DE2117179A1 - Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion - Google Patents
Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels DiffusionInfo
- Publication number
- DE2117179A1 DE2117179A1 DE19712117179 DE2117179A DE2117179A1 DE 2117179 A1 DE2117179 A1 DE 2117179A1 DE 19712117179 DE19712117179 DE 19712117179 DE 2117179 A DE2117179 A DE 2117179A DE 2117179 A1 DE2117179 A1 DE 2117179A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- glass
- boron
- mixture according
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims description 19
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- -1 silicic acid ester Chemical class 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000881711 Acipenser sturio Species 0.000 description 1
- 241000252185 Cobitidae Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010016275 Fear Diseases 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000947853 Vibrionales Species 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 125000005624 silicic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000009331 sowing Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/118—Oxide films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
SEMI K Ιί O υ Ge·?, f. Gloitihriclitorbau υ. liekironiU M.b.H.,
C;>0) Π ü r ο Ό j r :j - ! Ίοΰontαι.3"C-?aß* 40,
ToIJvoK 0911/'J/Z'JI - TgAo.; 00/221 5ö
p/-dü/d2 ι ι r/ioi
5. ,\prii
Glqsbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitftfhigkeitszonen in Holbleitexkorpern mittels Diffusion.
Zur Erzielung von Leitföhigkeitszonen in Halbleiter-Körpern durch Dotierung mittels Diffusion wird bekanntlich das Halbleitermaterial bei entsprechender Temperatur einem Gasstrom ausgesetzt, der aus einem TrUgergas,
beispielsweise aus Stickstoff und/oder Sauerstoff, und aus dem gasförmigen Dotierungsstoff oder einer Verbindung desselben besteht. Das Eindiffundieren des auch als Störstellenmaterial bezeichneten Dotierungsstoffs erfolgt
an der gesamten, dem Gasstrom ausgesetzten Halbleiteroberfläche, gemäß don
Gesetzmäßigkeiten für den Ablauf der Diffusion.
Bei einem anderen bekannten Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterial
mittels Diffusion wird das Störstellenmatorial in flüssiger oder pastenförmiger Verbindung auf den beispielsweise scheibenförmigen Halbleiter-Körper aufgesprüht oder aufgestrichen. Die gemäß dieser sogenannten
"paint-on-Technik" vorbehandelten Halbleiter-Scheiben werden dann zu
mehreren auf die für den vorgesehenen Diffusionsprozesr notwendige Teraperc-
,~n., BAD ORIGINAL
209844/0944
tür erwärmt. Bedorfswoise können an den zur Dotierung vorgesehenen Flächen
jeder Halbleiterscheibe mittels Eindiffusion geeigneter Dotierung^·
stoffe jeweils gleichzeitig Zonen unterschiedlichen Loitfahigkeitstyps
erzielt werden.
Zu diesem Zwack werden als Störstellenmaierialien in an sich bekannter
l/eise Elemente der III. und V. Gruppe des periodischen Systems der
Elemente verwendet. Bei Silizium als Halbleitermaterial zur Herstellung von p-leitenden Ionen koramt beispielsweiss Bor in Form von Bor-Trioxid
und zur Herstellung von n-loitenden Zonen vorzugsweise Phosphor in Form
von Phosphor»Pentoxid in Betracht. Diese cels Oxide vorliegenden Dotierungsstoffe
werden bei der paint-on-Technik in vorteilhaften Lösungen
zur gleichzeitigen Eindiffusion auf die Jeweils vorgesehene Halbleiter-Ober
fluche aufgebracht.
Gerade diese 0?<ide oder die Verbindungen von Arsen - einem ebenfalls
als Störstell©nraaferial bevorzugten Element - isit Sauerstoff in Form
von As0C1 uns! Äs^ö« sind auch eis sogenonnts (üocöildner in dor HalbleiteriediRik
bekannte Sie bildes in Vgriayf des Diffusionsvorganges
zusamme« mit des a«f der Halbleitar-OfeerflHc^© in Anwesenheit von Sauerstoff
©fitstehenden Oxid des Helbleitersstsrials sinen glasartigen %or-
Bei mitteis iez peirsi^sEi-Technik auf einer Seite mit Bor und cuf der ·
gegenübei-llatgeaden- Seite mit Phosphor ©ls StUrstellenmaterial dotierten
Hcslbleiterschei&en hat sieh gegeigt? daS die «ntarschiedliches* VGrmeausdeh'nungs-Kosffissienten
der bei der Diffvsionstaisperaiur gebildeten
Glasschichten bei« Abkühlen der Hslbleifairseheiljen nach dem Diffusionsprozess ein© stärkere- KersireistiosD der üübr-Glassshieht gegenüber dem
Halbleitermaterial bev/irken# wod^&eh unerwünscht® Vorbisgungen der
aetstahena Dies® ErsetäeSnung fuhrt hünfig zu Mikro-
BAD ORIGINAL
«R |J 4»
209S44/0944
rissen und damit zu Kontaktierungsschwierigkeiten und, wenn die Mikrorissc
bis in das Raumladungsgebiet verlaufen, zum Ausfall der Halbleiter-Bauelemente.
Eine Reduzierung des Borgehaltes der Borglasschicht brachte zwar eine Verringerung, aber keine Beseitigung der Verformung und verminderte darüber
hinaus die Konzentration des Störstellenmoterials unzulässig.
Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrundo, unter Verwendung von Bor als
Dotierungsstoff und untsr Einhaltung einer StSrstellenkonzentration, welche die gewünschte Funktion des Elements gewährleistet, auf der Halbleiteroberfläche eine Glasscliicht zu erzielen, deir«n thermischer Ausdehnungskoeffiziont demjenigen des Halbleiterraaterials weitgehend angepaßt ist*
Ein Zusatz einer glasbildenden Verbindung des Halbloitermaterials zum
Dotierungsstoff vor dem Diffusionsprozess, um bei gleichbleibender Störstollen-Ausgangsfconzentration zusätzlich Oxid des llalbleitermaterials zur
Glasbildung zu erzeugen, führte nicht zu dem gewünschten vorteilhaften Ergebnis.
Es ist bekannt, die Eigenschaften von Glas durch Zugabe von Metalloxide^
zu verändern. So kann beispielsweise der thermische Ausdehnungskoeffizient
eines Glases durch Zusatz von Al0O0 variiert worden. Bei der Bildung von
Glasschichten im Rahmen der Dotierung von Halbleiter-Material mittels Diffusion ist jedoch besonders zu berücksichtigen, daß zur Veränderung
der Eigenschaften dos glasartigen Überzugs keine Metalloxide verwendet
werden dürfen, welche die physikalischen Eigenschaften des Halbleitermatorials für die gewünschte Funktion der vorgesehenen Halbleiter-Bauelemente beeinträchtigen. Beispielsweise können dio Metalle Eis^n, Gold,
Kupfer, Zink und Mangan infolge Bildung von fiekombinationszentren die
Trögerlobensdauer verringern.
BAD ORIGINAL - 4 —
2 0 9 8 k U 10 9 k 4
Xn gezielten Untersuchungen hot sich Überraschend ergeben, daß ein Zusatz
von Nickel in goeignotor Form und oin Zusatz einer gooignctcn Verbindung
dos Halbleitermaterials zuw Störetollennatorial die nachteilige Verformung
beim Abkühlen der Halbleit rscheibon noch dom DifFusionsprozoss aufhebt.
Es let elsi Verfahren zur Herstellung von Halbleiteronordnungen mit pn-■Jbergüngen bekannt, bei dem auf die Halblcifct-rebsrf loche ear. · an sich bekannte glasbildende Verbindung, die als Beetandteil ein Störstollennaterial
enthalt, aufgebracht und eindiffundiert wird. Dadurch ergibt sich auf dem betreffenden 8eraich des Halbloiterkürpers ein glasartiger %erzug. Solche
* überzüge stellen einerseits ein Depot für den jeweiligen Dotierungsstoff
dar und können andererseits je nach Art ό%τ vorgesehenen Halbleiter-Bauelenente auch als Schutzschicht und/oder elektrischer IsolationsUberzug
für den Halbleiterkörper dienen« Als Glcsurtrateriol mit einen Dotierungsetoff olt Bestandteil wird bei 4·η bekannten Verfahren Bortrioxid Do0„
verwendet. Der Einsäte dieses Materials ohne zusUtzliche Maßnahmen ruft
jedoch di· vorb«3Chri#b%nen unerwünschten Verformungen der Halbleiterschsibo hervorj, die mit der erflrtdungsgemäßen Mischung vernicdcn · u-don.
Die Erfindung betrifft ein· glasbildende Mischung Mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitezon-an in Halbleiterkörpern mittels
" Diffusion« und be«tfcht dorin, dafl neben oir.cr borhrltigen ersten Komponente eine zweite Kosponent* mit einen Hie Fi(jonechaften der zu bildenden
Glasschichten beeinflussenden Metall und eine organische, polymerisierbar* dritte Konponento aus einer Vorbindung mit einow helb^eitonden Element, jeweils in eine« auf den Anteil an Bor bezogenen 'Anteil, entholten
sind, und daß alle Komponenten in einem organischen Lüiungsaittcl nit
niedrigen Dampfdruck und gut·* Benetzungsftihigkeit dos zu dotierenden
Halbleitcrkürpors gelöst sind.
Aus vefahrenstechnischen GrUnden wird B«CL als borhaltige Komponente bovorzugt. Sein Anteil und daoit der Anteil on Dotiorungsetoff in der
- δ 2098U/094A bad original
tticchuns bestimmt eich aus dor für die Leitfahigicsitszonen gewünschten
Störstollankonzcntrctian und ist nach oben durch die Sättigung im Lösungsmittel
begrenzt.
Anstelle* von Nick?! können al$ metallische zweite Komponente; andare in der
Gießtechnik bekannte Stoff & cingcoc-tzt word«·?, -./eiche die Cigen&chcf ten
dee Haluleitormaterials nicht beeinträchtigen, beispielsweise Blei, Kclziuns
ur)i\ Zinn,
IJc. unerwünschte flabeneffakte beim Diffusionsvoincng auszüacnoltet), »erden
tlieso Metalle in der b&sondejrs geeigrtebcn Forra von Metall salz an organischer
Säuren '.angebracht. Bei GabrauJ. vco .Nickel wird bevorzugt Mickelacetat,
oiii essigcoucrcs Nickelsalz, vorwon-ict, uuc den bei einer im Verführonsablouf
notv/cnviig orreichtcn Temporctur Nickal«-Cxid entsteht, das zusctnnsn
mit den Dotiürunr;sstoff Dor und doo Holbleiter-Matorial die Bildung dos
glascrtigen t'berzugo* mit den gewünschten physikalische figonschaften gewührleistet.
Der Anteil an fiickel in dor Mischung richtet sich, da sich dis unervünschte
Durchbiegung der Halbleiterscheiben jeweils direkt mit dem Angebot an Doticrungeatoff
verändert, mit ncch dem Anteil dec letzteren» Bei vorbestiminter,
gleichbleibender OberflHchon-StfirstoJlenkonzentrntion wurden mit einem
Anteil von K'ickrlacetat im VerhUltnis zu Bortrioxid von etwa 0,7 bis 1,2 /
jeweils in Gewichtsioilen,L<nd bei &inc!H Misohung&verhültnis von Bort^icxid
zum Lüsungsmittol im Bereich von etwa 0,05 b/„s 0,OS, jeweils in gleichen
Gewichtsteiler., Olassc'ucht-an mit den gowünscht^n Eij&noshbften erzielt.
Um euch nach Zugabe von Nickel zur Mischung e^t geeignete Vicko&ität derselben
zum Aufbringen und Haften auf dem Halbleiterkörper sicherzustellen,
kann das Nickslsolz in einem Lösungsmittel f beispielaweiaa in Essigsäure,
gelöst 3«in.
BAD ORIGINAL
209844/0944
Erfindungsgemclß weist die Mischung zusätzlich zur metallischen als weitere
Komponente eine geeignete Verbindung des Halbleitermaterial.«* auf. "enn bei
Verwendung vor, Silizium als entsprechende Verbindung Siliziundioxid zugesetzt
wird, ergibt sich infolgo dos feinpulvorisisrton Zuatandes dieses
Materials lediglich eine Aufschlämmung in «Jsr Mischung, was vorfahrenstechnisch
nachteilig sein kann« Daher wird bei Silizium für diese weitere Komponente sine organische Verbindung des Helbleitermaterials und zwar ein
Kieselsäureester bevorzugt? wslehex sieh in des für die Mischung benutzten
Lösungsmittel gut löst« Versehiodens andere Si3iziue&-Verbindungen erscheinen
nicht geeignet^ weil darin enthaltene HaI©gen~Änteii* das Halbleitermaterial
im Verlauf des Diff«si©ns¥srfahrens ungünstig beeinflussen fcHnnten. Der
Kieselsäuressther polymerisiert bei höherasn Tes»pa2raiuren ond bildet SiO^.
Der Anteil dieser dritten Komponente ist unkritisch<>
Er wird nach oben durch die Förderung bestiarat^ d®ß nicht dwreh eirj Use^angebot en Holbleiter-Oxid
die K©ngentrst£on an Dotis^umigsstoff am? uqa Halbleiteroberfläche unzulässig
vermindert wlrdo
Durch Zsjgßib® oiner Verfeirudmng] ve ei HeslMeiteiffisterlel zur Mischung erscheint
der für die fev/Unscht© Glassehicht notwendig© Bedarf on Halbleiter-Oxid gewöhrl@£st©to
B©i Verwendung von Siliziys für der« zu dotierenden Halbleiterkörper wurden
beispielsweise nit Tetraaethylorthosilicat aus der Gruppe der KieselsöureestSier^
als dritter EComponent^a günstige Ergebnisse erzielt. Unter BerUcksiehtigyng
der aufgezeigten Bereiche für <!ie Mischung von Bortrioxid,
Niekeldcetat und Lösungssittel konnten bsi gleichbleibender Oberflächenkonzentratian
an Dotierungsstoff mit einem Zusstz von 0,13 bis 0,40 Gewiehtsteilen
Tetra&etlhyiorthQsilicet pr® Se^ichtsteil Lösungsmittel Glasschiehter?
mit den gewünsehten Eigenschaften hergestellt wersüsn.
Dos Lösungsmittel zwr Erzielung des erfindäinfsgemöBen glasbildsnden Mi-BAD
ORIGINAL
2G9844/0944
schung weist mehrere organische Bestandteile auf. Zur Lösung der borhaltigen ersten Komponente dient vorteilhaft Äthylenglykol oder Äthylenglykoläonomethyl-Äther, der durch niedrigen Dampfdruck eine Über lungere Zeit
konstante Dotierungsstoffkonzentration der Lösung gewährleistet, beim
Diffusionsprozess völlig verdampft, die Eigenschaften des Halbleitermaterials nicht beeinträchtigt und auch beim Aufbringen der Mischung auf die
Halbleiteroberfläche hinsichtlich Benetzung günstiges Verhalten zeigt.
Zur Herabsetzung der verfahrenstechnisch ungünstigen Vernetzungstemperatur
des Kieselsäureesthers bis auf Zimmertemperatur dient Milchsäure.
Zur Förderung der Benetzung der Halbleiteroberfläche, insbesondere in Anbetrecht der hohen Oberflächenspannung des Kieselsäureesthers t ist fe*r»<»r
Aethanol (Äthylalkohol) zugesetzt.
Mit Hilfe der Milchsäure entsteht in vorteilhafter V/eise bereits beim Aufbringen der Mischung auf die Halbleiteroberfläche durch kurzzeitige Vernetzung eine gelartige Schicht. Aus derselben verdampfen bei Temperaturen
bis ca. 200 C die aufgezeigten Lösungswittelbestandteile. Etwa bei 400 C
beginnt die borhaltige Komponente zu schmelzen und löst bei weiterer Temperaturerhöhung das aus dem Kieselsäureesther entstandere Siliziumdioxid an.
Bei Erreichung der vorgesehenen Diffusionstemperatur ist unabhängig von der Erzeugung von Halbleiter-Oxid durch Oxidation des zu dotierenden Halbleiterkörpers eine aus den Oxiden des Dotierungsstoffes, der metallischen
zweiten Komponente und des Halbleitermaterials der dritten Komponente bestehenden Glasschicht gegeben. Diese stellt gleichzeitig ein Depot mit
Störstellenmaterial in gewünschter Konzentration dar und weist nach Abkühlung die geforderten Eigenschaften auf.
Die Anteile der Lösungswittelbestandteile sind unkritisch. Mit einer Mischung von Äthylenglykolmononethyl-Äther, Milchsäure und Aethanol im Verhältnis der Volumteile von 33 ιό128 durchgeführte Untersuchungen brachten
- 8 -2098U/0944
gUnetige Ergebnisse.
Die Verwendung des vernetzungsfördernden Bestandteils Milchsäure hat noch
den weiteren Vorteil, daß die Halbleiterscheiben in größerer Anzahl ohne Zwischenlagen in der Diffusionsapparatur gestapelt werden können, ohne
aneinander zu kleben.
Bei Verwendung der erfindungsgemüßen glasbildenden Mischung hat sich weiterhin gezeigt, daß die Störstellenkonzentration in der Oberflächenschicht
der Halbleiterscheiben höhsr ist als bei Scheiben, die mit herkömmlicher
k Dotierungsmischung behandelt wurden. Diese Konzentrationserhöhung kann mit
einer entsprechend verbesserten chemischen Bindung des Dotierungsstoffes durch die Komponenten der erfindungsgemäßen Mischung im Verlauf des Diffusionsprozesses und mit einem dadurch bedingten größeren Angebot desselben zum Eindiffundieren erklärt werden. Der Anteil an Dotierungsstoff in
der Mischung bleibt demzufolge bei der Glasbildung in höherem Maße als bisher erhalten. Daraus ergibt sich der weitere wesentliche Vorteil des
Gegenstandes der Erfindung, daß für verschiedene Bauelemente mit einer
durch deren Funktion bestimmten unterschiedlichen Störstellenkonzentration dieselbe durch den Anteil an Dotierungsstoff in der Mischung vorgegeben
werden kann. Um beispielsweise auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe
21 3
tion von mindestens 10 Atomen/cm bei einer Diffusionstemperatur von
1270 C zu gewährleisten, hat sich folgende Zusammensetzung der Mischung als geeignet erwiesen}
0,06 Gewichtsteile B«0o, 0,055 Gewichtsteile Nickelacetat und 0,25 Volura-
C. \J
teile Tetraaethylorthosilikat auf 1 Volumteil Lösungsmittel.
Die erfindungsgemöße Mischung kann beispielsweise durch dosiertes Aufsprühen aufgebracht werden oder dadurch, daß eine vorbestimmte Menge aufgetropft und durch Rotation der Scheibe aufgeschleudert wird. Sie bildet un-
2098/, A/094A
mittelbar nach dem Aufbringen eine gut haftende, vorpolymeresierte Schicht
mit vorbestimmtem Gehalt an Dotierungsstoff und beim Abkühlen eine Glasschicht mit in Bezug auf das Halbleitermaterial gewünschten physikalischen
Eigenschaften. Diese Glasschicht wird in ihrer Ausbildung und Zusammensetzung durch das Halbleiteroxid, welches beim Diffusionsprozess auf der
Halbleiterscheibe durch Oxidation derselben entsteht, praktisch nicht beeinflusst. Die erfindungsgemäße Mischung gewährleistet außerdem in vorteilhafter V/eise durch wählbaren Gehalt an Dotierungsstoff eine für die vorgesehene Funktion der Halbleiterschsibo vorbostimmte Störstellon-Ausgcngskonzentration.
209844/0944
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE.Glosbild©nde Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von LeitfShigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion, dadurch gekennzeichnet, daß neben einer borhaiticjen ersten Komponen te eine zweite Komponente'mit einem die Eigenschaften der zu bildenden GlasscS'iichten beeinflussenden Metall und eine organische, polymerisierbar dritte Komponente aus oinor Verbindung mit einem hclbloitondon !Tlcrar-P.t, je fc weils in einoni auf den Anteil an Dor bezogenen Anteil, enthalten sind, und daß alle Komponenten in oinam organischen Lösungsmittel mit niedrigem Dampfdruck und guter Oenetzungsf'dhigke'.t des zu dotierenden Halbleiterkörpers gelöst sind.
- 2) Glasbildende Mischung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die borhaltige erste Komponente Bortrioxid enthält.
- 3) Glasbildende Mischung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als die Eigenschaften der zu bildenden Glosschichten beeinflussendes Metall der zweiten Komponente Nickel, Blei,, Kalzium oder Zinn enthalten
- 4) Glasbildende Mischung nach Anspruch ?, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite Komponente Nickel in Form von fiickelacetat enthalten ist,
- 5) GlasbiieSende Mischung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzoiehnat, daß als organische polymerisierbar, dritte Komponente eine Verbindung des zur Dotierung vorgesehenen Halbleitermaterials enthalten ist.
- 6) Glasbiidende Mischung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur Dotierung eines Halbleiterkörper aus Silizium ein Kieselsüyreesthor enthalten ist.
- 7) Glo?bildende Mischung nach Anspruch T oder oincm der folQsr.don Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwendung von Nickelacetat mit oinorn Anteil ira Verhältnis zu Bortrioxid von 0,7 bis 1,2, jeweils in Gewichtsteilen, bei einem Mischungsverhältnis von Bortrioxid zum Lösungsmittel im Bereich von 0,05 bis 0,03, jeweils in entsprechenden Gewichtsteilen.G) Glasbildende Mischung nach Anspruch 1 oder eiriom der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei Vorwendung von Nickclacetat als zweiter Komponente und KiesGlsHureesther als dritter Komponente und box einem Mischungsverhältnis von Bortrioxid zum Lösungsmittel ir.i Bereich von C,05 bis 0,0", in Gewichtsteilen, der Zusatz der dritten Komponente 0,1? bis 0,40 Gewichtsteile, bezogen auf ein Gewichtsteil Lösungsmittel, betrügt.209844/0944BAD ORIGINAL
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712117179 DE2117179C3 (de) | 1971-04-08 | Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion | |
US241070A US3928225A (en) | 1971-04-08 | 1972-04-04 | Glass forming mixture with boron as the doping material for producing conductivity zones in semiconductor bodies by means of diffusion |
BR2134/72A BR7202134D0 (pt) | 1971-04-08 | 1972-04-06 | Mistura vitrificadora com boro como substancia dotadora para a producao de zonas de condutibilidade em corpos semi-condutores mediante difusao |
GB1605972A GB1389325A (en) | 1971-04-08 | 1972-04-07 | Doping of semi-conductor bodies with boron |
FR7212223A FR2132738B1 (de) | 1971-04-08 | 1972-04-07 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712117179 DE2117179C3 (de) | 1971-04-08 | Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2117179A1 true DE2117179A1 (de) | 1972-10-26 |
DE2117179B2 DE2117179B2 (de) | 1973-10-04 |
DE2117179C3 DE2117179C3 (de) | 1976-12-30 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2132738B1 (de) | 1976-01-16 |
GB1389325A (en) | 1975-04-03 |
US3928225A (en) | 1975-12-23 |
DE2117179B2 (de) | 1973-10-04 |
FR2132738A1 (de) | 1972-11-24 |
BR7202134D0 (pt) | 1973-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69329233T2 (de) | Wärmebehandlung einer halbleiterscheibe | |
DE2845782C2 (de) | ||
DE1123019B (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2013576C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von dotierten und undotierten Kieselsäurefilmen auf Halbleiteroberflächen | |
DE2228678A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile | |
DE2609356A1 (de) | Widerstandsmaterial sowie aus ihm hergestellter widerstand und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3026200A1 (de) | Nichtlinearer widerstand und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2601656A1 (de) | Hochohmige metallkeramikschicht und verfahren zu deren herstellung | |
DE2524410C3 (de) | Verwendung eines glasartigen Siliziumdioxids mit einer glasartigen Sperrzone aus Aluminiumoxid für den Kolben einer Metallhalogenidlampe | |
DE1913718C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
EP0131827A1 (de) | Tauchverfahren zur Herstellung transparenter, elektrisch leitfähiger, dotierter Indiumoxidschichten | |
DE2946753A1 (de) | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben | |
DE2610303A1 (de) | Siebdruckpaste fuer dicke, elektrisch leitende, leiterbahnen bildende schichten auf einem keramischen substrat | |
DE2028640C3 (de) | Halbleiterelement mit einer auf der Oberfläche einer Halbleiterbasis befindlichen TiO tief 2 - SiO tief 2 -Mischschicht | |
DE2640316A1 (de) | Material fuer einen elektrischen widerstand und verfahren zur herstellung eines widerstandes | |
DE1596949A1 (de) | Entglasendes Loetglas | |
DE2642161C2 (de) | Stromleitender Film für elektrische Heizgeräte | |
DE2117179A1 (de) | Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion | |
DE1097533B (de) | Elektrischer Schichtwiderstand, insbesondere fuer Potentiometer, und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2946679A1 (de) | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben | |
DE2117179C3 (de) | Glasbildende Mischung mit Bor als Dotierungsstoff zur Herstellung von Leitfähigkeitszonen in Halbleiterkörpern mittels Diffusion | |
DE2450341A1 (de) | Halbleiterbauteile mit hitzebestaendigen metallschichten | |
DE2148120A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen von Glasfilmen | |
DE4335685C2 (de) | Glasurzusammensetzung | |
DE1237400C2 (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen eines feuchtigkeitsfesten isolierenden UEberzuges aufHalbleiterbauelemente, insbesondere auf Halbleiterbauelemente mit pn-UEbergang |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |