DE202009000615U1 - Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement - Google Patents
Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement Download PDFInfo
- Publication number
- DE202009000615U1 DE202009000615U1 DE202009000615U DE202009000615U DE202009000615U1 DE 202009000615 U1 DE202009000615 U1 DE 202009000615U1 DE 202009000615 U DE202009000615 U DE 202009000615U DE 202009000615 U DE202009000615 U DE 202009000615U DE 202009000615 U1 DE202009000615 U1 DE 202009000615U1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- power semiconductor
- heat
- molding compound
- semiconductor element
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49506—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad an insulative substrate being used as a diepad, e.g. ceramic, plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/49531—Additional leads the additional leads being a wiring board
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/41—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of a plurality of strap connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37139—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73219—Layer and TAB connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73221—Strap and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/8484—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49586—Insulating layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
wenigstens eine wenigstens im Bereich eines der Kontakte des Halbleiters auf seiner Oberseite einen der Kontakte flächig bedeckend ausgebildete Kontaktlasche angesetzt ist,
auf dem wenigstens einen flächigen Abschnitt der Kontaktlasche wärmeleitend zur Oberseite des Moldmoduls wenigstens ein wärmeleitendes Element zur Ausbildung einer zweiten wärmeableitenden Brücke an die Außenseite des Moduls vorgesehen ist.
Description
- Die Erfindung betrifft ein formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement.
- Bei Leistungshalbleiterelementen, insbesondere bei solchen mit Formverguss werden die Bauelemente üblicherweise nur einseitig durch das Substrat oder das Stanzgitter einen Kühlungspfad zum äußeren Kühlkörper aufweisen. Diese Ableitung der gesamten erzeugten Verlustleistung über nur einen definierten Kühlpfad ist mit Problemen behaftet. Zum einen führt dieser Kühlpfad von der Unterseite des Halbleiterelementes durch das Substrat der Baugruppe beziehungsweise durch ein Stanzgitter an eine äußere Fläche des formvergossenen Leistungshalbleitermoduls (des s. g. mold packages). Von dort wird die Verlustleistung üblicherweise über Wärmeleitpasten an Luft oder Wasserkühler abgegeben.
- Andererseits ist schon bekannt, dass die Verlustleistung in einem Halbleiter insbesondere bei einem MOSFET und IGBE-Bauelementen einige 10 μm bis 100 μm unterhalb der Kontaktoberfläche des Halbleiters entsteht. Dies entspricht also den oberen 20% der üblichen Gesamtdicke eines Halbleiters.
- Da die Montage des Halleiters auf dem Substrat/Stanzgitter üblicherweise auf seiner Unterseite (der von Source-Kontakt bzw. Emitter und Gate abgewandten Seite) erfolgt, ist lediglich der Drain- bzw. Kollektoranschluss an der Unterseite. Die Verlustleistung muss daher im wesentlichen durch die Trägerschichten des Siliziums bis zum Substrat, also durch ca. 80% der Gesamtdicke des Halbleiters geführt werden. Dieser lange Entwärmungspfad führt bei möglichst effektivem Betrieb (hohe Stromlast pro Halbleiterfläche) zu einer starken Erwärmung der Sperrschicht des Halbleiters und dies hat weitere ungünstige Folgen.
- Im Stand der Technik werden diese Module auch als Halbleiter-Moldpackages (also als mit Duroplast umspritzte Umhüllungskörper einer elektronischen Baugruppe mit mindestens einen Halbleiterelement) bezeichnet und sind als robuste, umhüllungsgespritzte Baugruppen bekannt, in denen für bestimmte Anwendungen (z. B. Motorsteuerungen) vorzugweise Leistungsbauelemente mit besonders hoher Verlustleistung zugefasst werden.
- Die Oberseite solcher Halbleiterbauelemente ist üblicherweise durch bogenförmig aufgesetzte Kontaktdrähte (Bonddrähte) mit anderen Leiterbahnen des Substrates oder des Stanzgitters verbunden und von isolierender Duroplastmasse umhüllt. Die sehr geringe Wärmeleitung der Duroplastmassen (< 1 W/mK) führt nur zu einer sehr geringen Leitung von Verlustwärme durch den Umhüllungskörper an die Umgebung.
- Die oben erwähnten ungünstigen Folgen bestehen daher in:
- • geringere Lebensdauer durch höhere Sperrschichttemperatur
- • früheres Ablösen der Bonddrähte (Wirebond lift off) bei hoher mittlerer Betriebstemperatur bei wechselnden Lasten
- • Suboptimaler Maximalstrom (uneffektive Ausnutzung der Siliziumfläche)
- • Größeres Volumen durch unsymmetrische, äußere Kühlkörper der gesamten Baugruppe
- Bei der Fertigung des Moldpackage nach dem Stand der Technik sind durch den unsymmetrischen Aufbau (Bauteileträger unten und großes Moldvolumen oben) starke Verformungen durch unsymmetrisches Schrumpfen zu beobachten. Nur durch langwierige Temperung kann diese Verwerfung vermindert werden.
- Die Erfindung hat sich daher zur Aufgabe gestellt, eine verbesserte Ableitung der Verlustwärme zu ermöglichen. Erfindungsgemäß wird dies durch ein formvergossenes Halbleistungshalbleitermodul mit den Merkmalen des Hauptanspruches gelöst. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung wieder.
- Besonders vorteilhaft ist, dass die Betriebsbedingungen der Halbleiter und die damit verbundenen Nachteile durch einen weiteren Entwärmungspfad zur Umgebung deutlich verringert werden können. Der Wärmepfad soll auf der dem vorhandenen Substrat, gegenüberliegenden Seite des Moldpackage an die Umgebung geführt werden. Dort kann dann thermischer Kontakt zu einem Luft- oder Wasserkühler hergestellt werden.
- Der zusätzliche Wärmepfad steigert die Wärmeabfuhr um 20% bis 30% und um den gleichen Anteil sinkt der verlustleistungsbedingte Temperaturhub in der Sperrschicht des Halbleiters. Dieser geringere Temperaturhub kann nun für eine gesteigerte Lebensdauer oder erhöhte Stromabgabe genutzt werden.
- Der zusätzliche Entwärmungspfad beginnt dabei in sehr günstiger Weise auf der heißen Oberseite des Halbleiters und wird durch folgenden Aufbau realisiert:
- 1. Anstelle der üblichen Bonddrähte werden durch Löten, Sintern oder Leitkleben überwiegend ebene Kontaktlaschen zur elektrischen Kontaktierung eingesetzt. Optionen: a. Die Kontaktlasche kann Bestandteil eines zweiten, ausgedehnten Stanzgitters sein. b. Die Kontaktlasche kann in Ihrem Verlauf eine partielle elektrische Isolierung tragen (Isolierlacke, Polyimidschlauch) zur Vermeidung möglicher, montagebedingter Berührungen von potentialtragenden Leiterbahnen oder Bauteilberandungen.
- 2. Auf diesen Kontaktlaschen kann nun durch Löten, Sintern oder Leitkleben eine thermisch und elektrisch leitende Brücke aufgesetzt werden, die den Wärmepfad bis zur Oberfläche des Moldpackages verlängert. Optionen: a. Eine weitere Funktion dieser metallischen Wärmebrücke ist die Gestaltung als nachgiebiges Element. Diese Eigenschaft ist erforderlich, um die technisch bedingten Dickentoleranzen aller gestapelten Materialien durch Nachgeben beim Schließen des Spritzwerkzeugen auszugleichen. Durch eine z. B. ballige Formgebung der Wärmebrücke wird sichergestellt, dass keine positive Dickentoleranz entsteht und so Halbleiterbauelemente durch Schließkraft des Werkzeuges zerstört werden. Nach dem Schließen des Spritzwerkzeuges folgt das Einpressen der Duroplastmasse und das vollständige Ausfüllen der verbliebenen Hohlräume innerhalb des Werkzeuges. Eine weitere Verformung der Wärmebrücke ist danach nicht mehr möglich. b. Die Balligkeit soll vorzugsweise so orientiert werden, dass die konvexe Seite dem Inneren des Moldpacke zugewandt ist. Die konkave Seite ist demnach an äußeren Fläche dem geschlossenen Werkzeug zugewandt. Damit wird erreicht, dass ein Eindringen der Duroplastmasse (das Overmold) zwischen Wärmebrücke und Werkzeugwand verhindert wird. Eine Nacharbeit zur Beseitigung von Duroplast-Flecken entfällt.
- 3. Für viele Anwendungen ist zusätzlich eine potentialfreie Entwärmung erforderlich. Dann wird eine möglichst gut Wärme leitende Keramik (z. B. Aln, Al2O3) unterhalb oder oberhalb der metallischen Wärmebrücke in den Wärmepfad durch Löten, Sintern oder Leitkleben zur elektrischen Isolation eingesetzt. Das Nachgeben der Wärmebrücke ist auch bei Einsatz einer elektrischen Isolation vorteilhaft.
- 4. Optionen: a. Der elektrische Isolator kann ein Wärme leitender Keramikkörper (AlN oder Al2O3) auf der Kontaktlasche des Halbeiters sein. b. Der elektrische Isolator kann eine Wärme leitende Schicht sein, die beispielsweise auf der Wärmebrücke (unten oder oben) durch (kaltgas- oder plasmagespritztes AlN oder Al2O3) aufgebracht ist und dann durch Löten, Sintern oder Kleben stoffschlüssig verbunden wird. c. Der elektrische Isolator kann ein Wärme leitender Keramikkörper (AlN oder Al2O3) oder eine keramische Schicht auf der Außenseite des Moldpackage auf den Flächen der Stanzgitter und der Wärmebrücke
- Die unsymmetrische Schrumpfung mit den ungünstigen Formverwerfungen entfält vorteilhafterweise duch die Füllung des Moldkörpers mit dem zusätzlichem Material der Wärmebrücke. Der energieaufwendige Temperprozess entfällt.
- Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels. Dabei zeigt:
-
1 die erfindungsgemässe Baugruppe (substratlos) mit einem zweiten Wärmepfad nach oben durch eine Metall-Kontaktlasche und einen elektrisch isolierenden, aber Wärme leitenden Isolierkörper, -
2 den Stand der Technik in Form einer Moldpackage-Baugruppe mit Stanzgitter als Bauteileträger (also substratlos) -
3 den Stand der Technik in Form einer Moldpackage-Baugruppe mit DCB-Substrat als Bauteileträger (und einem Stanzgitter für die elektrischen Anschlüsse) -
4 die erfindungsgemässe Baugruppe mit einem zweiten Wärmepfad nach oben durch eine Metall-Kontaktlasche und einen elektrisch isolierenden, aber Wärme leitenden Isolierkörper, mit einem DCB-Substrat als Bauteileträger und einem zweiten DCB als zweiter (elektrisch isolierter Hauptwärmebrücke (und einem Cu-Stanzgitter für die Kontaktierung des Substrats und einem zweiten Stanzgitter zur Laschenkontaktierung des Halbleiters mit nachgiebiger balliger Ausprägung) und -
5 die erfindungsgemässe Baugruppe mit einem zweiten Wärmepfad nach oben durch eine Metall-Kontaktlasche und einen elektrisch leitende ballig geprägte Al oder Cu-Scheibe die mit einer dünnen Polyimindschicht elektrisch von den Spannungen der Leistungselektronik getrennt ist. - In der
1 wird der erfindungsgemäße formmassenvergossene Leistungshalbleitleiter als Modul mit einem an der Seite herausragenden Stanzgitter19 ,24 dargestellt, so dass auf ein Substrat verzichtet werden kann und das Stanzgitter als Bauteileträger dient. Oberhalb des Stanzgitters10 ist über eine Lotschicht oder eine Ag-Sinterschicht ein Leistungshalbleiter12 angeordnet, der mit Bonddrähten14 elektrisch kontaktiert wird. Der erfindungsgemäße elektrische Kontakt16 an der Oberseite kann als Kupfer- oder Silberlasche mit einer darunter liegenden Polyimidisolierung18 flächig auf die größeren Kontakte des Halbleiters an der Oberseite aufgelegt werden. - Oberhalb dieser Lasche ist ein wärmeleitender Körper, beispielsweise ein keramischer Isolierkörper
20 mit wiederum Lot- oder Wärmeleitungspaste angeordnet. - Oberhalb dieses wiederum ist (zur Verdeutlichung mit einem tatsächlich so nicht vorhandenen weis belassenen Freiraum) eine metallische Wärmebrücke, z. B. eine balliggeprägte Aluminium- oder Kupferscheibe dargestellt.
- Es kann jedoch auch nur ein wärmeleitender Körper vorgesehen werden, also lediglich eine dünne, isolierende Schicht auf die Leiterlasche aufgelegt werden und dann direkt der thermische Kontakt zu einer Metallscheibe oder auch nur einem keramischen Leitelement gesucht werden.
-
2 zeigt einen Aufbau ohne Substrat nach dem Stand der Technik,3 einen Aufbau auf einem DCB (direct copper bond substrat) nach dem Stand der Technik. - In
4 ist das erfindungsgemässe formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement, bei dem ein Leistungshalbeiter mit metallischen, an die Außenseite eines Moldmoduls geführten Kontakten in Umhüllungsspritzen mit Duroplasten umgeben ist, und wobei zur Wärmeableitung einer Bodenseite eine Wärmeleitungsstrecke wenigstens durch den Halbleiter und einen Substratträger vorhanden ist, mit zwei DCB dargestellt, einem DCB-Substrat als Bauteileträger und einem zweiten DCB als zweiter (elektrisch isolierter) Haupt-Wärmebrücke (und einem Cu-Stanzgitter für die Kontaktierung des Substrats und einem zweiten Stanzgitter zur Laschenkontaktierung des Halbleiters mit nachgiebiger balliger Ausprägung) wodurch ebenfalls ein zweiter Wärmepfad nach oben durch eine Metall-Kontaktlasche und einen elektrisch isolierenden, aber Wärme leitenden Isolierkörper über wenigstens einen Bereich eines Kontakts des Halbleiters auf seiner Oberseite gebildet ist. - Wie zuvor ist eine den Kontakte flächig bedeckend ausgebildete Kontaktlasche realisiert, die Balligkeit legt sich ohne Lunker im wesentlichen vollflächig an (d. h. die Balligkeit der Darstellung ist überdeutlich vorgesehen).
- Das auf dem wenigstens einen flächigen Abschnitt der Kontaktlasche wärmeleitend zur Oberseite des Moldmoduls vorgesehene wenigstens eine wärmeleitende Element zur Ausbildung einer zweiten wärmeableitenden Brücke an die Außenseite des Moduls ist hier ein DCB.
- Dass das wenigstens eine wärmeleitenden Element zur Oberseite des Umhüllungskörpers eine keramische Schicht sein kann, ist durch die Schicht
40 in5 angedeutet. Die keramische Schicht kann eine keramische Platte sein, oder eine durch Plasmaspritzen auf die metallische Kontaktlasche – oder wie in5 dargestellt auf eine darunterliegende ballige Metallplatte – aufgespritzte Schicht. - Die wärmeleitende metallische Platte kann auch allein eingesetzt werden, sie ist dann aber bevorzugt durch eine dünne Isolierschicht – wie ebenfalls der
5 zu entnehmen – von der stromführenden Kontaktlasche zu trennen. - Die in einer bevorzugten Ausführungsform vorgeschlagene Balligkeit der metallischen Platte ist mit einer leicht konkaven Wölbung auf den Leistungshalbleiter hin vorgesehen.
- Naben der Isolierung oberhalb der Kontaktlasche ist auch der freigeführte Teil der Lasche (der schmaler sein kann) elektrisch zu isolieren, z. B. durch einen Schlauch
18 wie in1 oder eine untergelegte Isolierblatt, um jedenfalls gegenüber dem Stanzgitter zu isolieren. - Das wärmeleitende Element kann ein fester Keramikkörper oder auch eine kompressible, elektrisch und thermisch leitfähige Schicht aus sinterfähigem Metallpartikeln sein.
Claims (8)
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement, bei dem ein Leistungshalbeiter mit metallischen, an die Außenseite eines Moldmoduls geführten Kontakten in Umhüllungsspritzen mit Duroplasten umgeben ist, und wobei zur Wärmeableitung einer Bodenseite eine Wärmeleitungsstrecke wenigstens durch den Halbleiter und einen Substratträger vorhanden ist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine wenigstens im Bereich eines der Kontakte des Halbleiters auf seiner Oberseite einen der Kontakte flächig bedeckend ausgebildete Kontaktlasche angesetzt ist, auf dem wenigstens einen flächigen Abschnitt der Kontaktlasche wärmeleitend zur Oberseite des Moldmoduls wenigstens ein wärmeleitendes Element zur Ausbildung einer zweiten wärmeableitenden Brücke an die Außenseite des Moduls vorgesehen ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der wärmeleitenden Element zur Oberseite des Umhüllungskörpers eine keramische Schicht ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die keramische Schicht eine keramische Platte ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die keramische Schicht durch Plasmaspritzen auf die metallische Kontaktlasche aufgespritzt ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eines der wärmeleitenden Elemente eine metallische Platte ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Platte ballig ausgebildet ist mit einer leicht konkaven Wölbung auf den Leistungshalbleiter hin.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des freigeführten Teils der metallischen Kontaktlasche eine isolierende Lagenschicht eingelegt ist.
- Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das wärmeleitende Element eine kompressible, elektrisch und thermisch leitfähige Schicht aus sinterfähigem Metallpartikeln ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202009000615U DE202009000615U1 (de) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement |
PCT/DE2010/000019 WO2010081465A2 (de) | 2009-01-15 | 2010-01-13 | Formmassenumschlossenes leistungshalbleiterelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202009000615U DE202009000615U1 (de) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE202009000615U1 true DE202009000615U1 (de) | 2010-05-27 |
Family
ID=42221218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202009000615U Expired - Lifetime DE202009000615U1 (de) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE202009000615U1 (de) |
WO (1) | WO2010081465A2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012201889A1 (de) * | 2012-02-09 | 2012-10-04 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls |
DE102012204159A1 (de) * | 2012-03-16 | 2013-03-14 | Continental Automotive Gmbh | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE102014211524A1 (de) | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul mit einer Vorrichtung zur Wärmeabführung von durch eine in einem Kunststoffgehäuse angeordnete Halbleitereinrichtung erzeugter Wärme und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls |
US9275926B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-03-01 | Infineon Technologies Ag | Power module with cooling structure on bonding substrate for cooling an attached semiconductor chip |
DE102014014473A1 (de) * | 2014-09-27 | 2016-03-31 | Audi Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung sowie entsprechende Halbleiteranordnung |
US10002821B1 (en) | 2017-09-29 | 2018-06-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip package comprising semiconductor chip and leadframe disposed between two substrates |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8987875B2 (en) * | 2013-03-08 | 2015-03-24 | Delphi Technologies, Inc. | Balanced stress assembly for semiconductor devices |
DE102015102041A1 (de) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungsmodul |
DE102017108114A1 (de) | 2017-04-13 | 2018-10-18 | Infineon Technologies Ag | Chipmodul mit räumlich eingeschränktem thermisch leitfähigen Montagekörper |
EP3659177B1 (de) | 2017-08-25 | 2023-10-25 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Halbleitermodul und verfahren zur herstellung davon |
CN110466106A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-11-19 | 中国商用飞机有限责任公司北京民用飞机技术研究中心 | 一种传感器安装结构及传感器安装方法 |
CN113266542B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-05-17 | 哈尔滨工业大学 | 一种霍尔推力器磁路散热结构 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6891256B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-05-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Thin, thermally enhanced flip chip in a leaded molded package |
JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US7755179B2 (en) * | 2004-12-20 | 2010-07-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor package structure having enhanced thermal dissipation characteristics |
US7557432B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-07-07 | Stats Chippac Ltd. | Thermally enhanced power semiconductor package system |
US7285849B2 (en) * | 2005-11-18 | 2007-10-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing |
JP4450230B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2010-04-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US7663212B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having exposed surfaces |
US7757392B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-07-20 | Infineon Technologies Ag | Method of producing an electronic component |
JP4967447B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-07-04 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
-
2009
- 2009-01-15 DE DE202009000615U patent/DE202009000615U1/de not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-01-13 WO PCT/DE2010/000019 patent/WO2010081465A2/de active Application Filing
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012201889A1 (de) * | 2012-02-09 | 2012-10-04 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls |
DE102012204159A1 (de) * | 2012-03-16 | 2013-03-14 | Continental Automotive Gmbh | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
US9275926B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-03-01 | Infineon Technologies Ag | Power module with cooling structure on bonding substrate for cooling an attached semiconductor chip |
DE102014211524A1 (de) | 2014-06-17 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul mit einer Vorrichtung zur Wärmeabführung von durch eine in einem Kunststoffgehäuse angeordnete Halbleitereinrichtung erzeugter Wärme und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls |
DE102014211524B4 (de) | 2014-06-17 | 2022-10-20 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul mit einer Vorrichtung zur Wärmeabführung von durch eine in einem Kunststoffgehäuse angeordnete Halbleitereinrichtung erzeugter Wärme und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls |
DE102014014473A1 (de) * | 2014-09-27 | 2016-03-31 | Audi Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung sowie entsprechende Halbleiteranordnung |
US9905533B2 (en) | 2014-09-27 | 2018-02-27 | Audi Ag | Method for producing a semi-conductor arrangement and corresponding semi-conductor arrangement |
DE102014014473B4 (de) | 2014-09-27 | 2018-05-24 | Audi Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung sowie entsprechende Halbleiteranordnung |
DE102014014473C5 (de) | 2014-09-27 | 2022-10-27 | Audi Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung sowie entsprechende Halbleiteranordnung |
US10002821B1 (en) | 2017-09-29 | 2018-06-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip package comprising semiconductor chip and leadframe disposed between two substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010081465A3 (de) | 2010-12-02 |
WO2010081465A2 (de) | 2010-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE202009000615U1 (de) | Formmassenvergossenes Leistungshalbleiterelement | |
DE102014202651B4 (de) | Halbleitervorrichtungen und Halbleitermodul | |
DE19983419B3 (de) | Elektrisch isoliertes verpacktes Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102012206596B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112013007390B4 (de) | Halbleitermodul, Halbleitervorrichtung und Fahrzeug | |
DE102016206865B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102018115957A1 (de) | Gemoldete Package mit einem Chipträger, der hartgelötete elektrisch leitfähige Schichten aufweist | |
DE112014005694B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE102015109073B4 (de) | Elektronische Vorrichtungen mit erhöhten Kriechstrecken | |
EP3271943B1 (de) | Leistungsmodul sowie verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls | |
DE102007005233A1 (de) | Leistungsmodul | |
US10950527B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
EP3747048A1 (de) | Elektronisches bauelement | |
DE112016000517T5 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102014110845A1 (de) | Mehrchipbauelement mit einem Substrat | |
DE112020007745T5 (de) | Halbleitergehäuse, halbleitervorrichtung und leistungswandlervorrichtung | |
DE112014006397B4 (de) | Leistungshalbleitermodul und Leistungseinheit | |
DE112018007723T5 (de) | Leistungshalbleitermodul und leistungswandlervorrichtung | |
DE112009000737B4 (de) | Aufbau eines Dreiphasen-Wechselrichtermoduls | |
WO2009024432A1 (de) | Aufbau- und verbindungstechnik von modulen mittels aus einer ebene heraus gebogenen metallischen stanzgitter oder stanzbiegeteilen | |
CN104037152A (zh) | 芯片载体结构、芯片封装及其制造方法 | |
JP5954374B2 (ja) | 絶縁基板、その製造方法、半導体モジュールおよび半導体装置 | |
DE10303103B4 (de) | Halbleiterbauteil, insbesondere Leistungshalbleiterbauteil | |
EP3794641A1 (de) | Entwärmungsanordnung für ein halbleiterleistungsmodul | |
DE112019002851T5 (de) | Halbleiterbauelement und leistungswandlervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20100701 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: CHRISTIAN BIEHL, 24105 KIEL, DE Representative=s name: CHRISTIAN BIEHL, DE Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE |
|
R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years | ||
R150 | Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years |
Effective date: 20120120 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: DANFOSS SILICON POWER GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: DANFOSS SILICON POWER GMBH, 24837 SCHLESWIG, DE Effective date: 20120731 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE Effective date: 20120731 Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE Effective date: 20120806 Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB -, DE Effective date: 20111110 Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE Effective date: 20111110 Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE Effective date: 20120731 Representative=s name: BOEHMERT & BOEHMERT, DE Effective date: 20120806 |
|
R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years | ||
R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20150122 |
|
R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LOBEMEIER, MARTIN LANDOLF, DR., DE |
|
R071 | Expiry of right |