DE2103389A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE2103389A1
DE2103389A1 DE19712103389 DE2103389A DE2103389A1 DE 2103389 A1 DE2103389 A1 DE 2103389A1 DE 19712103389 DE19712103389 DE 19712103389 DE 2103389 A DE2103389 A DE 2103389A DE 2103389 A1 DE2103389 A1 DE 2103389A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
doping
emitter
main surface
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712103389
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
John Edward Skaneateles Moyson Joseph Union Springs NY May (V St A )
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE2103389A1 publication Critical patent/DE2103389A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/40—Vertical BJTs
    • H10D10/441—Vertical BJTs having an emitter-base junction ending at a main surface of the body and a base-collector junction ending at a lateral surface of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/60—Schottky-barrier diodes 

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
DE19712103389 1970-01-26 1971-01-26 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE2103389A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US580570A 1970-01-26 1970-01-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2103389A1 true DE2103389A1 (de) 1971-08-05

Family

ID=21717842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712103389 Pending DE2103389A1 (de) 1970-01-26 1971-01-26 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE2103389A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2077621B1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1351867A (enrdf_load_stackoverflow)
SE (1) SE372375B (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009033302A1 (de) 2009-07-15 2011-01-20 Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg Herstellungsverfahren für ein unipolares Halbleiter-Bauelement und Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2135118B (en) * 1983-02-09 1986-10-08 Westinghouse Brake & Signal Thyristors
US4605451A (en) * 1984-08-08 1986-08-12 Westinghouse Brake And Signal Company Limited Process for making thyristor devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL259236A (enrdf_load_stackoverflow) * 1959-12-30
FR1297586A (fr) * 1960-09-20 1962-06-29 Western Electric Co Dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication
NL275313A (enrdf_load_stackoverflow) * 1961-05-10
FR1515661A (fr) * 1966-03-28 1968-03-01 Ass Elect Ind Perfectionnements aux procédés de fabrication de dispositifs semiconducteurs et produits obtenus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009033302A1 (de) 2009-07-15 2011-01-20 Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg Herstellungsverfahren für ein unipolares Halbleiter-Bauelement und Halbleitervorrichtung
WO2011006866A1 (de) 2009-07-15 2011-01-20 Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg Herstellungsverfahren für ein unipolares halbleiter-bauelement und halbleitervorrichtung
DE102009033302B4 (de) * 2009-07-15 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für ein unipolares Halbleiter-Bauelement und Halbleitervorrichtung
CN102549751A (zh) * 2009-07-15 2012-07-04 英飞凌科技股份有限公司 用于单极半导体器件的制造方法和半导体装置
US8772140B2 (en) 2009-07-15 2014-07-08 Infineon Technologies Ag Production method for a unipolar semiconductor component and semiconductor device
CN102549751B (zh) * 2009-07-15 2015-02-04 英飞凌科技股份有限公司 用于单极半导体器件的制造方法和半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB1351867A (en) 1974-05-01
FR2077621A1 (enrdf_load_stackoverflow) 1971-10-29
FR2077621B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1973-11-23
SE372375B (enrdf_load_stackoverflow) 1974-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69025990T2 (de) Bipolarer Transistor mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3686971T2 (de) Lateraler transistor mit isoliertem gate mit latch-up-festigkeit.
DE3633161C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE2257846B2 (de) Integrierte Halbleiteranordnung zum Schutz gegen Überspannung
DE3008034A1 (de) Elektrodenvorrichtung fuer eine halbleitervorrichtung
DE68923789T2 (de) Optische halbleitervorrichtung mit einer nulldurchgangsfunktion.
DE69715109T2 (de) TRIAC-Anordnung, deren Gatterreferenzspannung an gemeinsame Elektrode auf Rückseite gelegt wird
DE1811492A1 (de) Feldeffekttransistor
DE69117866T2 (de) Heteroübergangsfeldeffekttransistor
DE3526826A1 (de) Statischer induktionstransistor und denselben enthaltenden integrierte schaltung
DE3905434C2 (de) Bipolare Halbleiterschalteinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2610122A1 (de) Dreipolige halbleiteranordnung
EP0002840A1 (de) Kathodenseitig steuerbarer Thyristor mit einer Anodenzone aus zwei aneinandergrenzenden Bereichen mit unterschiedlicher Leitfähigkeit
DE2364752A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE68916697T2 (de) Gate-gesteuerte Zweirichtungshalbleiterschaltungseinrichtung.
DE2130457A1 (de) Halbleiterbauelement
DE69609558T2 (de) Empfindliches Schutzbauelement für Schnittstellenschaltung von Teilnehmerleitungen
EP0249122A1 (de) Abschaltbares Leistungshalbleiterbauelement
DE2418560A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2033800A1 (de) Mehrfachemitter Transistor Aufbau und Schaltung
DE3709124C2 (de) NPN-äquivalente Struktur mit erhöhter Durchschlagspannung
DE1123402B (de) Halbleiterdiode mit mehreren PN-UEbergaengen
DE2103389A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69318346T2 (de) Schutzdiode für ein vertikales Halbleiterbauelement
DE3104743C2 (de) Halbleiter-Schaltanordnung