DE2128301C3 - Halbleiter-Oszillatordiode - Google Patents
Halbleiter-OszillatordiodeInfo
- Publication number
- DE2128301C3 DE2128301C3 DE2128301A DE2128301A DE2128301C3 DE 2128301 C3 DE2128301 C3 DE 2128301C3 DE 2128301 A DE2128301 A DE 2128301A DE 2128301 A DE2128301 A DE 2128301A DE 2128301 C3 DE2128301 C3 DE 2128301C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- value
- stationary
- charge carrier
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 54
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 13
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 235000007575 Calluna vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000020129 lassi Nutrition 0.000 description 1
- 210000003041 ligament Anatomy 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/10—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N80/00—Bulk negative-resistance effect devices
- H10N80/10—Gunn-effect devices
- H10N80/107—Gunn diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Oszillatordiode,
wie es dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist.
Halbleiter-Oszillatordioden dieser Art beruhen im allgemeinen auf Strominstabilitäten in AIII-BV-Halbleitern,
die unter Einwirkung einer elektrischen Feldstärke oberhalb eines bestimmten Schwellenwertes betrieben
werden. Hierzu werden bisher Halbleiter verwendet, bei denen die differentielle Leitfähigkeit, ausgehend von der
Frequenz Null zunächst negativ ist, um dann oberhalb einer durch den Halbleiter bedingten Grenzfrequenz
positiv zu werden. In der US-Patentschrift 34 90 051
werden Schaltungsanordnungen gezeigt, bei denen unter Verwendung von Halbleiter-Oszillatordioden der
vorgenannten Art Schwingungen verstärkt bzw. erzeug*, werden, indem unter Anlegen eines statischen
elektrischen Feldes unterhalb eines Schwellenwertes, der für die Anfachung von Hochfelddomänen erforderlich
ist, zusätzlich hochfrequente Schwingungen zur Einwirkung gebracht werden, so daß zur Schwingungserzeugung
dieser Schwellenwert periodisch überschritten wird. Der hierzu verwendete Halbleiter weist dabei
durch einen hinreichend kleinen direkten Bandabstand voneinander getrennte Energiebänder auf, um zu
erreichen, daß eine Ladungsträger-Umverteilung noch bei derartigen Feldstärken stattfinden kann, die für den
Halbleiter unschädlich sind Bei Feldstärke Null muß die
LaduMgsträgerkonzeniration im niedrigeren Energieband
zumindest zehnmal größer als die im oberen Energieband bei Betriebstemperatur sein; dabei ist die
Ladungsträgerbeweglichkeit im niedrigeren Energieband angenähert fünfmal größer als die im oberen
Energieband. Die zur Schwingungsanfachung erforderliche stationäre elektrische Feldstärke liegt im Bereich
zwischen 3100 und 4000 V/cm. Die Anwendung dieses Halbleiterhauelements zur Schwingungserzeugung und
-verstärkung ist wie beim Gunneffekt-Bauelen snt auf
ίο den unteren Frequenzbereich beschränkt, da der
verwendete Halbleiter, wie gesagt, eine negative differentielle Leitfähigkeit bei niedrigeren Frequenzen
und im daran anschließenden oberen Frequenzbereich eine positive differentielle Leitfähigkeit aufweist, die
is bekanntlich jegliche Schwingungsanfachung ausschließt
Mit anderen Worten, Halbleiter-Oszillatordioden der vorgenannten Art sind oberhalb einer
bestimmten Grenzfrequenz für die Schwingungserzeugung und -verstärkung völlig unbrauchbar.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, eine Halbleiter-Oszillatordiode für Volumeffektschwingungen
bereitzustellen, die erst oberhalb einer Grenzfrequenz, insbesondere im Bereich oberhalb von 109 Hz,
zu betreiben ist, indem ein Halbleiter mit negativem differentiellen Widerstand Verwendung findet, der sich
erst oberhalb einer bestimmten Grenzfrequenz einstellen kann.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem Kennzeichnen des Patentanspruchs 1 zu entneh-
jo men ist. Es zeigt sich, daß hierbei die differentielle
Leitfähigkeit bei niedrigen Frequenzen positiv und bei hohen Frequenzen kleiner als Null ist. Es ergibt sich also
demnach eine differentielle Leitfähigkeit aufgrund des Übergangs der Elektronen von Zuständen geringerer
j5 Beweglichkeit zu solchen höherer Beweglichkeit bzw.
von Zuständen, bei denen die Elektronen zur Stromleitung nicht frei sind, in Zustände, bei denen die
Elektronen die Stromleitung übernehmen. Nichtleitende Zustände können durch Elektronen iin Valenzband oder
in nichtlokalisierten Störstellenniveaus vorgegeben sein, wohingegen stromleitende Zustände durch Elektronen
im niedrigsten Leitungsbandminimum dargestellt sein können. Jedenfalls wird hierdurch ein Verlauf der
differentiellen Leitfähigkeit herbeigeführt, die bei
4> niedrigeren Frequenzen positiv ist und bei höheren
Frequenzen in den negativen Bereich gelangt.
In vorteilhafter Weise lassen sich also mit der Erfindung Schwingungen mit Frequenzen erzeugen
bzw. verstärken, die weit oberhalb der bisher mit
id Ausnutzung des Volumeffekts verwendeten Schwingungsfrequenzen
liegen. Wie bei der bekannten Anordnung wird an den Halbleiter ein stärkeres stationäres elektrisches Feld Ea angelegt, dem ein
schwächeres, räumlich gleichförmiges Wechselfeld
ν, E\(t) — E] cos ωί überlagert ist. Der sich im Ansprechen
auf dieses relativ kleine Wechselfeld einstellende Strom ist von der Form
j](t)=j]rcos ωί+yVsin o)t.
ho Das Verhältnis von j\r zu E\ wird als Realteil der
differentiellen Leitfähigkeit bei Frequenz bezeichnet und ist mit σ/(ω) gleichgesetzt. Das Verhältnis des
gegenüber zuvor außer Phase liegenden Stroms, nämlich j\' zu Ei, stellt dabei den Imaginärteil der
h) differentiellen Leitfähigkeit bei Frequenz ω dar und ist
mit ar' ((o) gleichgesetzt. Lediglich durch das Vorzeichen
von o/ (m) wird festgelegt, ob ein Verstärkungs- oder
Schwingungszustand vorliegt. Ist ο/(ω) negativ, was
bedeutet, daß der in Phase liegende Strom entgegengesetzt
zur Richtung des ihn erzeugenden Feldes fließt, dann liegt ein Verstärkungszustand vor. Andererseits ist
bei positivem σ/ (ω) ein Dämpfungszustand wirksam.
Die Halbleiter-Oszillatordiode besitzt in vorteilhafter ί
Weise die Eigenschaften, daß für einen bestimmten Bereich der stationären Feldstärke Ea der Wert für
α/ (ω) bei niedrigen Frequenzen positiv, jedoch in einem
daran anschließenden höheren Frequenzbereich kleiner als Null ist, so daß sich hier Verstärkungs- und
Schwingungszustand einstellen können. So zeigt der Halbleiter unterhalb von etwa 109 Hz positive Leitfähigkeit
und ist damit für Bereitstellung eines Schwingungszustandes wirkungslos, wohingegen bei höheren Frequenzen
als es dem angegebenen Wert entspricht sich ι ·> negative Leitfähigkeit einstellt, die damit eine Verstärkung
und Schwingungserzeugung ermöglicht
An sich ist es bekannt, für Volumeffekt-Halbleiterbaueiemente-Halbleiter
mit direktem Bandabstand zu verwenden, insbesondere Galliumarsenid. An sich ist es
außerdem bekannt, N-leitendes Germanium, das unter Druckspannung steht, für die Volumeffekt-Schwingungserzeugung
heranzuziehen. Letzteres ist beschrieben in »Applied Physics Letters«, Band 12, Nr. 7, vom 1.
April 1968, Seiten 233 ff. Diese Schwingungen lassen sich nur unter bestimmten Voraussetzungen erzeugen,
wovon eine die ist, daß der Halbleiter aus einem Material besteht, das zur Herbeiführung des Gunneffekts
geeignet ist; womit dann verhältnismäßig hohe Feldstärkewerte Anwendung Finden müssen. jo
Weiterhin ist aus der niederländischen Offenlegungsschrift 69 16 757 ein Halbleiter, bestehend aui
InPxASi-X, worin χ den Atombruchteil des Phosphors
mit einem Wert zwischen 0,16 und 0,65 darstellt, oder aus Ini-yGa^As, bekanntgeworden, worin y den
Atombruchteil des Galliums mit einem Wert zwischen 0,15 und 0,43 bezeichnet, um für Lawinen verstärkungszwecke
Verwendung zu finden. Derartige Materialien an sich stellen aber nicht die Erfindung dar.
Gegenüber der bekannten Anordnung, wie sie in der 4(, oben bezeichneten Veröffentlichung in »Applied Physics
Letters« beschrieben ist, lassen sich im vorliegenden Fall die Elektronen vom Valenzband zum Leitungsband
in der Weise bringen, daß sie von einem Leitungsband geringer Beweglichkeit auf ein Leitungsband höherer
Beweglichkeit gehoben werden, v.le bei N-Ieitendem
Germanium, das in der(l 11)-Richtung unter Druckspannung
steht, wobei das stationäre Feld £b parallel zur Druckrichtung angelegt wird oder wie bei unter
Uniaxialdruck stehencl"m P-Ieitendem Germanium v>
sowie Silicium, wo das stationäre elektrische Feld senkrecht zur Druckrichtung einwirkt. Das gleiche läßt
sich von einem Störstellenniveau innerhalb des verbotenen Bereiches eines Halbleiters mit entsprechend hoher
Trägerbeweglichkeit herbeiführen, wie es z. B. für y>
chromdotiertes Galliumarsenid der Fall ist. Auch in diesem Fall ist der Feldschwellenwert für den der
Erfindung zugrundeliegenden Effekt geringer als der für den Gunneffekt, nämlich 100 V/cm iid Vergleich zu
3500 V/cm bekannter Anordnungen. w)
Das der Erfindung zügrunde liegende Phänomen ist klar zu unterscheiden vom Effekt des stromgesteuerten
negativen Widerstandes, der mehr oder weniger eine statische Erscheinung ist, wie sie sich aus der
Strom-Spannungscharakteristik gemäß dem Verlauf M nach F i g. 6 ergibt. Während bei einer derartigen Kurve
das Intervall zwisclifT b und c als Bereich des
stromgesteuerten negativen Widerstandes anzusehen ist, ist bei einer Halbleiter-Oszillatordiode gemäß der
Erfindung ein solcher Bereich hiervon nicht betroffen. Vielmehr besitzt die Kurve für den stationären Zustand
in diesem Fall eine Form, wie sie der graphischen Darstellung nach F i g. 7 zu entnehmen ist, wo die
negative differentielle Leitfähigkeil ein rein dynamisches Phänomen darstellt
Unter Bezugnahme auf F i g. 3 enthält die mit Hilfe der Halbleiter-Oszillatordiode gemäß der Erfindung zu
realisierende Oszillatorschaltung in bekannter Weise (US-PS 34 90 051) ein Volumeffekt-Halbleiterbauelement
36, dessen Struktur, wie an sich ebenfalls bekannt, in F i g. 2 gezeigt ist, wo allerdings ein Ladungsträgerübergang
von einem Band niedrigerer Trägerbeweglichkeit zu einem Band höherer Trägerbeweglichkeit
herbeiführbar ist Weiterhin ist in der bekannten Schaltungsanordnung nach F i g. 3 eine Gleichspannungsquelle
37, ein Schalter 38 und ein Schwingkreis, bestehend aus dem Kondensator 39 und der Spule 40,
vorgesehen. Der Schwingkreis ist allerdings gegenüber der Schaltungsanordnung nach de. genannten US-Patentschrift
34 90 051 im vorliegenden Fall auf eine Resonanzfrequenz abgestimmt, die höher ist als ]09 Hz.
Für darunterliegende Frequenzen stellt sich keine Schwingungsanfachung ein. Wird demnach bei Einstellung
einer höheren Resonanzfrequenz der Schalter 38 geschlossen, dann werden die Einschwingvorgänge bei
Resonanzfrequenz verstärkt und auf das verstärkende Halbleiterbauelement rückgekoppelt, bis sich ein
eingeschwungener Schwingungszustand ergibt. Ein mit Hilfe des verstärkenden Halbleiterbauelements betriebener
Oszillator ist dem Gunneffekt-Oszillator und anderen bisher bekannten Voluneffekt-Oszillatoren
insofern vorzuziehen, als hiermit nöhere Betriebsfrequenzen zur Verfugung stehen als sie bisher zu erzielen
sind.
Anschließend soll die Erfindung anhand einer Ausführungsbeispielsbeschreibung mit Hilfe der unten
aufgeführten Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigt
Pig. 1 eine bekannte Verstärkerschaltung, die allerdings
mit einer Halbleiter-Oszillatordiode gemäß der Erfindung ausgestattet ist,
Fig. 2 eine schematische Darstellung ein?r Halblei· ter-Oszillatordiode gemäß der Erfindung,
F i g. 3 eine an sich bekannte Oszillatorschaltung, die mit einer Halbleiter-Oszillatordiode gemäß der Erfindung
ausgestattet ist,
Fig.4 eine graphische Darstellung, bei der die Leitfähigkeit als Funktion der Frequenz aufgetragen ist,
und zwar für eine bekannte Halbleiter-Oszillatordiode.
F i g. 5 eine graphische Darstellung, bei der die Leitfähigkeit als Funktion von der Frequenz für eine
Halbieiier-Oszillatordiode gemäß der Erfindung aufgetragen
ist,
F i g. 6 eine grapnische Darstellung, bei der der Strom in Abhängigkeit von der Spannung aufgetragen ist, wie
es sich für Bauelemente nach dem Stand der Technik ergibt,
F i g. 7 eine graphische Darstellung, bei der der Strom in Abhängigkeit von der Spannung dargestellt ist, wie es
sich für eine erfindungsgemäße Halblei'er-Oszillatordiode ergibt.
Die in Fig. 1 dargestellte Verstärkerschaltung enthält eine Mikrowel'cn-Signalquelle 11, eine Richtungsgabel 12, einen Volumeffekiverstärker 13, eine Gleichspannungsquelle
14 und eine Belastung 15 mit dem Lastwiderstand RL. Die Mikrowellen-Signalquelle 11
liegt am Eingang 1 der Richtungsgabel 12 und ist mit dem Volumeffekt-Bauelement über den Anschluß 2 und
den Transformator 17 gekoppelt. Außerdem wirkt auf das Volumeffckt-Bauelement eine von der Gleichspannungsquelle
14 bereitgestellte Gleichspannung ein. Der Transformator 17 verhindert, daß ein Gleichstrom auf
die Richtungsgabel gelangt, wohingegen die Drossel 18 die Übertragung der Mikrowellen auf die Gleichspannungsquelle
14 verhindert. Die Signalamplitude wird dann durch das Volumeffekt-Bauelement 13 verstärkt.
Über den Anschluß 2 und den Ausgang 3 der Richtungsgabel 12 wird dann das verstärkte Mikrowellensignal
auf die Last 15 übertragen.
Wie in F i g. 2 gezeigt, besteht das Halbleiter-Bauelement
13 aus dem Volumeffekt-Halbleiter 20, der an gegenüberliegenden Enden mit den Elektroden 21 und
22 versehen ist. Ein geeigneter differentieller negativer Widerstand im Halbleiter ist bedingt durch den
I .iitliingslrägenibergang oder durch die Umverteilung
der Ladungsträgerbesetzung von einem Band niedrigerer Beweglichkeit oder sogar N'icht-Leitungsbändern zu
Bändern höherer Beweglichkeit. Bei den hier in Betracht kommenden Energiebändern handelt es sich
entweder um Leitungsbänder oder um Valenzbänder, je nachdem, welches Vorzeichen die Ladungsträger
besitzen. Der Volumeffekt-Halbleiter 20 muß dabei aus einem Halbleiter mit direktem Bandabstand bestehen,
der nicht den Gunneffekt zeigt. Der Bandabstand dieser Halbleiter sollte im Bereich von etwa 0,5 eV bis etwa
0,7 eV liegen.
Die Erfindung beruht auf der Ausnutzung eines neuartigen Effekts zur Bereitstellung einer negativen
differentiellen Leitfähigkeit oberhalb einer Grenzfrequenz
in einem Volumeffekt-Halbleiter. Zur Erläuterung der Wirkungsweise soll ein gleichförmiges
Halbleiterstück betrachtet werden, das einem relativ starken Gleichfeld En ausgesetzt ist, das eine Gleichstromdichte
Jn zur Folge hat. Die Wirkung eines
elektrischen Wechsclfcldes kleiner Amplitude Ex(t) = Fi cos(ü)t), das dem elektrischen Gleichfeld En
überlagert ist. läßt eine der Feldstärke E1(I) proportionale
Stromdichte, nämlich j\(t), entstehen mit der Form:
h (') = hT cos ω' + h' sm ω ' ·
worin j\r die Amplitude der in Phase liegenden
Stromdichte und jV die Amplitude der 90° aus der Phase
liegenden Stromdichte darstellt. Das Verhältnis von j\r
zu E\ stellt den reellen Teil der differentiellen Leitfähigkeit (mit dem Grundfeld E0 und der Frequenz
O)) dar und wird mit ο/ (ω) bezeichnet. In gleicher Weise
wird das Verhältnis der Außer-Phase-Stromdichte jV zu
f. der Imaginärteil der differentiellen Leitfähigkeit bezeichnet und trägt die Bezeichnung σ/ (ω).
Wird ein Bauelement als Voiumoszillator oder
-verstärker bei einer Frequenz ω verwendet, dann ist es erforderlich, daß der Wert für ο/ (ω) bei gegebenem
Wert von ω negativ ist. Halbleiter, die den Gunneffekt zeigen, der vom Elektronenübergang von einem hohen
Beweglichkeits- zu einem niedrigen Beweglichkeits-Energieband abhängt, zeigt einen Funktionsverlauf für
ο- (ω) von ω, wie er in Fig.4 dargestellt ist. So lassen
sich verstärkende oder schwingende Bauelemente bereitstellen, die bis zu einer oberen Grenzfrequenz mit
einem Wert von (^betrieben werden können. Der Wert (;)t- für N-leitendes Galliumarsenid, den am meisten
verwendeten Gunneffekt-Halbleiter. beträgt etwa ω.-'
gleich 10:i Hz. Der Übergangsprozeß von einem Band
hoher Beweglichkeit zu einem Band niedrigerer Beweglichkeit stellt grundsätzlich eine statische negative
differenticlle Leitfähigkeil bereit, was bedeutet, daß
o/ (tu) meistens negativ für ω = 0 ist und daß mit
, zunehmender Frequenz und wenn die Elektronen nicht weiter unmittelbar auf das angelegte Feld ansprechen,
die differentielle Leitfähigkeit positiv wird, so daß die Schwingungserzeugung unterbunden wird.
Demgegenüber sind die der vorliegenden Erfindung
in zugrunde liegenden Bauelemente aus einem Halbleiter
hergestellt, für den der Verlauf von η/ (ω) in
Abhängigkeit von ω gilt, wie in F i g. 5 gezeigt.
In diesem Fall ergibt sich für den statischen Vorgang bei der Frequenz ω - 0 ein positiver Wert für or (u>). Bei
ι , höheren Frequenzen oberhalb der Grenzfrequenz, wo das unmittelbar Ansprechen der Elektronen auf das
angelegte elektrische Feld nicht mehr von entscheidender Bedeutung ist, wird dann der Wert für o/ (o>)
negativ. Der Frequenzbereich dieser relativ hohen
JH Frequenzen ist also für die vorliegende Erfindung von
Bedeutung und stellt den Betriebsbereich dar.
Um grundsätzlich einen negativen Wert für η/ (ω) bei
einer Frequenz ω zu erhalten, ist es erforderlich, daß die Phasenverschiebung zwischen dem angelegten elektri-
j~> sehen Feld und der Stromdichte 90" übersteigt.
Dies gilbt z. B. für
Dies gilbt z. B. für
1)
2)
2)
Hierin stellt j, die Amplitude und θ die Phasenverschiebung
zwischen dem angelegten elektrischen Feld und der resultierenden Stromdichte dar. Gleichung 2
r. läßt sich auch wie folgt schreiben:
ji(t) = j, cos θ cos lot + j[ sin θ sin ω/.
Hierin läßt sich ersetzen:
Hierin läßt sich ersetzen:
3) /, COS H = j\
4i /, sin (-/ - j[ .
4-, Für den Bereich 90° < θ < 270" ist j,r negativ, so
daß der in Phase liegende Strom j\r in entgegengesetzter
Richtung zum angelegten Feld E fließt und das Signal mit der Frequenz ω verstärkt wird. Es gibt einige
Halbleiter, bei denen θ > 90° ist. Als Beispiel läßt sich
vi Indiumantimonid anführen. 1st dieser Halbleiter geringfügig
N-dotiert und es wird ein hinreichend s' .»-kes
elektrisches Feld angelegt, dann gewinnen die Elektronen im Leitungsband genügend Energie, um zusätzliche
Elektronen aus dem Valenzband in das Leitungsband zu
=,- ziehen. Die Rate, mit der zusätzliche Elektronen in das
Leitungsband gebracht werden, hängt von der mittleren Elektronenenergie und der Rekombinationszeit der
Überschußelektronen ab. Diese Energie wiederum enthält einen Schwingungsanteil E]COs(Wf-Oi) auf-
wi grund des elektrischen Wechselfeldes £Ί cos ωί. Da das
elektrische Feld nur die Zuwachsrate der Energie bestimmt, kann der Wert für θι bei hohen Frequenzen
bis zu 90° betragen. Da die Erzeugungsrate der Überschußladungsträger von der Energie abhängig ist.
ηϊ ergibt sich eine Verzögerung bzw. Nacheilung in bezug
auf die Energie.
5l H1If) = H1 COS ('·Λ —
<-), - (-I2) .
21 28 JOI
Λ ικ h her νν iedei um k.iiin ι Ie ι W er I 11 ir " Ins /ιι Ίιι
hell ,Igen, D1 eilt / ■ um em. π Winkel " nai h. del ilen 11 hei
1X) hm.iiisgelieiulen Ilen,ig erf.illl: also wenn
I); h II. ■ 1II) her 1H I1Ii,ise liegende Wei hselstnim
liesit/l /wei leime
/ι c(n<A\: I 11,H )
Der erste Ie π ί sie Hi hierbei die ( ie ,ι Im iiidigkcitsan
ileruiig der I I·1 n iicn/ahl im sl.ition.il ein Zustand d.ir
und ist für die "i ('■ ■ tr;ic tit kiinnnende ι Substanzen
niemals negativ
II
η cos(() t O)
Der zueile I : .ti μιίικίι kann negativ weiden, da u
positiv ist um, ler Wert von n,\ wie oben ersiihthi.ii.
negativ weiden !sann Wenn icdoeli lh groll genug ist
und (), t (·), ■ IO .dann ist t>.' (m) - I).
IηSIvHallleiter oder irgendeine AIII HV-Halhleilerver
liimlting oder Legierung dar. die ledoeli keinen
(iunneffekt /eigen darf, leiehl N dotiert ist und bei hinreichend niedrigen leinperatiiren. /. II. von Π Κ bis
/u etwa !00 K (abhängig vom li.ind.ibsland), betrieben
wird, so dall es nur wenige !.igenlailiiugstrager gibt, [-in
"■tiitioiuircs l'eld von einigen 100 V/cm, /. Ii. 200 bis
K)O V/cm, fur InSb wird .i'i den Halbleiter über /wei
I Ukliiuleu angelegt, so dall das stationäre leid eine
tan. .ii.ii ι.· Koii/enlr.ilioii vom I liierst hulSclckli onen
bi-ieilstelll, die !.'einiger lsi als die I )oliei lings b/vv.
Stm MePi nkuii/eiiii ation I in soli her I lalblciUT wird in
eiui'M l'.esiinaii/liiil'ilraiini oiler eine VVellenleHerslruk
im iingigeln n. wie in den I ig .' und i -.Llienialiseh
aiigeiL .net, indem das /ιι verstärkende leid l\ cos in/
/iigeliilirt wild um ScIminguiigser/eiigiing oder Ver
-l.ii kling lieibei/iiliihieii.
\llerii.iliv lassi'ii sieh I leklioneii vom Valen/band
,Mini I eilung.liaiiil in der We^e bringen, thill sie von
einem Leitungsband geringer lievveglichkeil aiii ein
I eiiuiigsbaiid höherer llevveghijikeit gehoben werden,
wie /.II. in N leitendem (iermaiiium. das in der
(I I I) Ku hluiig unter Druck gesetzt wild, wobei das
stationäre IeM l„ parallel /ur DruckrichUing aiiuelegl
wird oder bei unter Uniaxialdruek stehendem l'leiten-.J1,..,
(ie:::!;:::::::!; ;:der Süic:::::: \v;: &.:'. s!;!!!;!::;i:"e !;e!d
senkreihl zu ι ■ I; tue kr ich tu ng wirkt. Das gleiche l;i lit sii;h
von einem Siorstellenniveaii innerhalb des verbotenen
liereiches eines Halbleiters mit entsprechend hoher I rägerbevveglichkeit herbeiführen, wie es z. Ii. für
chronidoiienes (ialliumarsenid der IaI! ist. Im letzteren
I all ist der I eltlsehvvelleiivvert fiir diesen neuariigeii
I llekt geringer als der für ilen (iunneffekt. iiiiiiilich
MKiO V im im Vergleich zu l")0() V cm.
I Ik i/u I 111.ill Λ leimung η
Claims (2)
1. Halbleiter-Oszillatordiode, enthaltend einen Halbleiter mit Energiebändern verhältnismäßig
geringen Bandabstandes, so daß eine Umverteilung der Ladungsträgerbesetzung von Zuständen geringer
Ladungsträgerbeweglichkeit zu Zuständen höherer Ladungsträgerbeweglichkeit in beiden Energiebändern
stattfindet, wenn ein über ohmsche Kontakte angelegtes elektrisches Feld unter gleichzeitiger
Einwirkung eines stationären und eines nichtstationären Anteils einen Schwellenwert überschreitet
und dadurch Volumeffektschwingungen im Halbleiter anregt, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiter einen direkten Bandabstand mit einem Wert zwischen 0,5 bis 0,7 eV
aufweist, wie z.B. InSb, In*Gai-xAs, mit
0,53 < a· < 1,0, InAsxP,_a mit 0,30
< χ < 1,0, In,Ali_,Sb, mit 0,9
< χ < 1,0, wobei vorstehend aufgeführte Halbleiter leicht N-Ieitend dotiert sind
oder unter Druckspannung stehendes N- und P-leitendes Germanium, unter Druckspannung stehendes
P-leitendes Silicium sowie chromdotiertes Galliumarsenid, und daß der stationäre Feldanteil
einen Wert in der Größenordnung von einigen 100 V/cm aufweist, so daß die differenzielle Leitfähigkeit
σ^ω) des Halbleiters im unteren Frequenzbereich
positiv und im daran anschließenden oberen Frequenzbereich negativ ist.
2. Halbleiter-Oszillatordiode nach Anspruch 1, mit zur Bereitstellung des nichtstationären Feldanteils
angeschlossenem Schv/ingkrtii, dadurch gekennzeichnet,
daß der Schwingkreis im oberen Frequenzbereich auf eine Frequenz von mindestens 109 Hz
abgestimmt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4748670A | 1970-06-18 | 1970-06-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2128301A1 DE2128301A1 (de) | 1972-01-27 |
DE2128301B2 DE2128301B2 (de) | 1979-02-22 |
DE2128301C3 true DE2128301C3 (de) | 1979-10-11 |
Family
ID=21949258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2128301A Expired DE2128301C3 (de) | 1970-06-18 | 1971-06-07 | Halbleiter-Oszillatordiode |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3602841A (de) |
JP (1) | JPS5221358B1 (de) |
CA (1) | CA926024A (de) |
DE (1) | DE2128301C3 (de) |
FR (1) | FR2095324B1 (de) |
GB (1) | GB1343647A (de) |
SE (1) | SE359703B (de) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5415963U (de) * | 1977-07-01 | 1979-02-01 | ||
US5329257A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-12 | International Business Machines Corproation | SiGe transferred electron device and oscillator using same |
US7388259B2 (en) * | 2002-11-25 | 2008-06-17 | International Business Machines Corporation | Strained finFET CMOS device structures |
US6887798B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | STI stress modification by nitrogen plasma treatment for improving performance in small width devices |
US7329923B2 (en) * | 2003-06-17 | 2008-02-12 | International Business Machines Corporation | High-performance CMOS devices on hybrid crystal oriented substrates |
US7279746B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-10-09 | International Business Machines Corporation | High performance CMOS device structures and method of manufacture |
US7410846B2 (en) * | 2003-09-09 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Method for reduced N+ diffusion in strained Si on SiGe substrate |
US6890808B2 (en) * | 2003-09-10 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improved MOSFETs using poly/silicide gate height control |
US6887751B2 (en) * | 2003-09-12 | 2005-05-03 | International Business Machines Corporation | MOSFET performance improvement using deformation in SOI structure |
US7170126B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Structure of vertical strained silicon devices |
US6869866B1 (en) | 2003-09-22 | 2005-03-22 | International Business Machines Corporation | Silicide proximity structures for CMOS device performance improvements |
US6872641B1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-29 | International Business Machines Corporation | Strained silicon on relaxed sige film with uniform misfit dislocation density |
US7144767B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-12-05 | International Business Machines Corporation | NFETs using gate induced stress modulation |
US7119403B2 (en) | 2003-10-16 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | High performance strained CMOS devices |
US7037770B2 (en) * | 2003-10-20 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing strained dislocation-free channels for CMOS |
US7303949B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-12-04 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhanced MOSFETs using Si:C and SiGe epitaxial source/drain and method of manufacture |
US7129126B2 (en) * | 2003-11-05 | 2006-10-31 | International Business Machines Corporation | Method and structure for forming strained Si for CMOS devices |
US7015082B2 (en) * | 2003-11-06 | 2006-03-21 | International Business Machines Corporation | High mobility CMOS circuits |
US7029964B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a strained silicon on a SiGe on SOI substrate |
US7122849B2 (en) * | 2003-11-14 | 2006-10-17 | International Business Machines Corporation | Stressed semiconductor device structures having granular semiconductor material |
US7247534B2 (en) | 2003-11-19 | 2007-07-24 | International Business Machines Corporation | Silicon device on Si:C-OI and SGOI and method of manufacture |
US7198995B2 (en) * | 2003-12-12 | 2007-04-03 | International Business Machines Corporation | Strained finFETs and method of manufacture |
US7247912B2 (en) * | 2004-01-05 | 2007-07-24 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for making strained MOSFETs |
US7381609B2 (en) | 2004-01-16 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Method and structure for controlling stress in a transistor channel |
US7202132B2 (en) | 2004-01-16 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Protecting silicon germanium sidewall with silicon for strained silicon/silicon germanium MOSFETs |
US7118999B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-10-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to increase strain effect in a transistor channel |
US7923782B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-04-12 | International Business Machines Corporation | Hybrid SOI/bulk semiconductor transistors |
US7205206B2 (en) * | 2004-03-03 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating mobility enhanced CMOS devices |
US7504693B2 (en) * | 2004-04-23 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Dislocation free stressed channels in bulk silicon and SOI CMOS devices by gate stress engineering |
US7223994B2 (en) * | 2004-06-03 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | Strained Si on multiple materials for bulk or SOI substrates |
US7037794B2 (en) * | 2004-06-09 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Raised STI process for multiple gate ox and sidewall protection on strained Si/SGOI structure with elevated source/drain |
TWI463526B (zh) * | 2004-06-24 | 2014-12-01 | Ibm | 改良具應力矽之cmos元件的方法及以該方法製備而成的元件 |
US7227205B2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-06-05 | International Business Machines Corporation | Strained-silicon CMOS device and method |
US7288443B2 (en) * | 2004-06-29 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for manufacturing p-type MOSFET with graded embedded silicon-germanium source-drain and/or extension |
US7217949B2 (en) * | 2004-07-01 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Strained Si MOSFET on tensile-strained SiGe-on-insulator (SGOI) |
US6991998B2 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-31 | International Business Machines Corporation | Ultra-thin, high quality strained silicon-on-insulator formed by elastic strain transfer |
US7384829B2 (en) | 2004-07-23 | 2008-06-10 | International Business Machines Corporation | Patterned strained semiconductor substrate and device |
US7193254B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Structure and method of applying stresses to PFET and NFET transistor channels for improved performance |
US7238565B2 (en) * | 2004-12-08 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Methodology for recovery of hot carrier induced degradation in bipolar devices |
US7262087B2 (en) * | 2004-12-14 | 2007-08-28 | International Business Machines Corporation | Dual stressed SOI substrates |
US7173312B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Structure and method to generate local mechanical gate stress for MOSFET channel mobility modification |
US7274084B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-09-25 | International Business Machines Corporation | Enhanced PFET using shear stress |
US7432553B2 (en) * | 2005-01-19 | 2008-10-07 | International Business Machines Corporation | Structure and method to optimize strain in CMOSFETs |
US7220626B2 (en) * | 2005-01-28 | 2007-05-22 | International Business Machines Corporation | Structure and method for manufacturing planar strained Si/SiGe substrate with multiple orientations and different stress levels |
US7256081B2 (en) * | 2005-02-01 | 2007-08-14 | International Business Machines Corporation | Structure and method to induce strain in a semiconductor device channel with stressed film under the gate |
US7224033B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for manufacturing strained FINFET |
US7545004B2 (en) * | 2005-04-12 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Method and structure for forming strained devices |
US7544577B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-06-09 | International Business Machines Corporation | Mobility enhancement in SiGe heterojunction bipolar transistors |
US7202513B1 (en) | 2005-09-29 | 2007-04-10 | International Business Machines Corporation | Stress engineering using dual pad nitride with selective SOI device architecture |
US20070096170A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | International Business Machines Corporation | Low modulus spacers for channel stress enhancement |
US7655511B2 (en) * | 2005-11-03 | 2010-02-02 | International Business Machines Corporation | Gate electrode stress control for finFET performance enhancement |
US20070099360A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-03 | International Business Machines Corporation | Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making |
US7785950B2 (en) * | 2005-11-10 | 2010-08-31 | International Business Machines Corporation | Dual stress memory technique method and related structure |
US7348638B2 (en) * | 2005-11-14 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Rotational shear stress for charge carrier mobility modification |
US7709317B2 (en) * | 2005-11-14 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Method to increase strain enhancement with spacerless FET and dual liner process |
US7564081B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-21 | International Business Machines Corporation | finFET structure with multiply stressed gate electrode |
US7863197B2 (en) * | 2006-01-09 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Method of forming a cross-section hourglass shaped channel region for charge carrier mobility modification |
US7776695B2 (en) * | 2006-01-09 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device structure having low and high performance devices of same conductive type on same substrate |
US7635620B2 (en) * | 2006-01-10 | 2009-12-22 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device structure having enhanced performance FET device |
US20070158743A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-12 | International Business Machines Corporation | Thin silicon single diffusion field effect transistor for enhanced drive performance with stress film liners |
US7691698B2 (en) | 2006-02-21 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | Pseudomorphic Si/SiGe/Si body device with embedded SiGe source/drain |
US8461009B2 (en) * | 2006-02-28 | 2013-06-11 | International Business Machines Corporation | Spacer and process to enhance the strain in the channel with stress liner |
US7521307B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | CMOS structures and methods using self-aligned dual stressed layers |
US7608489B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-10-27 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhance MOSFET and method of manufacture |
US7615418B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-11-10 | International Business Machines Corporation | High performance stress-enhance MOSFET and method of manufacture |
US8853746B2 (en) * | 2006-06-29 | 2014-10-07 | International Business Machines Corporation | CMOS devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same |
US7790540B2 (en) | 2006-08-25 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Structure and method to use low k stress liner to reduce parasitic capacitance |
US7462522B2 (en) * | 2006-08-30 | 2008-12-09 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving device performance variation in dual stress liner technology |
US8754446B2 (en) * | 2006-08-30 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure having undercut-gate-oxide gate stack enclosed by protective barrier material |
US8115254B2 (en) | 2007-09-25 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor-on-insulator structures including a trench containing an insulator stressor plug and method of fabricating same |
US8492846B2 (en) | 2007-11-15 | 2013-07-23 | International Business Machines Corporation | Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition |
US8598006B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-12-03 | International Business Machines Corporation | Strain preserving ion implantation methods |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1528653A (fr) * | 1966-02-10 | 1968-06-14 | Varian Associates | Dispositif semi-conducteur à mobilité différentielle globale négative et à conductance externe négative dans le domaine des micro-ondes |
GB1263709A (en) * | 1968-11-07 | 1972-02-16 | Nat Res Dev | Semiconductor devices |
-
1970
- 1970-06-18 US US47486A patent/US3602841A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-04-20 FR FR7115073A patent/FR2095324B1/fr not_active Expired
- 1971-05-07 GB GB1362071*[A patent/GB1343647A/en not_active Expired
- 1971-05-13 JP JP46031671A patent/JPS5221358B1/ja active Pending
- 1971-05-14 CA CA113002A patent/CA926024A/en not_active Expired
- 1971-06-07 DE DE2128301A patent/DE2128301C3/de not_active Expired
- 1971-06-18 SE SE07951/71A patent/SE359703B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE359703B (de) | 1973-09-03 |
GB1343647A (en) | 1974-01-16 |
JPS5221358B1 (de) | 1977-06-09 |
DE2128301B2 (de) | 1979-02-22 |
US3602841A (en) | 1971-08-31 |
FR2095324A1 (de) | 1972-02-11 |
DE2128301A1 (de) | 1972-01-27 |
CA926024A (en) | 1973-05-08 |
FR2095324B1 (de) | 1975-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2128301C3 (de) | Halbleiter-Oszillatordiode | |
DE2153828B2 (de) | Oszillatorschaltung mit Feldeffekttransistoren | |
DE2059446A1 (de) | Read-Dioden-Oszillatoranordnung | |
DE1541409A1 (de) | Modulation eines Gunn-Oszillators | |
DE2639555A1 (de) | Elektrische integrierte schaltung in einem halbleiterchip | |
DE1514431A1 (de) | Halbleiteranordnung mit pn-UEbergang zur Verwendung als spannungsabhaengige Kapazitaet | |
DE943964C (de) | Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung | |
DE69101202T2 (de) | Zerhackerverstärkerschaltung zur Versorgung eines Stroms, der proportional zu einer Spannung ist und eine elektromagnetische Ablenkeinheit, die eine solche verwendet. | |
DE69322934T2 (de) | Vorrichtung mit einer Schaltung zum Verarbeiten eines Wechselsignals | |
DE1591818C2 (de) | Oszillatorschaltung mit einem Volumeneffekt-Halbleiterbauelement | |
DE3705147C2 (de) | ||
DE1541413C3 (de) | Anordnung zur Erzeugung von elektromagnetischen Schockwellenschwingungen | |
DE1537159A1 (de) | Schaltglied bestehend aus zwei aktiven Halbleiterbauelementen | |
DE68919809T2 (de) | MESFET enthaltende Halbleiteranordnung. | |
DE68920401T2 (de) | MESFET enthaltende Halbleiteranordnung. | |
DE933277C (de) | Schwingungserzeuger mit einem Resonanzkreis und einem mit drei Elektroden ausgeruesteten Halbleiter | |
DE2444486A1 (de) | Monolithisch integrierbare verzoegerungsschaltung | |
DE69007761T2 (de) | Schaltungsanordnung für Stromversorgung einer Last wie Magnetron. | |
DE1537159C (de) | Impulserzeuger bestehend aus zwei aktiven Halbleiterbauelementen | |
DE1007807B (de) | Transistor-Schaltungsanordnung fuer die Umformung von Impulsen | |
DE3341767A1 (de) | Spannungsschaltregler | |
DE1512411C (de) | Multivibrator | |
DE1512642A1 (de) | Zweitalhalbleitereinrichtungen | |
DE2112683C3 (de) | Schaltanordnung mit einem Halbleiterbauelement aus Gunn Effekt-Material | |
DE2244011C3 (de) | Spannungsgesteuerter Oszillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |