DE2109108A1

DE2109108A1 - Verfahren zum AEtzen eines Schichttraegers

Info

Publication number: DE2109108A1
Application number: DE19712109108
Authority: DE
Inventors: Long Parley Carper; Kunz Charles Otis
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1970-03-02
Filing date: 1971-02-26
Publication date: 1971-09-16
Also published as: US3650744A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen eines Schichtträger unter Verwendung eines negativen Photoresists (Photoabdecklaek), der von einem lichtempfindlichen photopolymerisierten organischen Film abgeleitet ist.

Nach bisherigen Ätzverfahren wurden verschiedene Schichtträger leicht in einem vorgebildeten Muster unter Verwendung eines Photoresists zum Schutz bestimmter Gebiete der Oberfläche des Substrats geätzt. Im allgemeinen wurde anfangs ein vorgebildetes lichtempfindliches organisches Polymerisat auf die Oberfläche

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des Schichtträgers durch Verfahren, wie Schleudern oder Überziehen durch Eintauchen, aufgebracht. Nach dem Aufbringen des Polymerisats wurde eine Maske auf den Film aufgelegt und der Schichtträger wurde in einen Belichtungsraum gebracht. Der Schichtträger wurde dann belichtet, um den Film gemäss dem gewünschten Muster unlöslich zu machen. Anschliessend wurde gewaschen, um den Schichtträger zu entwickeln. Ein Photoresist blieb auf dem Schichtträger zurück und erlaubte das Ätzen des Schichtträgers in der gewünschten Konfiguration, wobei ein Negativ der Maske in das Substrat nach der Entfernung des Photoresists eingeätzt blieb.

Obwohl derartige durch Eintauchbeschichtung oder Schleuderbeschichtung erzeugte lichtempfindliche vorgebildete organische Polymerisate zufriedenstellende Wiedergaben der Maske ergeben können, erlaubt die Verwendung solcher lichtempfindlicher Polymerisate häufig nicht die Verwendung hochauflösender Masken. Die Verfahren der Tauchbeschichtung oder des Schleuderns sind im allgemeinen auf die Herstellung von Filmen beschränkt, die Dicken von mehr als 2000 Ä haben, um die Wirkung von diskontinuierlichen Stellen im Film durch die Anwesenheit von Fremdstoffen, wie Staub, der aufgenommen werden kann, auf einem Minimum zu halten. Die Entwicklung mikroelektronischer gedruckter Schaltungen hat den Bedarf nach Vefahren erhöht, wonach lichtempfindliche Stoffe abgeschieden werden können, die in Kombination mit hochauflösenden Masken verwendet werden und wobei Filme ohne "Nadellöcher" mit gleichmässigen Dicken von 1000 A oder darunter erforderlich sind. In den meisten Fällen sind vorgebildete lichtempfindliche Polymerisate, die durch Tauchbeschichtung oder Schleudern aufgebracht sind, nicht als Dielektrikum oder als Isolierschichten geeignet. Es ist auch schwierig, die Gleichmässigkeit und Dicke von Filmen zu regeln, die aus vorgebildeten organischen Polymerisaten hergestellt sind.

BAD ORIGINAL

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Die vorliegende Erfindung gründet sich auf den Befund, dass kontinuierliche, unperforierte lichtempfindliche organische Filme, die in verschiedenen organischen Lösungsmitteln löslich sind, auf verschiedenen Schichtträgern in Dicken bis herab zu 500 A aufgebracht werden können, indem die Photopolymerisation eines photopolymerisierbarenlorganischen Monomeren an der Oberfläche in Dampfform bei Schichtträgertemperaturen unterhalb 100°C und bei Drücken unterhalb etwa 10 Torr vorgenommen wird. Die Filmdicke wird durch Verändern der Abscheidungsdauer geregelt« Die erfindungsgemäss hergestellten Filme sind kontinuferlieh, unperforiert und haften gut an und sind gleich- '

.verwendet massig und können als PhotoresistsVOnd anschliessend entfernt werden oder sie können als dielektrische Filme oder Isolatoren auf dem Schichtträger verbleiben.

Erfindungsgemäss ist das Verfahren zum Ätzen eines Schichtträgers durch 1) Ablagern eines organischen Films, der in organischen Lösungsmitteln löslich ist, durch Photoabscheidung auf dem Schichtträger unter Bildung einer Kombination aus dem Film und dem Schichtträger, 2) Aussetzen von Teilen des in organischen Lösungsmitteln löslichen organischen Films einer Ultraviolett-Lichtquelle, die diese Teile für ein organisches Lösungsmittel unlöslich macht, 3) Behandeln der Kombination aus i dem organischen Film und dem Schichtträger mit einem organischen Lösungsmittel für die Entfernung der löslichen Teile des Films und 4) Behandeln der freigelegten Schichtträgerfläche mit einem chemischen Ätzmittel, dadurch gekennzeichnet, dass man die Abscheidung des in organischen Lösungsmitteln löslichen Films der Stufe 1) auf die Schichtträgeroberfläche durch Photopolymerisation eines photopolymerisierbaren organischen Monomeren in Dampfform auf der Schichtträgerfläche bei einer Oberflächentemperatur unter 100⁰C in Gegenwart von Ultraviolettlicht einer Wellenlänge von etwa 1800 bis 3 500 R vornimmt.

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PhotopolymerIsierbare organische Monomere, die bei der Durchführung der Erfindung verwendet werden können, sind Diene, wie Butadien, Hexachlorbutadien, Hexafluorbutadien, 2,5-Dimethyl-2 ,!+-hexadien usw. Zusätzlich zu diesen Dienen können andere organische Monomere verwendet werden, die für eine Oberflächen-Photopolymerisation geeignet sind, z.B. Acrylnitril, Methylmethacrylat, 1,5-hexadien, Phenol, Styrol usw. Es wurde gefunden, dass im allgemeinen solche organischen Monomeren verwendet werden können, die an der Oberfläche polymer i<-siert werden können bei Drücken unterhalb etwa 10 Torr ohne unerwünschte Bildung eines Gasphasenpolymerisats oder von Flocken.

Verfahren zur Bildung kontinuierlicher Filme durch eine Oberflächen-Photopolymerisation durch Ultraviolettlicht von verschiedenen organischen photopolymerisierbaren Stoffen in Dampfform sind Gegenstand anderer Anmeldungen der Anmelderin. Hierbei werden dünne organische Filme durch Oberflächen-Photopolymerisation von verschiedenen photopolymerisierbaren organischen Stoffen hergestellt, wobei Ultraviolettlicht einer Wellenlänge unterhalb etwa 3 500 A bei einem Druck von bis zu etwa 8 Torr verwendet wird.

In der folgenden Beschreibung werden weitere Kennzeichen und Vorteile der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen ist

Fig. 1 eine zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens brauchbare Vorrichtung, wie eine evakuierte Kammer,

Fig. 2 ein Fließschema, das einige bevorzugte Arten zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens zeigt und

Fig. 3 Querschnitte entsprechend den Verfahrensschritten von Fig. 2, die dieses Verfahren bildlich darstellen.

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Gemäss Fig. 1 wird das Verfahren in einer Kammer 10 mit einem wassergekühlten Block 11 und Leitungen 12 und 13 durchgeführt. Eine Vakuumpumpenkammer 14 kann zur Evakuierung der Kammer 10 durch das Ventil vorgesehen sein. Das Ventil 16 erlaubt die Einführung dampfförmiger organischer photopolymerisierbarer Stoffe. Eine Lampe 17 wird verwendet, um die Bildung und Bestrahlung des organischen Films durch Licht, das durch das Fenster 18 einstrahlt, zu bewirken.

Auf dem Kühlblock 11 ist ein Schichtträger 20, wie Glas, dargestellt, auf den eine Metallschicht 21, wie Aluminium, aufgedampft sein kann. Ein löslicher lichtempfindlicher organischer Film 22 kann auf der Oberfläche des Aluminiums erfindungsgemäss gebildet werden. Ebenfalls ist eine Maske 2 3 gezeigt, die zusammen mit den anderen Schichten eine Kombination 20 bis 2 3 darstellt und durch die beim Bestrahlen mit Ultraviolettlicht im Vakuum die lichtempfindliche Filmschicht aus dem organischen Polymerisat in einer vorbestimmten Konfiguration unlöslich gemacht wird.

Fig. 2 zeigt ein Fließschema, das die Durchführung der Erfindung erläutert. Ein Metall, z.B. Aluminium, Kupfer, Gold usw., wird auf einen Schichtträger aufgedampft, wobei eine Kombination aus dem Metall und dem Schichtträger erhalten wird. Geeignete Schichtträger, die verwendet werden können, sind Glas, Kunststoffe, wie Polyäthylenterephthalat, oder Silicium. In den Fällen, bei denen Silicium verwendet wird, kann eine Schicht aus Siliciumoxid als ätzbarer Schichtträger anstelle des genannten aufgedampften Metalls dienen.

Die Kombination aus Metall und Schichtträger wird dann in eine evakuierte Kammer gemäss Fig, I gebracht. Ein organisches Monomeres, wie Hexachlorbutadien, wird bei einem Druck von etwa 0,05 bis 10 Torr eingebracht. Eine Ultraviolettlichtq^lle wird

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dann verwendet, die Licht bei Wellenlängen zwischen 1800 und 3500 8 emittiert. Die Schichtträgeroberfläche wird bei Temperaturen unterhalb 100 C₅ vorzugsweise zwischen 25 und 80 C gehalten. Je nach Faktoren, wie der Intensität des Lichts, dem Dampfdruck des organischen Monomeren und der Temperatur des Schichtträgers, kann ein zufriedenstellender, in einem organischen Lösungsmittel löslicher Film mit einer Geschwindigkeit von wenigstens etwa 10 bis 1000 Ä/min, vorzugsweise etwa 100 Ä/min gebildet werden. Gleichmässige Filme der gewünschten te Dicke werden durch Regelung der Abscheidungsdauer erhalten.

Die erhaltene Kombination, die aus dem organischen Film und der dazwischen liegenden Metallschicht und dem Schichtträger besteht, kann dann aus der evakuierten Kammer entfernt und unter atmosphärischen Bedirgingen bei normaler Raumbeleuchtung über längere Zeit, wie einige Jahre oder länger, gelagert werden.

Die genannte Schichtkominbation kann bei dem Ätzverfahren gemäss der Erfindung verwendet werden, indem sie in eine evakuierte Kammer gebracht wird, wobei eine geeignete Köntaktmaske oder Schablonenmaske mit der gewünschten Konfiguration verwendet wird. Die Kammer kann dann evakuiert werden oder Jj es kann ein Inertgas verwendet werden, um durch Ausspülen die Kammer von restlichem Sauerstoff zu befreien. Der Schichtträger kann dann mit- Ultraviolettlicht mit einer vorgenannten Wellenlänge über eine Zeitspanne von etwa 5 min bestrahlt werden, Längere oder kürzere Bestrahlungszeiten können je nach Faktoren, wie der Filmsorte, der Filmdicke oder der Intensität des Lichtes, verwendet werden.

Nachdem der Film bestrahlt worden ist, kann die Kombination mit einem geeigneten organischen Lösungsmittel, wie Aceton, durch Eintauchen in ein Acetonbad oder durch Anwendung eines Aceton-Sprühstrahls gewaschen werden. Geeignete organische Lösungsmittel ausser Aceton können auch verwendet werden, wie

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aromatische Kohlenwasserstoffe oder chlorierte aromatische Kohlenwasserstoffe, z.B. Xylol, Toluol, Chlorbenzol usw.

Nach dem Waschen kann der Schichtträger anschliessend mit einem geeigneten Ätzmittel nach an sich bekannten Verfahren geätzt werden. Ätzlösungen, die verwendet werden können, sind z.B. ein Ätzmittel für Kupfer, das aus einer der folgenden Lösungen besteht: 1. eine Eisen-III-chloridlösung, die 2,2 5 bis 3,75 molar ist, kann bei Temperaturen von 32 bis 50 C verwendet werden, 2. eine Lösung von Ammoniumpersulfat in einer Menge von 906 g je 3,7 8 1 Wasser, wozu ein ml einer Quecksilber- \ chloridlösung zugefügt worden ist, die durch Lösen von 26,7 g festem Quecksilber-II-chlorid in 1 1 Wasser erhalten worden ist, wobei das Ätzen bei 3 5 bis 50 C durchgeführt wird. Aluminium kann durch Verwendung folgender Lösungen geätzt werden: 1. einer 5n-Kaliumhydroxidlösung (100 ml) mit 4¹+ g Kaliumbromat, 2. Verwendung von Salzsäure und Kupfercarbonat, 3. Einwirkenlassen eines Bades aus 10 g Zinn-II-chlorat und genug Wasser zur Auffüllung auf 500 ecm auf den Aluminiumschichtträger und anschliessendes Ätzen des Aluminiumschichtträgers mit konzentrierter Salzsäure (1 Vol.-Teil), Nickel-II-chlorid in ausreichender Menge, dass die Lösung leicht grün wird, sowie Wasser in einer Menge von 4 bis 6 Vol.-Teilen oder J

U. Verwendung einer wässrigen alkalischen Ätzlösung mit 20 % Natriumhydroxid bei 60 bis 90°C.

Ein Schichtträger aus Zinn kann z.B. durch Verwendung einer Lösung von 50 ecm Salzsäure, 100 ecm Salpetersäure und 850 ecm Wasser geätzt werden.

Ein Schichtträger aus Blei kann unter Verwendung folgender Ätzmittel geätzt werden:

(1) einer Lösung, die 200 ecm Zitronensäure, 300 ecm Wasserstoffperoxid und 50 ecm Wasser enthält oder

(2) einer Lösung aus 200 ecm Essigsäure, 50 ecm Wasserstoffperoxid und 750 ecm Wasser.

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Es ist natürlich dem Fachmann erkennbar, dass andere Ätzlösungen nach dem erfindungsgemässen Verfahren für die verschiedenen als Schichtträger dienenden Metalle oder Metalloxide verwendet werden können, beispielsweise für Siliciumdioxid-Schichtträger, die auch geätzt werden können. Das besondere verwendete Ätzbad hängtjvon der gewünschten Ätzgeschwindigkeit, der Ätztemperatur und dergleichen ab, was dem Fachmann an sich bekannt ist.

Der erhaltene geätzte Schichtträger kann mit oder ohne restlichem darauf befindlichen organischen Polymerfilm verwendet werden, je nach der gewünschten Anwendungsweise. In solchen Fällen, bei denen der Film entfernt ist, können verschiedene Verfahren verwendet werden. Ausserdem können übliche Verfahren verwendet werden, wie das Einweichen in organischen Lösungsmitteln über längere Zeiträume in Kombination mit dem Abkratzen und dem mechanischen Abreiben, oder nach dem "Asher"-Verfahren, wobei Sauerstoff bei erhöhter Temperatur verwendet wird. In den Fällen, bei denen der organische Polymerfilm auf dem Schichtträger beibehalten wird, kann der Film als Isolator oder als Dielektrikum für Komponenten für mikroelektronische Schaltkreise verwendet werden.

Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläutert, die lediglich zur Erläuterung dienen und keineswegs als Beschränkung aufzufassen sind.

Beispiel 1

Ein Glasschichtträger der Grosse 25,U mm χ 76 mm χ 1,27 mm mit einer aufgedampften Goldschicht einer Dicke von etwa Ί000 A wurde in eine evakuierte Kammer gemäss Fig. 1 eingebracht. Hexachlorbutadien wurde mit einem Druck von etwa 0,1 Torr eingeführt. Während der Schichtträger auf einer Temperatur zwischen HO und 50°C unter Verwendung eines

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wassergekühlten Blocks als Halter für den Schichtträger gehalten wurde, wurde der Schichtträger einer Bestrahlung mit einer Mitteldruck-Quecksilberdampflampe von 700 Watt ausgesetzt, die etwa 9 cm über dem Schichtträger angeordnet war. Es wurde an der Oberfläche des Schichtträgers ein photopolymerisierter Film mit einer Geschwindigkeit von etwa 100 S/min abgeschieden.

Nach etwa 5 min wurde der Schichtträger aus der evakuierten Kammer entfernt. Es wurde gefunden, dass der Film auf dem Schichtträger etwa 500 ä dick war. Die Filmdicke wurde durch , Messen der Kapazität unter Verwendung des Quecksilber- '

tropfenverfahrens gemäss S. Whitehead, Dielectric Breakdown of Silids, Oxford Clarendon Press (19 51), Seite 9, bestimmt. Der Film war unperforiert und zeigte zufriedenstellende dielektrische Eigenschaften und Isoliereigenschaften«. Er war ausserdem in Aceton löslich.

Weitere Kombinationen aus einem organischen Film auf einer aufgedampften Goldschicht wurden nach dem gleichen Photopolymerisationsverfahren hergestellt. Diese Kombinationen wurden unter atmosphärischen Bedingungen und bei normaler Raumbeleuchtung aufbewahrt. Eine dieser Kombinationen wurdejin die Vakuumkammer gebracht und auf den Schichtträger wurde eine A Kontaktmaske aus Quarz mit einem Linienmuster von 6 ,um Abstand aufgebracht. Die Kammer wurde danach evakuiert und Ultraviolettlicht unter Verwendung der oben genannten Quecksilberdampflampe von 700 Watt etwa 5 min ausgesetzt. Der Schichtträger wurde dann aus der Kammer entfernt und 30 ßec in ein Acetonbad einer Temperatur von 25 C eingetaucht. Nach der Entfernung des Schichtträgers aus dem Bad wurde eine Kombination aus Qlas mit aufgedampfter Goldschicht erhalten, die ein Muster aus dem organischen Film auf der aufgedampften Goldschicht mit den gleichen 6,um breiten Linien hatte, wie sie die Kontaktmaske in Form eines negativen Photoresists aufwies.

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Die Kombination wurde anschliessend mit einer Ätzlösung für Gold aus 200 g Kaliumjodid und 60 g Jod in einem Liter wässriger Lösung 2 min behandelt. Das freigelegte Gold wurde gelöst und eine mikroskopische Prüfung bei einer 500fachen Vergrösserung ffiigte, dass das Maskenmuster negativ in grosser Genauigkeit wiedergegeben war, wobei die Auflösung 1 .um betrug.

Der Schichtträger wurde dann in einer Entfernung von etwa 3 cm unter eine Ultraviolett-Quecksilberlampe von 700 Watt gebracht.

Die Lampe wurde mit einer geschätzten Kapazität von etwa

5 W/cm Energieeinstrahlung auf der Oberfläche des Schichtträgers in dem wirksamen Bereich von Wellenlängen von etwa 1800 bis 3500 R betrieben. Die Temperatur des Schichtträgers während der Ultraviolettbestrahlung betrug etwa 2 30 C und die durchschnittliche Entfernungsmenge des organischen Films unter diesen Bedingungen betrug etwa 50 Ä/min. Diese Art der Entfernung von Filmen entspricht dem Verfahren gemäss einer anderen Anmeldung des gleichen Anmelders.

Beispiel 2

Es wurde eine Platte aus Silicium mit einer etwa 1 .um dicken aufgedampften Kupferschicht auf der Oberfläche in eine Vakuumkammer ähnlich der gemäss Fig. 1 gebracht. Die Kammer wurde

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auf etwa 10 Torr evakuiert. Das System wurde danach gegen die Vakuumpumpe abgeschlossen und an einen Behälter angeschlossen, der Butadien enthielt und mit einem Gemisch aus Trockeneis und Aceton auf konstanter Temperatur gehalten wurde, die einem Butadien-Dampfdruck von etwa 6,5 Torr entsprach. Der Schichtträger wurde danach mit Ultraviolettlicht bestrahlt unter Verwendung einer Quecksilberlampe von 700 Watt etwa 9 cm über dem Schichtträger. Die Durchschnittstemperatur der Oberfläche des Schichtträgers während der Bestrahlung wurde auf etwa 30 C unter Verwendung eines Kühlblocks als Träger für den Schichtträger gehalten. Der Schichtträger wurde 5 min bestrahlt, wobei ein in Aceton löslicher photopolymerisierter Film auf dem

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Schichtträger gebildet wurde, der eine Dicke von etwa 500 Ä hatte. Es wurde eine Schablonenmaske mit 2 5 ,um dicken Linien auf die Kombination in Berührung mit dem photopolym^risierten Butadienfilm gebracht. Die Kombination wurde in die Vakuumkammer gebracht, die auf etwa 10 Torr evakuiert wurde. Die zusammengesetzte Kombination wurde dann 5 min mit der 700 W Quecksilberlampe im Abstand von 9 cm über dem Schichtträger bestrahlt. Der Schichtträger wurde dann 30 see in einem Acetonbad von 2 5°C entwickelt. Es verblieb ein negatives 'Muster des "fixen" Films auf der Kupferoberfläche. Der Schichtträger wurde anschliessend in ein Ätzmittel für Kupfer für 5 min bei 25 C eingetaucht. Die freigelegte Kupferschicht wurde gelöst und ergab ein negatives Muster der Schablonenmaske auf der mit Kupfer versehenen Siliciumplatte.

Beispiel 3

Gemäss der Verfahrensweise von Beispiel 1 wurde ein 1000 A dicker in Aceton löslicher Film aus Hexachlorbutadien auf eine mit Gold be--dampfte keramische Platte aufgebracht. Eine Maske wurde in Berührung mit dem Film aufgelegt und der Film wurde gemäss Beispiel 1 im Vakuum bestrahlt. Die Platte wurde anschliessend in Aceton entwickelt und mit dem Ätzmittel für Gold von Beispiel 1 geätzt. Es wurde dann eine zweite (

Goldschicht auf dn erhaltene Kombination aus Keramik, Gold und dem organischen Film aufgedampft. Die zweite Goldschicht bedeckte vollständig den restlichen photopolymerisierten Film. Es wurde ein zweiter löslicher photopolymerisierter Film auf der zweiten Goldschicht unter Wiederholung des Verfahrens von Beispiel 1 aufgebracht. Es wurde eine mehrschichtige Kombination erhalten, die aus einer oberen Schicht aus dem löslichen Film aus Hexachlorbutadien auf einer Goldschicht bestand, die einen Photoresist aus mit einem Muster versehenem Gold in Berührung mit der keramischen Platte bedeckte. Die mehrschichtige Kombination wurde erneut bestrahlt, entwickelt und

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geätzt. Es wurde ein mikroelektronischer Schaltkreisbauteil erhalten mit einem dielektrischen Film zwischen Goldelektroden in einer ersten und zweiten Schicht in Form eines Kondensators. Der Resist aus Hexachlorbutadien-Polymerisat auf der oberen Goldschicht wird ebenfalls als Isolierschicht und Passivierschicht beibehalten. Ausserdem werden Filme aus Hexachlorbutadien-Polymerisat verwendet zur Herstellung von mehrschichtigen leitenden Zwischenverbindungen in folgender Weise. Eine Goldschicht wird wie oben mit einem Muster versehen, der verbliebene organische Film wird musterförmig depolymerisiert und es wird eine zweite leitfähige Schicht auf die Kombination aus Gold und dem organischen Polymerisat aufgedampft, wobei elektrisch leitfähige Kontakte an allen Stellen erzeugt werden, bei denen die erste Goldschicht durch die Depolymerisation des isolierenden organischen Films freigelegt ist.

Beispiel M-

Eine Probe aus Aluminiumfolie wurde mit einem in Aceton löslichen Film aus 2,5-Dimethyl-2,4--hexadien durch Photopolymerisation an der Oberfläche unter Verwendung einer Quecksilberdampflampe von 700 Watt beschichtet. Die Monomerquelle wurde thermostatisch auf 0 C gehalten, was einen Dampfdruck in der Ablagerungskammer von etwa 2 Torr ergab. Die Schichtträgertemperatur während der Abscheidung betrug 60°C. Nach etwa 15 min war ein Film von 2500 8 Dicke gebildet. Eine Schablonenmaske wurde auf den Schichtträger gebracht und das ganze wurde 10 min einer Bestrahlung der gleichen Quecksilberdampflampe von 700 Watt im Abstand von etwa 9 cm über dem Schichtträger ausgesetzt. Der Schichtträger wurde dann mit einem sanften Sprühstrahl von Aceton 15 sec gespült. Die vor dem Ultraviolettlicht geschützten Stellen des Films wurden durch das Aceton entfernt. Es wurde ein Muster aus einem "fixierten" Film auf der Aluminiumfolie erhalten, der ein Negativ des Maicenmusters darstellte.

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Kapazitätsmessungen wurden an dem fixierten Film vorgenommen unter Verwendung des Quecksübertropfenverfahrens, das eingangs beschrieben wurde. Der Film war kontinuierlich und unperforiert und zeigte wertvolle dielektrische Eigenschaften.

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Claims

Patentansprüche

rl J Verfahren zum Ätzen eines Schichtträgers durch 1) Ablagern eines.organischen Films, der in organischen Lösungsmitteln löslich ist, durch Photoabscheidung auf dem Schichtträger . unter Bildung einer Kombination aus dem Film und dem Schichtträger, 2) Aussetzenwn Teilen des in organischen Lösungsmitteln löslichen organischen Films einer Lichtquelle, die diese Teile für ein organisches Lösungsmittel unlöslich macht, 3) Behandeln der Kombination aus dem organischen Film und dem Schichtträger mit einem organischen Lösungsmittel für die Entfernung der löslichen Teile des Films und ¹O Behandeln der freigelegten Schxchtträgerflache mit einem chemischen Ätzmittel, dadurch gekennzeichnet , dass man die Abscheidung des in organischen Lösungsmitteln löslichen Films der Stufe 1) auf die Schichtträgeroberfläche durch Photopolymerisation eines photopolymerisierbaren organischen Monomeren in Dampfform auf der Schichtträgerfläche bei einer Oberflächentemperatur unterhalb 100 C in Gegenwart von Ultravxolettlicht einer Wellenlänge von etwa 1800 bis 3 500 Ä vornimmt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass man als organisches Monomer Hexachlorbutadien verwendet.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass man als organisches Monomer Butadien verwendet.

k. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass man Siliciumoxid auf Silicium als Schichtträger verwendet.

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5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , dass man Aluminium als Schichtträger verwendet.

6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , dass man Kupfer als Schichtträger verwendet.

7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , dass man den im organischen Lösungsmittel unlöslichen organischen Film vom Schicht- I träger entfernt, nachdem der Schichtträger geätzt worden

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , dass man die Entfernung des in organischen Lösungsmitteln unlöslichen Films durch Bestrahlung mit Ultraviolettlicht an der Luft vornimmt.

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