<Desc/Clms Page number 1>
Vorrichtung zur Erzeugung einer periodischen Spannung
EMI1.1
<Desc/Clms Page number 2>
tiven und einer negativen Hälfte einer ganzen Periode einer periodischen Spannung erforderlich ist. Die Erfindung besteht darin, dass der Leitwert im Kreis des ersten Paares gleichnamiger Hauptelektroden in Abhängigkeit von der Spannung an diesen Elektroden eine vorgeschriebene Funktion durchläuft, zu welchem Zweck mit dem ersten Paar gleichnamiger Hauptelektroden eine Impedanz verbunden ist, die aus mehreren parallelgeschaltetenDioden-Widerstands-Zweigen aufgebaut ist, und dass zwischen den Zweigen an den vom ersten Hauptelektrodenpaar abgekehrten Seiten Widerstände angebracht sind, die in Reihe aus einer Spannungsquelle gespeist werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt : Fig. l ein Schaltbild einer Vorrichtung nach der Erfindung ; Fig. 2 die unterschiedlichen Spannungsformen, die in einem bestimmten Fall auftreten, und Fig. 3 eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 1.
In Fig. 1 sind zwei Transistoren-T, und T,-als Verstärkerelemente in Emitterschaltung wirksam. Die Emitter sind über eine Stromquellenschaltung --S-- mit einer Klemme --A-- einer Speise quelle verbunden. Die Stromquellenschaltung --S-- kann mittels eines Hilfstransistors realisiert werden, dessen Emitter über einen Widerstand mit dem Punkt-A-der Speisequelle verbunden ist, während die Basis mit dem Schleifer eines Potentiometers verbunden ist. Die beiden andem Anschlüsse des Potentiometers werden mit einer Gleichspannungsquelle verbunden. Der Kollektor des Hilfstransistors
EMI2.1
bunden. Mittels des Schleifers wird der Strom durch den Hilfstransistor eingestellt.
Der Innenwiderstand der Stromquellenschaltung --S-- ist gross gegenüber dem Emittereingangswiderstand der Transistoren - T und T-und ebenfalls gross gegenüber einer Impedanz --Z--, die gleichfalls mit den Emittern verbunden ist. Diese Impedanz-Z-besteht aus mehreren parallelgeschalteten Dioden-Widerstands- Zweigen --1, 2,... n--, wobei zwischen je zwei benachbarten Zweigen auf der von den Emittern abgekehrten Seite ein Widerstand --r1,r2, ,,, bzw. rn-- geschaltet ist.
Diese zwischengeschalteten Widerstände --r1, r2, ,,, rn-- bilden an sich zusammen mit einem Widerstand--ro-einen Reihenkreis, der auf der Seite des Widerstandes-ro--mit einer Klemme einer durch einen Transistor --T3 -- dargestellten Spannungsquelle verbunden ist und auf der andern Seite an einem Punkt konstanten Potentials liegt. Der Innenwiderstand der Spannungsquelle ist klein gegenüber dem durch die Impedanz --Z--
EMI2.2
--1, 2,... n-- sind mit --1\,Klemme --B-- einer Speisequelle verbunden, mit der auch der Kollektor des Transistors --Ta -- ver- bunden ist.
Den Steuerelektroden der Transistoren und T2-- werden aus einer Quelle --K-- Spannungen, von denen mindestens eine periodisch ist, angeboten, während sich an den Kollektoren dieser Transistoren die erwünschte periodische Spannung ergibt, die einer Vorrichtung --C-- zugeführt wird.
Die Steuerelektrode des Transistors --T3 - ist mit dem Schleifer eines Potentiometers --P-- verbunden, das einerseits an der Klemme--B-einer Speisequelle und anderseits an einem Punkt konstanten Potentials liegt. Die Wirkungsweise der Vorrichtung nach der Erfindung wird an Hand eines Beispieles erläutert, bei dem, ausgehend von zwei dreieckförmigen Spannungen, eine sinusförmige Spannung erzeugt wird, aber die Erfindung ist nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Andere Spannungen, z. B. sinusförmige, gegebenenfalls mit verschiedenen Frequenzen u. dgl. können ebenfalls als Ausgangspunkt zum Erhalten bestimmter Spannungsformen gewählt werden.
In Fig. 2 sind die verschiedenen Spannungsformen dargestellt, die an bestimmten Punkten der Schaltung nach Fig. 1 bei diesem speziellen Beispiel auftreten. Den Steuerelektroden der Transistoren - T und T2 -- werden mit entgegengesetzter Phase dreieckförmige Spannungen --V-- mit einem Scheitelwert-V.--, s. Fig. 2, 1 bzw. II, von der Quelle --K-- zugeführt. Die unterschiedlichen Zweige der Impedanz --Z-- sind für diesen Fall so zusammengesetzt, dass sich der Leitwert --G-- im Emitterkreis der Transistoren --T1 und T2-- proportional cos x ändert, wobei x=V/V1 ist, s. Fig. 2 III. Infolgedessen ist der Strom durch einen leitenden Transistor-T oder T-, welche Transistoren wechselweise während einer Halbperiode leitend oder gesperrt sind, proportional sin x, s. Fig. 2 IV bzw. V.
Auf diese Weise ergibt sich an jedem der Kollektoren abwechselnd eine Periodenhälfte, deren Spannung proportional sin x ist. In einer Vorrichtung --C-- können diese Hälften zu einer normalen Sinusspannung zusammengefügt werden, s. Fig. 2 VI. Wenn infolge einer angebotenen Dreieckspannung einer der Transistoren-T und T2 -- zu leiten beginnt, wird anfangs, weil sämtliche Dioden infolge des vorhandenen Spannungszustandes leitend sind, der Wert der Impedanz --Z-- nur durch den Wider- stand--Rn--bestimmt. Wenn die Spannung am Emitterkreis ansteigt, werden nacheinander die Dioden
<Desc/Clms Page number 3>
EMI3.1
EMI3.2
<tb>
<tb>
D-nicht-leitend, <SEP> = <SEP>
<tb> R <SEP> = <SEP> 56 <SEP> kn <SEP> r1 <SEP> 11 <SEP> n <SEP>
<tb> Rj <SEP> = <SEP> 39 <SEP> k# <SEP> r2 <SEP> = <SEP> 22 <SEP> Q
<tb> = <SEP> 30 <SEP> kQ <SEP> r3 <SEP> = <SEP> 22 <SEP> Q
<tb> 24 <SEP> kQ <SEP> 33 <SEP> B
<tb> 20 <SEP> M <SEP> 33 <SEP> ss <SEP>
<tb> 20 <SEP> kQ <SEP> 33 <SEP> #
<tb> 15 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 12 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 12 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> #
<tb> 13 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 15 <SEP> k# <SEP> 56 <SEP> #
<tb> 15 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> #
<tb> 16 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 18 <SEP> k# <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 20 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> #
<tb> 22 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> #
<tb> 27 <SEP> kQ <SEP> 56 <SEP> Q
<tb> 33 <SEP> k# <SEP> 56 <SEP> Q <SEP>
<tb> Rn-1 <SEP> = <SEP> 43 <SEP> k# <SEP> rn <SEP> = <SEP> 56 <SEP> #
<tb> Rn <SEP> = <SEP> 47 <SEP> kQ <SEP> rn <SEP> = <SEP> 112Q
<tb>
EMI3.3
<Desc/Clms Page number 4>
strichelt angegebene Verbindung I zwischen der Steuerelektrode des Transistors-T-und dem Potentiometer --P--. Es sei bemerkt, dass Siliziumdioden in den Zweigen--1, 2,... n--in der Praxis gute Resultate liefern, weil bei ihnen die Sperrströme sehr gering sind. Bei der Bemessung des Spannungsteilers mit den Widerständen --r0, r1, ,,, rn-- muss in diesem Falle die etwa 0, 5 V grosse Spannung berücksichtigt werden, bei der eine Si-Diode schaltet. Das Bestreben muss dahingehen, dass das Übernahmegebiet der Ströme in den Transistoren --T1 und T2 -- möglichst beschränkt wird. Die Verwendung von Germaniumtransistoren gibt dafür ausreichende Gewähr. Hiebei sei noch bemerkt, dass durch eine Schaltungsanordnung nach Fig. 3 diese Übernahme weiter verbessert wird.
Die Schaltungsanordnung der Fig. 3 ist eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. l, indem zwei Differenzverstärker --IJ1 und 1-in der Schaltung aufgenommen sind. Von den beiden Eingängen jedes dieser Differenzverstärker ist je einer mit einem Ausgang der Steuersignalquelle --K-- und der andere mit dem gemein-
EMI4.1
Auf diese Weise wird erreicht, dass die Spannung an den Emittern der beiden Transistoren --Tl und Tu--des Steuerspannungen, die von der Steuersignalquelle --K-- angeboten werden, sehr genau folgt. Dadurch sind die Übernahmeschwierigkeiten, die bei der periodischen Umschaltung der Transistoren -T und T-auftreten können, beseitigt.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Vorrichtung zur Erzeugung einer ersten periodischen Spannung, die mindestens zwei Verstärkerelemente enthält, bei denen ein erstes Paar gleichnamiger Hauptelektroden miteinander verbunden ist und über eine Stromquellenschaltung an einer Klemme einer Speisequelle liegt, wobei den unterschiedlichen Steuerelektroden eine zweite bzw. eine dritte Spannung angeboten wird, von denen min-
EMI4.2
gekennzeichnet, dag der Leitwert im Kreis des ersten Paares gleichnamiger Hauptelektroden in Abhängigkeit von der Spannung an diesen Elektroden eine vorgeschriebene Funktion durchläuft, zu welchem Zweck mit dem ersten Paar gleichnamiger Hauptelektroden eine Impedanz (Z) verbunden ist, die
EMI4.3