DE2119879B2 - Einrichtung zur Regelung der Temperatur eines elektrischen Heizelementes - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Regelung der Temperatur eines elektrischen Heizelementes gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Einrichtungen zur Regelung der Temperatur eines elektrischen Heizelementes sind an sich bekannt So sind beispielsweise in der GB-PS 1052 813 in den Figuren 1 und 3 Anordnungen beschrieben, die ebenfalls bidirektionale Thyristoren in Abhängigkeit von einem temperaturgesteuerten Glied triggern, bei denen die Triggerimpulse im Nulldurchgang der Betriebswechselspannung mittels eines Rechteckgenerators erzeugt werden.

Die dort beschriebenen Anordnungen leiden aber aufgrund ihrer internen Schaltkreisstruktur unter dem Nachteil, daß sie im praktischen Beirieb einer größeren Störanfälligkeit ausgesetzt sind und darüber hinaus auch mit einem höheren Komponentenaufwand realisiert sind.

Der Frfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung zur Regelung der Temperatur eines elektrischen Heizelements anzugeben, die weitgehend störungsfrei arbeitet und außerdem aufgrund eines geringeren Komponentenaufwands auch wirtschaftlicher ist,

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst

Eine Weherbildung des Gegenstandes der Erfindung ist dein Unteranspruch zu entnehmen.

Der Gegenstand der Erfindung verfügt somit über den Vorteil einer geringeren Störanfälligkeit im praktischen Einsatz und eines geringeren Aufwandes an

ίο Bauelementen, so daß er auch eine ökonomisch günstigere Lösung darstellt

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben. Die einzige Figur zeigt eine Einrichtung zur Regelung der

ii Temperatur eines elektrischen Heizelements gemäß der Erfindung.

Gemäß der Fig. liegt über einen Widerstand 7 eine Zenerdiode 6 an einer Netzspannung 17. Eine erste Diode 18 richtet die an der Zenerdiode 6 anstehende Rechteckspannung gleich. Die Glättung dieser Gleichspannung übernimmt der Kondensator 19. Mit der Gleichspannung werden versorgt: Die Basis eines zweiten Transistors 8 vom p-n-p-Typ über einen Basisspannungsteiler 9,21, der Emitter des Transistors 8, der Emitter eines ersten Transistors 11 vom p-n-p-Typ, ein Basisspannungsteiler eines dritten Transistors 5 vom p-n-p-Typ, bestehend aus den steuerbaren Widerständen 13 und 14, einem temperaturabhängigen Widerstand 12 und einer dritten Diode

20, die der Temperaturkompensation dient Ober eine zweite Diode 1Φ gelangt die an der Zenerdiode 6 anstehende Rechteckspannung an den Kollektor des zweiten Transistors 8 und die Basis des ersten Transistors 11, sowie über einen Widerstand 15 an den Kollektor des dritten Transistors 5. Der Emitter des dritten Transistors 5 ist an. das gemeinsame Massepotential der Schaltung geführt Der Kollektor des ersten Transistors 11 ist mit dem Gate des bidirektionalen Thyristors 4 verbunden, dessen einer Pol an Masse und

«ο dessen anderer Pol über die Last 22 an die Netzspannung 17 geführt ist

Beim Einschalten der Netzwechselspannung steht an der Zenerdiode 6 eine positive Rechteckspannung von 50 Hz an, deren Kanten durch einen Kondensator 16

*5 verrundet werden. Der zweite Transistor S, dessen Basisspannung aus den negativen Halbwellen der Netzwechselspannung gebildet ist, liefert an seinem Kollektor eine positive Rechteckspannung von ebenfalls 50 Hz, jedoch 180° phasenverschoben zur erstgenannten Rechteckspannung. An der Basis des ersten Transistors 11 steht demnach eine 100 Hz-Rechteckspannung positiven Potentials, einmal 50 Hz über die zweite Diode 10 und einmal 180° phasenverschoben 50 Hz über den Kollektor des zweiten Transistors 8. Der erste Transistor U führt nur in den Pausen der 100 Hz-Rechteckspannung Strom, liefert also eine 100 Hz·Rechteckspannung geringer Impulsbreite, jedoch mit Impulsen jeweils im Nulldurchgang der speisenden Wechselspannung. Die Basis des ersten Transistors 11 ist außerdem Ober den Widerstand 15 mit den driften Transistor 5 verbunden, der im Falle des Lettens negatives Potential liefert. Die Basis dieses dritten Transistors 5 ist mit einem Basisspannungsteiler versehen, dessen eines Glied aus veränderbaren

6^r> Widerständen 13, 14 und dessen anderes Glied aus einem temperaturabhängigen Widerstand 12 und einer Diode 20 besteht. Solange die eingestellte Temperatur noch nicht erreicht ist, führt die Basis des dritten

Transistors 5 positive Spannung. Der dritte Transistors leitet und liefert für den ersten Transistor 11 eine negative Basisspannung, so daß auch der dritte Transistor U leitet und IQO Hz-Impulse als Zöndimpulse zum Gate des steuerbaren bidirektionalen Thyristors 4 gelangen. Die Last 22 liegt dauernd an der Netzwechselspannung. Steigt die Temperatur auf den eingestellten Wert an, so verändert steh der temperaturabhängige Widerstand 12 derart, daß an der Basis des dritten Transistors 5 ein Potential anliegt, das den dritten Transistor 5 sperrt Damit wird auch an der Basis des ersten Transistors Il kein negatives Potential mehr anliegen. Der erste Transistor 11 ist gesperrt und der bidirektionale Thyristor 4 bekommt keine Zündimpulse, Die Last 22 ist abgeschaltet

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

1. Patentansprüche;

   U Einrichtung zur Regelung der Temperatur eines elektrischen Heizelementes, das über einem bidirektionalen Thyristor an einer Betriebswechselspannung liegt, wobei in Steuerabhängigkeit von einem temperaturabhängigen Widerstand Zündimpulse nur im Nulldurchgang der Betriebswechselspannung abgegeben werden, dadurch ge ken η ζ eich net, daß eine Reihenschaltung, bestehend aus einem ersten Widerstand (7) und einer Zenerdiode (6), an der Betriebswechselspannungsquelle (17) liegt, daß der Verbindungspunkt von erstem Widerstand (7) und Zenerdiode (6) Ober eine erste Diode (18) und die Emitter-Kollektor-Strecke eines ersten Transistors (11) mit der Steuerelektrode des bidirektionalen Thyristors (4) verbunden ist, daß der Kollektor eines zweiten Transistors (8) einerseits an der Basis des ersten Transistors (11) und andererseits über eine zweite Diode (10) am Verbindungspunkt von erstaqr» Widerstand (7) und Zenerdiode (6) liegt, daß die Emitter der beiden Transistoren (11, 8) miteinander verbunden sind, daß die Basis des zweiten Transistors (8) über einen zweiten Widerstand (9) mit dem einen Pol der Betriebswechselspannungsquelle (17) verbunden ist, daß die Basis des ersten Transistors (11) über einen Kollektorwiderstand (15) eines dritten Transistors (5) und dessen Kollektor-Emitter-Strecke mit dem anderen Pol der Betriebswechselspannungsquelle (17) verbunden ist, aaß die Basis des dritten Transistors (5) einerseits über dem temperaturabhängigen Widerstand (12) am anderen Pol der Bstriebs·· ,echselspannungsquel-Ie (17) liegt und andererseits über einem einstellbaren dritten Widerstand (13, * f) am Emitter des ersten Transistors (11) liegt
2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Basis des dritten Transistors (5) und dem anderen Pol der Betriebswechselspannungsquelle (17) in Reihe zum einstellbaren dritten Widerstand (13,14) eine dritte Diode (20) vorgesehen ist