DE2113867B2 - Abstimmeinrichtung fuer den uhf-bereich - Google Patents
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- DE2113867B2 DE2113867B2 DE19712113867 DE2113867A DE2113867B2 DE 2113867 B2 DE2113867 B2 DE 2113867B2 DE 19712113867 DE19712113867 DE 19712113867 DE 2113867 A DE2113867 A DE 2113867A DE 2113867 B2 DE2113867 B2 DE 2113867B2
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- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
gestellt werden können. Die vorzugsweise exponentiell oder linear zulaufende Form der Leitungsabschnitte
ermöglicht einen genauen Gleichlauf zwischen zwei Leimngsschwingkreisen, und zwar an sich
analog zu der Art und Weise, wie bisher die Rotorplatten mechanischer Abstimmkondensatoren zurechtgebogen
werden. Ein zusätzlicher Vorteil ist der geringe Raumbedarf einer Abstimmeinrichtung gemäß
der Erfindung.
Ein bevorzugtes Ausfiihrungs'oeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt
Fig.] die schematische Schaltungsanordnung
eines UHF-Tuners gemäß der Erfindung für ein Fernsehgerät,
F i g. 2 eine perspektivische, teilweise aufgebrochene Ansicht des Tuners gemäß Fig. 1,
F i g. 3 die Unterseite des Tuners,
F i g. 4 eine linke Seitenansicht des 'l'uners, dessen
Deckel und Chassis zur Freilegung seiner Bestandteile weggebrochen sind,
F i g. 5 eine rechte Seitenansicht des Tuners ähnlich F i g. 4,
F i g. 6 eine maßstäblich gezeichnete Draufsicht auf einen Tragkörper mit einem Muster gemäß
F i g. 4, wobei alle Bauelemente des Tuners und ein Bcschichtungsmuterial des Tragkörpers entfernt wurden,
Fig. 7 eine ebenfalls maßstäblich gezeichnete
Draufsicht auf den Tragkörper mit den Mustern gemäß F i g. 5, wobei ebenfalls alle Bauelemente und
das Beschiclvtungsmaterial fehlen,
F i g. S a bis 8 d eine Reihe von Kurven, bei denen es sich um Diagramme der Abstimmkapazität als
Funktion der Resonanzfrequenz der abstimmbaren Schwingkreise des Tuners handelt,
F i g. 9 eine vergrößerte Teilansicht des Tragkörpers mit Einzelheiten des Tuners,
Fig. 10a bis 10c vergrößerte Teilschnittansichten
desTragkörpers mit einer der justierbaren Gleichlaufinduktivitäten,
die für minhnalcn, nominalen und maximalen Induktivitätswert eingestellt ist,
F i g. 11 a bis 11 e eine Reihe von Kurven stehender
Spannuns.swellen zur Erläuterung der Betriebsweise
des. Tuners ih.d
Fig. 12a bis 12e eine Folge von Kurven stehender
Stromwellen, die den Kurven gemäß F i g. 11 entsprechen.
In der Zeichnung sind gleiche Teile durchgehend mit gleichen Bezugszeichen versehen. Ein UHF-Tuner
50 für ein Fernsehgerät ist in einem metallischen Gehäuse 52 eingeschlossen, das auf einem Bezugspotential,
beim dargestellten Beispiel auf Masse gehalten wird. Der UHF-Tuner enthält eine HF-Vcrstärkerstufe
54, eine Osziliatorstufe 56, eine Mischstufe
58 und eine ZF-Verstärkersiui'e 60. Miüels einer (nicht dargestellten) Antenne empfangene
UHF-Fernsehsignale werden an eine UHF-Eingangsklemme 62 angelegt. Die Eingangssignale werden in
der HF-Verstärkerstufe 54 verstärkt und in der Mischstufe 58 deis örtlich erzeugten Signalen der Oszillatorstufe
56 überlagert. Das dadurch entstehende ZF-Signal wird dann in der ZF-Verstärkcrstufe 60
verstärkt. Das verstärkte ZF-Ausgangssignal steht an einer ZF-Ausgangsklemme 64 zur Verfügung.
Der Tuner besitzt vier abstimmbare Leitungsschwingkreise 66, 68, 70 und 72. Der Leitungsschwingkreis
66 gehört zum Eingangskreis des HF-Verstärkers, während die Leitungsschwingkreise 68
und 70 Teil eines Zweikreis-Stufenkopplungsnetzvverkes sind, das sich zwischen der HF-Verstärkerstufe
54 und der Mischstufe 58 befindet. Der Leitungsschwingkreis 72 schließlich stellt die Schwingungst'requenz
der Oszillatorsiufe 56 her.
Die Leitungsschwingkreise 66, 68. 70 und 72 können mittels Kapazitätsvariationsdioden abgestimmt
werden. Alle ihre leitenden Elemente sind auf beiden Oberflächen einer dielektrischen Platte ausgebildet.
ίο So enthält der Leitungsschwingkreis 66 miteinander
ausgerichtete Abschnitte 67« und 67 ft. der Leitungsschwingkreis 68 Abschnitte 69 α und 69 ft. der Leitungsschwingkreis
70 Abschnitte 71a und 71 /> und der Leitungsschwingkreis 72 schließlich Abschnitte
73 α und 73 b. Das eine Ende der jeweiligen zweiten
Abschnitte 67 ft, 69 h. 71 ft -.'nd 73 ft liegt an einem
Bezugspotential. Jedes dieser Paare von Leitungsabschnitten arbeitet zusammen mit der auf der entgegengesetzten
Seite der dielektrischen Platte befindlichen Grundebene der betreffenden Leitung.
Zwischen die beiden Abschnitte jedes zusammengesetzten Leitungsschwingkreises sind eine zur Abstimmung
dienende Kapazitätsdiode 75. 79. 83 bzw. 87 sowie eine justierbare Induktivität 77, SJ. 85 bzw.
89 geschaltet. Jede dieser in F^eihe liegenden Kapazitätsdioden 75, 79, 83 und 87 hat einen Kapazitätswert, dessen Größe sich umgekehrt mit der Größe
der an die Diode angelegten Sperrvorspannung ändert. Die Leitungsschwingkreise 66, 68 und 70 sind
so bemessen, daß sie über das Frequenzband zwischen 470 MHz und 890 MHz abstimmbar sind,
während der Schwingkreis 72 der Oszillaiorstufe 56 im Frequenzbereich zwischen 517MHz und
931 MHz schwingen kann.
Die zusammengesetzten Lcilungsschwingkreise sind so bemessen, daß die jeweils zweiten Abschnitte
67 ft, 69 b und 71 ft sich bei einer Frequenz oberhalb 890 MHz, der höchsten gewünschten Frequenz, auf
welche der Schwingkreis abgestimmt werden muß, in Lambda/4-Resonanz befinden. Die jeweiligen ersten
Abschnitte 67 a, 69 α und 71 α sind dagegen so bemessen,
daß sie sich oberhalb dieser höchsten Frequenz von 890 MHz in Lambda/2-Resonanz befinden.
Ähnlich weisen der zweite Abschnitt 73 ft bzw. der ersie Abschnitt 72 a des zum Oszillator gehörenden
Leilungsschwingkreises 72 bei einer Frequenz oberhalb 931 MHz Lambda/4-Resonanz bzw.
Lambda/2-Resonanz auf.
Die Resonanzfrequenz jedes Λbschr.ίus kann dadurch
gemessen werden, daß man die Abstimm-Kapazitätsdiode und die justierbare Gleichlaufinduktivität
elektrisch abtrennt und dann in den zu untersuchenden Abschnitt einen Einheitsenergieimpuls eingibt.
Auf Grund dieses Einheitsimpulses wird der Abschnitt gleichzeitig bei mehreren zusammenhängenden
Frequenzen ansprechen, die beispielsweise mittels eines Oszilloskops gemessen werden können.
Die Grund-esonanzfrcqucnz ist die im ansprechenden Abschnitt festgestellte niedrigste Frequenz. Die
Resonanzform kann dadurch bestimmt werden, daß man die Verhältnisse der stehenden Wellen längs des
Abschnittes mißt, um die Maxima und Nullstellen der Spannung zu bestimmen.
In einer leitenden Verkleidung (F i g. 2) ist ein dielektrischer plattenförmiger Tragkörper 91 montiert,
der die zusammengesetzten Leitungsschwingkreise trägt. Die Verkleidung umfaßt lösbare Deckel 99 und
101 und ein Rahmenteil oder Chassis 97. Auf cntge-
Eingesetzten Seiten des Tragkörpers 91 befinden sich
zwei Grundebenenabschnitte 93 und 95 (F i g. 4, 5, 6 und 7). Die Abschnitte 69 a, 69 b, 71a, 71 b, 73 a
und 73 b sind gegenüber dem zugehörigen Grundebenenabschnitt
95 angeordnet, während die Abschnitte
67 α und 67 b des HF-Eingangskreises dem zugehörigen
Grundebenenabschnitt 93 gegenüberliegt. Dies ist genauer aus Fig. 6 und7 erkennbar, welche ungefähr
maßstäblich den Tragkörper 91 und seine leitenden Bereiche zeigen. Der Tragkörper ist 86 mm
hoch und 89 mm breit. Obwohl die Abschnitte der Leitungsschwingkreise 66, 68 und 70 so bemessen
sind, daß sie bei einer gegebenen Diodenkapazität ungefähr bei der gleichen Frequenz schwingen, unterscheiden
sie sich geringfügig in der Größe, damit die Effekte kompensiert werden, die durch die verschiedenen,
gemäß Fig.4 und5 angeschlossenen Bauelemente des Tuners eingeführt werden.
Der Tragkörper 91, der ungefähr 1,3 mm dick ist, wird aus einem Aluminiumoxidmaterial gefertigt, das
aus ungefähr 85°,o Al2O3 und 15°/o einer Mischung
aus Knlziumoxid, Magnesiumoxid und Siliciumdioxid
besteht. Ein auf beide Oberflächen des Substrates aufgebrachtes leitfähiges Muster ist ungefähr 13 Mikron
dick und besteht aus Silber und Glas, das bei 900" C verschmolzen worden ist. Das gesamte Muster
ist mit einer Vprkunferung überzogen, deren
Dicke 5 Mikron bis 13 Mikron beträgt. Ein gegen Feuchtigkeit und Lötmittel beständiges gehärtetes Silikon
ist auf den gesamten Tragkörper und das verkupferte Muster aufgebracht mit Ausnahme der
Kontaktflächen, die zum elektrischen Anschluß der Bauelemente des Tuners an das Muster des Tragkörpers
dienen.
Die frei liegenden Anschlußkontaktflächen auf dem Tragkörper erleichtern den schnellen und genauen
Zusammenbau des Tuners. In F i g. 2,4 und 5 sind die leitenden Abschnitte auf dem Tragkörper (die
Leitungsabschnitte, die Grundebenenabschnitte und die zum Oszillatorkreis gehörenden Kondensatorplatten)
schraffiert dargestellt, um anzudeuten, daß die Isolierschicht, die normalerweise diese Teile bedeckt,
entfernt worden ist.
Die Form der Abschnitte 67 b, 69 b und 71 b gewährleistet
einen relativen Gleichtat rwisrhon den
abstimmbaren Leitungsschwingkreisen 66, 68 und 70 und dem abstimmbaren Leitungsschwingkreis 72 des
Oszillators. Bei dieser Form handelt es sich um eine exponentielle Verjüngung zwischen dem an Masse
liegenden Ende und demjenigen Ende jedes Abschnitts, an dem sich die Diode befindet. Die exponentielle
Verjüngung hai jeweils tine Abwandlung der
Impedanz Frequenz-Kurve zur Folge. Der Einfluß einer gegebenen Kapazitätsänderung auf die Abstimmfrequenz ändert sich also über das Frequenzband,
woraus sich ähnliche Kurvenformen für die Diagramme der Abstimmkapazität als Funktion der
Resonanzfrequenz für die Leitungsschwingkreise 66.
68 und 70 und den Leitungsschwingkreis 72 ergeben. Die ähnlichen Kurvenformen sind in F i g. 8 gezeigt.
Die Kurve α stellt das Diagramm der Abstimmkapazität als Funktion der Resonanzfrequenz für den Leit'jngsschwingkreis
72 dar, während die Kurven b, c undd das Diagramm der Abstimmkapazität als
Funktion der Resonanzfrequenz für den Leitungsschwingkreis 66 für verschiedene Induktivitätseinstellungen
der justierbaren Induktivität 77 repräsentieren, nämlich für minimalen, nominellen und maximalen
Induktivitätswert. Die justierbaren Gleichlaufinduktivitäten werden noch genauer beschrieben
werden. Da die Kurvenformen (Krümmungen) der Diagramme der beiden abstimmbaren Leitungs-Schwingkreise
ähnlich sind, befinden diese sich über ihr gesamtes jeweiliges gewünschtes Frequenzband
im Gleichlauf.
Die Resonanzfrequenz jedes der Leitungsschwingkreisc
wird durch ihre Gesamtreaktanz bestimmt,
ίο welche die Blindwiderstände der oberen und unteren
fluchtenden Abschnitte, der Kapazitätsvariationsdiode und der justierbaren Gleichlaufinduktivität
umfaßt. Der vom oberen Abschnitt beigesteuerte Blindanteil ändert sich nicht linear mit der Frequenz,
während der Blindanteil der Kapazitätsdiode und der Gleichlaufinduktivität eine kapazitive Reaktanz
ist, deren Größe durch die Abstimmspannung festgelegt ist (in allen abstimmbaren Schwingkreisen können
identische Kapazitätsdioden verwendet werden.
die mit der gleichen Abstimmspannung beaufschlagt werden). Durch Justieren der Abstimmspannung
wird die kapazitive Reaktanz geändert und die Übertragungrleitung
über das Prcquenzband abgestimmt. Damit ein richtiger Gleichlauf zwischen dem Oszillator
und den abstimmbarer. HF-Schwingkreisen gewährleistet
ist, muß der abstimmbare Schwingkreis des Oszillators für jeden Einrteilwert der Abstimmspannung
um einen gegebenen kuriMäiiicn Betrag
oderhalb der abstimmbaren HF-Schwingkreise schwingen. Die ungleich geformten unteren Abschnitte
der abstimmbaren Schwingkreise zur Wahl der HF-Signale und des Oszillator-Schwingkreises
haben eine Abwandlung der Änderungsrate der Gesamtreaktanz mit der Frequenz zur Folge. Insbesondere
weist der untere Abschnitt jeder der Leitungsschwingkreise im Vorkreis eine exponentielle Verjüngung,
der untere Abschnitt im Oszillatorkreis dagegen eine praktisch lineare Verjüngung auf. wie
schon erwähnt wurde. Folglich unterscheiden sich
diese Abschnitte in ihrer Änderungsrate der Reaktanz in Abhängigkeit von der Frequenz sowohl voneinander
als auch von ihren entsprechenden oberen Abschnitten. Die Gesamtreaktanz jeder Leitung ändert
sich dadurch so mit der Frequenz, daß sich der gewünschte Gleichlauf zwischen den HF-'chwingkreisen
und dem Oszillator-Schwingkreis ergibt, hs sei darauf hingewiesen, daß die verschiedenen zulaufenden
Ränder des oberen Abschnitts jeder Übertragungsleitung die Randeffekte der elektromagnetisehen
und elektrostatischen Felder an den Abschnittenden kompensieren.
Die FotTT.r'oV>"rltT H<*r Ahsrhnittp 67 h ΛΟ h unri
71 b der entsprechenden Leitungen gewährleistei
einen Relativ-Gleichlauf erster Ordnung jeiies dei verschiedenen HF-Schwingkreise mit dem Oszillator-Schwingkreis.
Dennoch müssen die abstimmbarer Leitungsschwingkreise auch im Bezug aufeinandei
ausgerichtet sein, damit Bauteiltoleranzen kompen siert werden. Dies bedeutet, daß die das Kapazitäts·
verhalten jedes Schwingkreises darstellenden Dia gramme in bezug auf die anderen abstimmbarei
Schwingkreise frequenzweise richtig zentriert werdet müssen.
Es wurde festgestellt, daß die Seneninduküvitä der Leiterdrähte jeder Kapazitätsdiode 75, 79, 8i
und 87 ein wesentlicher Parameter bei der Bestim mung der Resonanzfrequenz für eine gegebene Dio
denkapazität ist, besonders am unteren Ende de
7 8
UHF-Frequenzbandes. Beispielsweise führt ein Zu- sehen den Resonanzfrequenzen der abstimmbaren
wachs der Leiterlängen der Kapazitätsdiode 75 von HF-Schwingkreise und derjenigen des abstimmbaren
wenige·- als 0,25 cm dazu, daß die Kapazität, die vom Oszillator-Schwingkreises über ihre Frequenzbänder
Leitungsschwingkreis 66 für eine Resonanz bei ergibt.
470MHz benötigt wird, um mehrere Pikofarad vcr- 5 Die an die UHF-Eingangsklemme 62 angelegten
ringen wird. Dieser Serieninduktivitätseffekt kann empfangenen UHF-Fernsehsignale gelangen zum
möglicherweise eine Verstimmung zwischen den vcr- HF-Verstärkcreingangskrcis, also zum Leitungsschiedenen
Leitungsschwir.gkreiscn 66, 68, 70 und schwingkreis 66 über ein Hochpaßfilter, das Indukti-72
und auch Abweichungen der Tuner untereinander vitäten 74 und 76 und einen Kondensator 78 enthält,
zur Folge haben. Der Induktivitätseffekt ist jedoch io Der Hochpaß läßt Frequenzen innerhalb des UHF-steuerbar
und kann als Mittel zum Zentrieren oder Bandes durch, also Frequenzen von 470MHz bis
Ausrichten der abstimmbaren Schwingkreise dienen. 890 MHz. Der abstimmbarc Leitungsschwingkreis 66
Für jede der Kapazitätsdioden 75. 79, 83 und 87 ist über einen Kondensator 80 mit dem Emitter eines
befindet sich im Tragkörper 91 ein Loch. Entspre- verstärkenden Transistors 82 in Basisschaltung gechend
Fig. 9. die eine vergrößerte Tcilschnittansicht 15 koppelt. Darstellungsgemäß ist der Transistor 82 in
des Tragkörpers 91 ist und einen Teil des zusammen- ein leitendes Gehäuse eingekapselt, das über einen
gesetzten Leitungsschwingkreises 69 zeigt, sitzt die Leiter 102 an Masse liegt, wodurch die Wahrschein-Kapazitätsdiode
75 in einem Loch 75 α im Tragkör- lichkeit parasitärer Schwingungen verringert wird,
per. Dieses Loch 75 α dient zur Festlegung der Lage Die Betriebsspannung für den Transistor 82 wird des Körpers der Kapazitätsdiode 75 und bringt die 20 von einer Quelle B ♦ geliefert und an eine Klemme Komponenten genau in die richtige Position. 84 angelegt, die mittels eines Durchführungskonden-
per. Dieses Loch 75 α dient zur Festlegung der Lage Die Betriebsspannung für den Transistor 82 wird des Körpers der Kapazitätsdiode 75 und bringt die 20 von einer Quelle B ♦ geliefert und an eine Klemme Komponenten genau in die richtige Position. 84 angelegt, die mittels eines Durchführungskonden-
Die Kapazitätsdiode 75 ist auf entgegengesetzten sators 103 tür Hochfrequenzen nach Masse ubcr-
Seiten des Loches 75 a an zwei Anschlußkoniaktflä- brückt ist. Die Betriebsspannung wird an den Kollek-
chen 75 b und 75 c befestigt. Die Anschlußkontakt- tor de:, Transistors 82 über eine HF-Entkopp!ungs-
fläcl c 75 c befindet sich auf dem zweiten Abschnitt 25 induktivität 86, einen Widerstand 88 und eine HF-
dcr Leitung, während die Kontaktfläche 75 b eine ge- Drossel 90 angelegt. Die Drossel 90 ist ein einzelnes
sonderte leitende Fläche isi. Die beiden Anschluß Bauelement. U^ einen Widerstand mit einem Wert
kontaktflächen 15b und 75c haben einen vorbe- von 10 Kiloohm enthält, dessen Draht als Induktivi-
sümmten Abstand voneinander und tragen dazu bei, tätsspule gewickelt ist. Elektrisch sind beide parallel
die Serieninuktivitätsänderungen auf ein Minimum 30 geschaltet. Der Widerstand verkleinert den Gütefak-
hcrabzusetzen, da sie die Leiterlängen der Kapazi- tor Q der Drossel und somit die Möglichkeit unge-
uitsdiede 75 festlegen. Außerdem verkleinert das wollter parasitärer Resonanzen. Zur Vcrvollständi-
Loch 75 a im Tragkörper 91 das Dielektrikum an- gung des Kollektor-Emitter-Gleichstromkreises liegt
grenzend an den Körper der Kapazitätsdiode 75, wo- der Emitter des Transistors 82 über einen Wider-
durch die verteilte Nebenschlußkapazität zwischen 35 stand 92 an Masse.
den Enden der Diode weitestgehend verkleinert wird. Die Basisvorspannung für den Transistor 82 wird
Zudem entfällt die Notwendigkeit, die Diodenleiter von der die Betriebsspannung führenden Klemme 84
w ährend der Montage der Komponenten zu biegen über den Kollektor-Emitter-Pfad eines zur automati-
(wodurch ihre Induktivität erhöht wird). sehen Verstärkungsregelung (AVR) dienenden Tran-
Die justierbare Induktivität 77 ist in Reihe zwi- 40 sistors 94 angelegt. Eine entsprechende Regelspanschen
die Anschlußkontaktfläche 75 b und das eine nung wird der Basis dieses Transistors 94 über eine
Ende des ersten Abschnittes 67 a des Lcitungs- Klemme 96 zugeführt. Die Klemme 96 ist mittels
Schwingkreises 66 geschaltet. Die Induktivität 77 be- eines Durchführungskondensators 105 für HF-Sinale
steht aus einem dünnen breiten Kupferstreifen, der nach Masse überbrückt. Der Transistor 94 regelt die
zur Änderung seiner Induktivität justiert werden Αύ Basisvorspannung des Transistors 82 und somit die
kann, und zwar kann zu diesem Zweck die Gestalt Verstärkung der HF-Verstärkerstufe. Der Transistor
der Schleife von einem hohen dünnen Gebilde für 94 ist als Emitterfolger geschaltet, so daß die
minimale Induktivität bis zu einem mehr kreisförmi- AVR-Kreise weitgehend vom HF-Verstärker bzw.
gen Gebilde für maximale Induktivität geändert wer- Transistor 82 isoliert sind. Eine weitere HF-Isolation
den. Dies in in Fig. 10a bis 10c verdeutlicht, wo die 50 für die Betriebsspannung der QuelleB - und die
justierbare Induktivität 77 in ihrer Einstellung für AVR-Schaltungsanordnung kommt durch zwei
minimale, nominelle bzw. maximale Induktivität dar- Durchführungskondensatoren 98 bzw. 100 zustande,
gestellt ist. Die justierbare Serieninduktivität für je- Der Durchführungskondensator 100 stellt außerdem
den der Leitungsschwingkreise überdeckt kleinere einen HF-Pfad niedriger Impedanz von der Basis des
Induktivitätsänderungen infolge der Diodenleiter- 55 Transistors 82 nach Marse her, so daß der Basislänge
und schafft eine steuerbare Serieninduktivitäts- schaltungsbetrieb gewährleistet ist.
wirkung. Ein Kondensator 104 koppelt den Kollektor des
wirkung. Ein Kondensator 104 koppelt den Kollektor des
Die Zentrierung des Gleichlaufs für jeden der Lei- Transistors 82 mit dem abstimmbaren Leitungs-
tungsschwingkreise 66. 68, 70 und 72 erfolgt durch schwingkreis 68. Im Leitungsschwingkreis 68 er-
Justieren der Gestalt der zu jeder zusammengesetzten 60 zeugte Signale werden induktiv mittels Induktivitäten
Leitung gehörenden induktiven Schleife. Die Wir- 106 und" 108 auf den abstimmbaren Leitungs-
kung der Justierung der Induktivität 77 ist in F i g. 8 schwingkreis 70 gekoppelt. Die Induktivität 106
erkennbar, wo die drei Diagramme der Abstimmka- sorgt für die Hauptkopplung zum niedrigen Ende des
pazität als Funktion der Resonanzfrequenz (Kurven UHF-Frequenzbandes hin, während nie Induktivität
b, c und d) die Einstellung auf minimalen, nominellen 65 108 die Hauptkopplung zum höheren Ende des
bzw. maximalen Induktivitätswert repiäsentieren. UHF-Bandes hin bewirkt. Zusammen bilden die Lei-
Die induktiven Schleifen werden so einjustiert, daß tungsschwingkreise 68 und 70 und die Induktivitäten
sich der richtige konstante Frequenzabstand zwi- 106 und 108 eine (doppelt abgestimmte) Zwei-
9 10
kreis-Stufenkopplungsschaltung, welche die HF-Ver- ter des Transistors gekoppelt. Damit ein weiter Bestärkerstufe
54 mit der Mischstufe 58 verbindet. reich von Gm-Transistoren in der Oszillatorstufe be-
Die Mischstufe 58 enthält eine Mischdiode 110, nutzt werden kann, wird der Kondensator 148 so ge-
deren Kathode an einen Anzapfungspunkt 112 im wählt, daß er den Hochfrequenzgang des Transistors
abstimmbaren Leitungsschwingkreis 70 angeschlos- 5 dämpft. Es wird folglich ein mit Verlust behafteter
sen ist. Die Anode der Mischdiode 110 ist über eine Kondensator 148 gewählt, d. h. ein Kondensator, der
Überleitungsschleife 114, eine Induktivität 116 und eine frequenzabhängige ohmsche Komponente bc-
einen Kondensator 118 mit dem Eingang der ZF- sitzt, die den Oszillatortransistor bei den höheren
Verstärkerstufe 60, der Klemme 119-119', verbun- Frequenzen ohmisch belastet.
den. Die Induktivität 116 und der Kondensator 118 io Da der abstimmbarc Leitungsschwingkreis 72 eine
sind so bemessen, daß die Ausgangsimpedanz der Leitung mit niedriger Impedanz und einem Alumi-Diode
durch eine entsprechende Transformation an niumoxid-Dielektrikum enthält, ist zum Zwecke
die Eingangsimpedanz der ZF-Verstärkerstufe ange- einer Impedanzanpassung ein Kondensator 144 erpaßt
wird. Durch Anlegen einer von der Betriebs- forderlich, der einen relativ großen. Wert hat (im
Spannungsquelle B+ gelieferten Gleichstrom-Vor- 15 Vergleich mit einer Lambda/2-Leitung mit hoher Imspannung
an die Mischdiode 110 wird durch diese pedanz und Luftdielektrikum in einem typischen
ein Gleichstrom von ungefähr 1,5 Milliampere auf- UHF-Fernsehtuner). Dies erfordert große Kondensarechterhalten.
Die Vorspannung für die Diode ge- toren im kapazitiven Spannungsteiler, um brauchbare
langt von der Klemme 84 durch die Induktivität 86, Signalrückkopplungsspannungen zu gewährleisten,
die Reihenschaltung aus Widerständen 120 und 122 20 Die Kondensatoren 144, 146 und 150 sind leitende und die Überleitungsschleife 114 zu ihrer Anode. Die Flächen, die auf dem Tragkörper 91 ausgebildet sind Kathode dieser Mischdiode liegt über einen Teil des (Fig.4 und 5). Der Kondensator 144 besteht aus Leitungsschwingkreises 70 an Masse. einer leitenden Fläche 501 über einer leitenden
die Reihenschaltung aus Widerständen 120 und 122 20 Die Kondensatoren 144, 146 und 150 sind leitende und die Überleitungsschleife 114 zu ihrer Anode. Die Flächen, die auf dem Tragkörper 91 ausgebildet sind Kathode dieser Mischdiode liegt über einen Teil des (Fig.4 und 5). Der Kondensator 144 besteht aus Leitungsschwingkreises 70 an Masse. einer leitenden Fläche 501 über einer leitenden
An die Mischdiode 110 werden vom Anzapfungs- Fläche 503 auf der entgegengesetzten Seite des Tragpunkt
112 des Leitungsschwingkreises 70 verstärkte 25 körpers innerhalb eines Fensters 505 im Grundebe-UHF-Signale
und von der Oszillatorstufe 56 eine Os- nenabschnitt 95. Der Kondensator 146 wird durch
zillatorschwingung angelegt. Die Mischdiode überla- eine leitende Fläche 503 gebildet, die mit einer leigeii
alsu die veisiaiktcii UHF-Sigiiälc Und das ϋΓί- tcilden Fläche 507 zusammenwirkt, weiche Mcli iiilich
erzeugte Signal und liefert ein gewünschtes nerhalb des Fensters 505 neben der Fläche 503 be-ZF-Ausgangssignal.
Das Oszillatorsignal wird vom 30 findet. Der Kondensator 150 schließlich wird durch
Leitungsschwingkreis 72 zu der mit der Anode der die leitende Fläche 507 in Zusammenwirkung mit
Mischdiode 110 verbundenen Überleitungsschleife dem in Fig.5 rechts von der leitenden Fläche an-
114 eingekoppelt. Zwischen die induktive Überlei- grenzenden Teil des Grundabschnitts 95 gebildet,
tungsschleife 114 und den Bezugspotentialpunkt ist Die Kondensatoren 144, 146 und 150 können ebenso
ein Durchführungskondensator 124 geschaltet, der so 35 wie die übrigen leitenden Flächen als gedruckte
gewählt ist, daß sowohl für die verstärkten UHF-Si- Schaltung hergestellt werden. Dad. rch wird sichergegnale
als auch für das Oszillatorsignal ein Weg nied- stellt, daß alle Kapazitäten bei der Massenprodukriger
Impedanz und für ZF-Signale ein Weg höhe- tion genau und durchgehend gleichbleibend hergerer
Impedanz nach Masse führt. Die in der Misch- stellt werden. Infolge der Gleichmäßigkeit der Kapadiode
110 erzeugten ZF-Signale werden also weiter- 40 zitäten von Tuner zu Tuner kann praktisch ausgegleitet
und zur Verstärkung an die ZF-Verstärker- schlossen werden, daß ein Tuner auf Grund von Verstufe
60 angelegt. änderungen oder einer Fehlausrichtung der Kompo-
Die Oszillatorstufe 56 enthält einen Transistor nenten beim Zusammenbau ausfällt oder mangelhaft
126, der als abgewandelter Colpitts-Oszillator ge- arbeitet.
schaltet ist, dessen Frequenz durch den abstimmbci- 45 Dci dbViimmbare- Lcitungsschwingkrei.-. 72 des Os-
ren Leitungsschwingkreis 72 bestimmt wird. Die Be- zillators weist eine unerwünschte Resonanz bei unge-
triebsspannung für den Transistor 126 des Oszilla- fähr 1400 MHz auf. Die parasitäre Resonanzfre-
tors wird von der Betriebsspannungsquelle über die quenz wird durch die Kapazität der Kapazitätsdiode
Klemme 84, die Induktivität 86 und den Widerstand 87 nicht nennenswert beeinflußt. Bei den angegebe-
120 einem Vcrbindungspunkt 128 zugeführt, der mit- 50 nen Werten dei Komponenten hat sich gezeigt, daß
te!s eines Durchführungskondensators 130 für sich die unerwünschte Resonanzfrequenz bei einei
UHF-Schwingungen nach Masse überbrückt ist. Die Kapazitätsänderung von ungefähr 13 pF um etwa 6Γ
Spannung am Verbindungspunkt 128 gelangt zum MHz ändert.
Kollektor des Transistors 126 über einen Widerstand Es sei darauf hingewiesen, daß die parasitäre Re-
132 und eine HF-Drossel 134. Der Emitter des Tran- 55 sonanzfrequenz der zusammengesetzten Übertra-
sistors liegt für Gleichstrom über einen Widerstand gungsleitung des Oszillators eine zweite Oberwellen-
136 an Masse. Die Basisvorspannung wird von einem frequenz ist. die auf ungefähr 700 MHz zentriert ist
Spannungsteiler mit Widerständen 138 und 140 gp- Diese Frequenz liegt innerhalb des gewünschter
liefert, der zwischen den Verbindungspunkt 128 und UHF-Frequenzbandes des Oszillators. Man kanr
Masse geschaltet ist. Zur Schaffung eines frequenz- 60 eine Verringerung der Grundfrequenz-Signalspan·
abhängigen Signalwegcs liegt zwischen der Basis des nung des Oszillators feststellen, wenn dei Leitungs-
Transistors 126 und Masse ein Kondensator 142. schwingkreis 72 so justiert ist. daß er in der Näht
Ein Kondensator 144 verbindet den Kollektor des dieses Wertes schwingt, wodurch das für die Misch
Transistors 126 mit dem Leitungsschwingkreis 72. diode 110 des Tuners zur Verfugung stehende Oszil
Zur Aufrechierhaltung einer Schwingung wird ein 65 latorsignal herabgesetzt wira. Es ist anzunehmen
Teil der am Kollektor des Transistors erzeugten daß die Verringerung der Grundfrequenz-Signalspan
Spannung durch einen kapazitiven Spannungsteiler nung des Oszillators von einem durch den parasitä
mit drei Kondensatoren 146. 148 und 150 zum Emit- ren Kreis verursachten »Aussaug«-Effekt herrührt.
11 12
Damit parasitäre Resonanzen verhindert werden vermindert wird, ist aber trotzdem noch eine Rand-
und die Spannungsverringerung möglichst klein ist, ausbreitung der elektromagnetischen Felder festzu-
ist der erste Abschnitt 73 a des Oszillatorkreises am stellen. Der Randeffekt der Felder kann zur Folge
Spannungsnullpunkt für die parasitäre Frequenz mit haben, daß die Oszillatorenergie zum Leitungs-
dem Transistor 126 des Oszillators gekoppelt. Da- 5 schwingkreis 66 gekoppelt und über die UHF-An-
durch wird erreicht, daß nur minimale Störsignal- tenne abgestrahlt wird. Die Kopplung kann auiZcr-
energie vom Leitungsschwingkreis 72 durch den dem das AVR-Verhaltcn des Tuners beeinträchtigen.
Koppelkondensator 144 zum Transistor 126 über- Die unerwünschten Effekte der Oszillatorstrahlung
geht. werden dadurch vermieden, daß die zusammenge-
Da der Grundebenenabschnitt 95 des Leitungs- io setzte Leitungsabschnitte 67α, 61b des Leitungsschwingkreises des Oszillators keine unendliche Schwingkreises 66 auf der anderen Seite des Tragkör-GrfiRp
und Leitfähigkeit besitzt, fließt in der Grund- pers 91 angeordnet wird als die Abschnitte der Leiebene
ein Strom der Spannungen hervorruft. Ein luiigsscliwingkrcisc 68, 70 und 11 Her 7weikreis-Spannungskoppelpfad
leitet diese Spannungen vom Zwischenstufe bzw. des Oszillators. Ebenso befinden Grundebenenabschnitt 95 über einen Kondensator 15 sich die Grundebenenabschnitte 93 und 95 auf entge-142
zur Basis des Oszillatortransistors. Wenn der in gensetzten Seiten des Tragkörpers. Hierdurch wird
der Grundebene fließende Strom auf die parasitäre die Wirksamkeit der elektromagnetischen und elek-Resonanz
zurückzuführen ist, unterstützt der Kop- trostatischen Kopplung zwischen dem Leitungspelpfad
diese Resonanzart, weil das an die Basis des schwingkreis 66 und den übrigen abstimmbaren Lei-Transistors
angelegte Störsignal eine Basis-Kollek- 20 tungsschwingkreisen des Tuners 50 auf ein Minimum
tor-Differenzspannung hervorruft, die in den Rück- reduziert.
kopplungskreis des Oi>zil!aiui>. eingeführt wird. Um Eine weitere wesentliche Isolierung zwischen dem
diesen Effekt möglichst klein /.u halten, ist der Kon- Leitungsschwingkreis 66 und den übrigen abstimm-
densator 142 auf dem Cinindebenenabschnitt 95 di- baren Schwingkreisen des Tuners wird dadurch er-
rekt über den parasitären Nullpunkt auf dem ersten 25 reicht, daß die Anordnung der Abschnitte 67 a, 67 ö
Abschnitt der zusammengesetzten Übertragungslei- in bezug auf die entsprechenden Abschnitte der Zwi-
tung des Oszillators angeordnet. schenstufe und des Oszillators umgekehrt ist. Es sind
Der Kondensator 142 besteht aus einci «bloßen nämüch der Abschnitt 67 b des Leitungsschwingkrei-Scheibe«
509 (F i g. 5). Die Scheibe 509 besteht aus ses 66 zum oberen Rand des Tragkörpers und sein
dielektrischem Material und weist auf ihren entge- 30 anderer Abschnitt 67 a zu seinem unteren Rand hin
gengesetzten Seiten leitende Flächen auf. Mit der angeordnet, während die Abschnitte 69 b, 71 b und
einen leitenden Fläche ist die Basis des Transistors 73 b sich unten und den zugehörigen übrigen Ab-126
elektrisch verbunden, während die entgegenge- schnitte sich oben auf dem Tragkörper befinden,
setzte leitende Fläche auf dem Grundebenenabschnitt Zum Zwecke einer Impedanzanpassung ist der über dem Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des 35 Emitter des Transistors 82 mit dem zulaufenden AbKondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollek- schnitt 67 b niedriger Impedanz des Lcitungstor-Basis-Übergang des Transistors über die beiden Schwingkreises 66 gekoppelt, und sein Kollektor ist Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden an den Abschnitt 69 a hoher Impedanz der Zwi-Elektroden mit dem Schwingkreis koppeln, eir» mini- schenstufe angeschlossen. Durch die oi,en erläuterte maler Störsignal-Spannungsdienst angelegt wird. 40 umgekehrte Anordnung der Leitungen ist es möglich. Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspan- äußerst kurze Elektrodcnanschlußleiter für den nung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt. Emitter und den Kollektor des Transistors 82 zu ver-
setzte leitende Fläche auf dem Grundebenenabschnitt Zum Zwecke einer Impedanzanpassung ist der über dem Nullpunkt liegt. Durch diese Lage des 35 Emitter des Transistors 82 mit dem zulaufenden AbKondensators 142 wird erreicht, daß an den Kollek- schnitt 67 b niedriger Impedanz des Lcitungstor-Basis-Übergang des Transistors über die beiden Schwingkreises 66 gekoppelt, und sein Kollektor ist Kondensatoren 142 und 144, welche die beiden an den Abschnitt 69 a hoher Impedanz der Zwi-Elektroden mit dem Schwingkreis koppeln, eir» mini- schenstufe angeschlossen. Durch die oi,en erläuterte maler Störsignal-Spannungsdienst angelegt wird. 40 umgekehrte Anordnung der Leitungen ist es möglich. Die in den Rückkopplungspfad eingeführte Störspan- äußerst kurze Elektrodcnanschlußleiter für den nung ist somit auf ein Minimum herabgesetzt. Emitter und den Kollektor des Transistors 82 zu ver-
Wie am besten in den F i g. 4 und 5 zu erkennen wenden.
ist. sind zwischen den abstimmbaren Schwingkreisen Die ZF-Verstärkerstufe 60 enthält einen Tr.°p«i-
des UHF-Tuners 50 keine Abschirmwande vorgesc- 45 stör 152, dei außerhalb des leitenden Gehäuses j>2
hen. Der Leitungsschwingkreis 66. die zu den Zwi- montiert und als Basisschaltungsverstärker geschaltet
schenstufen gehörenden Leitungsschwingkreise 68 ist. Die äußere Montage des Transistors trägt dazu
und 70 und der zum Oszillator gehörende Leitungs- bei, daß eine unerwünschte Wechselwirkung zwi-
schwingkreis 72 sind also nielu jeweils in leitenden sehen Her ZF-Verstärkerstufc und dem HF-Verstär-
Gehäuseabteilungen eingeschlossen, um eine gegen- 50 kcr sowie den Mischstufen auftritt. Die Z-h-tin-
seitige Beeinflu^iinp der verschiedenen Schwing- gansssienale werden an den Emitter des Transistors
kreise und, was wichtiger ist, eine Abstrahlung der angelegt. Der Kollektor ist mit der ZF-Ausgangs-
Oszillatorenergie durch den Leitungsschwingkreis 66 klemme 64 mittels eines ZF-Zweikreis-Bandpaßfil-
und über die UHF-Antenne zu verhindern. Der Tu- ters gekoppelt. Ein Durchführungskondensator 154
ner 50 besitzt jedoch eine innere leitende Teilabdek- 55 stellt für HF-Signale eine Überbrückung von der Ba-
kung 550 (F i g. 2), welche über den Abschnitten 73 a sis des Transistors nach Masse her. Um den Einfluß
und 73 b liegt. Da sie als Teil des Chassis 97 des Tu- von Streuschwingungen hoher Frequenzen soweit wie
ners unveränderlich befestigt ist, verringert die Teil- möglich einzuschränken, ist an die Kollektorelek-
abdeckung 550 mögliche Verstimmungen infolge trode des Transistors 82 eine Ferritperle 155 ange-
von Abstandsänderungen zwischen der Oszillator- 60 bracht.
stufe 56 und den abnehmbaren Deckeln 99 und 101 Der erste Abschnitt des ZF-Zweikreis-Bandna^ses
des Tuners nach einer Entfernung und erneuten Be- enthält einen Durchführungskondensator 156, eine
festigung weitestgehend. Induktivität 158 und einen FJurchführungskonden ;a-
Die hohe Permeabilität des Aluminiumoxid-Trag- tor 160. Der zweite Abschnitt dieses Bandpasses ent-
körpers beschränkt in Verbindung mit dem geringen 65 hält den Durchführungskondensator 160, eine lnduk-
Abstand zwischen den zusammengesetzten Leitungen tivität 162 und Kondensatoren 164 und 166. Der bei-
un.d ihren zugehörigen Grundebenenabschnitten die den Filtern gemeinsame Durchführungskondensator
elektromagnetischen Felder. Obwohl sie weitgehend 160 sorgi für die erforderliche Signalkopplung Twi-
13 14
sehen den Filierabschnitten. Eine Abstandsklcmme Gleichspannung zum Vorspannen der Kapazitäten* >-
163 stellt eine mechanische Stütze kleiner Kapazität den der vier absümnibaren Schwingkreise hat ei:-..-; ι
für die Verbindung zwischen der Induktivität 162 Innenwiderstand von 1000 Ohm und ist zwischcr e!:-j
und dem Kondensator 164 dar. Die ohmsche BeIa- Klemme 176 und Masse geschaltet. Die Klemme MG
suing der Filter (Widerstände 172. 174 sowie ein an 5 \-i für HF-Signale mittels eines Durchführung!.. die
ZF-Ausgangsklemme 64 angeschlossenes, nicht densators 177 (nach Masse) überbrückt. Die Ai-dargcMelltesZF-Signalkabel)
ist so gewählt, daß der stimmgleiclr-pannung wird über Widerstände 178
Siun:iK,;.m. der 7.F"-Verstiirkerstufe 60 über das ge- und 180 an einen Verbindungspunkt 190 anuelc-j-.
!■arme gewünschte ZF-Band flach verläuft. Zwischen welcher einen gemeinsamen Abstimmpotentiaipimi ·
den beiden Enden des ZF-Bandes (ungefähr 41 MHz m für die vier abstimmbaren Schwingkreise darstei1
bis 46 MHz) erfolui also eine gleiche Verstärkung Dieser Verbindungspunkt 190 ist mit dem Lciumi ·-
der Signalspannungen. Der verformte ZF-Gang. wie kreis 66 über die Widerstände 180 und 179 unu m
er bei ZF-Verstärkern eines Fernsehgerätes üblich dem Leitungschwingkreis 70 über den WideisUi- .
ist. kommt in späteren ZF-Stufen des Chassis des 182 verbunden. Die an den Leitungsschwingkreis 7ii
Fcrnsohuorätcs und des VHF-Tuners zustande. Im 15 angelegte Spannung vom Verbindungspunkt I1JO l.
letzteren Fall kann der VHF-Tuncr für eine zusatz- langt zum Leitungsschwingkreis 6H über die Induk'i,-liehe
Verstärkung des ZF-Ausgangssignals des \rität 106. Mit dem Leilungsschwingkreis 72 sehlieh
UHF-Tuners verwendet we.den. lieh ist der Verbindungspunkt 190 über Widerstände
Das ZF-Bandpaßfiiter transformiert die A jsgangs- 185 und 187 und eine HF-Drossel 188 verbunden
impedanz des in Basisschaltung liegenden Transi- 20 Drei Durchführungskondensatoren 184. 186 und IK?.
stors 152 auf einen Ausgangswirkwiderstand von 75 wirken so mit den Widerstanden 180 und 18:5 zir-.am-Ohni
bei de« Mittenfrequenz des ZF-Bandes, 43 men. daß keine HF- und Oszillatorsignalenergie über
MHz. Dies wird dadurch erreicht, daß die Abstimm- die Gleichstrom-Abstimmleitung zwischen den verkerne
in den Induktivitäten 158 und 612 justiert wer- sehiedenen abstirnmbaren Schwingkreisen und in dk
den. während an eine Testklemme 169 ein ZF-Ein- 25 Quelle 175 gedoppelt werden kann,
gangssignal angelegt wird. Obwohl die durch den Bei den angegebenen Werten der Komponenten
Bandpaß bewirkte fmpedanztransi'ormation frequenz- können die Leitungsschwingkreise 66. 68. 70 und 72
abhängig ist, ist die Abweichung von den 43 MHz über ihre jeweiligen Frequenzbänder abgestimmt
zu den oberen und unteren Enden des ZF-Bandes werden, wenn eine Kapazitätsdiode mit einem Kapanicht
so groß, daß die Natur der Ausgangsimpedanz 30 zitätsbereich von urgelähr 13 pF verwendet wird,
an der ZF-Ausgangsklemme 64 wesentlich geändert Als Kapazitätsdiode eignet sich beispielsweise die
wird. Sowohl am hohen als auch am liefen Ende des BA 141-Diode der International Telephone TeIc-ZF-Bandcs
bleibt die Impedanz überwiegend oh- graph Corporation. Die BA i41-Diode ändert ihren
misch bei 75 Ohm. Kapazitätswerl zwischen 15 Pikefarad und 2,:i Piko-Wenn
die ZF-Ausgangsklemme 64 des Tuners mit 35 farad, wenn die Absiimmgleichspannung zwischen
der nächstfolgenden ZF-Verstärkerstufe des Chassis ungefähr 1 und 25 V justiert wird,
des Fernsehgerätes mittels eines 75 Ohm-Kubeis ge- Die Abstimmung der Leitungsschwingkreise wird
koppelt wird, ist die Eingangsimpedanz der ZF-Aus- aus F i g. 11 und 12 verständlich, welche die stehcngangsklemme
64 relativ genau an den Wellenwider- den Spannungs- bzw. Siromwellen längs der Abstand
des Kabels angepaßt, so daß längs des Kabels 40 schnitte 67 α und 67 b zeigen, die am oberen Rand
keine Reflexionen auftreten. Für die Signalkopplung der Figuren dargestellt ist. Um diese Abschnitte 67
zwischen dem Tuner und Chassis des Fernsehgerätes auf die höchste Frequenz innerhalb des HF-UHF-kann
also ein Kabel beliebiger Länge verwendet wer- Bandes abzustimmen. (F i g. 11 b). wird an die Kapaden.
Selbstverständlich muß das Kabel auch am zitätsdiode 75 eine solche Spannung angelegt, daß sie
Ch!.'.ssis mit einer ohmschen Last von 75 Ohm abge- 45 einen bestimmten Kapazitätswert aufweist. Diese Kaschlossen
werden. Wegen der ohmschen Kopplung pazität bewirkt eine solche Resonanzschwingung der
zwischen dem Tuner 50 und dem Chassis des Fern- Leitung, daß sich ein Spannungsnullpunkt auf dem
sehgerätes können auch kapazitive Änderungen auf Abschnitt 67 α an einer Stelle zwischen der Mitte und
Grund der Verlegung des Koppelkahels das Kopp- dem Diodenende des Abschnitts befindet,
lungsglied nicht verslimmen, da keine Induktivität 50 Eine Steigerung der an die Kapazitätsdiode 75 anvorhanden
ist, mit der die Kapazität in Resonanz gelegten Spannung verkleinert die Diodenkapazitäl
kommen kann. Die Verlegung des ZF-Koppelkabcls und bewirkt, dai?, 'die Leitung bei einer höheren Reist
also für den einwandfreien Tuncrbeirieb unkri- sonanzfrequenz schwingt. Der Spannungsriulipunkt
tisch. Kleinere Verluste der Widerstandskopplung auf dem Abschnitt 67« wandert dabei zur Mitte de?
sind unwesentlich, weil der Tuner 50 ein verstärktes 55 Abschnitts hin (Fig. 11 a). Bei einer Verkleinerunc
ZF-Ausgangssignal lietcrt. der Vorspannung der Kapazitätsdiode 75 wächst die
Die Betriebsspannung für den Transistor 152 wird Kapazität, wodurch die Leitung auf eine niedrigere
von der Quelle Ii-, an der Klemme 84 geliefert und Resonanzfrequenz kommt. Der Spannungsnullpunki
über die Induktivität 86, eine HF-Isolationsindukti- auf dem Abschnitt 67« wandert nun zu ^einem Divität
168 und die Induktivität 158 dem Kollektor des 60 odcnende hin. Die Größe der Frequenzänderung bc;
Transistors zugeführt. Zur Vervollständigung des einem gegebenen Kapazitätswachs hängt vom WcI-Gleichstrompfades
ist zwischen den Emitter des lenwidersTand der Leitung ab, der seinerseits eine
Transistors und Masse ein Widerstand 170 geschal- Funktion der Leitungsbreite, des Abstands von dei
tet. Die Basisvorspannung für den Transistor 152 Grundebene und des Dielektrikums des Zwischenmewird
von einem Spannungsteiler geliefert, der durch 65 diums ist.
Widerstände 172 und 174 gebildet ist, die zwischen Bei einer weiteren Verringerung der an die Kapa
die Induktivität 158 und Masse geschaltet sind. zitätsdiode 75 angelegten Spannung und einer ent
Eine Quelle 175 für eine veränderbare Abstimm- sprechenden Senkung der Resonanzfrequenz der zu
sammengeseizten Übertragungsleitung wird ungefähr
bei der Mitte des gewünschten Frequenzbandes ein Punkt erreicht (F i g. 11 c), wo die Diodenkapazität
in Serienresonanz mit dem Induktivitätswert der justierbaren Induktivität ΊΊ und dem Abschnitt 67 b
kommt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Spannungsnullpunkt auf dem Abschnitt 67 ei ganz bis zu dessen
Diodenende gewandert.
Eine noch weitergehende Verringerung der Vorspannung
der Kapazitätsdiode 75 senkt die Resonanzfrequenz der Leitung weiter (Fig. lld und e).
Die Spannung am Diodeneride des Abschnitts 67 a steigt an. und die zusammengesetzte Leitung arbeitet
mit einer modifizierten Lambda ■'■+-Resonanz.
Dadurch, daß die Kapazitätsdiode 75 vom an Masse liegenden Ende der Leitung entfernt angeordnet
ist, kann ein hoher Gütefaktor aufrechterhalten werden. Der Grund hierfür liegt darin, daß die Kapazitäisdiode
75 sich an einer Stelle mit im Vergleich zum Massenende der Übertragungsleitung niedrigeren
Strom befindet (Fig. 12). Infolgedessen werden die Gleichstromverluste (I2R) der Diode auf einen
Minimalwert herabgesetzt.
Am unteren Ende des Frequenzbandes hat die Kapazitätsdiode
87 des Oszillators eine Sperrvorspannung von ungefähr 1,0 V. Die über der Diode entwickelte
Oszillatorspannung hat während eines Teiles jeder Periode eine solche Amplitude, daß sie die
DiodensperrsDannun» übersteigt, wodurch eine
Gleichrichtune der Öszillatorspannung bewirkt wird.
Die gleichgerichtete Spannung vergrößert die Sperrspannung,
"wodurch die Kapazität der Kapazitätsdiode 87 kleiner wird. Dies wiederum hat zur
Folee, daß der Leitungsschwingkreis 72 auf eine andere
Frequenz abgestimmt wird. In den abstimmba-
ren Leitunesschwlnskreisen 66. 68 und 70 findet
keine Gleichrichtung statt, weil das UHF-Signal in
diesen Kreisen in der Größenordnung von Millivolt lieet. im Gegensatz zu der Spannung von ungefähr
1,0 V im Schwingkreis des Oszillators. Um den Ver-
Stimmungseffekt "möglichst weitgehend Z1. beseitigen,
wird der Gesamtwiderstand von der Kapazitätsdiode 87 durch die Abstimmgleichspannungsleitung und
die Quelle 175 nach Masse so gewählt, daß er klein im Vereleich mit dem Treiberwiderstand der Oszilla-
torstufe" ist. Hierdurch ist die Abstii.imgleichspannung
an der Klemme 176 vorherrschend bei der Steuerung der Spannung über der Diode, da der
durch den Gesamtwiderstand fließende Diodenstrom eine relativ kleine Spannung abfallen läßt, welche d>;
über der Diode liegende mittlere Gleichspannung nicht nennenswert ändern kann.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Ab.uimmeinrichtung für den UHF-Bereich, Frequenzdifferenz zwischen den Signalwähl- und Osbei
der jeweils ein durch eine Kapazitätsdiode 5 zillatorkreisen eingehalten ist.
abstimmbarer Leitungsschwingkreis im Vorkreis Es ist auch schon bekannt (deutsche Ausleselind
im Oszillatorkreis verwendet ist, dadurch schrift 1 258 484), zur Abstimmung und zum Durchgekennzeichnet,
daß el if T.eitiwsschwing- stimmen eines Topf kreises in größeren Frequenzbekreise
(66; 72) jeweils aus einem ersten und reichen Kapazitätsvariationsdioden zu verwenden,
einem zweiten Abschnitt (67b, 61a; Tib. 73«) ίο Um in diesem Fall e:nen Gleichlauf verschiedener
einer flächenhaften Leitung auf einem Trägerma- Schwingkreise im Frequenzbereich zu erhalten, hat
teriai gebildet sind, zwischen denen die Kapazi- man einen Drcipunktabgleich vorgenommen: an den
tätsdiode (75; 87) eingeschaltet ist, daß jeweils beiden Eckfrequenzen mit Trimmerkondensatoren,
der Anfang des ersten Abschnittes (67 b;13b) an an einem dritten Punkt im mittleren Bereich mit der
Masse geschaltet ist und daß, um einen Gleich- 15 abgleichbaren Induktivität der Innenleiter. Der Ablauf
der Absnnmung zwischen Vor- und Oszilla- gleich erfolgt also von Hand und ergibt im übrigen
torkreis zu erreichen, die ersten Abschnitte der nur einen relativ groben Gleichlauf. Beide Mängel
Leitungsschwingkreise im Vor- und Oszillator- werden durch die Erfindung behoben,
schwingkreis entsprechend verschieden geformt Es ist ferner bekannt (deutsche Auslegeschrift sind. 20 1261199), vor eine Kapazitätsdiode in einem ab-
schwingkreis entsprechend verschieden geformt Es ist ferner bekannt (deutsche Auslegeschrift sind. 20 1261199), vor eine Kapazitätsdiode in einem ab-
2. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1, da- stimmbaren Topfkreis eine Induktivität zu schalten,
durch gekennzeichnet, daß der erste Abschnitt die durch zusammendrücken veränderbar ist.
(67 b) des als Vorkreis verwendeten Leilungs- Weiterhin ist bei einem Resonator bekannt, zwei
Schwingkreises (66) exponentiell verjüngt ist. ebene Leitungsabschnitte, von denen der eine an
3. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 25 Masse liegt, über einen Kondensator mit veränderbaoder2,
dadurch gekennzeichnet, daß der erste rer Kapazität zu verbinden (USA.-Patentschrift
Abschnitt (73 6) des als Oszillatorkreis vcrwen- 2 545 623).
deten I.eimngsschwingkreises Γ72) linear verjüngt Bei einer Abstimmeinrichtung der eingangs gc-
ist. nannten Art ist es zweckmäßig, angepaßte Kapazi-
4. Abstimmeinrichtung nach Anspruch 1 bis 3, 30 tätsdioden zu verwenden, die von einer einzigen Abdadurch
gekennzeichnet, daß zwischen die Ab- stimmspannungsquelle gesteuert werden. Der Lrfinschnitte
der Leitungss.chwingkreise jeweils in dung liegt die Aufgabe zugrunde, eine solche AbReihe
zur Kapazitätsdiode (75; 87) und einem Stimmeinrichtung anzugeben, bei der die Leitungsder
Abschnitte eine einstellbare Induktivität (77; schwingkicise sich über den gesamten Abstimmbe-89)
geschaltet ist. 35 reich im Frequenzgleichlauf befinden, d. h. zwischen
5. Abstimmeinrichtung nach Ansprach 4, da- ihnen eine konstante Frequenzdifferenz eingehalten
durch gekennzeichnet, daß die einstellbare Ir.- wird.
duktivitäv. (77; 89) aus einer Metallblechschleife Die Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, daß bei
besteht. einer Abstimmeinrichtung der genannten Art die Lei-
6. Abstimmeinrichtung nach einem der An- 40 tungsschwingkreise jeweils aus einem ersten und
Sprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zur einem zweiten Abschnitt einer flächenhaften Leitung
Aufnahme der Kapazitätsdiode (75; 87) eine auf einem Trägermaterial gebildet sind, zwischen de-Ausnehmung
im Trägermaterial für die Leitunss- nen die Kapazitätsdiode eingeschaltet ist, daß jeweils
Schwingkreise vorgesehen ist. der Anfang des ersten Abschnitts an Masse geschal-
45 tet ist und daß, um einen Gleichlauf der Abstimmung
zwischen Vor- und Oszillatorkreis zu erreichen, die ersten Abschnitte der Leitungsschwing-
kreise im Vor- und Oszillatorkreis entsprechend verschieden geformt sind.
50 Vorzugsweise ist zwischen die Abschnitte der Leitungsschwingkreise
jeweils in Reihe zur Kapazitäts-
Die Erfindung betrifft eine Abstimmeinrichtung diode und einem der Abschnitte eine einstellbare Infür
den UHF-Bereich, bei der jeweils ein durch eine duktivität geschaltet, mit welcher der Gleichlauf zwi-Kapazitätsdiode
(oder irgendeine andere Vorrichtung sehen den Kreisen justierbar ist.
mit spannungsabhängiger Reaktanz) abstimmbarcr 55 Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbcispicl Leitungsschwingkreis im Vorkreis und im Oszillator- findet die Erfindung ihre Anwendung bei einer Abkreis verwendet ist. Stimmeinrichtung, bei der die Leitungsschwingkreise
mit spannungsabhängiger Reaktanz) abstimmbarcr 55 Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbcispicl Leitungsschwingkreis im Vorkreis und im Oszillator- findet die Erfindung ihre Anwendung bei einer Abkreis verwendet ist. Stimmeinrichtung, bei der die Leitungsschwingkreise
Bekannte und übliche Abstimmeinrichtungen für auf einer dielektrischen Platte über einer leitenden
Fernsehgeräte enthalten einen Leitungsschwingkreis, Grundebenc ausgebildet sind, die sich jeweils auf der
der mittels eines Mehrfachplattenkondensators abge- 60 entgegengesetzten Plattenseite befindet. Die Grundstimmt
wird. Ein solcher Kondensator besitzt eine ebene ist mit dem an Masse liegenden Anfang des eram
einen Ende der Leitung befestigte Süinderplatte sten Abschnitts verbunden.
und in Segmente geteilte Drehplatten, die auf einer Eine Abstimmeinrichtung gemäß der Erfindung
drehbaren Abstimmwelle montiert sind. Zum Justie- kann als gedruckte Schaltung ausgebildet sein, was
ren des Abstimmungsgleichlaufs zwischen der Signal- 65 den Vorteil hat, daß lediglich zunächst die genaue
Λ-ählleitung und dem Leitungsschwingkreis des Oszil- Form der Leitungsabschnitte bestimmt werden muß,
lainrs sind die Segmente der Drehplatten so gekantet worauf die Abstimmeinrichtungen in der Massenfer-
oder gebogen, daß die Kapazitätsänderung beim Dre- tigung einfach und mit großer Gleichmäßigkeit her-
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