CN113266542B - 一种霍尔推力器磁路散热结构 - Google Patents

一种霍尔推力器磁路散热结构 Download PDF

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Abstract

一种霍尔推力器磁路散热结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中霍尔推力器整体温度高的问题，本申请增加霍尔推力器散热能力的结构，采用镂空外磁屏并通过隔热支架将放电通道与底板分开，改变霍尔推力器的热量传递路径，使得放电通道内产生的热量直接通过隔热支架向环境传递，降低霍尔推力器整体温度，其中底板温度下降最为明显。本发明所提出的增加霍尔推力器散热能力的结构，保证了磁场分布几乎不变且推力器总体质量几乎不变的前提下，可以自由调节通道长度，减少放电通道的整体轴向长度，并降低了霍尔推力器整体的温度。

Description

一种霍尔推力器磁路散热结构
技术领域
本发明涉及霍尔推力器技术领域，具体为一种霍尔推力器磁路散热结构。
背景技术
霍尔推力器是国际上应用最为广泛的一种空间电推进技术，是利用电场和磁场共同作用将电能转换为工质动能的一种能量转换装置。具有结构简单、比冲高、效率高、工作寿命长等优势，适用于各类航天器的姿态控制、轨道修正、轨道转移、动力补偿、位置保持、重新定位、离轨处理、深空探测等任务，成为世界各国降低航天器总质量、提高平台有效载荷、延长在轨寿命的有效手段之一。
霍尔推力器工程应用的限制因素主要包括：等离子体对放电通道壁面、磁路系统及阴极各个部件的溅射侵蚀，太空环境中推力器各部件材料的温度限制。同时随着近年来空间任务需求的改变，如深空探测、空间站等任务对电推进发动机的功率需求增加，由此导致的热问题愈发严重。其中，太空环境中推力器各部件材料的温度限制问题是关注的重点。霍尔推力器的热量主要来源于放电通道内等离子体与零部件相互作用产生的热沉积，再通过热传导及热辐射的形式将热量向外部传递，最终通过热辐射的形式向空间环境耗散，从而达到热平衡状态。而过大的产热功率使得霍尔推力器中的所有部件温度均有所提升，使得磁路材料的导磁率降低进而导致磁场分布偏离设计值、阳极温度过高进而导致阳极变形甚至绝缘失效、底板中心温度过高进而导致对卫星端热辐射量超标，从而限制了霍尔推力器的应用。
发明内容
本发明的目的是：针对现有技术中底板中心温度过高进而导致对卫星端热辐射量超标，从而限制了霍尔推力器的应用的问题，提出一种霍尔推力器磁路散热结构。
本发明为了解决上述技术问题采取的技术方案是：
一种霍尔推力器磁路散热结构，包括：底板7，所述底板7中心设有内磁芯2，所述底板7上沿着远离内磁芯2的方向依次设有内线圈9、内磁屏3、放电通道8和外磁屏4，所述内线圈9、内磁屏3、放电通道8和外磁屏4为环形结构，所述放电通道8为设有凹槽的环形结构，所述内磁芯2和内线圈9上设有内磁极1，所述底板7上还设有设置在外磁屏4外侧的多个外磁柱6和外线圈10，所述外线圈10包裹外磁柱6，所述外磁柱6和外线圈10上设有外磁极5，
所述内线圈9和内磁屏3、内磁屏3和放电通道8、放电通道8和外线圈10之间设有间隔，
所述外磁屏4上设有多个凸出部4-1，所述底板7上还设有隔热支架11，所述隔热支架11设置在放电通道8与底板7之间，所述隔热支架11上加工有多个镂空部11-1，所述凸出部4-1能插装在镂空部11-1中。
进一步的，所述凸出部4-1和镂空部11-1为四个。
进一步的，所述凸出部4-1和镂空部11-1为矩形。
进一步的，所述外磁屏4沿底板7轴线方向的高度为外磁屏高度h1，所述外磁屏4沿底板7轴线方向的镂空高度为h2，所述外磁屏高度h1大于1.5倍的镂空高度h2。
进一步的，所述外磁屏高度h1与镂空高度h2的差值大于等于10mm
进一步的，所述凸出部4-1沿底板7垂直轴线方向的截面面积为A1，所述外磁屏4沿底板7垂直轴线方向的截面面积减去A1剩余的面积为A2，所述A1大于A2。
进一步的，所述底板7与隔热支架11之间设有间隙。
进一步的，所述外磁柱6和外线圈10为4个。
本发明的有益效果是：
本申请增加霍尔推力器散热能力的结构，采用镂空外磁屏并通过隔热支架将放电通道与底板分开，改变霍尔推力器的热量传递路径，使得放电通道内产生的热量直接通过隔热支架向环境传递，降低霍尔推力器整体温度，其中底板温度下降最为明显。
本发明所提出的增加霍尔推力器散热能力的结构，保证了磁场分布几乎不变且推力器总体质量几乎不变的前提下，可以自由调节通道长度，减少放电通道的整体轴向长度，并降低了霍尔推力器整体的温度。
附图说明
图1为传统霍尔推力器的结构示意图；
图2为本申请霍尔推力器的结构示意图；
图3为外磁屏结构示意图；
图4为隔热支架结构示意图；
图5为外磁屏横纵剖面示意图；
图6为外磁屏横横剖面示意图；
图7为外磁屏纵横剖面示意图；
图8为传统磁路与本申请磁路的通道中心线标幺后磁场强度分布图；
图9为传统结构的霍尔推力器的温度分布示意图；
图10为本申请的霍尔推力器温度分布图。
具体实施方式
需要特别说明的是，在不冲突的情况下，本申请公开的各个实施方式之间可以相互组合。
具体实施方式一：参照图1具体说明本实施方式，本实施方式所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，包括：底板7，所述底板7中心设有内磁芯2，所述底板7上沿着远离内磁芯2的方向依次设有内线圈9、内磁屏3、放电通道8和外磁屏4，所述内线圈9、内磁屏3、放电通道8和外磁屏4为环形结构，所述放电通道8为设有凹槽的环形结构，所述内磁芯2和内线圈9上设有内磁极1，所述底板7上还设有设置在外磁屏4外侧的多个外磁柱6和外线圈10，所述外线圈10包裹外磁柱6，所述外磁柱6和外线圈10上设有外磁极5，
所述内线圈9和内磁屏3、内磁屏3和放电通道8、放电通道8和外线圈10之间设有间隔，
所述外磁屏4上设有多个凸出部4-1，所述底板7上还设有隔热支架11，所述隔热支架11设置在放电通道8与底板7之间，所述隔热支架11上加工有多个镂空部11-1，所述凸出部4-1能插装在镂空部11-1中。
所述放电通道8在内磁屏3和外磁屏4之间，设置在底板7上并与内磁屏3和外磁屏4设有间隔，如图1。
霍尔推力器工作过程中的热量主要来源于放电通道内等离子体与零部件的相互作用产生的热沉积，通过热传导与热辐射的形式向霍尔推力器其余部件传输，最终通过热辐射的形式向空间环境耗散，从而达到热平衡状态。传统霍尔推力器的放电通道与底板直接接触，使得底板处温度较高，并向卫星端传输的热功率较大。故采用悬空结构将放电通道与底板隔离开，使得放电通道与底板之间的传热方式由热传导改变为热辐射，进而大幅降低底板温度。
所述磁路中外磁屏4采用镂空结构，其余磁路部件不变化；所述放电通道8设置在隔热支架11上，所述放电通道8在内磁屏3和外磁屏4之间并与内磁屏3和外磁屏4设有间隔；所述隔热支架11设置在外磁极5下表面，如图2。
具体实施方式二：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述凸出部4-1和镂空部11-1为四个。如图3和图4。
具体实施方式三：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述凸出部4-1和镂空部11-1为矩形。
具体实施方式四：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述外磁屏4沿底板7轴线方向的高度为外磁屏高度h1，所述外磁屏4沿底板7轴线方向的镂空高度为h2，所述外磁屏高度h1大于1.5倍的镂空高度h2。
具体实施方式五：本实施方式是对具体实施方式四的进一步说明，本实施方式与具体实施方式四的区别是所述外磁屏高度h1与镂空高度h2的差值大于等于10mm。
具体实施方式六：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述凸出部4-1沿底板7垂直轴线方向的截面面积为A1，所述外磁屏4沿底板7垂直轴线方向的截面面积减去A1剩余的面积为A2，所述A1大于A2。
其中外磁屏镂空高度h2与镂空截面积A2需要根据磁路结构的饱和性确定，特征尺寸的示意图如图5。
具体实施方式七：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述底板7与隔热支架11之间设有间隙。
具体实施方式八：本实施方式是对具体实施方式一的进一步说明，本实施方式与具体实施方式一的区别是所述外磁柱6和外线圈10为4个。
以1.35kW的霍尔推力器的结构尺寸为基准，外磁屏高度为46mm，外磁屏镂空高度为25mm，剩余截面积为437mm2，镂空截面积为430mm2。对比传统结构与增加霍尔推力器散热能力结构的标幺后通道中心线磁场强度分布如图6。采用增加霍尔推力器散热能力结构相比于传统结构，最大磁场强度降低3％，分布情况基本没有变化，通过励磁调节可以完全补偿到原有设计状态。在相同的热载荷条件下，传统结构的霍尔推力器的温度分布如图7，增加霍尔推力器散热能力的结构的温度分布如图8，两者关键位置温度对比如表1。
表1传统结构与增加霍尔推力器散热能力结构的霍尔推力器温度分布对比
Figure GDA0003573488450000041
Figure GDA0003573488450000051
通过上述的温度分布对比，发现采用增加霍尔推力器散热能力结构的磁路部件，包括内磁极、内磁屏、外磁极、外磁屏、底板等部位温度下降58至136℃不等，而放电通道内壁面与外壁面温度几乎不变，充分说明了该结构在降低推力器磁路部件的温度上有明显效果。
需要注意的是，具体实施方式仅仅是对本发明技术方案的解释和说明，不能以此限定权利保护范围。凡根据本发明权利要求书和说明书所做的仅仅是局部改变的，仍应落入本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于包括：底板（7），所述底板（7）中心设有内磁芯（2），所述底板（7）上沿着远离内磁芯（2）的方向依次设有内线圈（9）、内磁屏（3）、放电通道（8）和外磁屏（4），所述内线圈（9）、内磁屏（3）、放电通道（8）和外磁屏（4）为环形结构，所述放电通道（8）为设有凹槽的环形结构，所述内磁芯（2）和内线圈（9）上设有内磁极（1），所述底板（7）上还设有设置在外磁屏（4）外侧的多个外磁柱（6）和外线圈（10），所述外线圈（10）包裹外磁柱（6），所述外磁柱（6）和外线圈（10）上设有外磁极（5），
所述内线圈（9）和内磁屏（3）、内磁屏（3）和放电通道（8）、放电通道（8）和外线圈（10）之间设有间隔，
所述外磁屏（4）上设有多个凸出部（4-1），所述底板（7）上还设有隔热支架（11），所述隔热支架（11）设置在放电通道（8）与底板（7）之间，所述隔热支架（11）上加工有多个镂空部（11-1），所述凸出部（4-1）能插装在镂空部（11-1）中；
所述底板（7）与隔热支架（11）之间设有间隙；
所述隔热支架（11）与外磁极（5）固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述凸出部（4-1）和镂空部（11-1）为四个。
3.根据权利要求1所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述凸出部（4-1）和镂空部（11-1）为矩形。
4.根据权利要求1所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述外磁屏（4）沿底板（7）轴线方向的高度为外磁屏高度h1，所述外磁屏（4）沿底板（7）轴线方向的镂空高度为h2，所述外磁屏高度h1大于1.5倍的镂空高度h2。
5.根据权利要求4所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述外磁屏高度h1与镂空高度h2的差值大于等于10mm。
6.根据权利要求1所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述凸出部（4-1）沿底板（7）垂直轴线方向的截面面积为A1，所述外磁屏（4）沿底板（7）垂直轴线方向的截面面积减去A1剩余的面积为A2，所述A1大于A2。
7.根据权利要求1所述的一种霍尔推力器磁路散热结构，其特征在于所述外磁柱（6）和外线圈（10）为4个。
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