliche Zuordnung der Taktimpulse sowie den zeitlichen Verlauf der
Spannungen, die sich dabei an den Speicherkapazitäten einstellen und die zugleich auch die Ausgangssignale des
erfindungsgemäßen Speicherelementes darstellen.
Das in der F i g. 1 dargestellte Speicherelement besteht aus den mit den Ziffern 1 bis 6 bezeichneten
Feldeffekttransistoren. Die Transistoren 1 und 2 stellen dabei die beiden gegenphasig arbeitenden steuerbaren
Bauelemente dar, deren zwischen Steuerelektrode und Halbleiterkörper wirkende Eingangskapazitäten zugleich
als Speicherkapazitäten verwendet werden. Die übrigen Transistoren 3 bis 6, von denen jeweils zwei in
Serie mit den Transistoren 1 und 2 liegen, fungieren als Gatter. Ihre Steuerelektroden sind jeweils an einen
Ausgang eines in der Fig. 1 nicht dargestellten Generators angeschlossen, der die mit 4>i bis Φο
bezeichneten Taktimpulse liefert. Wie die F i g. 1 zeigt, ist die Steuerelektrode des Transistors 1 mit dem
Schaltungspunkt 8 verbunden, der zwischen den beiden Transistoren 4 und 6 liegt, während die Steuerelektrode
des Transistors 2 mit dem Schaltungspunkt 7 zwischen den beiden in Serie mit dem Transistor 1 liegenden
Transistoren 3 und 5 in Verbindung steht. Durch diese kreuzweise Verkopplung von steuerbaren Bauelementen
wird erreicht, daß der Entladestromkreis einer zur Steuerstrecke eines Transistors parallelliegenden
Speicherkapazität jeweils über den anderen Transistor führt.
Die für die Aufladung der Speicherkapazitäten benötigten Ströme liefert eine Spannungsquclle 9,
zwischen deren Pole die Reihenschaltungen der Transistoren 1, 3 und 5 bzw. 2, 4 und 6 liegen. Als
Ausgangssignale werden dem gezeigten Speicherelement zwischen den Schaltungspunkten 7 und 8 sowie
dem Schaltungsnullpunkt die Spannungen Ua ? und Ua t
entnommen, die identisch mit den Spannungen sind, die an den parallel zu den Steuerstrecken der Transistoren 1
und 2 wirksamen Speicherkapazitäten liegen.
Die F i g. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für das Speicherelement gemäß der vorliegenden Erfindung.
Auch hier sind jeweils drei Feldeffekttransistoren 1,3 und 5 bzw. 2,4 und 6 jeweils in Serie geschaltet. Die
Transistoren 1 und 2 fungieren wieder als die gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente,
wahrend die Transistoren 3 bis β als Gatter verwendet werden, die von den ihren Steuerelektroden zugeführten
Taktimpulsen Φι bis Φ» vom gesperrten in den
leitenden Zustand übergeführt werden. Eine Gleichspannungsquelle, die wie die Spannungsquelle 9 der in
der F i g. 1 gezeigten Schaltung die Ladeströme für die Speicherkapazitäten aufbringt, entfällt bei diesem
Ausfuhrungsbeispiel des crfindungsgemaßen Speicherelemente*.
Das Aufladen der Speicherkapazitäten erfolgt hier direkt durch die Taktimpulse Φ» und Φ5.
Das in der F i g. 2 dargestellte Speicherelement hat BCBcnübcr der in der F i g. 1 gezeigten Schaltung vor
allem den Vorteil, daß durch den Wegfall der Versorgungsspannungsquelle 9 sich die Zahl der an das
Speicherelement anzuschließenden Zuführungsleitungen wesentlich verringert. Der Vollständigkeil halber
sei noch darauf hingewiesen, daß sämtliche Taktimpulse auch hier ebenso wie bei der in der F i g. 1 dargestellten
Schaltung auf einen bestimmten Schaltungspunkt, beispielsweise auf Massepotential, bezogen sind und die
Halbleiterkörper der Transistoren 1 bis 6 vorzugsweise ebenfalls an diesem Schaltungspunkt angeschlossen
sind.
Die F i g. 3 zeigt eine geänderte Ausführung des in der F i g. 2 dargestellten Speicherelementes. Die beiden
Transistoren 1 und 2 sind jeweils zusammen mit den in j Serie liegenden Transistoren 3 bzw. 4 zu einem einzigen
Transistor mit zwei Steuerelektroden 13 und 14 bzw. 15 und 16 zusammengefaßt. Die Steuerelektroden 14 und
16 entsprechen dabei in ihrer Funktion den Steuerelektroden der Transistoren 1 und 2. Den Steuerelektroden
13 und 15 werden die die Entladestromkreise steuernden Taktimpulse Φ3 und Φα zugeführt. Zum besseren
Verständnis ist in der F i g. 4 ein derartiger Feldeffekttransistor mit zwei Steuerelektroden in seinem prinzipiellen
Aufbau dargestellt, der im weiteren der Einfachheit halber mit »Doppel-Gate-Feldeffekttransistor«
bezeichnet werden soll.
Der Transistor besteht beispielsweise aus einem Halbleiterkörper 17, in dem an einer Oberflächenseite
drei Zonen 18,19 und 20 vorgesehen sind, die einen dem
ίο angrenzenden Halbleitermaterial entgegengesetzten
Leitungstyp aufweisen. Die Zonen 18 und 20, die je nach Schaltung dieses Bauelementes als Quelle bzw. Senke
betrieben werden, sind mit jeweils einer Anschlußelektrode 21 bzw. 22 versehen. Die mittlere Zone 19, die
keinen äußeren Anschluß aufweist, dient zugleich als Quelle und Senke. Auf einer die eine Oberflächenseite
des Halbleiterkörper 17 bedeckenden Isolierschicht 23 sind zwei Steuerelektroden 24 und 25 vorgesehen, mit
denen die Stromphade zwischen den drei Zonen 18,19 und 20 beeinflußt werden. Die Anschlußelektroden 24
und 25 entsprechen dann den Elektroden 13 und 14 bzw. 15 und 16 der beiden in der Fig.3 gezeigten
Transistoren 11 und 12.
Die Verwendung von Doppel-Gate-Feldeffekttransistören
ist selbstverständlich nicht auf das in der F i g. 2 gezeigte Speicherelement gemäß der Erfindung beschränkt,
sondern derartige Transistoren können auch bei der in der F i g. 1 dargestellten Schaltung anstelle der
Transistoren 1 und 3 bzw. 2 und 4 verwendet werden.
so In der F i g. 5 ist eine Möglichkeit für die zeitliche
Zuordnung der einzelnen Taktimpulse zueinander sowie das daraus sich ergebende zeitliche Verhalten der
Ausgangssignale gezeigt Die Taktimpulse Φ3 und Φ« sind hierbei seitlich derart gegeneinander versetzt, daß
ss zu jedem Zeitpunkt allenfalls nur jeweils ein Taktimpuls
wirksam ist. Für die Darstellung wurde angenommen, daß die Polarität der Transistoren sowie die der
möglicherweise vorhandenen Versorgungsspannungsquellen derart gewählt ist, daß negative Signale die
Gatter sowie die gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente vom gesperrten in den leitenden Zustand
überfuhren. Ebenso wie die Taktimpulse sind daher auch die in den Speicherkapazitäten liegenden Spannungen
bezogen auf Nullpotential negativ gepolt. Die unter 6$ Punkt a gezeigten Kurven für die Ausgangsspannungen
gelten für den Fall, daß aufgrund der gespeicherten Information, beispielsweise in den Schaltungen der
F i g. 1 und 2, der Transistor 1 gesperrt und der
Transistor 2 leitend ist, was voraussetzt, daß die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors
1 entladen und die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 geladen ist. Am
Schaltungspunkt 7 liegt die Ausgangsspannung UA7.die
bedingt durch Leckströme in der Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 jeweils
zwischen zwei Taktimpulsen Φ5 von ihrem Sollwert U
auf einen niedrigeren Spannungswen ;ibfällt und dann
vom nächsten Taktimpuls Φί durch Nachladen dieser
parallel zur Transistor 2 liegenden Speicherkapazität wieder auf den Sollwert U gebracht wird. Der
Entladestromkreis dieser Speicherkapazität, der durch den dem Taktimpuls Φι folgenden Taktimpuls Φ}
gesteuert wird, kann nicht wirksam werden, da sich der ebenfalls in diesem Entladestromkreis liegende Transistor
1 aufgrund der gespeicherten Information im gesperrten Zustand befindet. Der Ladezustand der
Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 bleibt somit auch während des Taktimpulses Φ ι
erhalten. Der zeitlich nächste Taktimpuls «£„ veranlaßt
die Ladung der parallel zur Steuerstrecke des Transistors I liegenden Speicherkapazität, so daß auch
die Spannung U.\» am Schaltiingspunkt 8 den Wert I'
annimmt. Mit dem Taktimpuls Φ4 wird jedoch der
Entladestromkrcis für diese Kapazität wirksam. Da auch der in diesem Entladestromkrcis liegende Transistor
2 aufgrund der gespeicherten Information geöffnet ist, fällt die Spannung U.\» noch während des
Taktimpulses Φ4 wieder auf den Wert Null ab.
Unter dem Punkt b ist das zeitliche Verhalten der Ausgangsspannungen für den zweiten möglichen
Schaltzustand des erfindungsgemäßen Speicherelementes gezeigt, bei dem sich der Transistor 1 im leitenden
und der Transistor 2 im gesperrten Zustand befinden und demzufolge auch die Speicherkapazität parallel zur
Steuerstrecke des Transistors I geladen und die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors
2 entladen ist. Durch die Taktimpulse erfolgt in diesem KaII lediglich ein kurzzeitiges Laden der der
Steuerstrecke des Transistors 2 parallcllicgcndcn Speicherkapazität, da sie durch den nachfolgenden
Taklimpuls Φι stets wieder entladen wird. Die Ausgangsspannung
U.\? nimmt nur vorübergehend den Wert // an und füllt während des Taktimpulses Φι
wieder auf den Wert Null ab. Der Taklimpuls <h
veranlaßt das Nachladen der Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors 1. wobei dann der
nachfolgende Taktimpuls Φ«, der den Entladestromkreis dieser Kapazität steuert, nicht wirksam werden kann, da
der ebenfalls im Entladestromkreis liegende Transistor 1 in diesem Fall gesperrt ist.
Kine weitere Möglichkeit für die zeitliche Zuordnung
der Taktimpulsc ist in der Fig. 6 dargestellt, die sich in
besonders vorteilhafter Weise vor allem bei den in den F1 g. 2 und 3 wiedergegebenen Ausrührungsformen des
erfindungsgemäßen Speicherelementes verwenden läßt. Die Taktimpulse zum Laden und Entladen ein und
derselben Speicherkapazität, also die Taktimpulse Φ\
und Φι bzw. Φο und Φ«, beginnen jeweils zu gleichen
Zeitpunkten, was einen besonders einfachen Aufbau des die Taktimpulse liefernden Generators ermöglicht. Wie
die F i g. 6 zeigt, enden jedoch die die Entlodeslromkreise steuernden Taktimpulse Φ j bzw. Φ» zu einem späteren
Zeitpunkt als die Impulse, die das Laden der Kapazitäten veranlassen.
Auf diese Weise ist dann beispielsweise bei der in der F i g. 2 wiedergegebenen Ausführungsform der Erfindung
sichergestellt, daß /.. B. beim Vorhandensein der Impulse Φ5 und Φ} die parallel zum Transistor 2 liegende
Speicherkapazität aufgeladen wird, wobei der Ladestrom über den Transistor 5 und gegebenenfalls auch
über die Transistoren 1 und 3 fließt, falls sich der Transistor I aufgrund der gespeicherten Information
gerade im leitenden Zustand befindet. Nach Beendigung des Impulses Φι bleibt dann der Entladcstromkreis für
die parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 liegende Speicherkapazität noch bis zum Ende des Taktimpulses
Φι wirksam, so daß eine Entladung dieser Speicherkapazität
möglich ist, falls sich der Transistor 1 aufgrund der gespeicherten Information im leitenden Zustand befindet.
Analoge Betrachtungen gelten für die parallel zur Steuerstrecke des Transistors 1 liegende Speichcrkapazilät.
In der F i g. 6 ist wiederum unter den Punkten .1 und 6
das zeitliche Verhalten der Ausgangsspannungen U.\? und (Ά s für die beiden Betriebszuständedeseriindungsgemäßen
Speicherelementes wiedergegeben. Bei dem für den Fall u angenommenen Schaltzustand des
erfindungsgemäßen Speicherclcmentcs befindet sich die parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 liegende
Speicherkapazität im geladenen Zustand und die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors
1 im entladenen Zustand, während im Fall b die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors
1 geladen und die Speicherkapazität parallel zur Steuerstrecke des Transistors 2 entladen ist. Auch bei
der für die Fig.b gewählten zeitlichen Zuordnung der
Taktimpulsc wird wiederum der aufgrund der gespeicherten Information geladene Speicherkondensator im
Zyklus der Taktimpulse nachgeladen, so daß die durch Leckströme auftretenden Ladungsverluste ersetzt werden.
Der zweite Spcichcrkondensator, der sich im entladenen Zustand befindet, wird auch hier, wie im
Zusammenhang mit der Fig. 5 beschrieben, jeweils
durch einen Taklinipuls aufgeladen und durch den nachfolgenden Taklinipuls wieder entladen, so daß der
der gespeicherten Information entsprechende Ladezustand wieder hergestellt ist.
Mehrdeutig bleiben die Ausgangssignale Um und i/.u bei dem erfindungsgeniäßen Speicherelement
jeweils vom Beginn eines jeden Taktimpulses, der das Laden einer Speicherkapazität veranlaßt, bis zumindest
So zu dem Zeitpunkt, in dem der Entladestromkreis dieset
Speicherkapazität wirksam wird, da sich in diesel Zeitspanne unbeeinflußt von der gespeicherten I η for·
mation beide Kapazitäten im geladenen Zustanc befinden. Dies ist völlig unabhängig von der für die
SS Taktimpulsc gewählten zeitlichen Zuordnung und trit
sowohl bei den in der F i g. S als auch bei den in det F i g, b dargestellten Spannungsverlaufen der Ausgangs
spannungen (Ia 1 und Ua g auf. Um nun eine Fehldeutunj
der gespeicherten Information zu vermeiden, ist ei
zweckmäßig, den Auslesevorgang bei dem erfindungs gemäßen Speicherelement so mit den Taktimpulsen zi
koppeln, daß die gespeicherte Information nur jeweil nach den Taktimpulsen entnommen wird, die dii
Entladestromkreise der Speicherkapazitäten steuern.
Claims (15)
1. Elektrisches Speicherelement mit mindestens zwei steuerbaren Bauelementen, die sich abhängig
•vom Ladezustand zweier parallel tu ihren Steuerstrecken
liegenden Speicherkapazitäten gegenphasig im leitenden bzw. gesperrten Zustand befinden,
dadurch gekennzeichnet, daß für jede dieser Kapazitäten ein Lade- und ein Entladestromkreis
vorgesehen sind, über die die Speicherkapazitäten durch zyklisch sich wiederholende, gesonderten
Impulseingängen zugeführte Taktimpulse aufgeladen und anschließend entsprechend ihrem ursprünglichen
Ladezustand wieder entladen oder im geladenen Zustand belassen werden.
2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Lade- und/oder Entladestromkreis
jeder Speicherkapazität Gatter vorgesehen sind, die durch die ihren Steuereingüngen
zugeführten Impulse geöffnet werden, und daß die beiden gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente
derart miteinander verbunden sind, daß der Entladestromkreis einer jeden parallel zur
Steuerstrecke eines Bauelementes liegenden Speicherkapazität jeweils über den Strompfad des
anderen Bauelementes führt.
3. Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl in den Lade- als auch in
den Entladestromkreis jeweils ein Gatter vorgesehen ist.
4. Speicherelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der beiden steuerbaren
Bauelemente in Serie mit der Reihenschaltung aus zwei Gattern zwischen den beiden Polen einer
Gleichspannungsquelle liegt und mit seiner Steuerelektrode jeweils an den Verbindungspunkt der
beiden in Serie mit dem anderen Bauelement liegenden Gatter angeschlossen ist.
5. Speicherelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß jedes im Ladestromkreis einer
Speicherkapazität liegende Gatter derart mit jeweils einem Ausgang eines die Taktimpulse liefernden
Generators verbunden ist, daß die das Gatter steuernden Taktimpulse der betreffenden Speicherkapazität
über dieses Gatter als Ladespannung zugeführt werden.
6. Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß für die gegenphasig
arbeitenden steuerbaren Bauelemente Transistoren vorgesehen sind.
7. Speicherelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß für die gegenphasig arbeitenden
steuerbaren Bauelemente Feldeffekttransistoren vorgesehen sind, und daß die zwischen den
Steuerelektroden und dem Halbleiterkörper dieser Transistoren bestehenden Kapazitäten als Speicherkapazitäten
dienen.
8. Speicherelement nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Gatter
Transistoren, insbesondere Feldeffekttransistoren, vorgesehen sind, die durch die ihren Steuerelektroden
zugeführten Taktimpulse vom gesperrten in den leitenden Zustand übergeführt werden.
9. Speicherelement nach den Ansprüchen 5 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei den in den
Ladestromkreisen liegenden, als Gatter dienenden Feldeffekttransistoren jeweils die als Senke geschal
tete Stromzuführungselektrode mit der Steuerelektrode verbunden ist.
10. Speicherelement nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das in jedem tntladestromkreis liegende Gatter zusammen
mit demjenigen der gegenphasig arbeitenden steuerbaren Bauelemente, das ebenfalls in diesem
Entladestromkreis liegt, zu einem Doppel-Gate-Feldeffekttransistor
zusammengefaßt ist.
11. Speicherelement nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Signalausgänge vorgesehen sind, an denen die an
den Speicherkapazitäten liegenden Spannungen als Ausgangssignale entnommen werden.
12. Speicherelement nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, gekennzeichnet durch seinen Aufbau als integrierter Schaltkreis.
13. Betrieb eines Speicherelementes nach einem der Ansprüche I bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Taktimpulse derart zeitlich gegeneinander versetzt gewählt werden, daß zunächst für eine
Speicherkapazität der Lade- und anschließend der Entladestromkreis wirksam werden, und daß erst
nachdem der Entladestromkreis wieder geöffnet ist, nacheinander der Lade- und Entladestromkreis der
zweiten Kapazität wirksam werden.
14. Betrieb eines Speicherelementes nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktimpulse
so gewählt werden, daß der Lade- und Entladestromkreis jeder Speicherkapazität zu verschiedenen
Zeitpunkten wirksam sind.
15. Betrieb eines Speicherelementes nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktimpulse
derart gewählt werden, daß der Lade- und Entladestromkreis jeweils für eine Speicherkapazität
gleichzeitig geschlossen werden, jedoch der Entladestromkreis erst nach dem Ladestromkreis
wieder geöffnet wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691904787 DE1904787B2 (de) | 1969-01-31 | 1969-01-31 | Elektrisches speicherelement und betrieb desselben |
US6882A US3683206A (en) | 1969-01-31 | 1970-01-29 | Electrical storage element |
GB4417/70A GB1298447A (en) | 1969-01-31 | 1970-01-29 | Electrical data storage element |
FR707003371A FR2029799B1 (de) | 1969-01-31 | 1970-01-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691904787 DE1904787B2 (de) | 1969-01-31 | 1969-01-31 | Elektrisches speicherelement und betrieb desselben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1904787A1 DE1904787A1 (de) | 1970-11-12 |
DE1904787B2 true DE1904787B2 (de) | 1977-07-21 |
Family
ID=5723947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691904787 Withdrawn DE1904787B2 (de) | 1969-01-31 | 1969-01-31 | Elektrisches speicherelement und betrieb desselben |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3683206A (de) |
DE (1) | DE1904787B2 (de) |
FR (1) | FR2029799B1 (de) |
GB (1) | GB1298447A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2105479A1 (de) * | 1971-02-05 | 1972-08-10 | Siemens Ag | Schaltung und Aufbau eines Halbleiterspeicherelementes |
JPS5716426B2 (de) * | 1972-10-09 | 1982-04-05 | ||
FR2316791A1 (fr) * | 1975-06-30 | 1977-01-28 | Ibm | Amplificateur de detection comportant un circuit de bascule bistable independant des seuils |
US4375677A (en) * | 1981-05-20 | 1983-03-01 | Schuermeyer Fritz L | Dynamic random access memory cell using field effect devices |
TWI383348B (zh) * | 2006-12-05 | 2013-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 移位暫存器以及使用其之驅動電路與顯示裝置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3268827A (en) * | 1963-04-01 | 1966-08-23 | Rca Corp | Insulated-gate field-effect transistor amplifier having means to reduce high frequency instability |
US3292008A (en) * | 1963-12-03 | 1966-12-13 | Rca Corp | Switching circuit having low standby power dissipation |
US3309534A (en) * | 1964-07-22 | 1967-03-14 | Edwin K C Yu | Bistable flip-flop employing insulated gate field effect transistors |
US3421092A (en) * | 1965-10-22 | 1969-01-07 | Hughes Aircraft Co | Multirank multistage shift register |
GB1198084A (en) * | 1966-07-01 | 1970-07-08 | Sharp Kk | Information Control System |
US3493786A (en) * | 1967-05-02 | 1970-02-03 | Rca Corp | Unbalanced memory cell |
US3521242A (en) * | 1967-05-02 | 1970-07-21 | Rca Corp | Complementary transistor write and ndro for memory cell |
US3497715A (en) * | 1967-06-09 | 1970-02-24 | Ncr Co | Three-phase metal-oxide-semiconductor logic circuit |
-
1969
- 1969-01-31 DE DE19691904787 patent/DE1904787B2/de not_active Withdrawn
-
1970
- 1970-01-29 GB GB4417/70A patent/GB1298447A/en not_active Expired
- 1970-01-29 US US6882A patent/US3683206A/en not_active Expired - Lifetime
- 1970-01-30 FR FR707003371A patent/FR2029799B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1904787A1 (de) | 1970-11-12 |
US3683206A (en) | 1972-08-08 |
FR2029799B1 (de) | 1973-06-08 |
FR2029799A1 (de) | 1970-10-23 |
GB1298447A (en) | 1972-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2455178C2 (de) | Integrierte, programmierbare Logikanordnung | |
DE2625007C3 (de) | Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher | |
DE2639555C2 (de) | Elektrische integrierte Schaltung | |
DE1462952B2 (de) | Schaltungsanordnung zur realisierung logischer funktionen | |
DE3206507C2 (de) | ||
DE3051230C2 (de) | Spannungserhöhungsschaltung | |
DE3319335A1 (de) | Integrierter schaltkreis und verfahren zur regelung der anstiegszeitkonstanten eines hochspannungsgenerators | |
DE2620187B2 (de) | Monostabile Multivibratorschaltung | |
DE1959870C3 (de) | Kapazitive Speicherschaltung | |
DE3101520A1 (de) | Monolithisch integrierter halbleiterspeicher | |
DE2845100A1 (de) | Speicherschaltung | |
DE68908280T2 (de) | Analogschalter. | |
DE2036619A1 (de) | Transistorisierter Schaltkreis | |
DE2415098A1 (de) | Ausschnittdetektor | |
DE1904787B2 (de) | Elektrisches speicherelement und betrieb desselben | |
DE69113414T2 (de) | Integrierte Konstantstromversorgung. | |
DE2433077A1 (de) | Dynamische speichereinrichtung | |
DE2103276C3 (de) | Dynamisches Schieberegister | |
DE2748571B2 (de) | ||
DE2300187C2 (de) | Schreibschaltung für Halbleiterspeicher | |
DE1959956B2 (de) | Elektrische Speicherschaltung | |
DE2359150C2 (de) | Echt-Komplement-Generator | |
DE69600302T2 (de) | Phasengeneratorschaltung für eine negative Spannungsversorgungsschaltung des Ladungspumpen-Typs | |
DE1959689B2 (de) | Elektrische speicherzelle mit niedriger verlustleistung und verfahren zu ihrem betrieb | |
DE3014529C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8239 | Disposal/non-payment of the annual fee |