DE2026411A1 - Halbleiterelement mit Ladungsspeicher effekt und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterelement mit Ladungsspeicher effekt und Verfahren zu seiner Herstellung

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DE2026411A1
DE2026411A1 DE19702026411 DE2026411A DE2026411A1 DE 2026411 A1 DE2026411 A1 DE 2026411A1 DE 19702026411 DE19702026411 DE 19702026411 DE 2026411 A DE2026411 A DE 2026411A DE 2026411 A1 DE2026411 A1 DE 2026411A1
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semiconductor element
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Hermann G Olofsson Goran Dr Ing Lund Gnmmeiss (Schweden)
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INST fur HALVLEDARFORSKNING A
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D1/40—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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