DE2117281A1 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes

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semiconductor
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Pending
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DE19712117281
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German (de)
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Inventor
Jean-Pierre Saulx-les-Chartereux; Louis Yves Saint-Vrain; Biet (Frankreich)
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Alcatel Lucent SAS
Original Assignee
Compagnie Generale dElectricite SA
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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DE1258983B (de) * 1961-12-05 1968-01-18 Telefunken Patent Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit epitaktischer Schicht und mindestens einem pn-UEbergang
FR1356790A (fr) * 1962-08-27 1964-03-27 Intermetall Procédé pour la fabrication d'un corps sous forme de plaque de grande conductibilité avec une couche superficielle mince résistante monocristalline en matière semi-conductrice, et corps conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaire
US3699406A (en) * 1963-12-26 1972-10-17 Gen Electric Semiconductor gate-controlled pnpn switch

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BE765188A (fr) 1971-10-04

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