DE960372C - Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiter-Signaluebertragungseinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE960372C
DE960372C DEW13613A DEW0013613A DE960372C DE 960372 C DE960372 C DE 960372C DE W13613 A DEW13613 A DE W13613A DE W0013613 A DEW0013613 A DE W0013613A DE 960372 C DE960372 C DE 960372C
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DE
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wire
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germanium
adhering
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DEW13613A
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English (en)
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Joseph John Kleimack
Robert Lewis Trent
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AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
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Publication date
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Description

AUSGEGEBEN AM 21. MÄRZ 1957
Die Erfindung betrifft Halbleiter-Übertragungseinrichrungen und Verfahren zu ihrer Herstellung.
Bisher geschah die Herstellung von Halbleiterkörpern für elektrische Übertragungseinrichtungen in einer komplizierten Reihe von teuren Arbeitsgängen. Sie wurden im allgemeinen von einem großen Körper durch einen Schneidevorgang getrennt, zunächst als Scheiben; die größeren Flächen der Scheiben wurden poliert, geätzt und mit Metall überzogen; die Scheiben wurden dann in Würfel zerlegt, die einzelnen Würfel wurden durch Löten an einer metallischen Basis befestigt; die Basis und die Lötverbindungen wurden abgedeckt; die offene Fläche jedes Würfels wurde geätzt und das Abdeckungsmaterial entfernt. Da die übliche Scheibe etwa 0,63 mm dick ist und die Würfel etwa 1,27 mm im Quadrat groß sind, ist eine sorgfältige Behandlung dieser Teile während der obigen Reihe von Arbeitsgängen erforderlich. Ferner ist der Verlust an Material und an teilweise behandelten Würfeln groß, da ein wesentlicher Teil des ursprünglichen Halbleitermaterials als Sägeverschnitt
oder bei den Poliervorgängen verlorengeht und manchmal die Kanten der Würfel in einem solchen Grad abbröckeln, daß sie unbrauchbar werden.
Ein' Halbleiterkörper, der die verlangten Übertragungsfunktionen erfüllt, hat in zahlreichen Fällen die Größe eines Würfels von etwa 0,13 mm Seitenlänge. Die Größe des Körpers war bisher durch mechanische und Handhabungsschwierigkeiten bestimmt, die sich bei kleineren Körpern ergaben. Infolgedessen hat die übliche Übertragungseinrichtung einen Halbleiterkörper, der viel größer ist. als tatsächlich zur Erfüllung der beabsichtigten Funktionen erforderlioh ist, oftmals zum Schaden gewisser elektrischer Eigenschaften. Die Erfindung hat die Aufgabe, die aufbaumäßigen und elektrischen Eigens chatten von elektrischen Übertragungseinrichtungen mit Halbleiterkörpern zu verbessern und die Herstellung solcher Übertragungseinrichtungen zu vereinfachen. Insbeao sondere hat sie die Aufgabe, den Basiswiderstand zu verringern, die Müiderheitsträgerspeicherung und die Minderheitsträgeremission von den Basisanschlüssien zu verkleinern, die zulässige Wärmeableitung· zu vergrößern, die Größe des Halbleiterkörpers und damit die Größe der Übertragungseinrichtung zu vermindern, die Arbeitsgänge bei der Herstellung auf ein Minimum zu, bringen, die Regelung der Dicke des Halbleitermaterials zu erleichtern und das Halbleitermaterial wirksamer auszunutzen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Übertragungsemrichtungen, bei dem ein metallisches Teil an einen Mutterkörper aus halbleitendem Material legiert wird, ferner das metallische Teil mit dem anhaftenden halbleitenden Material aus dem festen Mutterkörper herausgezogen wird und bei dem schließlich wenigstens ein weiterer Elektrodenkontakt an dem herausgezogenen halbleitenden Material angebracht wird.
Ein anderes Merkmal der Erfindung besteht darin, daß ein Halbleiterkörper hergestellt wird, indem ein metallisches Teil an eine Halbleitermasse durch Legierung gebunden und eine trennende Kraft zwischen dem metallischen Teil und der Masse angelegt wird. An dem metallischen Teil haftet dann ein Körper aus Halbleitermaterial mit hervorragenden Übertragungseigenschaften, der aus der Masse herausgezogen wird.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, ein metallisches Teil an eine Oberfläche einer Halbleitermasse durch Legierung zu binden, die eine und mehrere gewachsene np-Verbindungen in der Nähe der Oberfläche enthält, wodurch ein Halbleiterkörper aus der Masse herausgezogen werden kann, der diese Verbindungen enthält.
Ein anderes Erfindungsmerkmal bezieht sich auf die Regelung der Größe und der Form des herausgezogenen Halbleiterkörpers durch Regelung der Spannungslinien, die innerhalb der Halbleitermasse entstehen, aus der der Körper herausgezogen wird. Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht im Einbau von herausgezogenen Halbleiterkörpern in verschiedene Konstruktionen einschließlich Varistoren, leichtempfindliche Übertragungseinrichtungen und Transistoren, bei denen gewachsene Verbindungen und legierte Verbindungen verwendet werden und die Bindungs- und Druckkontakte aufweisen.
Die obigen sowie andere Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden an Hand der nachfolgenden ins einzelne gehenden Erläuterung in Verbindung mit den Zeichnungen vollständiger verständlich werden.
Erklärung der Zeichnungen:
Fig. ι zeigt ein Arbeitsgangschema, das ein Verfahren zur Herstellung von Übertragungseinrichtungen mit herausgezogenen Halbleiterkörpern erläutert;
Fig. 2 zeigt schematisch die Bindungseinrichtung, die zur Bindung durch Legierung von Metallteilen an einen Halbleitermutterkörper verwendet wird; Fig. 3 zeigt im Schnitt einen vergrößerten Aufriß einer Bindung, wie sie bei der Einrichtung der Fig. 2 entsteht;
Fig. 4 zeigt ein Verfahren zum Herausziehen eines gebundenen Körpers aus einem Halbleitermutterkörper, wobei einige Teile im Schnitt dargestellt sind;
Fig. 5 zeigt im Aufriß eine Druckkontakt- oder Bindungskontaktdiode, die einen herausgezogenen Bindungskörper aufweist;
Fig. 6 zeigt im Schnitt einen Aufriß eines Halbleiterkörpers, der eine np-Verbindung enthält und an den ein Kontakt gebunden ist;
Fig. 7 und 8 sind Aufrisse von verschiedenen Konstruktionen, die erfindungsgemäß hergestellt sind;
Fig. 9 und. 10 sind perspektivische Ansichten von weiteren Konstruktionen, die mit Hilfe der Verfahren der Erfindung unter Verwendung von Träger- und Gehäusemitteln hergestellt sind.
Bei der Herstellung von Übertragungseinrichtungen gemäß der Erfindung stammt der Halbleiterkörper aus einer Masse aus Halbleitermaterial, die durch bekannte Verfahren vorbereitet ist. Wenn das verwendete Halbleitermaterial Germanium oder Silizium ist, kann es in polykristalliner Form oder in Einkristallform vorbereitet sein. Die entstehenden Massen können np-, npn- oder pnp-Verbindungen enthalten, die durch verschiedene Mittel gebildet werden, einschließlich der Regelung der Beimengungskonzentrationen, von Wärmebehandlungen u. dgl.
Für Übertragungseinrichtungen geeignete Körper entstehen durch Herstellung einer Bindung zwischen einem metallischen Teil, das bei der Übertragungseinrichtung als Elektrode verwendet werden kann, und einer großen Masse aus Halbleitermaterial. Das metallische Teil wird dann von der Masse getrennt, und zwar in solcher Form, daß etwas Halbleitermaterial an das Teil gebunden bleibt. Eine Übertragungseinrichtung, bei der das metallische Teil als eine der Elektroden und der anhaftende Halbleiterkörper als Halbleiterelement 1*5 verwendet wird, entsteht durch Anbringung von
einer oder mehreren zusätzlichen Elektroden an den Körper. Dieses Verfahren ist in allgemeiner Form in dem Arbeitsgaiigschema der Fig. ι dargestellt.
Eine Ausführung des Verfahrens, welche mit Vorteil angewendet werden kann, besteht in der Herstellung der Bindung zwiscben einem Metallteil und einer Halblei termasse mit einer geeignet vorbereiteten Oberfläche, indem eine Zone gebildet
ίο wird, die aus einer Legierung zwiscben dem Metall und dem Halbleiter besteht. Diese Art der Bindung hat sich, als recht fest erwiesen, ferner stellt sie ein Mittel zur Regelung der Form und der Größe des aus dem Mutterkörper herausgezogenen HaIbleiterkörpers dar, da die Lage und die Stärke der im Mutterkörper entstehenden Spannungslinien durch den Bindungsvorgang geregelt werden können. Der Körper wird aus dem Mutterkörper entlang der von der Bindung hervorgerufenen Spanso nungslinien herausgebrochen.
Ein herausgezogener Bindungshalbleiterkörper kann in dem in Fig. 2 dargestellten Gerät hergestellt werden. Zum Beispiel kann als Mutterkörper 11 für Halbleiterkörper ein Einkristallkörper aus n-Germaniurn verwendet werden, indem eine seiner Oberflächen für die Bindung an ein geeignetes iMetallteil 10 vorbereitet wird. .Das für 'diesen Bindumgsausziehvorgang verwendete metallische Material soll außer geeigneten Legierungseigenschaften mit dem Halbleiter des Mutterkörpers mechanische Spannungen im TVLutterkorper außerhalb des Legierungsbereiches entstehen lassen, so daß der nach der Trennung des Teiles, von dem Mutterkörper auftretende Bruch innerhalb des Mutterkörpers liegt und Halbleitermaterial an der herausgezogenen Bindung haftet. Infolgedessen soll das Metall einen anderen Ausdehnungskoeffizienten als der Halbleiter des Mutterkörpers haben, ferner eine so große Festigkeit, daß es bei der Abkühlung durch den sich zusammenziehenden Halbleiter nicht deformiert wird, ohne gewisse Spannungen im Halbleiter zu erzeugen. Ausgeführte Muster enthalten einen 0,50 mm dicken Draht aus Gold, aus einer Goldlegierung oder aus einem anderen Material,
z. B. Aluminium, der den gewünschten niederohmigen Kontakt oder eine verteilte Verbindung mit Kontakt schafft, je nachdem, wie es die Anforderungen an die herzustellende Einrichtung vorschreiben. Auf dem Kristall wird eine saubere Oberfläche hergestellt oder von dem Kristall eine Scheibe abgeschnitten, und ihre größeren Oberflächen werden durch die üblichen Polier- und Ätzverfahren gereinigt. Zum Beispiel wird die Oberfläche mit Hilfe von Lappen mit immer feinerem Aluminiumoxyd und Wasser poliert, gesp.ült und einer chemischen oder elektrolytischen Ätzung unterworfen, gespült und in Luft zu Würfeln zerlegt. Der den Mutterkörper 11 bildende Würfel wird dann in das Bindungsgerät eingesetzt.
Bei der Herstellung der Bindung wird dem me-.tallischen Teil ι ο und dem Germaniumkörper 11 Wärme zugeführt, so daß ein Gebiet mit einer eutektischen Legierung unmittelbar unter dem Tedl mit Hilfe von Strahlungswärme oder von elektrischer Widerstandserwärmung oder von, beiden entsteht. Das zu bindende Teil 10 wird unter Druck in Kontakt mit der bevorzugten Oberfläche des Halbleitermutterkörpers 11 gebracht. Ein weiterer Druckkontakt wird auf der gegenüberliegendeil· Oberfläche des Mutterkorpers mit einer Metallelektrode 12 hergestellt, z.B. mit einem Platiostab, der einen elektrischen Kontakt ergibt, siich aber nicht mit dem Mutterkörper legiert oder bindet. Das Material des zu bindenden Teiles bildet vorzugs^veise eine eutektische Legierung mit dem Halbleiter, außerdem sind seine Bestandteile durch die Art des gewünschten Kontaktes bestimmt. Wenn z. B. ein gleichrichtender Kontakt an n-Germanium oder ein ohmscher Kontakt an p-Germanium beabsichtigt ist, kann eine Elektrode aus Gold oder aus einer Legierung von Gold mit einem Akzeptormaterial, z. B. den Elementen Gallium oder Indium der dritten Spalte des Periodischen Systems, verwendet werden, wobei die Menge des Akzeptormaterials im Bereich von 0,001 bis 10 Gewichtsprozent liegt. Gold bildet mit Germanium bei etwa 3600 C eine eutektische Legierung und wirkt entweder sielbst als Akzeptor oder bei Legierung mit einem Akzeptormaterial. Wenn umgekehrt ein gleichrichtender Kontakt- an ρ-Germanium oder ein go ohmscher Kontakt an η-Germanium gewünscht wird, ist eine Elektrode aus Gold, legiert mit einem Donator, z. B. Antimon, Arsen oder Phosphor aus der fünften Spalte des Periodischen Systems in einem Bereich von etwa 0,001 bis 10 Gewichtsprozent, geeignet. Ohmsche Kontakte, die durch Bindung einer Gold-Antimon-Legierung an η-Germanium entstehen, sind insbesondere als löcherfeste Basiselektroden geeignet,, wobei die Verwendung sehr dünner Germaniumkörper in ÜbertragUQgseinrichtungen, wie Transistoren, möglich wird. Die zu bindende Elektrode kann die Form eines flachen oder mit einem Kopf versebenen Endes eines Drahtes haben, z. B. eines Drahtes aus einer Goldlegierung mit einem Durchmesser von etwa 0,13 bis wenigstens 0,50 mm.
Die Bindung wird in Geräten, wie 'das in Fig. 2 dargestellte, hergestellt, bei dem Mittel zum Halten der Teile in der richtigen Lage zueinander und zum Zuführen von Wärme vorgesehen sind, um die zu bindende Stelle auf die Schmelztemperatur der eutektischen Legierung zu bringen. .Dieses Gerät ist mit einem "Gehäuse 13 versehen, in dem der Druck geregelt werden kann. In dem Gehäuse ist ein isolierender Block 14 angeordnet, der 'eine Bohrung 15 enthält, in der die Platinstabelektrode 12 gehalten wird. Ein Arm 17, der frei tragend von einer . Betätigungseinrichtung 18 gehalten wird, die für genaue Bewegungen in drei Dimensionen eingerichtet ist, führt durch eine Öffnung 19 in der Wand des Gehäuses 13 und hat nahe am freien Ende einen Kontaktträger. Der Kontaktträger besteht aus einer Bohrung 16, die axial mit der Bohrung 15 ausgerichtet werden kann und die so· eingerichtet ist, daß sie .eine metallische Röhre 21 aufnehmen kann, die eine Innenbohrung mit einem Durchmesser hat,
der zur Aufnahme der zu bindenden Drahtelektrode io geeignet ist. Auf die Elektroden io und 12 wird durch die Federn 23 und 24 ein axialer Druck ausgeübt. Die Feder 23 ist so ausgeführt, daß sie den S gewünschten Kontaktdruck ausüben und die Elektrode 10 in den Bindebereich hineinschieben kann und zwar infolge der Begrenzungswirkung der oberen Oberfläche des Armes 17 um einen vorbestimmten Betrag·. Hierdurch ist der Betrag des Hineinschiebens durch den Abstand zwischen dem unteren Teil der Feder und der" oberen Hache des Armes bestimmt. In unmittelbarer Nähe des Halbleitermutterkörpers und des zu bindenden Drahtes ist bei der dargestellten Anordnung eine Heizspule ig 25 vorgesehen, um eine Änderung der der Verbindungsstelle während des Bindungsvorganges zugeführten Wärme zu ermöglichen.
Beim Betrieb des Gerätes kann eine Bindung her gestellt werden, indem ein 0,50 mm dicker Draht 10 ao aus einer Gold-Antimon-Legierung auf einen Einkristall, einen n-Germanium-Wurf el von 1,27 mm im Quadrat und 0,63 mm Dicke, aufgesetzt wird, und zwar mit einem Kontaktdruck, der im Bereich von ' etwa S bis 26 kg/mm2 liegt. Ein Draht 12 aus as Platin oder einer Platinlegierung von 0,81 mm Durchmesser ergibt den zweiten Kontakt. Im Gehäuse 13 wird eine indifferente oder reduzierende Atmosphäre hergestellt, indem ein geeignetes Gas unter Druck- durch den Einlaß 28 eingeführt und durch die Öffnung 19 herausgelassen wird. Das Gas kann Helium, Stickstoff oder Wasserstoff sein. Durch die Heizspule wird ein "Strom aus'der Spannungs^uelle 29 geschickt, um ihre Temperatur auf einen Wert zwiscLjen 450 und 6oo° C zu bringen. Wenn diese Spule aus Chxomnickelband von 0,08 mm Dicke, 1,59 mm Breite und 15,25 cm Länge besteht und einen Innendurchmesser von 6,35 mm hat, bringt sie den Scheibenmutterkörper durch Strahlungswärme auf annähernd 3000 C, wenn ein Wechselstrom von 12 bis 15 Ampere bei 2 bis 3 Volt etwa 45 Sekunden lang angelegt wird. Nachdem die Verbindung eine konstante Temperatur erreicht hat, wird' ein starker Bindungswechselstrom von ι bis 3 Ampere von der Spannungsquelle 27 durch die zu bindende Stelle etwa 5 bis 10 'Sekunden lang geleitet. Diese Bindung erzeugt edn geschmolzenes Gald-Germanium-Eutektikum 30 und ein verbreitertes Ende 36 an dem gebundenen Draht (Fig. 3 und 4).
Selbstverständlich kann die Bindung auch durch andere als das oben beschriebene Verfahren und zwischen anderen als den obenerwähnten Stoffen hergestellt werden. Zum Beispiel kann eine Anzahl von Bindungen gleichzeitig oder nacheinander an einem großen Mutterkörper, z. B. an einer Scheibe, hergestellt werden, indem ein Streifenheizer mit elektrischem Widerstand unterhalb des Mutterkörpers und gegen diesen durch eine Glimmerseheibe isoliert verwendet wird oder auch indem rair die Widerstandserwärmung' benutzt wird, die durch den Durchgang von Wechsel- oder"Gleichstrom durch die Verbindungsstelle entsteht. Diese Bindungen könnten unter Bildung von Spannungslinien im Material entstehen, welche die Oberflächen bestimmen, an denen entlang der Mutterkörper während des Herausziehvorganges bricht, wobei der Herausziehvorgang durch Verfahren der gleichen Art gesteuert wird, wie sie in dem oben angegebenen Beispiel verwendet werden. Auch können Bindungen am Mutterkörper durch Anlöten und durch Spannungslinien hergestellt werden, die während der Lötung oder bei einer nachfolgenden Operation entstehen, oder es kann der Mutterkörper durch Anwendung einer zusammendrückenden Kraft ohne den regelnden Einfluß von Spannungslinien abgebrochen werden. Diese Teile, die vom Mutterkörper mit den anhaftenden Kontakten getrennt werden, können bei den unten beschriebenen Konstruktionen verwendet werden.
Die Bestimmungswerte des Biridungsverfahrens können benutzt werden, um die Größe und Form des Halbleiterkörpers zu bestimmen, der aus dem Muitterkörper herausgezogen wird, weil sowohl die Fläche der Bindung als auch die Lage der thermisch erzeugten Spannungslinien bei der Bindung festgelegt werden. Im allgemeinen ist mit guter Näherung die Fläche der Basis des herausgezogenen Körpers etwa diejenige des gebundenen Metallkontaktes. Die Fläche dieses Kontaktes ist durch die ursprüngliche Größe des Teiles, durch den während der Bindung· angelegten Druck und durch den Erwärmungsvorgang bestimmt. Zwischen dem Metallteil und dem Halbleiter besteht eine eutektische Zone 30, wie sie in Fig. 3 dargestellt ist, mit einer Dicke, die zwischen' etwa 0,013 un(ä etwa 0,05 mm liegt. Unter dieser eutektischen Zone liegt ein Gebiet aus Halbleitermaterial 3 2, das durch die zusammengezogenen, beim Bdndungsvorgang entstehenden Spannungslinien 31 bestimmt ist. Diese Spannungslinien entstehen dicht bei der eutektisehen Zone, wenn die Bindung schnell abgekühlt wird, sie können durch langsame Abkühlung der Bindung so konzentriert werden, daß sie eine Kappe bilden, die einen wesentlichen Bereich des Halbleiters umfaßt. Langsame Abkühlung wird durch Anwendung einer Nacherwärmung erreicht, wobei einem Heizer, z.B. der Spüle25, Energie mit konstanter Höhe oder mit allmählich abnehmender Höhe zu einer Zeit zugeführt wird, die der Unterbrechung des durch die Bindung gehenden. Stromes folgt. Zum Beispiel wurden Spannungslinien, die stets Germaniumausbrüche mit einer Dicke von 0,05 bis 0,10 mm ergaben, bei einem Einkristallmutterkörper von 1,27 mm im Quadrat und einer Dicke von 0,63 mm mit dem in Fig. 2 dargestellten Gerät mit Elektroden aus 0,50 mm Draht und senkrecht zu den Achsen stehenden Enden wie folgt erzielt: Der Heizer 2 5 wird auf etwa 600° G erwärmt, um den Mutterkörper auf etwa 300° C zu bringen. Der Draht 10 wird so- eingesetzt, daß annähernd eine Drahtlänge von 0,25 mm in die Bindung hineinieschoben wird. Ein Bindungsstrom von V2 Ampere wird etwa 8 Sekunden durch die Verbindungsstelle zwischen der Elektrode und dem Mutterkörper gechickt. Wenn der Bindungsstrom abgeschaltet ist, wird die Heizung so herabgesetzt, daß sich der
Heizer in etwa 30 Sekunden auf annähernd ioo° C abkühlt. Ähnliche Ergebnisse werden mit den obengenannten Werten erhalten, indem etwa 4 Coulomb in einer Zeit von weniger als etwa 8 Sekunden durch' den Kontakt geschickt werden, z. B. wenn ein Bindungsstrom von 1 Ampere 4 Sekunden lang, von 2 Ampere 2 Sekunden lang oder von 3 Ampere ι Sekunde lang angewendet wird. Es wurden 'Spannungslinien bei den gleichen Stoffen und dem gleichen Gerät erzielt, die Germaniumausibrüche von 0,25 bis 0,38 mm 'ergaben, indem die Spule 25 auf 7000 C und damit der Mutterkörper auf etwa 3250C erwärmt wurden, indem ferner 0,51mm Draht in die Bindungszone geschoben wurden, indem die Bindung mit etwa 8 Coulomb in einer Zeit von weniger als etwa 15 Sekunden hergestellt wurde, z. B. mit einem Strom von 0,5 Ampere 15 Sekunden lang, von 1 Ampere 8 Sekunden lang, von 2 Ampere 4 Sekunden lang oder von 3 Ampere 2 Sekunden lang, und indem schließlich die Temperatur der Spule 25 auf etwa ioo° C in etwa 1 Minute herabgesetzt wurde, wenn der Bindungsvorgang beendet war. Ähnliche Bindungen wurden mit nur von außen zugeführter Wärme erzielt. Eine Elektrode von o, 51 mm Durchmesser wurde an einen Mutterkörper aus Einkristall-Germanium von 1,27 mm im Quadrat und 0,63 mm Dicke gebunden, indem der Mutterkörper auf eine 0,02 mm dicke Glimmerschieibe aufgesetzt wurde, die in Berührung mit einem Wolframheizer stand, der ο, 13 mm dick, 6,35 mm breit und 2Y2Cm lang war. Eine Bindung mit Spannungslinien, die etwa 0,05 bis 0,10 mm von der eutektischen Zone entfernt konzentriert sind, wird durch 3 Sekunden lange Erwärmung des Heizfadens auf 900° C hergestellt, wobei der Würfel auf etwa 375° C gebracht wird. Diese Kombination kühlt sich in etwa 30 Sekunden auf etwa 100° C ab. Dasselbe Gerät ergibt Spannungslinien 0,25 mm bis 0,38 mm entfernt von der eutektischen Zone, wenn der Heizfaden 5 Sekunden lang auf 950° C erwärmt wird, so daß der Würfel etwa 4000 C erreicht. Die Teile kühlen sich dann in etwa 45 Sekunden auf ioo° C ab.
Das gebundene Metallteil wird als nächstes von dem Halbleitermutterkörper so getrennt, daß ein Halbleitermaterialkörper 32 an dem Teil haftet. Der Körper trennt sich vom Mutterkörper entlang der Bruchebenen, so daß Oberflächen entstehen, an die Druckkontakte oder gebundene Kontakte ohne die üblichen Polier- und Ätzarbeitsgänge unmittelbar angebracht werden können.
Wie oben angedeutet wurde, stehen verschiedene Trennverfahren zur Verfügung. Ein Verfahren, das leicht zu kontrollieren ist, besteht im Ausüben einer Kraft senkrecht zur Mutterkörparoberfläche und von dieser weggerichtet. Das in Fig. 4 dargestellte Gerät erleichtert dieses Herausziehverfahren. Es enthält eine Festhaltevorrichtung 33, die aus einer fest angeordneten Platte 34 mit einer Öffnung 35 besteht, weiche einen etwas größeren Durchmesser als das mit 'einem Kopf versehene Teil 36 des gebundenen Metallteiles 10 hat. Das Herausziehen geschieht durch Hindurchstecken des Bindungsteiles durch die Öffnung, wobei der Mutterkörpier gegen die Fläche der Platte gezogen wird und eine Zugkraft von solcher Größe auf das Teil ausgeübt wird, daß. es aus dem Mutterkörper herausbricht. Dieses Verfahren erfordert ein Metallteil und eine Bindung von solcher Festigkeit, daß diese den während des Herausziehvorganges auf sie ausgeübten Kräften gewachsen sind, so daß der Bruch im Mutterkörper unterhalb des Legierungsbereiches auftritt und das Halbleitermaterial an der Bindung haftet. Goldlegierungsbindungen an Germanium besitzen diese Festigkeit, insbesondere wenn das Germanium riehtig erzeugte Spannungslinien aufweist.
Ein anderes Herausziehverfahren kann durch Anlegen von Bruchkräften an den Halbleitermutterkörper durchgeführt werden. Wiederum ist es vorteilhaft, Spannungslinien zu haben, die den herauszuziehenden Körper bestimmen, da das Material entlang dieser Spannungslinien ganz leicht bricht.
Solche herausgezogenen Körper sind leicht in elektrische Übertragungseinrichtungen einzubauen. Da die durch das Herausziehen zu Tage tretenden Oberflächen der Körper aus dem Inneren des Mutterkörpers ohne jedes Werkzeug, welches die Oberfläche beschädigen oder ein zerrissenes Gitter erzeugen könnte, herausgebrochen wurden und die Oberfläche so bricht, daß eine echte Gitterstruktur zu Tage tritt, können entweder Druckpunktkontakte oder Bindungskontakte unmittelbar angebracht werden, wobei die üblichen Polier- und Ätzarbeitsgänge und die Nebenarbeitsgänge des Abdecken« für das Ätzen und des Wegnehmens der Abdeckung nach dem Ätzen vermieden werden. Infolgedessen kann eine Diodenanordnung, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist, aus einem herausgezogenen Körper ohne weitere Oberflächenvorbereitung hergestellt werden, indem ein Druckkontakt 50 mit begrenzter Fläche angebracht wird oder indem ein Goldlegierungsdraht mit Akzeptor- oder Donatorbeimengungen durch Bindung angebracht wird, wobei die Beimengungen zum Erzeugen eines gleichrichtenden Kontaktes auf der gebrochenen Oberfläche des herausgezogenen Körpers 52 notwendig sind. Wenn diese Einrichtung als Detektor verwendet werden soll und eine Gleichrichtung nur zwischen dem Kontakt 50 und der Oberfläche 51 gewünscht wird, dient der gebundene Kontakt 10 als Basisanschluß zum Körper und soll kleinen Widerstand und symmetrische Kennlinien haben.
Einheiten mit hervorragenden Detektoreigenschaften sind in der erläuterten Form hergestellt worden, und zwar mit einem Kontakt aus durch Abscheren zugespitztem Phosphorbronzedraht von 0,13 mm oder aus gebundenem Draht aus einer Gold-Gallium-Legierung von 0,05 mm Durchmesser, einem Bindungskörper, der aus einem Einkristall-Mutterkörper aus η-Germanium herausgezogen ist, und einem Draht aus Gold-Antimon-Legierung, der an den Körper gebunden ist, um einen ohmschen Anschluß zu bilden. Diese Anordnung kann in jeder zweckmäßigen Weise eingekapselt werden.
Da einer der Vorteile beim Einbau eines herausgezogenen Bindiungskörpers in seiner geringen
Größe besteht, nutzt eine gedrängte Kapselung diesen Vorteil in vollkommener Weise aus. Eine solche Kapselung ist in Fig. 5 dargestellt. Sie besteht aus einer Kunststoffperle 54, die an Ort und Stelle hergestellt ist, und zwar mit einem Hohlraum 55, der das Kontaktgebiet umgibt, so daß ein Druckkontakt mit Hilfe der Federwirkung des Federteiles 56 an der Verlängerung des Kontaktes 50, der im Raum frei bleibt, entsteht. Eine Einrichtung, wie sie in Fig. 5 dargestellt ist, hat vom Standpunkt der Fertigung aus mehrere Vorteile. Bei der Herstellung üblichier Einrichtungen ist es notwendig, einen Körper vom Mutterkörper zu trennen, was gewöhnlich durch Inscheiben- und Inwürfelsichneiden geschieht, seine beiden größeren Oberflächen zu polieren, die Oberfläche, an der der Basisanschluß angebracht werden soll, mit einem Überzug zu versehen, die mit einem. Überzug· versehene Oberfläche an ein Basisteil anzulöten, alle Oberflächen außer der Kontaktfläche abzudecken, die Kontaktfläche zu ätzen, die Abdeckung zu entfernen und den Aufbau der Übertragungseinrichtung zu vervollständigen. Das vorliegende Verfahren besteht aus der Vorbereitung einer Mutterkörperoberfläche für die Bindung, aus der Bindung des Basisanschlusses durch ein Verfahren wie die Legierungsbindung und schließlich aius; dem Zusammenbau der Übertragungseinrichtuing. Außerdem kann 'eine einzige Bindungsoberfläche für eine Anzahl von Bindungen vorbereitet werden, sie kann sich auf einem Block oder auf einem gewachsenen Kristall oder einer Scheibe eines solchen Körpers befinden.
Herausgezogene Einrichtungen mit elektrisch durchgeführter Bindung sind insofern vorteilhaft, als sie mit einem geringeren Basiswiderstand hergestellt werden können als frühere Einrichtungen. Mmderheitsträger-Speichereffektje sind bei solchen Einrichtungen stark herabgesetzt. Diese beiden Eigenschaften erhöhen die Betriebsfähigkeit solcher Einrichtungen bei hohen Frequenzen.
Während an gebrochene Oberflächen von herausgezogenen Bindungskörpern Kontakte unmittelbar angebracht werden können, hat man bei Druckkontakten festgestellt, daß es bei den außerordentlich glatten gebrochenen Oberflächen erforderlich ist, daß die Kontakte so orientiert werden, daß der Druck senkrecht zur Oberfläche erfolgt, um ein Abgleiten zu vermeiden. Wenn Kontakte mit kritisehen Abständen auf diesen gebrochenen Oberflächen verwendet werden, ist es schwierig, den richtigen Abstand aufrechtzuerhalten, wenn 'die Kontakte nicht an die Oberfläche gebunden werden. Kritische Abstände zwischen Druckkontakten können durch Herstellung einer ebenen Oberfläche auf dem herausgezogenen Körper mit Bindung aufrechterhalten werden. Daher können Punktkontakt-Transistoreinrichtungen mit einem hohen Grad an Gleichmäßigkeit durch Polieren und Ätzen eines Teiles von herausgezogenen Bindungskörpern ähnlich dem in Fig. 4 dargestellten Körper hergestellt werden;, so daß ein Körper, wie er in Fig. 9 gezeigt ist„ entsteht, und durch Anbringen von Steuerelektroden- und Sammelelektrodenkontakten mit geeignetem Abstand auf dieser Oberfläche. Wiederum sind bei diesem Verfahren Fertigungsvorteile gegenüber den bisher angewandten Verfahren vorhanden. Da die Ätzmittel, die Germanium in der gewünschten Weise angreifen, Gold und das Gold-Germanium-Eutektikum in weit geringerem Maße angreifen, kann die herausgezogene Bindungsanordnung ohne Abdeckung im Bad geätzt werden.
Bei den bisher geschilderten Einrichtungen wurde eine herausgezogene Bindungseinheit verwendet, bei der die Bindung ohmisch war und den Basisanschluß bildete. Eine ohmsche Bindung kann auch an einem Mutterkörper mit np-Verbindungen hergestellt werden, die in bezug auf die Bindungsoberfläche in geeigneter Weise angeordnet sind, so daß bei Hinzufügen von Elektroden bekannter Form verschiedene Übertragungseinrichtungen gefertigt werden können, bei denen der Bindungsanschluß nicht als Basis arbeitet. Auch kann eine Verbindung gleichzeitig mit dem Bindungsvorgang gebildet und bei Übertragungseinrichtungen verwendet werden. Herausgezogene Bindungskörper mit oder ohne gewachsene und gebundene Verbindungen können mit Druckkontakten von begrenzter Fläche kombiniert werden, wobei !gleichrichtende Anschlüsse, Druckkontakte von großer Fläche als niederohmige Anschlüsse, gebundene Anschlüsse von symmetrischer und asymmetrischer Form sowie verteilte Verbindungen entstehen können. Somit können herausgezogene Bindungskörper allgemein verwendet werden, um fast jede bisher bekannte elektrische Übertragungseinrichtung mit ähnlichem Halbleitermaterial im Körper herzustellen.
Wie oben ausgeführt wurde, bestimmt die Nacherwärmung die Lage der beim Bindevorgang entstehenden Spannungslinien. 'So wird ein sehr dünner Körper aus Halbleitermaterial herausgezogien, wenn keine Nacherwärmung angewendet wird. Es können Körper von wesentlicher Tiefe herausgezogen werden, wenn .ein nachträgliches Ausglühen angewendet wird. Dieses Mittel zur Regelung der Tiefe des herausgezogenen Körpers ist insbesondere bei der Herstellung von Einheiten mit gewachsenen Verbindungen vorteilhaft. Solche Einheiten werden durch Verwendung eines Mutterkörpers 60 mit einer oder mehreren gewachsenen Verbindungen 61, vorzugsweise ebenen Verbindungen, wie sie in Fig. 6 dargestellt sind, gebildet. Die Oberfläche 62 des Mutterkörpers, an der die Bindung hergestellt werden soll, liegt parallel und in geringem Abstand zu den Verbindungen. Der Abstand zwischen der Bindungsoberfläche und der gewachsenen Verbindung soll sorgfältig geregelt werden. Wenn die Bestimmungswerte für die Bindung so gewählt werden, daß die eutektische Zone sich 0,10 mm unter die Oberfläche des Mutterkörpers ausdehnt, soll diese Oberfläche einen etwas größeren Abstand als 0,1 ο mm von der ersten Verbindung haben. Weiter soll die tiefste zu verwendende Verbindung so nahe bei der Oberfläche liegen, daß sie mit herausgezogen wird; dies kann bei der Herstellung üblicher Einrichtungen leicht
erreicht werden, da die durch Verbindungen aneinandergebundenen Zonen gewöhnlich eine Dicke von etwa 0,05 mm haben und herausgezogene Körper mit viel größerer Tiefe, leicht erhalten werden können.
Ausführungsbeispiele für Einrichtungen mit herausgezogenen Bindungskörpern sind in den Fig. 7 bis 10 dargestellt.
In Fig. 7 ist eine pn-Diode gezeichnet. Sie besteht aus einem herausgezogenen Bindungskörper 70, der eine gewachsene Verbindung 71 enthält. Auf jeder Seite der Verbindung sind ohmsche Anschlüsse 72 und 73 angebracht, indem an die η-Seite ein metallisches Teil 74 mit Donatorwirkung gebunden ist und ein weiteres Teil 75 mit Akzeptorwirkung an die ρ-Seite.
Fig. 8 zeigt einen Transistor mit einem gleichrichtenden Bindungs-Steuerelektrodenanschluß 81 am n-Basisteil 82 und einem ohmschen Bindungsanschluß 83 am p-Sammelelektrodenteil 84. Die beim Herausziehen des Halbleiterkörpers verwendete Bindung 85 bildet den ohmschen Anschluß, zum Basisteil. Man hat festgestellt,, daß Aluminium- und Goldlegierungsdrähte ausgezeichnete Bindungssiteuerelektroden mit Kennlinien ähnlich denen der Punktkontaktsteuerelektroden aus Beryllium-Kupfer ergeben. Da die Steuerelektrodenbindung am n-Material vorgenommen wird, sollen die Legierungsstofie Akzeptoreigenschaften zeigen.
Eine Trägeranordnung für elektrische Übertragungseinrichtungen mit zerbrechlichem Aufbau ist in Fig. 9 in Zusammenhang mit einem Druckpunktkontakttransistor mit 'einem herausgezogenen Bmdungshalbleiterkörper dargestellt. Dieser Träger hat die Form eines Rahmens 90 mit 'einer offenen Mitte 91, in dem ein Teil 'eines herausgezogenen Bindungskörpers 92 dadurch gehalten ist, daß das gebundene Teil 93 am Rahmen befestigt ist. Die Elektroden, die den Kontakt zum Körper 92 herstellen sollen, sind ebenfalls am Rahmen gegeneinander und gegen das Bindungsteil isoliert befestigt. Bei dem dargestellten Aufbau ist der Rahmen aus Isoliermaterial, z. B. aus Steatit, hergestellt. Er ist mit einer ebenen Fläche versehen, die ein ihervortretendes Paßteil 94 aufweist. Auf dem Rahmen können durch Feuerversilberung leitende Überzüge 95, 96 und 97 vorgesehen werden, um die Befestigung der Basis-, Steuer- und Sammelelektroden zu ermöglichen. Jeder leitende Überzug umgibt eine Öffnung 98 im Rahmen, die so ausgebildet ist, daß sie «inen Drahtanschluß 100 aufnimmt, durch den die Elektroden der Übertragungseinrichtung mit der äußeren Schaltung verbunden werden können. Ein solcher Drahtanschluß 100 kann aus Platin bestehen, das bei der Herstellung in den Steatitkörper eingeschmolzen ist, oder es kann ein anderer für Glaseinschmelzung geeigneter Draht sein, der an dem metallischen Überzug angelötet oder in den Überzug eingeschmolzen ist. Die durch Bin-
δο dung hergestellte Basisanordnung 93 ist unmittelbar an ihrem leitenden Überzug 95 durch die Lötung 99 befestigt. Die Steuerelektrode 101 und die !Sammelelektrode 102 sind in genau passenden Metallrahmen 103 und 104 gehalten, die so angeordnet sind., daß die kritischen Abstände, mit denen diese Elektroden die Körperoberfläche berühren, eingehalten werden, indem sie an gegenüberliegenden Flächen des aus dem Rahmen vorstehenden Paßteiles 94 anliegen und an die Überzüge 96 und 97 angelötet oder anderweitig leitend befestigt sind. Diese Elektroden berühren die polierte und geätzte Oberfläche des Körpers 92 dadurch, daß ein axialer 'Drude auf ihre Enden ausgeübt wird, um die gewünschte Durchbiegung ihner federnden Teile 105 und 106 zu 'erhalten, und daß sie dann in ihren Röhren durch Eindrücken an den Stellen 107 und 108 befestigt werden. Die entstehende Anordnung ist robust und kann leicht in ein geeignetes Gehäuse, z. B. in einen luftdicht 'abgeschlossenen Glas- oder Metallkolben, der an Vakuum oder eine trockene Atmosphäre enthält, eingebaut werden.
Die Form des in Fig. 9 dargestellten Aufbaues ist auch für andere Arten von Übertragungseinrichtungen mit Druckpunktkontakten und Bindungskontakten geeignet. Wenn Bindungskontakte hergestellt werden sollen, kann die Anordnung als Bindungslehre benutzt werden, indem ein geeigneter axialer Druck auf die in den Röhren 103 und 104 oder in gleichwertigen Trägern !eingesetzten Elektroden ausgeübt wird und indem der Bindungsstrom durch die bindende Elektrode und die Basis geschickt wird. Der Aufbau mit offenem Rahmen erlaubt es auch1, eine äußere Heizvorrichtung an der zu bindenden Verbindungsstelle zu verwenden.
Fig. 10 zeigt einen npn-Transistor mit Hakensammelelektrode, der aus einem herausgezogenen Bindungskörper 11 ο besteht, welcher in einem Aufbau !gehalten wird, der zur Herstellung der richtigen Lage der Elektroden benutzt werden kann und in ■ein Metallgehäuse 111 eingebaut werden kann. Bei dieser Ausführung ist ein herausgezogener Bindungshalbleiterkörper 110 mit zwei Verbindungen 113 und 114 dargestellt. Die zum Herausziehien des Körpers verwendete Bindung 115 bildet den Steuerelektrodenanschluß und trägt den Körper auf dem Rahmen mit Hilfe 'einer Lötverbindung 116 zum leitenden Überzug 117. Die dünne Zone aus p-Msterial zwischen den Verbindungen 113 und 114 bildet den Basisteil der Einheit und hat Kontakt mit einem ohmschen Bindungsanschluß. Der Zuführungsleiter 102 ist elektrisch und mechanisch an dem leitenden Überzug 121 auf dem Rahmen befestigt. Die Hakensarnmelelektrode 118 ist mit einem gleichrichtenden Anschluß an 'das n-Teil 122 des! Körpers gebunden. Sämtliche Elemente dieses Transistors werden in dem metallischen Gehäuse von der Basis 123 mit Hilfe von starren Leitern 124 gehalten, die durch Isolierbuchsen in 'der Basis zu den Löchern 125 im Rahmen führen. Jeder Leiter ist 'einzeln mit den entsprechenden leitenden Überzügen durch niederahrrHgie Lötstellen verbunden.
Wenn auch die -vorausgegangene Erläuterung der Erfindung hauptsächlich auf "die Behandlung und die Benutzung von Germanium gerichtet war, so ist sie doch selbstverständlich in gleicher Weise auf
Silizium und jedes andere Halbleitermaterial anwendbar, an dem geeignete Bindungen hiergestellt ■werden können. Vorzugsweise sollen die Halbleiter so beschaffen sein, daß. sie sich, zur kontrollierbaren1 Bildung von Spannungslinien eignen, durch die herausgezogene Bindungskörper definiert werden.
Selbstverständlich sind die oben beschriebenen Anordnungen und Verfahren nur Beispiele für die Anwendung des Erfindungsprinzips. Zahlreiche ίο andere Anordnungen können vom mit dem Stand der Technik vertrauten Fachmann vorgeschlagen werden, ohne vom Wesen und Ziel der Erfindung abzuweichen.

Claims (13)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Übertragungseinrichtungen, dadurch gekennzeichnet, daß ein metallisches Teil an einen Mutterkörper aus halbleitendem Material legiert wird, daß ferner das metallische Teil mit dem !anhaftenden halbleitenden Material aus dem festen. Mutterkörper herausgezogen wird und :daß schließlich wenigstens 'ein weiterer Elek-
«5 trodenkontakt an dem herausgezogenen halbleitenden Material angebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Teil mit dem anhaftenden halbleitenden Material durch eine ziehende Kraft .mit 'einer Komponente hierausgezogen wird, die senkrecht zur Mutterkörperoberfläche steht, an die das metallische Teil gebiaiden Ist.
3. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche; dadurch gekennzeichnet, daß der Mutterkörper nach der Bindung des metallischen Teiles an den Mutterkörper in der Nähe der Bindung ausgeglüht wird.
4. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende Mutterkörper aus einem Einkristall besteht.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche· 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende Mutterkörper eine np-Verbindung in der Nähe seiner Oberfläche aufweist, an 'die das metallische Teil gebunden wird, und daß das anhaftende herausgezogene !halbleitende Material · Material von beiden Seiten der Verbindung enthält.
6. Verfahren nach, einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, 'daß. nach dem Herausziehen des metallischen Teiles mit dem anhaftenden Material 'eine glatte Oberfläche mit einem offenen echten Kristallgitter auf dem anhaftenden Material entsteht und daß der an der entstandenen glatten Oberfläche angebrachlte Kontakt ein Druckkontakt mit begrenzter Fläche ist.
7. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der an dem herausgezogenen halbleitenden Material !angebrachte Kontakt an dieses gebunden wird.
8. Verfahren nach einem der vorgenannten Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Bindung des metallischen Teiles der Mutterkörper eine saubere Oberfläche aufweist, daß ferner das an diese Oberfläche gebundene metallische Teil auf der gebildeten Mutterkörperoberfläche gerade aufgebracht wird und aus einem Draht mit einer Zusammensetzung besteht, die eine eutektische Legierung mit dem, Material des Mutterkörpers bildet, daß bei der Bindung der Mutterkörper und der Draht im Kontaktgebiet so erwärmt werden, daß die eutektische Legierung des Drahtes und des Halbleiters 'entsteht, wobei der Draht bei Entstehen der eutektischen Legierung in das Kontaktgebiet hni'eingeschoben wird, und daß schließlich der Mutterkörper kontrollierbar abgekühlt wird, um die durch die Bindung im Mutterkörper entstehende Konzentrierung von Spannungslinien in ihrer Lage zu bestimmen.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Erwärmung zur Bildung der eutektischen Legierung durch 'einen elektrischen Strom geschieht, der zwischen dem Kontakt des Drahtes und dem Mutterkörper übergeht, und daß nach Aufhören des Stromüberganiges andere Erwärmungsmittel angewendet werden, um den Mutterkörper im Bindungsgebiet mit dem Draht auszuglühen.
ι o. Verfahren nach Anspruch 8 zur Erzeugung von anhaftendem Germanium mit einer effektiven Dicke von etwa 0,05 bis etwa 0,10mm, dadurch' gekennzeichnet, daß der Mutterkörper aus Germanium besteht, daß der Draht einen hohen Anteil an Gold hat, 'daß die Erwärmung des Kontaktgebietes etwa 375° C etwa 3 Sekunden langbeträgt und daß,der Kontakt in 30 Sekunden auf etwa 100° C abgekühlt wird, bevor der Draht und das anhaftende Germanium herausgezogen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 8 zur Erzeugung von anhaftendem Germanium mit 'einer effektiven Dicke von etwa 0,25 bis 0,38mm, dadurch: gekennzeichnet, daß der Mutterkörper aus Germanium besteht, daß der Draht einen hohen Anteil an Gold enthält, daß die Erwärmung des Kontaktgebietes des Drahtes und des Mutterkörpers etwa 4000 C etwa 5 Sekunden lang beträgt und daß der Kontakt in 45 Sekunden auf ■etwa 100° C abgekühlt wird, bevor der Draht und das anhaftende Germanium herausgezogen werden.
12. Verfahren nach Anspruch 9 zur Erzeugung von anhaftendem Material mit einer effektiven Dicke von etwa 0,05 bis etwa 0,1 ο mm, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht einen Durchmesser von etwa o, 50 mm hat und in seiner Zu- iao sainmensetzung einen hohen Anteil an Gold aufweist, daß das Kontaktgebiet des Drahtes und des Mutterkörpers auf etwa 300 ° C erwärmt wird, daß der durch den Kontakt gehende elektrische Strom in einer Zeit von weniger als •etwa 8 Sekunden etwa 4 Coulomb beträgt, daß
der Draht etwa 0,25 mm in das entstehende eutektische Gebiet hineingeschoben wird und daß das Kontaktgebiet in 30 Sekunden auf etwa ioo1 C abgekühlt wird, bevor der Draht und das anhaftende halbleitende Material herausgezogen werden.
13. Verfahren nach Anspruch 9 zur Erzeugung von anhaftendem Germanium mit einer effek tiven Dicke von 0,25 bis etwa 0,38 mm, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht einen hohen Anteil an Gold enthält und sein Durchmesser etwa __ o, 50 mm beträgt, daß der Mutterkörper aus Einkristall-Germanium besteht, daß das Kontaktgebiet des Drahtes und des Mutterkörpers auf etwa 325° C erwärmt wird, daß der durch den Kontakt gehende elektrische Strom in einer Zeit von weniger als etwa 15 Sekunden <etwa 8 Coulomb beträgt, daß der Draht etwa 0,50 mm in das entstehende eutektische Gebiet hineingeschoben wird und daß das Kontakt- ao gebiet in etwa 1 Minute auf etwa ioo° C abgekühlt wird, bevor der Draht und das anhaftende Germanium herausgezogen werden.
In Betracht gezogene Drucksthriften:
Das Elektron, 1951/1952, Heft 13/14, 430/1.
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