AT222227B

AT222227B - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: AT222227B
Application number: AT467361A
Authority: AT
Original assignee: Siemens Ag
Priority date: 1960-06-23
Filing date: 1961-06-16
Publication date: 1962-07-10

Description

Halbleiteranordnung
EMI1.1

EMI2.1

mit ssn-Übergangsschichten indrahtstücke erzielen, dass die abgesägten Scheiben ohne besondere Vorsichtsmassnahmen gehandhabt wer- den können.

Eine weitere Möglichkeit besteht darin, nach dem Einschieben eines Drahtbündels in ein Rohr die
Zwischenräume des Drahtbündels im Inneren des Rohres mit einem Kunstharz auszugiessen und von dem so gefüllten Rohr Scheiben passender Dicke abzusägen. Für diesen Zweck muss ein Kunstharz verwendet werden, dass unter den bei Weichlötung auftretenden Temperaturen, also etwa 200 C, noch ausreichend beständig ist. Harze, die diese Voraussetzung erfüllen, sind beispielsweise handelsübliche Epoxyd- oder
Silikonharze. Spröde Harze, wie Z. B. Epoxydharze, reissen bei der Abkühlung der Ausgleichsplatte nach der Lötung auf, so dass die einzelnen metallischen Elemente der Platte auch hier frei arbeiten können.

Elastische oder gummiartig weiche Harze, die infolge dieser Eigenschaften nicht aufreissen, erzeugen aus den gleichen Gründen bei einer inneren Verformung der Platte nur geringe Gegenkräfte, so dass auch hier eine ausreichende Beweglichkeit der metallischen Einzelelemente gewährleistet ist.

Mit den genannten Verfahren lässt sich ein Kupferfüllfaktor der Ausgleichsplatte von etwa 75 bis 80 % erzielen. Im Vergleich mit der direkten Anlötung des Halbleiterelementes am Gehäuseboden wird also hei
Verwendung einer solchen Ausgleichsplatte eine gewisse Verringerung des Wärmeleitquerschnittes in Kauf genommen, die jedoch nur eine Temperaturerhöhung des Halbleiterkristalls im Betrieb von wenigen Gra- den Celsius zur Folge hat.

Die Erfindung wurde an Hand des Aufbaues einer Silizium-Gleichnchteranordnung erläutert. Sie ist jedoch auch bei Halbleiteranordnungen anderer Art, beispielsweise Leistungstransistoren, Dynistoren (hyperkonduktiven Dioden) und Trinistoren (Halblelterstromtoren) verwendbar.

PATENTANSPRÜCHE :
1. Halbleiteranordnung, bei der eine Elektrodenplatte eines Halbleiterelementes flächenhaft mit einem metallischen Bauteil verbunden ist, das einen andern thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat als die angrenzende Elektrodenplatte, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Elektrodenplatte und dem genannten Bauteil eine flache Ausgleichsplatte angeordnet ist, die mosalkartig aus einer Vielzahl nicht fest miteinander verbundener, metallischer Einzelkörper zusammengesetzt ist.

Claims

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelkörper aus Kupfer bestehen.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichsplatte aus Kupferstiften zusammengesetzt ist, deren Länge (senkrecht zur Ebene der Platte) sich zu ihrem Durchmesser mindestens wie etwa 2 : 1, vorzugsweise etwa wie 20 : 1 verhält.

4. Verfahren zur Herstellung einer Ausgleichsplatte für eine Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Drahtbündel mit möglichst enger Passung in ein Rohr eingeschoben wird, dass der Durchmesser des Rohres durch Drücken derart verringert wird, dass die Drähte eng zusammengepresst werden, und dass dann von diesem Rohr Scheiben passender Dicke abgesägt werden.

5. Verfahren zur Herstellung einer Ausgleichsplatte für eine Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Drahtbflndel mit möglichst enger Passung in ein Rohr eingeschoben wird, dass die Zwischenräume des Drahtbündels im Inneren des Rohres mit einem Kunstharz ausgegossen werden, und dass dann von dem so gefüllten Rohr Scheiben passender Dicke abgesägt werden.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rohr aus Aluminium benutzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rohr aus einem Metall benutzt wird, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient nicht wesentlich grösser ist als derjenige der an die Ausgleichsplatte angrenzenden Elektrodenplatte.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Rohr aus einer Eisen-Nickel-Legierung benutzt wird.

9. Halbleiteranordnung, bei der die Verbindung zwischen der Elektrodenplatte eines einkristallinen pn-Halbleiterelementes mit dem Boden seines Gehäuses gemäss Anspruch 1 ausgebildet ist.

10. Halbleiteranordnung, bei der die Verbindung einer Elektrodenplatte eines einkristallinen pnHalbleiterelementes mit einer flexiblen Stromzuleitung gemäss Anspruch 1 ausgebildet ist.