DE211344C - - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
KAISERLICHES
PATENTAMT.
PATENTSCHRIFT
-Ja 211344 — KLASSE 2ig. GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 18. Juni 1907 ab.
Die Wirksamkeit und Empfindlichkeit einer Selenzelle mit verdeckt liegenden Leitern hängt
in der Hauptsache davon ab, daß die mit der Selenschicht zu überziehenden Flächen dieser
Leiter als mikroskopisch feine Linien ausgebildet, d. h. in ein möglichst kleines Verhältnis
zu den sie trennenden Oberflächen der Isolierschichten gebracht werden, wobei jedoch die
letzteren selbst nicht ein bestimmtes, der geringen Leitungsfähigkeit des Selens entsprechendes
Größenmaß überschreiten dürfen, mit anderen Worten: wenn die Breite jeder Isolierfläche
praktisch mit 0,2 mm angenommen wird, dann soll die des Leiters nur Bruchteile eines Hundertstel Millimeters betragen, damit
die den Leiter direkt bedeckenden Teile der Selenschicht, die nicht aktiv an der Wirkung
der Zelle teilnehmen, ebenfalls auf ein Mindestmaß beschränkt werden.
Als bekannt soll hier ein ähnliches Verfahren erwähnt werden, bei welchem eine
Glasplatte mit einem feinen Metallüberzuge aus Platin oder Kupfer versehen wird. Da
derselbe zunächst nicht sonderlich fest an dem Glase haftet, so können vermittels einer
Reißnadel feine parallele Linien eingeritzt werden, an welchen Stellen das Glas wieder freigelegt
wird. Wird jetzt die Gesamtoberfläche mit Selen überzogen, dann bilden die vorher
.freigelegten Glasteile die Flächen für die wirksamen Teile der Selenschicht, die jedoch in
umgekehrtem Verhältnis zu den inaktiven Teilen derselben Schicht stehen, und ist hier
rein praktisch eine Grenze gezogen insofern, als es infolge des geringen Haftens des Metalls
am Glase nicht möglich ist, vermittels der Reißnadel oder sonstwie so breite Zwischenräume
herauszuschälen, daß nur noch gewissermaßen Metallinien in Gestalt von Haarstrichen
stehen bleiben. Diese Möglichkeit ist durch vorliegende Erfindung gegeben worden,
und es soll in nachfolgendem ein beispielsweises Verfahren zur Herstellung derartiger
Leiter gekennzeichnet werden.
Als Träger und Isolator dient eine plangeschliffene Glasplatte, in welche mittels Wachsüberzuges
und Flußsäure möglichst feine parallele Linien eingeätzt werden, deren eines Ende frei verläuft, während das andere durch
eine Querlinie mit den anderen verbunden ist. Es werden stets die ungeraden, ebenso wie
die geraden Linien miteinander verbunden, wobei darauf geachtet wird, daß diese Querlinienätzung
etwas breiter, aus Gründen des Anschlusses der Elektroden an die Polklemmen, ausfällt. Derartig vertiefte Linien lassen
sich auch einfach vermittels eines Diamanten herstellen. Durch Ausfüllen der Ätzrinnen
mit Graphit wird dann die Glasplatte einer galvanoplastischen Behandlung in einem entsprechenden
Metallbade unterworfen, wobei an Stelle der feinen eingeätzten Linien Metalllinien
treten, die dann in das Glas eingebrannt werden, worauf schließlich ein Nachschleifen
bzw. Polieren der Glasplattenoberfläche erfolgt. Die auf solche Weise scharf sichtbar werdenden
Metallinien bilden so ein Elektrodensystem, welches, mit der Selenschicht bedeckt, die oben
gekennzeichneten Eigenschaften einer außerordentlich empfindlichen Selenzelle besitzt. An
Stelle der Glasplatte kann auch ebensogut ein Glaszylinder und statt des Glases irgendein
anderer Isolierkörper, wie Porzellan oder ähnliches Material, Verwendung finden.
Claims (2)
- Patent-Ansprüche:i. Verfahren zur Herstellung von Elektroden für lichtempfindliche (Selen-) Zellen mit unterhalb der wirksamen Schicht liegenden Leitern, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden auf einem Isolationsträger, wie Glas, Porzellan oder ähnlichem Material, als mikroskopisch feine Linien erzeugt werden.
- 2. Eine Ausführungsform des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mikroskopisch feine Rinnen des Isolationskörpers, welche in an sich bekannter Weise durch Einätzen, Einritzen auf dem Isolationskörper hergestellt werden, galvanoplastisch oder in geeigneter ähnlicher Weise mit passendem Metall ausgefüllt werden, welches dann mit dem Isolationsträger durch Brennen innig verbunden wird.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE211344C true DE211344C (de) |
Family
ID=473166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT211344D Active DE211344C (de) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE211344C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1057250B (de) * | 1955-04-13 | 1959-05-14 | Eltro Ag Fuer Strahlungstechni | Photokondensator mit kammartig eingreifenden Metallelektroden |
-
0
- DE DENDAT211344D patent/DE211344C/de active Active
Cited By (1)
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