DE2109116C3 - Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement und einem Kühlmittelbehälter - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement und einem Kühlmittelbehälter

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine solche Halbleiteranordnung ist bekannt aus dem DE-GM 19 76 270. Bei dieser Halbleiteranordnung ist der Behälter für das Kühlmittel starr ausgebildet und wird mittels eines Spannrahmens gegen das Halbleiterbauelement gedrückt.
Bei diesem Halbleiterbauelement ist es schwierig, eine gleichmäßige Druckbelastung des Halbleiterbauelements zu erreichen. Eine gleichmäßige Belastung ist besonders wichtig, teils um einen guten elektrischen und thermischen Kontakt zwischen dem Anschlußkörper und dem Halbleiterbauelement an seiner ganzen Fläche zu erhalten und teils um eine gleichmäßige mechanische Belastung über die ganze Fläche des Halbleiterbauelements zu erreichen. Eine ungleichmäßige Druckbelastung kann zu Rißbildung in der spröden Halbleiterscheibe führen.
Aus der DE-OS 15 39 325 ist eine aus Halbleiterkörpern aufgebaute Thermoelementenanordnung bekannt, bei der zwei nebeneinander angeordnete längliche Körper (Schenkel) aus Halbleitermaterial mit ihren stirnseitigen Enden zwischen zwei Wärmeaustauschern angeordnet sind. Um bei Anordnung einer Vielzahl solcher Thermoelemente zwischen denselben beiden
ίο Wärmeaustauschern trotz bestehender Herstellungstoleranzen eine gute Anlage aller Halbleiterkörper an die Wärmeaustauscher zu erreichen, ist in einem der Wärmeaustauscher für jedes Thermoelement ein nachgiebiges Druckstück angeordnet Dieses besteht aus einem flüssigkeitsgefüllten elastischen Körper, der mittels einer im Wärmeaustauscher vorhandenen mechanischen Spannvorrichtung gegen die Halbleiterkörper des Thermoelements andrückbar ist. Zwischen dem Druckstück und den Halbleiterkörpern ist eine
2n isolierende Schicht eingelegt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art derart auszubilden, daß eine gute thermische Ableitung der Verlustleistung des Halbleiterbauelements und gleichzeitig eine gleichmäßige mechanische Belastung der Oberfläche des Halbleiterbauelements und ein dementsprechend guter thermischer und elektrischer Kontakt zwischen der Abnahmeelektrode und dem Halbleiterbauelement erreicht wird.
in Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiteranordnung der eingangs erwähnten Art durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 genannten Merkmale gelöst. Bei einer Ausführungsform der Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung ist die Halbleiteranordnung dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Behälter mit Kühlmittel, der eine der anderen Seite des Halbleiterbauelements zugewandte und in Richtung auf dieses bewegliche oder membranartig ausgebildete, als Abnahmeelektrode dienende Wand hat, vorhanden ist.
4n Durch die von dem Kühlmittel auf die bewegliche oder membranartig ausgebildete Wand ausgeübte Kraft wird eine gute und gleichmäßige Anlage, die von Wärmedehnungen nicht beeinflußt wird, an das Halbleiterbauelement erzielt. Man erhält somit eine
•'S gute Wärmeableitung und eine gleichmäßige Verteilung der Anpreßkraft gegen das Halbleiterbauelement.
Die bewegliche Wand besteht aus einem metallischen Material mit guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit wie z. B. Kupfer, Silber, Gold, Aluminium,
jo Messing, Nickel, Molybdän oder Legierungen mit einem oder mehreren dieser Metalle. Besonders vorteilhaft sind Kupfer, Silber und Aluminium sowie Legierungen aus diesen Grundstoffen, wie z. B. Zirkonium- Kupfer (Zr 0,10-0,30%, Cu rest.), Chrom-Kupfer (Cr 0,2-1%; Cu rest.), Silber-Kupfer (Ag 0,08%, Cu rest.), Silumin (12% Si, 88% Al) und Duralumin (0,5% Mn, 0,5% Mg, 4% Cu und 95% AI).
Die bewegliche Wand kann dadurch beweglich sein, daß die übrigen Wände des Behälters beweglich oder
M) dehnbar sind. Diese können z. B. balgförmig und in Richtung auf das Halbleiterbauelement dehnbar sein. Die dem Halbleiterbauelement zugewandte bewegliche Wand braucht dabei nicht besonders dünn zu sein. Sie kann z. B. eine Dicke bis zu 5 mm haben. Es ist jedoch
b5 ein Vorteil, wenn sie dünn ist, vorzugsweise 0,05 bis 1 mm, und nachgiebig, da sie sich dann besser der Oberfläche des Halbleiterbauelementes anpassen kann.
Die bewegliche Wand kann auch allein beweglich
sein, wahrend die übrigen Wände des Behälters starr sind. In diesem Fall besteht die bewegliche Wand aus einer dünnen Membrane, die gegenüber dem Halbleiterbauelement nachgiebig ist und sich dessen Oberfläche anpassen kann.
Die Dicke der beweglichen Wand ist hier zweckmäßigerweise 0,05bis2 mm, vorzugsv.eise0,05bis 1 mm.
Das Kühlmittel kann eine Flüssigkeit, z. B. Wasser oder öl, sein oder ein Gas, z. B. Luft. Der Druck des Kühlmittels ist zweckmäßigerweise 10 bis 500 bar und vorzugsweise 50 bis 500 bar. Das Kühlmittel wird vorzugsweise kontinuierlich durch den Behälter geleitet, kann aber auch nichtkontinuierlich zu- und abgeleitet werden.
Außer der Halbleiterscheibe aus beispielsweise η Silicium oder Germanium kann das Halbleiterbauelement zurr.indestens eine auf einer Seite der Halbleiterscheibe angeordnete Stützplatte aus Molybdän, Wolfram oder anderem Material mit ungefähr demselben Wärmeausdehnungskoeffizienten wie die Halbleiterscheibe enthalten. Das Halbleiterbauelement kann jedoch außer der Halbleiterscheibe aus nur auf einer oder beiden Seiten der Halbleiterscheibe angeordneten dünnen Metallschicht bestehen, die z. B. durch Aufdampfen oder Kathodenzerstäubung oder elektroly- ;5 tisch aufgetragen sind. Die Metallschichten können in Verbindung mit der Dotierung der Halbleiterscheibe gebildet werden oder in einem separaten Prozeß danach. Die Schichten können beispielsweise aus Gold, Silber, Kupfer, Aluminium, Nickel, Blei, Indium und jo Legierungen mit einer dieser Metalle bestehen. Das Halbleiterbauelement kann auch nur aus der Halbleiterscheibe bestehen, wobei es zweckmäßig ist, eine Halbleiterscheibe mit hoch dotierter Oberfläche iu wählen. 3^
Die bewegliche Wand kann direkt am Halbleiterbauelement anliegen, ohne daß Teile eines Gehäuses für das übliche hermetisch dichte Einschließen des Halbleitersystens dazwischenliegen. Dadurch erhält man einen besonders guten elektrischen und thermischen Kontakt *n zwischen dem Halbleiterbauelement und der bewegli chen Wand.
Auf Grund der gleichmäßigen Belastung, die gemäß der Erfindung auf das Halbleiterbauelement ausgeübt wird, ist die erfindungsgemäße Anordnung für Halbleiterbauelemente ohne Stützplatte gut geeignet. Indem man die Verwendung einer Stützplatte zwischen der Halbleiterscheibe und der beweglichen Wand vermeidet, erhält man einen besonders guten Kontakt zwischen der Halbleiterscheibe und der beweglichen j0 Wand. Das Halbleiterbauelement besteht in diesem Fall nur aus der Halbleiterscheibe mit der auf der Oberfläche angeordneten dünnen Metallschicht, die durch Einlegieren von Dotierungsmetallen, z. B. Gold-Antitnonlegierung und Aluminium, oder durch Eindiffusion von Dotierungsmetallen, z. B. Arsen und Gallium, gebildet wird.
Die Erfindung ist nachfolgend an Hand einer Zeichnung näher beschrieben. In diesel zeigt
Fig. 1 im Querschnitt eine einseitig gekühlte Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung,
Fig. 2 schematisch einen Zirkulationskreis für das Kühlmittel zu einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung und
Fig. 3 und 4 im Querschnitt doppelseitig gekühlte Halbleiteranordnungen gemäß der Erfindung.
In der Halbleiteranordnung gemäß Fig.] ist eine runde Siliciumscheibe 10, Typ PNN + , auf der Unterseite mit einer nicht gezeigten Aiuminiumschicht an einer Stützplatte 11 aus Molybdän oder einem anderen Material mit ungefähr demselben Wärmeausdehnungskoeffizient wie Silicium festgelötet und auf der Oberseite mit einem legierten Gold-Antimon-Kontakt in Form einer Schicht 12 versehen. Das aus den Elementen 10, 11 und 12 bestehende Halbleiterbauelement ist hermetisch dicht in einem Gehäuse eingeschlossen, das eine Grundplatte 13 1. B. aus Kupfer hat, die auch als Anschlußkörper dient, einen haubenartigen Teil in Form von zwei Ringen 14 und 15 aus Metall, z. B. Kupfer oder Eisen-Nickel-Legierung, einen Ring 16 aus Isoliermaterial, z. B. Porzellan und einen Deckel 17 aus Metall, z. B. Kupfer oder Stahl. Am Deckel 17 ist ein becherförmiger Teil 18 befestigt, der mit einem Balg 19 z. B. aus Kupfer oder rostfreiem Stahl versehen ist, so daß dessen Boden 20 in vertikaler Richtung beweglich ist und gegen das Halbleiterbauelement gedrückt werden kann. Der Deckel 17 und der becherförmige Teil 18 bilden zusammen einen Raum 21, der von dem von den Teilen 13, 14, 16 und 18 begrenzten Raum 22 abgeschlossen ist. Der Boden 20, d. h. die zum Halbleiterbauelement bewegliche Wand, hat eine Dicke von 1,5 mm. Der becherförmige Te'1, der auch als Anschlußkörper dient, hat eine Wanddicke von 0,5 mm. Der Raum 21 hat eine öffnung 23 zum Zulaufen und eine öffnung 24 zum Ablaufen einer Flüssigkeit, z. B. öl oder Wasser, die dur;h den Raum 21 zirkuliert, u;n die Halbleiterscheibe 10 zu kühlen und den Boden 20 gegen das Halbleiterbauelement zu pressen. Der Druck der Flüssigkeit in dem Behälter ist 150 bar. Die Flüssigkeit wird über das Rohr 25 in den Raum 21 gegen den zentralen Teil des Bodens geleitet. Die verschiedenen Teile der Halbleiteranordnung sind auf übliche Art durch Löten, Schweißen oder Kaltpressen aneinander befestigt. Das Halbleiterbauelement 10, 11, 12 ist nicht durch Löten od dgl. auf der Grundplatte 13 oder dem Boden 20 fixiert, sondern hat nur dadurch mit diesen Körpern Kontakt, daß der Boden von dem Kühlmittel gegen das Halbleiterbauelement gedrückt wird. Der Strom ist an den Teilen 13 und 17 angeschlossen.
Zu dem Zirkulationskreis der Flüssigkeit außerhalb der Halbleiteranordnung gehört, wie aus Fig. 2 hervorgeht, eine Zirkulationspumpe 26, ζ. Β. eine Flügelpumpe oder eine Zahnradpumpe und ein Wärmeaustauscher 27 zur Kühlung der Flüssigkeit. Zur Aufrechterhalten des Druckes ist in einem besonderen Umlauf eine Pumpe 28 eingeschaltet, z. B. eine Schneckenpumpe, eine Kolbenpumpe, eine Flügelpumpe oder eine Zahnradpumpe. Außerdem hat der genannte Umlauf einen Flüssigkeitsvorrat 29 zum Ausgleich etwaiger aus dem System austretender Flüssigkeit, der am Zirkulationskreis angeschlossen ist. Der Pumpe 28 ist zum Regeln des Druckes in dem System ein Überlaufventil 30 parallel geschaltet. Fi g. 2 zeigt von der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1 nur den Behälter für das Kühlmittel, d. h. die Teile 17 und 18, mit dem von diesen eingeschlossenen Raum 21. Die übrigen Teile der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 1 sind in F i g. 2 nicht gezeigt.
In der Anordnung gemäß Fig. 3 ist das Halbleiterbauelement von derselben Art wie in Fig. 1. Es ist hermetisch in einem Gehäuse eingeschlossen, das aus zwei dünnen Scheiben 31 und 32 aus Metall wie z. B. Kupfer oder Eisen-Nickellegierung, besteht, die an einem Ring 33 aus Isoliermaterial, z. B. Prozellan, mit Kupfer-Silberlot angelötet sind. Auf beiden Seiten des Halbleiterbauelements sind zylindrische Behälter 34
bzw. 35, ζ. B. aus Stahl, für ein Kühlmittel angeordnet. Sie haben Böden 36 bzw. 37 in Form von dünnen Membranen aus Kupfer, die mit Kupfer-Silberlot am Stahlbehälter angelötet sind. Die Wanddicke der Membranen beträgt 0,5 mm. Das Kühlmittel, Wasser, öl oder Luft, wird über öffnungen 38 und 39 zu- und durch Öffnungen 40 und 41 abgeleitet. Der Druck des Kühlmittels ist 150 bar. Zirkulationskreise gemäß F i g. 2 können für das Kühlmittel angewandt werden. Die beiden Behälter werden mit mehreren Bolzen 42 aus Isoliermaterial in um den Behälter herum angeordneten Flanschen 43 und 44 auf richtigen Abstand voneinander gehalten. Der Kontakt zwischen dem Halbleiterbauelement und den Membranen 36 und 37 wird nur durch den Druck des Kühlmittels zustandegebracht. Der Strom kann an die Behälter 34 und 35 oder an besondere Anschlußleiter aus Kupfer angeschlossen werden, die mit den Membranen 36 und 37 verbunden sind.
In dem Halbleiterbauelement gemäß Fig.4 besteht die Halbleiterscheibe aus einer Siliciumscheibe 50, Typ PNPN. Sie hat auf der einen Seite einen einlegierten Aluminiumkontakt in Form einer dünnen Schicht 51 und auf der anderen Seite einen einlegierten Gold-Antimon-Kontakt in Form einer dünnen Schicht 52. Die Behälter 34 und 35 mit den Böden 36 und 37 in Form von Membranen und mit den öffnungen 38 und 39 bzw. 40 und 41 sind derselben Art wie in Fig. 3. Die Membranen, die eine Dicke von 0,2 mm haben können, liegen in diesem Fall direkt ohne dazwischenliegende Stützplatte an den Kontakten 51 und 52 der
r, Halbleiterscheibe an. Die dünnen Membranen in Verbindung mit dem Flüssigkeitsdruck oder Gasdruck bewirken, daß die Halbleiterscheibe ohne Stützplatte verwendet werden kann, da das Risiko, das die Halbleiterscheibe infolge von ungleichmäßiger BeIastung zerbricht, minimal ist. Die Halbleiterscheibe ist hermetisch dicht eingeschlossen, und zwar dadurch, daß die Behälter mit Flanschen 53 und 54 um den Mantelumfang herum versehen und diese mit z. B. Kupfer-Silberlot am Porzellanring 55 fixiert sind. Das
iö Kühlmittel wie Wasser oder öl kann auf die in F i g. 2 ge^eigie Art zirkulieren. Der Flüssigkeitsdruck kann 150 bar sein. Flanschen und Bolzen aus Isoliermaterial fixieren die Behälter in den richtigen Lagen zueinander, wie in Fig. 3 gezeigt. Die Steuerelektrode 56 des Thyristors ist durch ein Loch in dem Porzellanring gezogen, wobei der Spalt um die Steuerelektrode hermetisch verschlossen wird, und an einem Anschlußleiter 57 angeschlossen. Der Hauptstrom kann wie in Verbindung mit Fig. 3 beschrieben, angeschlossen werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement, z. B. Diode, Transistor, Thyristor, das aus einem scheibenförmigen Halbleiterkörper und daran anliegenden Elektroden besteht und gegenüber der Umgebung abgekapselt ist sowie mit einem Behälter für ein gasförmiges oder flüssiges Kühlmittel, wobei der Behälter eine einer Seite des Halbleiterbauelements zugewandte als Abnahnieelektrode dienende Wand hat und das Kühlmittel den Behälter durchfließt und die als Abnahmeelektrode dienende Wand so gegen das Halbleiterbauelement gepreßt wird, daß dadurch ein wirksamer elektrischer und thermischer Kontakt zwischen der Wand und dem Halbleiterbauelement hergestellt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Halbleiterbauelement (10,11,12) zugewandte Wand (20,36) des Behälters (18, 34) in Richtung auf dieses beweglich oder membranartig ausgebildet ist und der Druck zwischen dieser Wand (20, 36) und dem Halbleiterbauelement (10, 11, 12) hydraulisch durch das Kühlmittel erzeugt wird.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Behälter (35) mit Kühlmittel, der eine der anderen Seite des Halbleiterbauelements (10, 11, 12) zugewandte und in Richtung auf dieses bewegliche oder membranartig ausgebildete, als Abnahmeelektrode dienende Wand hat, vorhanden ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliche oder membranartig ausgebildete Wand bzw. Wände (20, 36, 37) direkt am Halbleiterbauelement (10, 11, 12) anliegt bzw. anliegen.
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Verwendung eines Halbleiterbauelements ohne Stützplatten.
5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck im Kühlmittel 10 bis 500 bar beträgt.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlmittel Wasser oder öl ist.
7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Kühlmittel Luft ist.
DE2109116A 1970-03-05 1971-02-26 Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterbauelement und einem Kühlmittelbehälter Expired DE2109116C3 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10164522A1 (de) * 2001-12-17 2003-07-03 Siemens Ag Spannvorrichtung

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2160001C2 (de) * 1971-12-03 1974-01-10 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Halbleiteranordnung, insbesondere Thyristorbaugruppe
US3800191A (en) * 1972-10-26 1974-03-26 Borg Warner Expandible pressure mounted semiconductor assembly
US3989095A (en) * 1972-12-28 1976-11-02 Ckd Praha, Oborovy Podnik Semi conductor cooling system
CS159563B1 (de) * 1972-12-28 1975-01-31
US3972063A (en) * 1973-10-19 1976-07-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Vapor cooled semiconductor device enclosed in an envelope having a compression mechanism for holding said device within said envelope
US4009423A (en) * 1975-07-02 1977-02-22 Honeywell Information Systems, Inc. Liquid cooled heat exchanger for electronic power supplies
US4072188A (en) * 1975-07-02 1978-02-07 Honeywell Information Systems Inc. Fluid cooling systems for electronic systems
CS179822B1 (en) * 1975-09-08 1977-11-30 Petr Novak Cooling and pressuring equipment esp. for power semiconductive elements
US4138692A (en) * 1977-09-12 1979-02-06 International Business Machines Corporation Gas encapsulated cooling module
US4167031A (en) * 1978-06-21 1979-09-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Heat dissipating assembly for semiconductor devices
US4395728A (en) * 1979-08-24 1983-07-26 Li Chou H Temperature controlled apparatus
US4296455A (en) * 1979-11-23 1981-10-20 International Business Machines Corporation Slotted heat sinks for high powered air cooled modules
US4532426A (en) * 1983-06-17 1985-07-30 Hughes Aircraft Company Wafer height correction system for focused beam system
JPS60160149A (ja) * 1984-01-26 1985-08-21 Fujitsu Ltd 集積回路装置の冷却方式
CA1227886A (en) * 1984-01-26 1987-10-06 Haruhiko Yamamoto Liquid-cooling module system for electronic circuit components
US4561040A (en) * 1984-07-12 1985-12-24 Ibm Corporation Cooling system for VLSI circuit chips
DE3575206D1 (de) * 1984-09-21 1990-02-08 Siemens Ag Einrichtung fuer die funktionspruefung integrierter schaltkreise.
US4750086A (en) * 1985-12-11 1988-06-07 Unisys Corporation Apparatus for cooling integrated circuit chips with forced coolant jet
US4721996A (en) * 1986-10-14 1988-01-26 Unisys Corporation Spring loaded module for cooling integrated circuit packages directly with a liquid
US5040053A (en) * 1988-05-31 1991-08-13 Ncr Corporation Cryogenically cooled integrated circuit apparatus
US4865331A (en) * 1988-09-15 1989-09-12 Ncr Corporation Differential temperature seal
US5050036A (en) * 1989-10-24 1991-09-17 Amdahl Corporation Liquid cooled integrated circuit assembly
DE69321501T2 (de) * 1992-02-10 1999-03-04 Nec Corp Kühlvorrichtung für Bauteile mit elektronischen Schaltungen
US5369550A (en) * 1992-09-02 1994-11-29 Vlsi Technology, Inc. Method and apparatus for cooling a molded-plastic integrated-circuit package
US6035523A (en) * 1995-06-16 2000-03-14 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for supporting a component on a substrate
SE524204C2 (sv) * 2001-07-19 2004-07-06 Denso Corp Värmeansamlare med ett membran vilket tar emot ett fluidtryck
DE10207873A1 (de) * 2002-02-23 2003-09-04 Modine Mfg Co Kühlvorrichtung für elektronische/elektrische Komponenten
US20050039884A1 (en) * 2003-08-20 2005-02-24 Ivan Pawlenko Conformal heat sink
DE502005009433D1 (de) * 2005-02-18 2010-05-27 Ebm Papst St Georgen Gmbh & Co Wärmetauscher
US8176972B2 (en) * 2006-08-31 2012-05-15 International Business Machines Corporation Compliant vapor chamber chip packaging
US9726201B2 (en) * 2007-12-07 2017-08-08 Philips Lighting Holding B.V. Cooling device utilizing internal synthetic jets
RU2449417C2 (ru) * 2009-06-01 2012-04-27 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ охлаждения полупроводниковых тепловыделяющих электронных компонентов через биметаллические термоэлектрические электроды
JP5481680B2 (ja) * 2010-04-28 2014-04-23 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20110303403A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 International Business Machines Corporation Flexible Heat Exchanger
US9721870B2 (en) * 2014-12-05 2017-08-01 International Business Machines Corporation Cooling structure for electronic boards

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB787383A (en) * 1952-05-14 1957-12-04 Onera (Off Nat Aerospatiale) Process for producing superficial protective layers
DE1714910U (de) * 1953-10-19 1956-01-12 Licentia Gmbh Elektrisch unsymmetrisch leitendes system.
NL204333A (de) * 1954-01-14 1900-01-01
BE555902A (de) * 1956-03-22
US2958021A (en) * 1958-04-23 1960-10-25 Texas Instruments Inc Cooling arrangement for transistor
NL136972C (de) * 1961-08-04 1900-01-01
DE1976270U (de) * 1965-02-20 1968-01-04 Siemens Ag Halbleiteranordnung.
DE1539325A1 (de) * 1966-08-04 1969-12-11 Siemens Ag Druckstueck zur oertlichen Fixierung eines thermoelektrischen Bauelements
US3400543A (en) * 1966-10-31 1968-09-10 Peter G. Ross Semi-conductor cooling means
US3581163A (en) * 1968-04-09 1971-05-25 Gen Electric High-current semiconductor rectifier assemblies
DE1914790A1 (de) * 1969-03-22 1970-10-01 Siemens Ag Fluessigkeitsgekuehlte Baugruppe mit Scheibenzellen
DE2348207A1 (de) * 1973-09-25 1975-04-17 Siemens Ag Thyristorsaeule

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10164522A1 (de) * 2001-12-17 2003-07-03 Siemens Ag Spannvorrichtung
DE10164522B4 (de) * 2001-12-17 2005-05-25 Siemens Ag Spannvorrichtung und Halbleiterbauelement mit einer Spannvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US3649738A (en) 1972-03-14
SE350874B (de) 1972-11-06
DE2109116A1 (de) 1971-09-16
DE2109116B2 (de) 1974-08-29
GB1333190A (en) 1973-10-10
SU503563A3 (ru) 1976-02-15

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