DE2115945C3 - Photopolymerisierbare Massen und deren Verwendung - Google Patents

Description

dadurch gekennzeichnet, daß als Bestandteil b) eine oder mehrere photopolymerisierbare Verbindungen, die zu wenigstens 50% aus einem polyfunktionellen Acrylsäureester bestehen, der sich von einem Polyol, in dem die Hydroxylgruppen durch wenigstens 3 Atome getrennt sind, ableitet, enthalten sind.

2. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem 0—15 Gew.-% eines polymeren Esters enthält.

3. Masse nsch Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als polyfunktionellen Acrylsäureester, dor sich von einem Polyol, in dem die Hydroxylgruppen durch wenigstens 3 Atome getrennt sind, ableitet, ein Diacrylat, Triacrylat und/oder Tetraacrylat enthält.

4. Verwendung der Masse der Ansprüche 1 bis 3 zur Erzeugung von Edelmetallmustern auf Substraten.

Aus der US-PS2791504 sind photopolymerisierbare Massen zur Herstellung von Druckplatten bekannt, die beliebige, äthylenisch ungesättigte, photopolymerisierbare Verbindungen, wie Acrylsäure- und Methacrylsäureester, und auch Diester von Acrylsäure oder Methacrylsäure mit Polyäthylenglykolen oder PoIymethylenglykolen, enthalten.

Im allgemeinen gibt es drei Methoden zur Erzeugung elektrisch leitender oder mit Widerstand behafteter Muster auf verschiedenen Arten von Substraten. Dazu gehören:

(1) Dick-oder Starkfilmmethoden, wobei eine metallisierende Masse in dem gewünschten Muster auf ein Substrat im Siebdruck aufgebracht wird und anschließend gebrannt wird, um Linien einer Stärke im Bereich von 3-125 μηι zu erzeugen, wobei die Linienauflösung gewöhnlich nicht besser als 50 μπι ist;

(2) Dünnfilm-Methoden, wobei Metalle auf ein Substrat in Vakuum aufgedampft oder zerstäubt werden und ein Muster durch eine auf dem Substrat liegende mechanische Maske begrenzt wird. Gemäß einer Variante dieser Technik wird das Substrat mit einem Photoresist überzogen, wobei ein Muster durch Belichtung des Photoresists durch eine Maske mit Licht einer geeigneten Wellenlänge bestimmt wird, und anschließend entwickelt oder der nicht belichtete Photoresist weggewaschen wird. Dann erfolgt Verdampfen oder Zerstäuben im Vakuum und anschließendes Abstreifen des zurückbleibenden Photoresists. Diese Filme weisen gewöhnlich eine Stärke von weniger als 1 μπι mit einer Linienauflösung von besser als 25 μπι auf;

■o (3) Dünnfflm-Photoätzmethoden, wobei ein Substrat mit einem Metallfilm durch Aufdampfen oder Zerstäuben im Vakuum überzogen wird und ein Muster auf dem Film durch einen Photoresist in der oben beschriebenen Weise bestimmt wird. Das belichtete Metall wird weggeätzt und der verbleibende Resist abgestreift Die Filme weisen gewöhnlich ein Stärke von weniger als 1 μιη auf mit einer Auflösung von besser als 25 μιη.

2Q Das ältere Hau^t^atent 20 15 833 betrifft bereits ein neues Verfahren zur Begrenzung metallischer Muster unter Verwendung von photopolymerisierbaren Massen, die Organometallverbindungen and photopolymerisierbare Verbindungen enthalten. Diese Massen werden auf keramische Substrate aufgebracht und durch negative Schablonen mit Ultraviolettlicht belichtet. Durch anschließendes Waschen werden die nicht belichteten Filmteile selektiv entfernt, und durch Brennen wird das verbleibende Filmmuster in eine haftende Metallisierung überführt. Die Filmdicke beträgt gewöhnlich weniger als 1 μπ> bei einer Linienauflösung von etwa 25 μιη. Diese Methode kombiniert die Einfachheit der Starkfilmtechnik mit den Fähigkeiten der Dünnfilmtechnik bezüglich der Linienauflösung.

DieErfindung betrifft nun verbesserte photopolymerisierbare Massen zur Erzielung hoher Ausbeuten an in hohem Maße aufgelösten Edelmetallmustern, bestehend aus folgenden, in einem organischen Lösungsmittel gelösten Bestandteilen:

a) 5—85 Gew.-% einer organischen Edelmetallverbindung,

b) 5—30 Gew.-°/o einer photopolymerisierbaren, polyfunktioneilen, aliphatischen Verbindung,

c) 0,5—IOGew.-% eines organischen Sensibilisator,

d) 0—60 Gew.-% einer oder mehrerer Organoschwefelverbindungen und

e) 0—50 Gew.-% eines Flußmittels,

die dadurch gekennzeichnet sind, daß als Bestandteil b) eine oder mehrere photopolymerisierbare Verbindungen, die zu wenigstens 50% aus einem polyfunktionellen Acrylsäureester bestehen, der sich von einem Polyol. in dem die Hydroxylgruppen durch wenigstens 3 Atome getrennt sind, ableitet, enthalten sind.

Die photopolymerisierbare Masse der Erfindung umfaßt sechs Arten von Bestandteilen, wobei drei erforderlich sind. Der erste Bestandteil ist eine organisehe Edelmetallverbindung, die 5-85 Gew.-% der gelösten Bestandteile der polymerisierbaren Masse ausmacht; ein bevorzugter Bereich liegt bei 10-50%. Die organische Edelmelallverbindung kann irgendeine der bekannten Verbindungen sein, die in Dekorationsmas-

_6S sen (z.B. flüssiges Glanzgold) oder in elektronischen Metallisierungsmassen verwendet werden. Dazu gehören Edelmctallresinatc, Rdelmctall-cyclischc-tcrpcn mercaptide oder Edelmetall-tert.-mercaptide. Einige

der üblicheren organischen Edelmetallverbindungen wurden in den US-PS 24 90 399,29 94 614 und 32 68 568 beschrieben. Zu spezifischen Beispielen für diese Verbindungen gehören die Pinen-mercaptidc von Platin, Palladium, Gold, Silber, Ruthenium, Rhodium, Osmium und Iridium. Viele Edelmetallverbindungen, die wenigstens eine Kohlenstoff-Metallbindung verschiedener Arten enthalten, wie beispielsweise solche, die in »Organometallic Compounds« Band Π, C ο a t e s, Green and Wade, Methuen & Co., Ltd. London (1968) beschrieben sind, können ebenfalls verwendet werden. Gemischte Verbindungen der Edelmetalle können gleichfalls eingesetzt werden.

Die Komponente b) der photopolymerisierbaren Masse umfaßt eine oder mehrere photopolymerisierbare Verbindungen, die zu wenigstens 50% aus einem polyfunktionellen Acrylsäureester bestehen, der sich von einem Polyol, in dem die Hydroxylgruppen durch wenigstens 3 AtCüe getrennt sind, ableitet. Die Komponente b) Hegt in Mengen von 5-30 Gew.-V» vor, wobei ein bevorzugter Bereich 10-25 Gew.-% beträgt. Diese Komponente ist natürlich eine notwendige Verbindung, da sie nach Belichtung mit Ultraviolettlicht in Gegenwart eines Sensibilisators unter Bildung eines gehärteten Films polymerisiert. Wenn diese photopolymerisierbare Verbindung wenigstens 50% des speziellen polyfunktionellen Acrylsäureester enthält, wird

1. die Bildung einer geeigneteren Polymervemetzung ermöglicht, die kürzere Belichtungszeiten mit Ultraviolettlicht erzeugt, wodurci-, schließlich in höherem Maße aufgelöste Mstallmuster erzeugt werden und

2. eine optimale polymere Vernetzungsstruktur ermöglicht^ die ein Auswaschen der Organometallverbindungen während der Entwicklungsstufe verhindert und dadurch das Ergebnis verbessert.

Wenn weniger als 3 Atome die Hydroxylgruppen in dem Ausgangspolyol trennen oder wenn Methacrylsäureester anstelle von Acrylsäureestern verwendet werden, werden die obigen Vorteile nicht erhalten. Folglich müssen wenigstens 50% der photopolymerisierbaren Verbindung aus dem oben angegebenen polyfunktionellen Acrylat bestehen. Es sei darauf hingewiesen, daß der Ausdruck »Atome« irgendwelche der üblichen chemischen Atome, die in einem Acrylatsystem vorliegen (z.B. Kohlenstoff, Sauerstoff), einschließen.

Das System der photopolymerisierbaren Verbindung kann ein geeignetes Diacrylat, ein Triacrylat oder ein Tetraacrylat im Gemisch miteinander und/oder nicht mehr als 50% anderen photopolymerisierbaren Monomeren, einschließlich Acrylaten und entsprechenden Methacrylaten, umfassen. Zu typischen polyfunktionellen Acrylsäureestern, die sich von einem Polyol ableiten, in dem die Hydroxylgruppen durch wenigstens 3 Kohlenstoffatome getrennt sind, gehören Tetraäthylenglykol-diacrylat, Diäthylenglyköl-diäcfylat, Triäthylenglykol-diacrylat, Pentaerythrit-triacrylat, 1,3-Butandiol-diacrylat, 1,4-Butandiol-diacrylat, 1,10-Decamethylenglykol-diacrylat, 2,2-Dimethylpropandiol-diacrylat, 1,6-Hexandiol-diacrylat, Pentaerythrit-tetraacrylat. Polyäthylenglykol-diacrylat, 1,3-Propandiol-diacrylat, Trimethylolpropan-triacrylat und Tripropylenglykol-diacrylat. Zu fakultativen Monomeren gehören Trimethyloläthan-trimethacrylat, Äthylenglykol-dimethacrylat, Triäthylenglykol-dimethacrylat, Äthylen-diacrylat und deren Gemische. Es sei bemerkt, daß geringe Mengen an Polymeren auch zu Beginn vorliegen können. Es ist jedoch notwendig, von wesentlichen Mengen polyfunktioEeller Verbindung auszugehen, so daß Polymerbildung und Kettenverlängerung in situ stattfinden. Der Bestandteil c) der Masse besteht aus einem Sensibilisator..Der Sensibilisatot absorbiert Enerje aus dem Ultraviolettlicht und katalysiert die Polymerisationsreaktion und/oder tritt in die Polymerisationsreaktion ein. Die Erfindung basiert nicht auf irgendeiner speziellen Theorie, und die genaue Funktion des Sensibilisators ist nicht vollständig geklärt. Jedoch sind Sensibilisatoren in der Technik bekannt und werden in »Radical Polymerization«, J. C. Bevington, Academic Press, N. Y. (1961), Seiten 26-28 beschrieben. Zu typischen Sensibilisatoren gehören tert.-Bu*ylanthrachinon, Benzoin-methyl-äther, 9,10-Anthrachinon, l-Chloranthrachinon, 2-Chloranthrachinon, 2-Me-

thylanthrachinon, 2-Äthylanthrachinon, 2-tert.-Butylanthrachinon, Octamethylanthrachinon, 1,4-Naphthochinon, 9,10-Phenanthrachinon, 1,2-Benzanthrachinon, 2,3-Benzanthrachinon, 2-Methyl-l,4-naphthochinon, 2,3-Dichlornaphthochinon, 1,4-Dimethylanthrachinon, 2,3-Dimethylanthrachinon, 2-Phenylanthrachinon, 2,3-Diphenylanthrachinon, -cas Natriumsalz der Anthrachinon-ff-sulfonsäure, 3-Chlor-2-methylanthrachinon, Retenchinon, 7,8,9,10-Tetrahydronaphthacenchinon und l,2,3,4-Tetrahydrobenz(a)anthracen-7,12-dion und Gemische davon. Die Menge an Sensibilisator kann im Bereich von 0,5-10% liegen, wobei ein bevorzugter Bereich bei 1-5% liegt.

EineOrganoschwefelverbindungd) ist zur Steigerung der Haftfähigkeit und Glätte des Metallfilms erwünscht.

Im allgemeinen können bis zu 60 Gew.-% einer Organoschwefelverbindung vorliegen, wobei ein bevorzugter Bereich bei 2-10% liegt. Etwas Schwefel kann durch die Komponente a) der photopolymerisi?-baren Masse zur Verfugung gestellt werden, jedoch ist diese Menge gewöhnlich nicht ausreichend, und daher ist eine zusätzliche Organoschwefelverbindung erforderlich. Insbesondere werden Organoschwefelverbindungen aus der Gruppe der sulfurierten Terpene, Thiophene oder Mercaptide mit Siedepunkten oberhalb von 220^cC bevorzugt. Das bekannte sulfurierte Dammarharz wurde in sehr wirksamer Weise verwendet

Die fünfte Komponente e), ein Flußmittel, ist fakultativ; sie kann in Mengen im Bereich von 0-50 Gew.-% vorliegen, wobei ein bevorzugter Bereich bei 5-40% liegt. Das spezielle verwendete Flußmittel ist weitgehend eine Sache der Wahl und hängt in etwa von der Art des zu überziehenden Materials ab. Eine Anzahl von Flußmaterialien, welche die Leitfähigkeit, Haftfähigkeit und den Glanz der metallischen Filme steigern, sind in der Technik bekannt. Beispielsweise können für diesen Zweck Salze und Resinate von Wismut, Cadmium, Blei, Kupfer, Kobalt, Antimon, Uran, Iridium, Rhodium, Vanadium, Chrom und Zinn verwendet werden. Irgendwelche bisher in der Technik zur Förderung des richtigen Aussehens und der Haftfähigkeit verwendeten Flußmittel, von denen viele im Handel erhältlich sind, können verwendet werden, um gleichfalls dahingehend fordernd zu wirken, daß das Flußmittel in dem Lösungsmittelsystem löslich ist. Gewöhnlich ist eine Anzahl von Flußmitteln miteinander notwendig, um die günstigen Ergebnisse in den fertigen gebrannten metallischen Filmen zu ergeben.

Die sechste Komponente 0, ein polymerisierter Ester, ist gleichfalls fakultativ; er kann in Mengen im Bereich von 0-15 Gew.-% vorliegen. Beliebige bekannte polymere Ester können verwendet werden, und solche gemäß der US-PS 3418295 sind besonders geeignet. Zu typischen polymeren Estem gehören Polyrnethylmethacrylat/Acrylnitril-acryliertes Glycidylacrylat im Verhältnis 65/10/25, Polymethylmethacrylat/Butylmethacrylat-acryliertes Glycidylmethacrylat im Verhältnis 1/1/1 und Polymethylmethacrylat/Itaconsäure im Verhältnis 19/1.

Das fur die Feststoffe der photopolymerisierbaren Massen verwendete spezielle Lösungsmittel oder Gemisch von Lösungsmitteln ist eine Sache der Wahl, die von der angewendeten Aufbringungsmethode abhängt, beispielsweise davon, ob die aufzubringende Masse durch einen Preß- oder Prägevorgang, durch einen Aufstreichvorgang oder mittels eines Quetschers durch ein Sieb aufgebracht wird. Die verschiedenen verwendeten Lösungsmittel erteilen der Masse Unterschiede hinsichtlich der Grenzflächenspannung, Oberflächenspannung, Verdampfungsgeschwindigkeit und Viskosität. Daher können verschiedene Lösungsmittel und Gemische von Lösungsmitteln, welche der Golddekorationsmasse spezifische Anwendungs- oder Aufbringungseigenschaften verleihen, für irgendeinen speziellen Zweck verwendet werden. Femer sind verschiedene Lösungsmittel und Gemische von Lösungsmitteln für unterschiedliche Auftragmethoden zu empfehlen. Zu typischen gemäß der Erfindung verwendbaren Lösungsmitteln allein oder als Gemische gehören: Methyläthylketon, Cyclohexanon, Äthylacetat, Amylacetat, Cellosolve, Butanol, Nitrobenzol, Benzol, Toluol, Xylol, Petroläther, chlorierte fluorierte Kohlenwasserstoffe, Chloroform, Tetrachlorkohlenstoff, Trichlorethylen, Perchloräthylen, verschiedene Terpene wie Pinen, Dipenten, Dipentenoxid und ähnliche ätherische Öle, wie Lavendel-, Rosmarin-, Anissamen-, Sassafras-, 'Timergrün-, Fenchel- und Terpentinöl, verschiedene Naturharze und Balsame und synthetische Harze.

Die photopolymerisierbare Masse wird durch Auflösen der Feststoffe in einem geeigneten Lösungsmittel zusammengestellt. Dies kann verschiedene Erhitzungs- und/oder Rührvorgänge e.·fordern, die in der Technik bekannt sind. Nachdem die Masse hergestellt ist, kann sie durch übliche Methoden auf ein geeignetes Substrat aufgebracht werden. Es können beliebige bekannte dielektrische Substrate verwendet werden, zu denen Aluminiumoxid, Glas, Bariumtitanat, Saphir, Berylliumoxid, Steatit, Forsterit, Zirkon und Ferrite gehören. Auch Halbleiter (z.B. Silicium, Germanium) und/oder temperaturbeständige Kunststoffe (z. B. Polyimide) können als Substrat verwendet werden.

Bei der Verwendung wird ein Tropfen der photopolymerisierbaren Masse auf ein Substrat gebracht und durch Zentrifugalkraft nach außen in Richtung auf die Peripherie des Substrats geschleudert. Der Film wird getrocknet und dann in einem Vakuumoder Inertgasrahmen (Argon oder Stickstoff) in engem Kontakt mit einer Schablone, die das gewünschte Muster aufzeigt, gebracht. Jedoch kann es vor dem Belichten durch die Schablone vorteilhaft sein, die gesamte Filmoberfläche kurz mit Ultraviolettlicht zu belichten. Dies hat die Wirkung, daß Polymerisationsinhibierungsmittel (ζ. Β Sauerstoff) verbraucht werden, bevor das Muster durch die Schablone festgelegt wird. Es wird bevorzugt, daß die Frontplatte (Abdeckplatte) des Vakuum- oder Inertgasrahmens oder -gehäuses ein gute; Übertragungsmittel für Ultraviolettlxht im Bereich von 2000 bis 4000 Ä ist. Fluorierte Polymere (z. B. fluoriertes Äthylen-Propylen-Copolymeris&t) sind besonders geeignet Bezüglich der zu verwendenden Schablone kann irgendeine übliche Schablonentechnik angewendet werden, einschließlich Photoemulsionsfilmschablonen, Photoemulsion auf Glas, Metall auf Glas oder mechanische Schablonen. In der nächsten Stufe wird das mit Schablone versehene Substrat mit Ultraviolettlicht von 200-1500 Watt während Zeiten von einigen Sekunden bis mehreren Stunden in geeignetem Abstand belichtet. Die polyfunktionellen Acrylate gestatten kürzere Belichtungszeiten, im allgemeinen von 1-10 Minuten. Eine geeignete Quelle für Ultraviolettlicht ist ein Hochdruckquecksilberbogen. Es kann notwendig sein, das Substrat durch Luftsröme oder zirkulierendes Wasser zu kühlen, weil die erzeugte Wärme ein Kleben des überzogenen Films an der Schablci-ü herbeiführt und nachteilige Härtungswirkungen auf de.i Film ausübt. Nach der Belichtung wird der Film entwickelt, indem ein geeignetes Lösungsmittel zum Wegwaschen der nicht belichteten, nicht polymerisierten, nicht gehärteten TdIe des Films aufgebracht wird. Dies kann durch Eintauchen, Aufsprühen, Aufbürsten oder Aufstreichen oder irgendeine bekannte Technik erfolgen. Zu geeigneten Lösungsmitteln für diesen Zweck gehören: Tetrachlorkohlenstoff, Chloroform, Isobutylalkohol, Trichlorethylen, Perchloräthylen, Tetrachloräthylen, chlorierte fluorierte Kohlenwasserstoffe und Gemische davon.

Das entwickelte Bild wird getrocknet, indem mit einem Luftstrom so rasch wie möglich nach der Entwicklung geblasen wird. Dann wird das Substrat unter Herstellung des Metallfiims gebrannt und eine fesie Haftung an dem Substrat herbeigeführt. Dazu wird die Temperatur des Substrats von Raumtemperatur in 30-50 Minuten auf Spitzentemperatur, z.B. 800⁰C, gebracht; die Spitzentemperatur wird einige Minuten beibehalten, und das Substrat wird dann entfernt und 5 Minuten gekühlt. Gute Ventilation zum Entfernen der organischen Zersetzungsprodukte ist notwendig.

Die fertige Schaltung besteht (falls s^:e ein Lritungsmuster ist) aus Edelmetallfilmen, die Licht spiegelnd reflektieren, einen geringen Widerstand aufweisen und eine Dicke im Bereich von C,05—5 μπι besitzen, die haftenden Filme können verlöt- bzw. verschmelzbar sein, durch Wärmekompression verbindbar oder durch

so Ultraschall verbindbar sein.

Es können auch Widerstände aus diesen Photopolymermassen hergestellt werden. Beispielsweise können Resuiate von Palladium und Silber als organische Edelmetallverbindungen verwendet werden. D'jrch Variierung des Verhältnisses von Palladium und Silber können Hie Widerstände auch bis zu 10 Megaohm/ Quadrat nach Maß hergestellt werden.

Die Erfindung wird duch die folgenden Beispiele erläutert. In den Beispielen und der übrigen Beschreibung beziehen sieh sämtliche Teile, Verhältnisse und Prozentangaben der Materialien oder Bestandteile auf das Gewicht.

Es wurden verschiedene photopolymerisierbare Massen hergestellt, ind ;m die festen Bestandteile in einem geeigneten Lösungsmittel in verschiedenen Verhältnissen gemäß der Tabelle aufgelöst wurden. Die Auflösungsstufe erfolgte unter einem trüben gelblichen Licht, während das Gemisch mit einer magnetischen

Rühreinrichtung mehrere Siunden ohne äußeres Erwärmen gerührt wurde.

Verschiedene Tropfen der photopolymcrisicrbarcn Masse wurden dann in den Millelpunkt eines glasierten AliiiniiiiiiiiioxidslÜLks {2.^r> cm χ 2.5 cm χ b20 μιη Dicke) -gebracht. Das Stück wurde 3 Sekunden bei 2500 UpM gedreht, um die Masse gleichmäßig über die keramische Oberfläche zu verteilen. Das Stück wurde im Vakuum bei Raumtemperatur 15 Minuten und dann 15 Minuten bei 50⁰C an der Luft getrocknet. Eine negative Filmschablone mit einem feinen Linienmuster wurde in festem Kontakt mit dem überzogenen Stück in einen Vakuumrahmen imit einer Deckplatte aus fluoriertem Äthylen-Propylen von 125μπι Stärke gebracht. Ein Vakuum hielt die Anordnung in enger Deckung und schloß Sauerstoff aus. Das Stück wurde dann mit intensivem Ultraviolettlicht aus einer Hoch-UI uckquccksliucibügcnqüciic Von i 200 Vr'sit bei CinCrT, Abstand von 25 cm 10 Minuten belichtet. Der Vakuumrahmen schloß eine gekühlte Einrichtung mit zirkulierendem Wasser als Kühlmedium ein. Das Substrat wurde aus dem Vakuumrahmen entfernt und durch Besprühen der Oberfläche mit einem Gemisch aus Tetrachlorkohlenstoff und chloriertem fluoriertem Kohlenwasserstoff im Volumenverhältnis 50:50 während 30 Sekunden entwickelt. Nach beendeter Entwicklung wurde das Entwickjungsgemisch durch einen Luftstrom rasch verdampft. Das Stück wurde dann von 20'C innerhalb von etwa 45 Minuten auf 750 C erhitzt, um die organischen Bestandteile aus- :.o

Tabelle
(Gewichtsprozent)

zubrennen und die Metalle in einem haftenden, zusammenhängenden, elektrisch leitenden Film abzuscheiden.

Die Auflösung des leinlinigcn l.eilunjjsnuislers wurde bewertet. Kiiie »ausgezeichnete« (l.\) Uewci'Uniy wurde erteilt, wenn 2.5 bis 12.7 μπι Linien mit 2.5 bis 12.7 μιτι Trennung klar aufgelöst waren; eine »gute« Bewertung wurde erteilt, wenn 15,2 bis 25 μηι Linien mit 15,2 bis 25 μπι Trennung klar aufgelöst wurden; eine »schlechte« Bewertung wurde erteilt, falls 25 μπι Linien mit 25 μπι Trennung nicht klar aufgelöst wurden. Die Haftung wurde mit »ausgezeichnet« bewertet, wenn kein Metall nach Kratzen mit einem Messer entfernt wurde; eine »gute« Bewertung wurde erteilt, wenn etwas Metall entfernt wurde; eine »schlechte« Bewertung wurde erteilt, wenn der überwiegende Teil oder das gesamte Metall entfernt wurde.

zogenen Stücke in ein Sn/Pb-Lötmittel (im Verhältnis 60:40) bei 215~C während 2 Sekunden eingetaucht. Der Lötmittelüberzug wurde auf den metallisierten Teilen des Stückes abgeschieden. Die Verlötbarkeit wurde als ausgezeichnet angesehen, wenn das Metallmuster gleichmäßig mit dem Lötmittel überzogen war, ohne daß Lötmittel zwischen den benachbarten Linien eine Brücke bildete.

Der Widerj i,nd wurde vor dem Verlöten und nach dem Verlöten (verzinnt) bestimmt. Diese Werte sind gleichfalls in der folgenden Tabelle wiedergegeben.

Beispiel

I

Pinenmercapticl Pt (34,5% Pt)	23,6	23,6	23,6	19,9
Pinenmercaptid Au (50% Au)	23,6	23,6	23,6	19,9
Tetraäthylenglykol-diacrylat	6,7
Diäthylenglykol-diacrylat	10,0	16.7
Triäthylenglykol-diacrylat			8,4
Pentaerythrit-triacrylat			8,4	8,2
Äthylenglykol-dimethacrylat				8,2
Tert.-butyl-anthrachinon	2,6	2,6	2,6	2,6
Sulfurisiertes Dammarharz	3,4	3.4	3,3	3,2
Rhodiumresinat (3% Rh)	10,0	10.0	10,0	15,0
Wismutresinat (5% Bi)	11,7	11,7	11,7	11,5
Vanadiumresinat (6% V)	8,4	8,4	8,4	11,5
Gesamtfeststoffe	53,8	53,8	53,8	54,7
Trichlorethylen	46,2	46,2	46,2	45,3
Auflösung	Ex	Ex	gut	Ex
Haftung	Ex	Ex	Ex	Ex
Widerstand (Ohm/Quadrat)	6	8	6	10
Lötbarkeit	Ex	Ex	Ex	Ex
Widerstand verzinnt (Ohm/Quadrat)	0,075	0,115	0,130	0,125

Claims (1)

Patentansprüche:

1. Photopolymerisierbare Masse zur Erzeugung von Edelmetallmustern, bestehend aus folgenden, in einem organischen Lösungsmittel gelöster Bestandteilen:

a) 5—85 Gew.-% einer organischen Edelmetallverbindung,

b) 5—30 Gew.-% einer photopolymerisierbaren, polyfunktionellen, aliphatischen Verbindung mit einem Molekulargewicht unter 2500,

c) 03—10 Gew.-% eines organischen Sensibilisators,

d) 0—60 Gew.-% einer oder mehrerer Organoschwefelverbindungen und

e) 0—50 Gew.-% eines Flußmittels nach Patent 20 15 833.