DE1254251B - Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

DEUTSCHES VfflTWS PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Deutsche Kl.: 21 g -11/02

Nummer: 1254 251

Aktenzeichen: A 47288 VIII c/21 g

^ 254 251 Anmeldetag: 9.Oktober 1964

Auslegetag: 16. November 1967

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement aus einer relativ großen Halbleiterscheibe und damit in Verbindung stehenden als Wärmesenken wirkenden Abnahmeelektroden, die mehrere metallische draht- oder rohrförmige Elemente aufweisen.

Bei dem Herstellen eines Halbleiterbauelementes ist es allgemein notwendig, einen Aufbau zu erstellen, der eine wirksame Wärmeleitung zu dem Wärmeableiter aufrechterhält, um so schnell und wirksam die Wärme abzuführen, die während des Betriebes der Vorrichtung für Übertragungs- oder Translationszwecke entwickelt wird. Es ist ebenfalls notwendig, eine Anordnung vorzusehen, durch die übermäßige mechanische Belastungen auf Grund eines unterschiedlichen Ausdehnens und Zusammenziehens in Abhängigkeit von der Temperatur vermieden werden, die bei den Bestandteilen der Vorrichtung auftreten, wenn dieselbe für Übertragungszwecke angewandt wird. Derartige übermäßige mechanische Belastungen neigen dazu, die elektrische Leistung des Bauelementes nachteilig zu beeinflussen und führen schließlich zu einem Zerstören der Lötverbindung mit dem Halbleiterkristall. Weiterhin ist ein derartiger Kristall, da derselbe gewöhnlich in Form einer außerordentlich dünnen Scheibe vorliegt, sehr brüchig und zerbrechlich und erfährt eine Zerstörung, wenn derselbe erheblichen mechanischen Belastungen unterworfen wird.

Der Ausdehnungskoeffizient des Kupfers, das normalerweise als Wärmeableiter und Befestigungsanordnung bei einer derartigen Vorrichtung angewandt wird, beläuft sich auf etwa 17,7 TpM (Teile pro Million)/⁰ C. Der entsprechende Faktor für monokristallines Silizium beläuft sich z. B. auf etwa 4,6 TpM/⁰ C Es ergibt sich somit ein Unterschied von 0,0013 mm pro 100° C pro Zentimeter Durchmesser.

Wenn man einen Halbleiter-Gleichrichter mit großer Oberfläche und einer Verbindungsstelle (der bis zu 1000 A oder mehr ausgelegt ist) herstellen will, würde man die größte zur Verfügung stehende monokristalline Scheibe eines Halbleitermaterials, wie Silizium, auswählen. Diese Scheibe weist zur Zeit einen Durchmesser von etwa 31,28 mm auf und würde für Silizium eine unterschiedliche Ausdehnung von 0,021 mm pro 100° C bedingen. Die Lötmasse für das Verbinden des Kristalls mit den die Wärme und den Strom leitenden Bauelementen in dem Gleichrichter würde bei einer Temperatur etwas oberhalb 300° C aufgebracht werden, und die Verbindungsstelle sollte frei von übermäßigen Belastungen (nach dem Verlöten) bei —65° C sein. Eshandelt Halbleiterbauelement

Anmelder:

American Machine & Foundry Company,
New York, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Ing. W. Meissner und Dipl.-Ing. H. Tischer. Patentanwälte, Berlin 33, Herbertstr. 22

Als Erfinder benannt:

Thomas William Moore, Dayton, Ohio (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerikavom 11. Oktober 1963 (315 647)

sich somit insgesamt um einen Temperaturbereich von etwa 400° C Die gesamte unterschiedliche Ausdehnung beläuft sich sodann auf etwa 0,085 mm.

Es ergibt sich somit, daß eine dünne Lötmassenschicht von z. B. 0,076 mm in dem Fall einer massiven Anordnung nicht in der Lage ist, ein seitliches Gleiten von 0,085 mm ohne Zerbrechen des Kristalls oder Abtrennen der Lötverbindung nach einmaligem oder mehrmaligem Temperaturwechsel bei Benutzen der Vorrichtung durchzustehen. Wenn der Lötmassenfilm ausreichend dick gemacht wird, so daß ein seitliches Gleiten in dieser Größenordnung durch einen plastischen Fluß möglich ist, ergibt sich hierdurch ein ausreichend großer zusätzlicher thermischer und elektrischer Widerstand, so daß sich ernsthafte Probleme bezüglich der Temperatur der Verbindungsstelle ergeben. Bei Halbleiterscheiben mit derartig großen Durchmessern und für derartig große Ströme wird es ebenfalls notwendig sein, eine Anordnung vorzusehen, die den mechanischen Belastungen widersteht, die durch die schwere Wärmesenke aus Kupfer bei dem Betrieb der Vorrichtung auftreten sowie dieselbe von dem zerbrechlichen Halbleiter fernhalten.

Bei vorbekannten Arbeitsweisen zum Aufbau von Halbleitern, die mit hohen Strömen betrieben werden können, ist zwecks Vermeiden derartiger Probleme so verfahren worden, daß relativ dicke Lötmassenschichten und/oder zwischengeordneter Aufbau aus schweren Stücken angewandt wurde, die aus Wolfram oder Molybdän oder Legierungen derselben mit an-

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deren Materialien bestehen und Ausdehnungscharakteristika besitzen, die etwa bei 6 bis 7 TpM pro Grad Celsius oder eng benachbart zu denjenigen des Siliziums liegen und die zwischen dem Halbleiterkristall und der Wärmesenke aus Kupfer angeordnet sind. Dicke Lötmasse weist schlechte Wärmeleitfähigkeit auf und ist der Wärmeermüdung unterworfen. Molybdän und Wolfram sind relativ kostspielig und besitzen begrenzte Wärmeleitfähigkeit. Somit stellt deren Anwendung bei Halbleitern nicht nur ein wichtiges Kostenproblem dar, sondern führt auch zu einer relativ unzweckmäßigen elektrischen und Wärmeschranke. Die Ausdehnungseigenschaften derartiger Anordnungen nach dem Stand der Technik stellen bestenfalls einen Kompromiß dar, und bei Zunahme der Größe der Halbleitervorrichtung werden dieselben immer gravierender. Weiterhin sind derartige Hilfsmittel nur in Halbleitervorrichtungen mit begrenzter Stromdichteleistung wirksam. Anordnungen dieser Art (österreichische Patentschrift 222227), die mit Wolfram oder Molybdän oder Legierungen derselben aufgebaut sind, eignen sich nur für Halbleiterbauelemente, die relativ geringen elektrischen und somit mechanisch-thermischen Belastungen unterworfen sind, und sind weiterhin mit as dem Nachteil verbunden, daß die genannten Metalle relativ kostspielig sind und die Herstellung relativ verwickelt ist, so daß sich ein erheblicher Prozentsatz an Ausschuß ergibt.

Es ist weiterhin bekanntgeworden (französische Patentschrift 1 213 484) Stangen oder Rohre geringen Durchmessers für die Verbindung mit den beiden Seiten der Halbleiterscheibe anzuwenden. Diese technische Lösung konnte jedoch auch nicht befriedigen, da ein einwandfreies Arbeiten innerhalb eines größeren Temperaturbereiches hierdurch nicht gewährleistet ist.

Der Erfindung liegt nun die allgemeine Aufgabe zugrunde, die mit dem angegebenen Stand der Technik verbundenen Nachteile auszuräumen und insbesondere ein Halbleiterbauelement der angegebenen Art zu schaffen, das optimale Arbeitscharakteristika besitzt und innerhalb eines großen Temperaturbereiches betrieben werden kann, ohne daß die Gefahr des Auftretens mechanischer Belastungen und der Zerstörung gegeben ist.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist nun dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe mit den wärmeabführenden Abnahmeelektroden durch eine Vielzahl von dünnen Einzeldrähten in Form von Drahtbündeln über Lötverbindungen verbunden ist.

Ein weiteres erfindungsgemäßes Merkmal besteht darin, daß die Wärmesenken und die Verbindungsdrähte aus Kupfer bestehen, die Drähte in Form von Scheiben aus zusammengedrückten Drahtbündeln vorliegen, die mit Umfangsbändern versehen sind, wobei die Länge der Drähte und die Abmessungen der Wärmesenken in einem derartigen Verhältnis zueinander stehen, daß die elektrischen Daten des Halbleiters durch Erwärmen praktisch nicht verändert werden. Es erweist sich als vorteilhaft, daß die Enden der Drähte an den Wärmesenken und dem Halbleiter vermittels einer Lötmasse hohen Bleigehaltes befestigt sind.

Bevorzugt ist es, daß die Kupferdrähte einen Durchmesser in der Größenordnung von 0,17 mm besitzen.

Vermittels des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes ist es möglich, mit wesentlich höheren Stromdichten als nach dem Stand der Technik zu arbeiten. Weiterhin gelingt es, die auftretende Wärme schnell und sicher abzuleiten sowie die durch die verschiedenen Temperaturen bedingten Vorgänge des Ausdehnens und Zusammenziehens der einzelnen Bauelemente so aufzufangen, daß keine mechanischen Belastungen auftreten.

Man wendet dünne Scheiben eines zusammengedrückten Kupferdrahtbündels an, die zwischen dem Halbleiterkristall und Blöcken aus Kupfer eingesetzt werden, die den Wärmeableiter darstellen, und der elektrischen Verbindungsanordnung, wobei die Scheiben mit dem Kristall und den Kupferblöcken durch eine dünne Lötmassenschicht verbunden sind, die hierauf bei hoher Temperatur und vorzugsweise in einem Wasserstoffofen aufgebracht wird. Die Kupferdrähte besitzen gute Wärmeleitfähigkeit in ihrer Liegerichtung und sind klein genug, um keine Probleme bezüglich unterschiedlicher Ausdehnung bei schwankenden Temperaturen zu verursachen, die bei der Benutzung der Vorrichtungen zum Ausbilden mechanischer Belastungen führen könnten und somit eine Verringerung der elektrischen Leistungsfähigkeit und schließlich eine Zerstörung der Lötverbindung bedingen würden. Die Drähte können voroxydiert, beschichtet oder in anderer Weise so geschützt sein, daß die Lötmassenverbindung lediglich auf die Stirnflächen beschränkt wird.

Die Dicke der Scheiben wird so gewählt, daß eine winkelförmige Bewegung der äußeren Drähte in denselben nicht zu einer wesentlichen Veränderung der Dicke derselben führt. Auf Grund dieser Merkmale ergeben sich wirksame Halbleitervorrichtungen, die in der Lage sind bei höheren Stromdichten zu arbeiten, als dies bisher für möglich erachtet wurde.

Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.

F i g. 1 ist eine senkrechte Vorderansicht einer Anordnung übereinander angeordneter Bestandteile des Halbleiters nach der Erfindung, und zwar vor dem Verlöten oder Hartverlöten in einem Wasserstoff of en;

F i g. 2 ist eine Ansicht im Querschnitt der Umrißform eines Bündels paralleler Kupferdrähte, wie es zum Herstellen der Scheiben angewandt wird, die zwischen dem Halbleiterkristall und jedem Kupferblock eingeführt wird, der den Wärmeableiter bildet, sowie der elektrischen Befestigung in dem Halbleiter in der Fig. 1, und zwar vor dem Umwickeln, dem Zusammendrücken und dem Zerschneiden;

Fig. 3 zeigt im Querschnitt die Umrißform des Drahtbündels nach der F i g. 2 nach dem Zusammendrücken und Umwickeln;

Fig. 4 ist eine auseinandergezogene Vorderansicht eines Teils einer Scheibe des zusammengedrückten Bündels der Kupferdrähte, die mit dem Halbleiterkristall und einem der den Wärmeableiter bildenden Kupferblöcke verbunden ist, und zwar nach dem Verlöten bzw. Hartverlöten, wobei die vorübergehende Umwicklung entfernt ist;

Fig. 5 und 6 sind eine teilweise im Schnitt ausgeführte Vorderansicht und eine Draufsicht auf einen typischen erfindungsgemäß hergestellten Halbleiter-Gleichrichter.

Bei der erfindungsgemäßen Herstellung von Halbleitervorrichtungen besteht der erste Arbeitsschritt darin, ein Bündel paralleler Kupferdrahtleiter auszu-

wählen, die ζ. Β. einen Durchmesser von etwa 0,127 bis 0,153 cm aufweisen können. Diese Leiter sind einzeln voroxydiert, beschichtet oder in anderer Weise mit einem Überzug versehen worden, um so eine Isolation zu ergeben, durch die ein Benetzen durch die Lötmasse und ein Verschweißen in der Kälte der zylinderförmigen Außenflächen in dem fertigen Halbleiter verhindert wird. Wahlweise können auch Leiter in Form von Silberdraht angewandt werden. Die Umrißform des Drahtes bei einem derartigen Bündel wird durch die Querschnittsansicht nach der F i g. 2 wiedergegeben.

Das ausgewählte Drahtbündel wird mit einem dünnen, um den Umfang herumgeführten Metallband versehen, das in Form eines dünnen Kupferrohrs oder Rohrs aus anderem geeignetem Metall bestehen kann und dazu dient, als vorübergehende oder bleibende Umkleidung zu dienen und die Drähte bei den sich anschließenden Arbeitsgängen zusammenzuhalten. Das zusammengebundene Drahtbündel wird sodann in einer geeigneten Presse zwecks Aufhebens zwischen den Drähten vorliegenden Hohlräumen, wie in der Fig. 3 gezeigt, zusammengedrückt. Das zusammengedrückte Drahtbündel wird sodann in dünne Scheiben in einer Richtung senkrecht zu der Länge des Drahtes oder Bündels zerschnitten. Die Dicke der Scheiben sollte proportional dem Durchmesser des in dem Halbleiter angewandten Halbleiterkristalls und dergestalt sein, daß die winkelförmige Bewegung der äußeren Drähte nicht zu einer wesentlichen Dickenveränderung der Scheibe führt.

Wie in der F i g. 1 gezeigt, werden die Scheiben 1,2 des zusammengedrückten Drahtbündels miteinander durch Umfangsbänder 3 zusammengebunden sowie zwischen den oberen und unteren Oberflächen der Silizium- oder anderer Halbleiterkristallscheibe 4 angeordnet, die in der weiter unten beschriebenen Weise hergestellt wird, und jeder der Kupferblöcke 5 und 6 stellt den Wärmeableiter und die elektrischen Verbindungsabschnitte der Vorrichtung dar. Die Halbleiterkristallscheibe 4 weist bei der hier wiedergegebenen Vorrichtung einen Durchmesser von 31,8 mm auf, und jeder der Kupferblöcke 5 und 6 weist vorschlagsweise einen Durchmesser von angenähert 38,1 mm auf.

Die Oberflächen der Silizium- oder anderer Halbleiterscheibe 4 werden durch chemisches Anätzen angerauht und sodann mit einer aufgedampften Schicht aus Nickel oder anderem geeignetem Material versehen, das durch Überziehen, Aufsprühen oder in anderer geeigneter Weise aufgebracht werden kann. Das so behandelte Kristall wird sodann in einem Ofen auf eine hohe Temperatur längere Zeit erhitzt, um so das Nickel in die Oberflächen des Metalls eindiffundieren zu lassen.

Es wird ebenfalls ein Film einer Lötmasse, die vorzugsweise einen Bleigehalt (etwa 99 %) aufweist und ebenfalls eine geringe Menge anderer geeigneter Materialien, wie Silber oder Zinn, enthalten kann, zwischen die Scheiben 1 und 2 des Kupferdrahtes und des Kristalls 4 und die Kupferblöcke 5 und 6 (Fig. 1) gebracht, und die gesamte Anordnung wird sodann in einem Wasserstoffofen auf eine Temperatur von 300° C erhitzt, um so die Lötmasse in die Oberflächen des Metalls und der Kupferblöcke eindiffundieren zu lassen. Der Nickelüberzug auf dem Halbleiterkristall führt zu einer geringfügigen besseren Hochfestigkeitsbindung mit dem eigent-

liehen Kristall. Das allgemeine Arbeitsprinzip dieser Vorrichtung ist in gleicher Weise für den Zusammenbau geeignet, bei dem Hochtemperatur-Lötmassen Anwendung finden.
Bei der Löttemperatur dehnt sich der Kupfer-Wärmeableiter mit den Blöcken 5 und 6 in der gleichen Weise wie der Kupferdraht in den Scheiben 1 und 2 aus, und alle Bauelemente liegen zusammengebaut mit der metallisierten Oberfläche des ίο Kristalls 4 vor.

Bei dem Abkühlen der Vorrichtung kühlen sich alle Bestandteile gleichmäßig ab, jedoch zieht sich das Silizium oder der andere Halbleiterkristall nicht in dem gleichen Ausmaß wie der Wärmeableiter is zusammen. Das Ergebnis besteht darin, daß sich die Kupferdrähte spreizen, so daß einzelne Hohlräume zwischen den Oberflächen des Kristalls ausgebildet werden, wie in der Fig. 4 gezeigt, die einen Teil der Drähte zwischen der Halbleiterscheibe und so dem Kupferblock zeigt, nachdem das Löten ausgeführt worden sowie die Bänder 3 entfernt worden sind.

Die mechanischen Belastungen an jeder Drahtverbindung (nur das Ende) sind sehr geringfügig, da sich der Drahtdurchmesser auf nur etwa 0,127 mm beläuft und die unterschiedliche Ausdehnung etwa 0,025 mm beträgt. Es handelt sich somit um einen Wert, der leicht durch die Elastizität des Drahtes und des Lötmassenfilms (der nun optimal dünn sein kann) aufgenommen wird.

Der HalbIeiterkristaII 4 ist nunmehr frei, um sich unabhängig von der unterschiedlichen Ausdehnung zu bewegen, und das einzige Erfordernis besteht darin, daß die winkelförmige Lage der äußeren Drähte der Scheiben 1 und 2 nicht zu einer derartigen Kürzung führt, daß Biegebelastungen ausgebildet werden. Dies kann dadurch sichergestellt werden, daß eine entsprechende Länge der Drähte in den Scheiben gewählt wird. Die Dicke jeder Scheibe muß natürlich eine Funktion des Durchmessers des Halbleiters zum Erzielen optimaler Leistungsfähigkeit sein.

Erfindungsgemäß ergeben sich erhebliche Vorteile. So scheint es keine praktische Begrenzung des Durchmessers der in Anwendung kommenden Halbleiterscheibe und somit der Stromdichte, mit der eine Halbleitervorrichtung betrieben werden kann, bezüglich der Ausdehnungsprobleme zu geben. Somit können erfindungsgemäß Halbleitervorrichtungen hergestellt werden, die mit wesentlich größerer Stromdichte betrieben werden können als dies bisher möglich war. Unter der Annahme einer Lötverbindung mit jedem der Drahtenden kann sich der wirksame Querschnitt des Wärmeleiters auf mehr als 90 % desjenigen des massiven Kupfers belaufen. Alle Materialien, die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen angewandt werden, stehen leicht zur Verfügung und sind relativ billig. Die restlichen Kosten zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen großer Abmessungen vermittels des erfindungsgemäßen Verfahrens sind größtenteils Arbeitskräftekosten und nicht Kosten der Bauelemente.

Eine typische Anordnung unter Anwenden der Bauelemente nach der Fig. 1 ist im angenäherten Maßstab in den F i g. 5 und 6 wiedergegeben. Dieselbe weist einen inneren Teil, bestehend aus einer dünnen Scheibe 7 aus Silizium oder anderem hoch-

Claims (8)

wertigem Halbleitermaterial mit einem von außen aufgedampftem Überzug aus Nickel oder anderem geeignetem Metall, das in die äußeren Oberflächen hineindiffundiert ist, zwei Blöcke 8 und 9 aus Kupfer, die die wärmeleitfähige und elektrische Verbindung S darstellen, und eine wärmeleitfähige und elektrische Anschlußvorrichtung zwischen der Halbleiterscheibe und den Kupferblöcken auf, und zwar bestehend aus dünnen Scheiben 10 zusammendrückbarer Bündel aus voroxydierten Kupferdrähten, die hieran ver- it> mittels einer geeigneten Legierung verlötet oder hartverlötet sind und die bei hoher Temperatur vorzugsweise in einem Wasserstoff of en aufgebracht wird. Hierdurch ergibt sich eine Anordnung, durch die die bei der Anwendung des Halbleiters als Gleichrichter entwickelte Wärme abgeführt wird sowie die hierbei auftretenden mechanischen Belastungen von dem zerbrechlichen Halbleiterkristall isoliert werden. Der innere Aufbau wird durch ein Unterteil 11 aus Kupfer getragen und ist hieran befestigt. Derselbe wird durch ein Gehäuse umgeben, das mit dem Unterteil 11 aus Kupfer verschweißt, hartverlötet oder verlötet ist. Es sind hierbei äußere Teile 12, 13 vorgesehen, die durch verlötete keramische Isolatoren 14 getrennt sind. Elektrische Verbindungselemente 15 und 16 sind vermittels eines Streifens 17 aus silberplattiertem Kupfergeflecht verbunden. Man erhält so eine elektrische Verbindung mit dem Gleichrichter über dem oberen Kupferblock 8. Die in der Anordnung nach den Fig. 5 und 6 gezeigten Schrauben dienen dazu eine Druckberührung mit der Abstrahlvorrichtung (Platte gestrichelt in der Fig. 5 gezeigt) herzustellen und ergeben eine Druckberührung für elektrische, mechanische und Wärmefunktionen. Bei kleinen Gleichrichtern ist es oftmals zweckmäßig, die Vorrichtung gegenüber dem Wärmeabstrahier elektrisch zu isolieren. Bei den großen Einheiten bedingt das Erfordernis eines optimalen Wärmeflusses, daß das Abstrahlelement in inniger Berührung mit dem Gleichrichter vorliegt, und das Abstrahlelement wird gegenüber dessen Stützanordnung isoliert sein. In Abhängigkeit von den vorgesehenen Anwendungsgebieten wird man unterschiedliche Ausführungsformen (stud model »button type«) anwenden. Erfindungsgemäß gelingt es, bei Halbleitervorrichtungen einen Leistungsabfall sowie Zerstörung der Vorrichtung bedingt durch mechanische Belastungen zu verhindern, wie sie durch unterschiedliches Ausdehnen der einzelnen Bauelemente verur- sacht werden. Somit entfällt auch ein Zerbrechen oder Rißbildung der Kristalle. Die erfiindungsgemäßen Anordnungen können zusammen mit anderen Halbleitervorrichtungen, wie z. B. Transistoren, Hochenergie-Schaltkreisen, Mehrfachgleichrichtern und Halbleitermaterialien, die nicht aus Silizium bestehen, angewandt werden, um so ähnliche Probleme auszuräumen. Patentansprüche:

1. Halbleiterbauelement, bestehend aus einer relativ großen Halbleiterscheibe und damit in Verbindung stehenden als Wärmesenken wirkenden Abnahmeelektroden, die mehrere metallische draht- oder rohrförmige Elemente aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe (4) mit den wärmeabführenden Abnahmeelektroden (5, 6) durch eine Vielzahl von dünnen Einzeldrähten (1, 2) in Form von Drahtbündeln über Lötverbindungen verbunden ist.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmesenken (5, 6) und die Verbindungsdrähte (1, 2) aus Kupfer bestehen, die Drähte (1, 2) in Form von Scheiben aus zusammengedrückten Drahtbündeln vorliegen, die mit Umfangsbändern (3) versehen sind.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und

2, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Drähte (1, 2) und die Abmessungen der Wärmesenken (5, 6) in einem derartigen Verhältnis zueinander stehen, daß die elektrischen Daten des Halbleiters (4) durch Erwärmen praktisch nicht verändert werden.

4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der Drähte (1, 2) an den Wärmesenken (5, 6) und dem Halbleiter (4) vermittels einer Lötmasse hohen Bleigehaltes befestigt sind.

5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferdrähte (1, 2) einen Durchmesser in der Größenordnung von 0,17 mm besitzen.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 1 057 241;
österreichische Patenschrift Nr. 222 227;
französische Patentschrift Nr. 1 213 484;
USA.-Patentschriften Nr. 2 806 187, 3 128 419, 158.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

709 688/318 11. 67 © Bundesdruckerei Berlin