JP3083561B2 - 閉鎖電子ドリフトを持つプラズマ加速器 - Google Patents

閉鎖電子ドリフトを持つプラズマ加速器

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JP3083561B2 JP06504187A JP50418794A JP3083561B2 JP 3083561 B2 JP3083561 B2 JP 3083561B2 JP 06504187 A JP06504187 A JP 06504187A JP 50418794 A JP50418794 A JP 50418794A JP 3083561 B2 JP3083561 B2 JP 3083561B2
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デシヤツコフ、アレクセイ
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ソシエテ・ナシオナル・デテユード・エ・ドウ・コンストリユクシオン・ドウ・モトール・ダヴイアシオン、“エス.エヌ.ウ.セ.エム.アー.”
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    • F03H1/0037Electrostatic ion thrusters
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    • F03H1/0075Electrostatic ion thrusters grid-less with an applied magnetic field with an annular channel; Hall-effect thrusters with closed electron drift
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、特に宇宙推進に適用されるプラズマ加速器
に関し、さらに詳しくは、定常プラズマ(stationary p
lasma)加速器として、また米国では「ホール電流加速
器」としても知られる閉鎖電子ドリフトを有する種類の
プラズマ加速器に関する。
背景技術 電子加速器は基本的には宇宙推進用に設計される。こ
れらは、イオン源またはプラズマ源として、特にイオン
加工など、地上用としても使用される。その高い比推力
(1500秒〜6000秒)のために、これらは、化学推進力を
利用する加速器に比べて、衛星の質量をかなり節約する
ことができる。
この種の加速器の典型的な用途の一つは静止衛星の南
北制御であり、これによって10%から15%の質量節約が
可能になる。これらは、低軌道における抗力の補償、ヘ
リオシンクロナス軌道(heliosynchronous orbit)の維
持、および主惑星間推進にも使用することができる。
イオンスラスタは、幾つかのカテゴリに分類すること
ができる。
第1の種類のイオンスラスタは、カウフマン加湿器と
しても知られ、イオン化が衝撃によって行なわれる加速
器によって構成される。この種のスラスタの例は特に、
EP−A−0132065号公報(WO89/05404)、およびEP−A
−0468706号公報に記載されている。
衝撃によるイオン化を利用する加速器では、推力気体
の原子を低圧で放電室に注入し、そこで中空陰極によっ
て放射され陽極によって捕集される電子に衝突させる。
イオン化プロセスは、磁界によって拡大される。特定数
の原子−電子衝突はプラズマを発生させ、イオンはプラ
ズマの電位に対し負の電位である加速電極(出口格子)
によって引き付けられる。電極はイオンを集中させて加
速し、加速されたイオンは、広く拡散した状態でスラス
タから放射する。次に、イオン放射は、「中和器」と呼
ばれる外部中空陰極から放射される電子束によって中和
される。
この種のスラスタから得られる比推力(Isp)は3000
秒台以上である。
電力要件は、推力1mN当たり約30Wである。
別の種類のイオン化加速器は、高周波イオン化を使用
する加速器、接触によるイオン化を利用する加速器、ま
たは電界放出加速器によって構成される。
衝突によるイオン化を利用する加速器を含むこれらの
様々なイオン化加速器は、イオン化機能がイオン加速機
能とは明確に分離されているという共通する特徴を持
つ。
これらはまた、イオン光学系(ion optics)における
電流密度が空間電荷現象によって制限され、衝突による
イオン化を利用する加速器では、その密度は実際問題と
して2mA/cm2ないし3mA/cm2に制限され、したがって単位
面積当たりの推力が多少低くなるという事実を共有す
る。
さらに、こうした加速器、特に衝突加速器は、特定数
の電気供給(4〜10の範囲)を必要とし、そのために変
換および制御用の多少複雑な電子回路を実現しなければ
ならない。
加速器は、特に、定常プラズマ加速器(SPD)の開発
計画および「メテオール」衛星での試験に関し、1974年
に発表されたL.H.ARTSIMOVITCHらによる論文からも知ら
れており、これらの加速器は「閉鎖電子ドリフト」型で
あり、「定常プラズマ」加速器としても知られる。これ
は、イオン化と加速が区別されず、加速化ゾーンに同数
のイオンと電子を含み、それによって空間電荷現象を除
去することができるという点で、他のカテゴリの加速器
とは異なる。
L.H.ARTSIMOVITCHらによる上述の論文に提案された閉
鎖電子ドリフト加速器について、以下図2を参照して説
明する。
絶縁材の部品2によって形成された環状チャネル1が
電磁石内に配置され、この電磁石は、絶縁材で形成され
た部品2の外側および内側にそれぞれ配置された外側お
よび内側環状磁極片3、4と、加速器から上流に配置さ
れた磁気ヨーク12と、環状チャネル1の全長にわたって
延在し、外側磁極片3をヨーク12に接続する磁心10の周
囲に直列に接続された電磁コイル11を備えている。接地
された中空陰極7が、チャネル1の下流側出口の前でプ
ラズマ雲を形成するために、キセノン供給装置に結合さ
れている。例えば300ボルトの電源装置の正極に接続さ
れた環状陽極5が、環状チャネル1の閉鎖上流部に配置
される。熱および電気絶縁体8と協働するキセノン注入
管6は、環状陽極5に近接して配置された環状分配チャ
ネル9あるいは「マニホルド」内に開口している。
イオン化電子および中和化電子は、中空陰極7から供
給される。イオン化電子は、陰極7から供給されるプラ
ズマの雲と陽極5の間に存在する電界によって、絶縁環
状チャネル1に引き付けられる。
電界Eとコイル11によって形成される磁界Bの影響下
で、イオン化電子は、チャネル内の電界を維持するため
に必要な方位ドリフト軌道(azimuth drift trajector
y)に従う。
イオン化電子は次に、絶縁チャネル内の閉鎖軌道をド
リフト移動して回る。この加速器の名前はこれに由来す
る。
電子のドリフト運動は、電子と中性原子の衝突の確率
をかなり増加する。この衝突がイオン(この場合はキセ
ノン)を発生させる現象である。
キセノンで作動する従来の閉鎖電子ドリフト型イオン
加速器で得られる比推力は、1000秒ないし2500秒台であ
る。
従来の閉鎖電子ドリフト型イオン加速器ではイオン化
領域が形成されておらず、その結果、これらはキセノン
でしかよく作動せず、ジェットは拡散し(ビームは±20
度以上の角度に広がり)、効率は約50%に限定される。
さらに、ジェットの拡散は、従来、窒化ほう素とアル
ミナの混合物である材料から形成された絶縁チャネルの
壁の摩耗を引き起こす。
このような電動機の寿命は、約3000時間である。
発明の目的および概要 本発明の目的は、周知のプラズマ加速器の欠点を矯正
することであり、さらに詳しくは、その技術的特性が向
上するように、特に、例えば衝突を利用するイオン加速
器の場合のように空間電荷を発生することなく、イオン
化領域がよりよく形成されるように、閉鎖電子ドリフト
型プラズマ加速器を改良することである。
本発明はまた、ビームの拡散を減少し、イオンビーム
の密度、電気効率、比推力、および寿命を増大すること
を目的とする。
これらの目的は、流側端部が開口し、絶縁材の部品に
よって形成されたイオン化および加速のための主環状チ
ャネルと、該主環状チャネルの下流部に隣接する部分で
その外側に配置された少なくとも1つの中空陰極と、主
環状チャネルと同心であって、開口した下流側端部から
ある距離を置いて配置された環状陽極と、中空陰極およ
び環状陽極にそれぞれ対応付けられた第1および第2イ
オン化ガス供給手段と、主環状チャネル内に磁界を形成
する手段とを備えた閉鎖電子ドリフト型プラズマ加速器
において、該加速器は、半径方向の寸法が主環状チャネ
ルより大きく、環状陽極が配置された領域を超えて上流
に延びる環状バッファチャンバをさらに備え、第2イオ
ン化ガス供給手段は、陽極が支持された領域とは異なる
領域において、環状マニホルドを介して陽極の上流に開
口する一方、主チャネルに磁界を形成する手段は、上記
主チャネルに基本的に放射状の磁界を生成するととも
に、上記磁界は、チャネルの下流側端部の誘導が最大
で、磁力線がチャネルの下流側端部で加速器の軸と垂直
な出口面に基本的に平行であり、かつ、バッファチャン
バと主チャネルの間の陽極近傍に位置する遷移領域の誘
導が最小となる勾配を持ち、イオン化ガスのイオン化を
高めたことを特徴とするプラズマ加速器によって達成さ
れる。
バッファチャンバは、半径方向の寸法を主チャネルの
半径方向寸法の約2倍とするのが望ましい。
例えば、バッファチャンバは、主チャネルの半径方向
寸法の約1.5倍の軸方向寸法を持つ。
本発明の重要な特徴によれば、磁気回路は、多数の別
個の磁界形成手段と、主チャネルのどちらか一方の側の
出口面と同一レベルに配置され、かつ中央磁心によって
相互に接続された半径方向に延びる平坦な内部および外
部磁極片と、バッファチャンバの上流に位置するヨーク
と、主チャネルおよびバッファチャンバの外側に軸方向
に配置された周辺磁気回路を備えている。
この場合、特に、別個の磁界形成手段は、主チャネル
の下流側端部に近接してその周囲の外側に配置された第
1手段と、陽極に面しかつ部分的にバッファチャンバに
面するまで延在する領域において中央磁心の周囲に配置
された第2手段と、第2手段と主チャネルの下流側端部
の間で中央磁心の周囲に配置された第3手段を備えてい
る。
第1、第2、および第3磁界形成手段は異なるサイズ
であるのが望ましい。
一つの可能な実施例では、第1、第2、および第3磁
界形成手段は誘導コイルによって構成される。
それにもかかわらず、特定の用途では、第1、第2、
および第3磁界形成手段は、少なくとも部分的に、加速
器の動作温度より高いキュリー点を持つ永久磁石によっ
て形成される。
特に、陽極とイオン化ガスマニホルドの物理的分離の
ため、バッファチャンバが存在するため、および特定の
勾配を持つ放射状磁界が実現されるために、本発明のプ
ラズマ加速器は、次のような利点を呈する。
a)より効果的なイオン化により効率が高まる。
b)イオン化プロセスが改善されるので、キセノン、ア
ルゴンなど種々の推力ガスを容易にイオン化することが
可能である。
c)静電等電位が得られ、ビームの拡散が軽減される。
したがって、 c1)衛星における統合化が促進される。
c2)加速チャネルの摩耗が減少する。
図面の簡単な説明 本発明の他の特徴および利点は、非限定的な例として
取り上げ、次の添付の図面に関連して以下で示す特定の
実施例の説明から明らかになる。
図1は、本発明の閉鎖電子ドリフト型プラズマ加速器
の一例を示す軸方向半断面正面図である。
図2は、従来の閉鎖電子ドリフト型プラズマ加速器の
一例を示す軸方向断面図である。
図3は、異なる配置のイオン化ガス注入手段を有する
本発明の変形例を示す軸方向半断面図である。
図4ないし図7は、バッファチャンバ、主チャネル、
陽極、およびイオン化ガスマニホルドによって構成され
るアセンブリの様々な実施例を示す本発明のプラズマ加
速器の部分軸方向半断面図である。
図8は、衛星の構造体に取り付けられた本発明のプラ
ズマ加速器の一例の斜視図である。
図9は、本発明のプラズマ加速器の主チャネルを形成
する絶縁部品をまとめて固定する方法の一例を示す詳細
図である。
特定実施例の詳細な説明 図1は、本発明の閉鎖電子ドリフト型プラズマ加速器
20の一例を示しており、バッファチャンバ23によって構
成される第1部分の上流、および、加速チャネル24によ
って構成される第2部分の下流に環状チャネル21を形成
するとともに、絶縁材でできた1組の部品22を備えてい
る。
環状のチャンバ23の半径方向の寸法は、環状加速チャ
ネル24の半径方向の寸法の約2倍とすることが望まし
い。軸方向には、バッファチャンバ23は加速チャネル24
より少し短くすることができ、その長さは、加速チャネ
ル24の半径方向の寸法dの約1.5倍とすることが望まし
い。
電線43によってDC電圧源44(例えば約200Vないし300
V)に接続された陽極25は、加速チャネル24の入口でバ
ッファチャンバ23のすぐ下流の領域において環状チャネ
ル21を形成する絶縁部品22に配設される。陽極25に電力
を送る電線43は、磁気ヨークを形成する平板36によって
構成される加速器の端部、および、バッファチャンバ23
を形成する絶縁材の部品223、224を貫通する絶縁管45内
に配置される。
キセノンなどのイオン化ガスを供給する管26もまた、
ヨーク26およびバッファチャンバ23の端壁223を貫通
し、バッファチャンバ23の端部に配置した環状ガスマニ
ホルド27内に開口せしめられる。
1組の絶縁部品22によって形成されるチャネル21は、
基本的には3つのコイル31、32、33および磁極片34、35
で形成される磁気回路内に配置する。
平坦な外側および内側磁極片34、35は、加速チャネル
24の外側の加速器の出口面に配置し、加速チャネル24の
開放下流部において、加速器20の出口面59と実質的に平
行な磁力線を形成する。
磁極片34、35によって構成される磁気回路は、加速器
の外周に基本的に円筒状に配置された接続棒37および軸
方向中央磁心38によって閉じられる。強磁性体で形成さ
れた中央磁心38および強磁性体で形成された接続棒37
は、後部ヨーク36に接触させる。同じく強磁性体で形成
され、加速器の端壁を構成するヨーク36は、衛星に向か
って放射される熱流束を除去する1層以上の超断熱材の
層30によって保護することができる。
絶縁部品22と接続棒37との間に、汚染防止スクリーン
39を配置することもできる。変形例では、接続棒37およ
びスクリーン39を、スクリーンとして作用すると同時
に、磁気回路を閉じるために作用する円筒形または円筒
円錐形(cylindroconical)の押えリング(ferrule)に
置換する。いかなる場合も、スクリーン39は加速器の冷
却を阻害してはならない。したがって、スクリーンは、
内部および外部熱放射性被覆を設けるか、さもなけれ
ば、宇宙への直接放射ができるような方法で適用しなけ
ればならない。
加速器の動作に必要な電子は、従来の設計の中空陰極
40によって提供される。電線42によって電圧源44の負極
に電気的に接続された陰極40は、そこにキセノンなどの
イオン化ガスを供給するための回路41を備えている。こ
れは加速チャネル24の出口領域の下流に配置する。
中空陰極40は実質的に基準電位にあるプラズマ29を発
生し、陽極25と陰極40の間の電位差のために、静電界E
の影響下で、電子はそこから陽極25に向かって抽出され
る。
これらの電子は、電界Eおよび磁界Bの影響下で、加
速チャネル24内に方位ドリフト軌道を持つ。
一般的に、チャネル24の出口における磁界は、150Oe
ないし200Oeである。
1次電子は静電界Eによって加速され、またこれらは
絶縁壁22に衝突し、それによってより低いエネルギの2
次電子を供給する。
電子は、バッファチャンバ23から来る中性キセノン原
子と衝突する。
このようにして形成されたキセノンイオンは、加速チ
ャネル24で静電界Eによって加速される。
イオンビームは、中空陰極40から来る電子の何分の一
かによって中和される。
放射状磁界の勾配は、コイル31〜33の配置および磁極
片34、35の配置によって制御下に維持され、これによ
り、イオン加速機能を、陽極25に近い領域で得られるイ
オン化機能から分離することが可能になる。このイオン
化領域は、部分的にバッファチャンバ23内まで延ばすこ
とができる。
本発明の重要な特徴は、イオン化領域の最適化を可能
にするバッファチャンバ23の存在にある。
従来の閉鎖電子ドリフト型加速器では、イオン化のか
なりの部分が中間部に配置されている。イオンの一部は
壁に衝突し、それによって壁は急速に磨耗し、したがっ
てスラスタの寿命は短くなる。バッファチャンバ23は、
半径方向のプラズマ濃度の勾配の低下を促進し、かつ加
速チャネル24の入り口における電子の冷却をも促進し、
それによってイオンビームの壁への拡散を減少し、した
がって、壁との衝突によるイオンの損失を回避する。こ
れは、効率を高め、かつ加速器の出口におけるビームの
拡散を減少するという両方の効果を持つ。
本発明の別の重要な特徴は、異なる寸法とすることの
できる3つのコイル31〜33の存在であり、これらを特定
の部位に配置することにより磁界を最適化することがで
きる。
かくして、第1コイル31は主チャネルの下流側端部22
5付近で主チャネルの周囲および外側に配置する。第2
コイル32は、陽極25に面する領域で中央磁心38の周囲に
配置し、部分的にバッファチャンバ23に面するまで延在
せしめる。第3コイル33は、中央磁心38の周囲における
第2コイル32と主加速チャネル24の下流側端部225の間
の部分に配置する。コイル31、32、33は、図1で示すよ
うに異なるサイズとすることができる。3つの明らかに
異なるコイル31、32、33の存在は、従来の加速器に比べ
て、よりよく方向付けされた磁力線を形成する効果を果
たし、それによって、よりよく集中し、より平行なジェ
ットを得ることが可能になる。
変形例では、磁界を形成するためのコイル31〜33を、
少なくとも部分的に、加速器の動作温度より高いキュリ
ー点を持つ永久磁石に置換することができる。
環状コイル31はまた、それぞれ別個のコイルの組であ
って周辺磁気回路を構成する様々な接続棒37の周囲に配
置された1組のコイルと置換することもできる。
1組の誘導コイル31、32、33は、放電電流の自己調節
ができるように、電源装置44および陰極40と直列に接続
することもできる。
コイル31、32、33は、高温鉱物絶縁体で被覆した銅線
で形成することができる。コイル31〜33は、鉱物絶縁体
を含む同軸形のワイヤで形成することもできる。
磁極片34、35、中央磁心38、接続棒37、およびヨーク
36によって構成される回路の磁性材料は、軟鉄、超純
鉄、または高い透磁率を持つ鉄−クロム合金とすること
ができる。
コイル32、33の冷却は、磁心38の軸上に配置され、熱
をヨーク36および内部放射状磁極片35に放出してそこか
ら宇宙に放射させるヒートパイプによって改善すること
ができる。
例えば、磁極片34、35は、軸方向に約20ミリメートル
のサイズを持つことができる。
各コイル31、32、33のアンペアターン数、およびこれ
らのコイルのそれぞれの長さと直径の比率は、基本的に
放射状の磁界が加速チャネルで形成されるように決定さ
れるとともに、最大の磁界が加速器の出口面59に位置
し、出口225付近のその磁力線が基本的に出口面59と平
行になり、陽極25付近のその磁力線が基本的にこの領域
における推力ガスのイオン化を促進するように配置され
る。
バッファチャンバ23の存在と1組の異なるコイル31、
32、33を組み合わせた本発明のイオンスラスタの例は、
50%ないし70%台の電気効率を達成することを可能にし
た。これは、以前から知られていたシステムより平均で
約10%ないし25%の改善である。
さらに、本発明の実施例において、ほぼ円筒形の加速
器の出口で、イオンビームの拡散が非常に小さい(約±
9度)ジェットが得られた。かくして、80mmの外径を持
つ加速チャネルで、出口面59から測定した加速器の外側
80mmの距離において、90%のエネルギが加速チャネルの
直径内に集中し続ける。
一般に、本発明の加速器は、より大きい推力密度(例
えば、単位面積当たり1mN/cm2ないし2mN/cm2台の推力密
度)を可能にする。したがって、優れた効率をも達成し
ながら、同等の推力でより小型でより軽量の加速器を設
けることが可能になる。
寿命に関しては、周知の加速器は約3000時間の寿命で
ある。
対照的に、本発明のプラズマ加速器は、より円筒状に
近いイオン化ジェットに関係するチャネル2の摩食の減
少のために、少なくとも5000時間ないし6000時間の寿命
を得ることができる。
本発明のプラズマ加速器は多くの変形例が可能であ
る。
バッファチャンバ23および加速チャンバ24を形成する
部品22を構成する絶縁材は、特に次のような組み合わせ
のどれを使用してもよい。
BN+B4C+Al2O3セラミック 超純アルミナ Al2O3−Al2O3複合体、または 純粋シリカまたは酸化希土類を蒸着したシリカを基に
したガラスセラミック 絶縁体22は、膨脹係数がセラミックに近い金属で形成
した弾性中間部品62を用いて、磁極部つまり部品34の1
つに相対的に固定することができる(図9)。
これにより、セラミックなどの膨脹係数と磁気回路の
膨脹係数の差による熱応力を除去することができる。こ
のような状況下で、チャネル24を形成する部品22は、弾
性中間部品62を保持するためのフランジ61を持つことが
でき、これを結合ねじ63によって磁極片34に固定するこ
とができる。
絶縁部品22を構成するセラミック材と磁極片34、35の
金属の間の結合は、ろう付け、拡散溶接、セラミック金
属組成物の焼結、または熱間等圧圧縮によって達成する
こともできる。
陽極25およびチャネル24で熱損失の形で消散する電力
は、チャネルから下流の空間への放射によって、また磁
気回路からの放射によっても、廃棄することができる。
陰極40からのプラズマと絶縁体の部品22の間の相互作用
を回避するために、絶縁体は、前述したように、磁極片
34とヨーク36の間に配置したスクリーン39によって包囲
することができる。スクリーンは、放射によって冷却で
きるようにするために、熱放射率の高いコーティングで
被覆する。穴を明ける場合、穴は、プラズマがそこから
浸透しないように充分に小さくしなければならない。
キセノンマニホルド27は、ステンレス鋼またはニオブ
で形成するか、あるいは絶縁部品22と同じセラミックか
ら形成することができる。
例えば、陽極25はそれ自体、ステンレス鋼、ニッケル
合金、ニオブ、または黒鉛で形成することができる。
陽極25への電源は、気密封止セラミック/金属フィー
ドスルーを介して提供する。
環状マニホルド27へのキセノンの供給は、マニホルド
27自体が金属製の場合、絶縁管を介して構成され、絶縁
管が無ければ地電位となるマニホルド27と陽極25との間
の部分のバッファチャンバ23で放電が発生するのを防止
する。
図3は、金属マニホルド127用の絶縁管300の例を示
す。変形例では、これはバッファチャンバ23の端部では
なく、前記チャンバ23の下流部分に配置するが、それで
もやはり、加速チャンバ24の入口に配置された陽極から
は分離される。絶縁管は、チャンバの周辺部に放射状に
配置することもできる。
例えば、図3における絶縁管300は、両端を金属端部
片302にろう付けし、内部にパッキンを充填したセラミ
ック管301から成る。パッキンは、セラミックフェル
ト、1層の絶縁細粒、または絶縁板から金属格子の積重
ねとすることができる。
図3に示す例では、絶縁管300は、加速器の全長を最
小にするために、加速チャネル24に沿ってバッファチャ
ンバ23とコイル31との間に延在する。
しかし、絶縁管300は、ヨーク36とバッファチャンバ2
3との間に配置することもできる。
バッファチャンバ23および加速チャネル24を形成する
絶縁部品22は、円筒形(図1、図4、図7)または円錐
形(図5、図6)とすることのできる陽極25と同様に、
種々の形状を取ることができる。
図1では、内部環状部品221および内部環状部品221に
嵌め合わされた相補的部品222、223、224は、バッファ
チャンバ23および環状チャネル24を形成し、しかもマニ
ホルド27および陽極25を取り付けることができる。
図6の例では、絶縁材で形成され、主チャネル24およ
びバッファチャンバ23を形成する部品は、バッファチャ
ンバ23および主チャネル24の外壁を形成する第1部品22
c、およびバッファチャンバ23および主チャネル24の内
壁を形成する第2部品22dの両方から成り、バッファチ
ャンバ23内に配置されたイオン化ガスマニホルド27自体
は、前記第1部品22cと第2部品22dの間の連結要素を構
成する。円錐形の陽極50は、上流側端部からバッファチ
ャンバ23と加速チャンバ24の間の円錐形の遷移部56に取
り付けることができる。
図4の例では、絶縁材で形成され、主チャネル24およ
びバッファチャンバ23を形成する部品は、バッファチャ
ンバ23の壁および主チャネル24の内壁を形成する第1部
品22a、ならびに主チャネル24の外壁を形成する第2部
品22bの両方から成り、陽極は、前記第1部品22aと第2
部品22bの間の部分51、52が接合される。符号53は、オ
プションのカバーを示す。マニホルド27は下流側端部か
ら挿入することができる。図5の実施例は図4に類似し
ているが、第1部品22aと第2部品22bの間に部分54、55
が接合された円錐形の陽極50を示す。
図1および図6の例では、陽極は、バッファチャンバ
23と主チャネル24の接合部において絶縁材で形成された
部品22の面の一つに取り付けられる。
図7の例では、陽極25は、電気的に相互接続された複
数の接続線(接続線57)から成る。マニホルド27は、下
流側端部から挿入することができる。絶縁材で形成され
た部品22eと22fとの接合部58に、セラミック対セラミッ
ク・シールがあり、チャネルは2つの別個の要素から形
成することができる。
図8は、磁性体の外部押えリング75が、加速器を衛星
の構造体72に固定するためのインタフェースをも構成す
る実施例を示す。符号71は加速器の機械的インタフェー
スを示し、符号72は静止衛星の南北軸に平行な衛星の壁
を示す。
角度αは、衛星の南北軸73に対する加速器の傾斜角を
表わす。
この場合のβは、常にαより小さく、イオンビームの
発散半角を表わす。
放射窓74は押えリング75を通して形成され、穴明きス
クリーン76によって覆う。このスクリーンは金網とする
ことができる。
本発明のプラズマ加速器は、他の変形例も当然可能で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブグロワ、アントニーナ ロシア 129041 モスクワ、アパルトマ ン311、ドゥズィエムマン・クレストフ スキー 8番 (72)発明者 ニスキーネ、ヴァランティン ロシア 117321 モスクワ、アパルトマ ン204、バティモン3、プロフソヨウナ ヤ 130番 (72)発明者 デシヤツコフ、アレクセイ ロシア 113525 モスクワ、アパルトマ ン169、バティモン1、ツェタノフスカ ヤ 34番 (72)発明者 ヴァランティアン、ドミニク フランス エフ―78710 ロズニー、リ ュ・ナショナル 119番 (56)参考文献 特開 平5−240143(JP,A) 特開 昭63−92000(JP,A) 特表 平1−503020(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05H 1/54 F03H 1/00

Claims (23)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下流側端部(225)が開口し、絶縁材の部
    品(22)によって形成されたイオン化および加速のため
    の主環状チャネル(24)と、該主環状チャネル(24)の
    下流部に隣接する部分でその外側に配置された少なくと
    も1つの中空陰極(40)と、主環状チャネル(24)と同
    心であって、開口した下流側端部(225)からある距離
    を置いて配置された環状陽極(25)と、中空陰極(40)
    および環状陽極(25)にそれぞれ対応付けられた第1お
    よび第2イオン化ガス供給手段(41、26)と、主環状チ
    ャネル(24)内に磁界を形成する磁気回路(31〜33、34
    〜38)と、半径方向の寸法が主環状チャネル(24)より
    大きく、環状陽極(25)が配置された領域を超えて上流
    に延びる環状バッファチャンバ(23)とを備え、上記第
    2イオン化ガス供給手段(26)が、陽極(25)が支持さ
    れた領域とは異なる領域において、環状マニホルド(2
    7)を介して陽極(25)の上流で環状バッファチャンバ
    (23)に開口する一方、上記磁気回路が、多数の別個の
    磁界形成手段(31〜33)と、主チャネル(24)のどちら
    か一方の側の出口面と同一レベルに配置され、かつ中央
    磁心(38)によって相互に接続された半径方向に延びる
    平坦な内部および外部磁極片(34、35)と、ヨーク(3
    6)と、主チャネル(24)およびバッファチャンバ(2
    3)の外側に軸方向に配置された周辺磁気回路(37)と
    を備えた閉鎖電子ドリフト型プラズマ加速器において、 上記主チャネル(24)に磁界を形成する磁気回路(31〜
    33、34〜38)は、主チャネル(24)に基本的に放射状の
    磁界を生成するとともに、該磁界は、チャネル(24)の
    下流側端部の誘導が最大で、磁力線がチャネル(24)の
    下流側端部(225)で加速器の軸と垂直な出口面(34、3
    5)に基本的に平行であり、かつ、バッファチャンバ(2
    3)と主チャネル(24)の間の陽極(25)近傍に位置す
    る遷移領域の誘導が最小となる勾配を持ち、イオン化ガ
    スのイオン化を高めるとともに、上記別個の磁界形成手
    段(31〜33)が、主チャネル(24)の下流側端部(22
    5)に近接してその周囲の外側に配置された第1手段(3
    1)と、陽極(25)に面しかつ部分的にバッファチャン
    バ(23)に面するまで延在する領域において中央磁心
    (38)の周囲に配置された第2手段(32)と、第2手段
    (32)と主チャネル(24)の下流側端部(225)の間で
    中央磁心(38)の周囲に配置された第3手段(33)とを
    備えたことを特徴とするプラズマ加速器。
  2. 【請求項2】バッファチャンバ(23)が、主チャネル
    (24)の半径方向寸法の約2倍の半径方向寸法を持つこ
    とを特徴とする請求項1に記載のプラズマ加速器。
  3. 【請求項3】バッファチャンバ(23)が、主チャネル
    (24)の半径方向寸法の約1.5倍の軸方向寸法を持つこ
    とを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ加速
    器。
  4. 【請求項4】第1、第2、および第3磁界形成手段(3
    1、32、33)が異なるサイズであることを特徴とする請
    求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ加速器。
  5. 【請求項5】第1、第2、および第3磁界形成手段(3
    1、32、33)が誘導コイルによって構成されたことを特
    徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ
    加速器。
  6. 【請求項6】第1、第2、および第3磁界形成手段(3
    1、32、33)が、少なくとも部分的に、加速器の動作温
    度より高いキュリー点を持つ永久磁石によって形成され
    たことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載
    のプラズマ加速器。
  7. 【請求項7】周辺磁気回路(37)が、外部磁極片(34)
    とヨーク(36)の間に1組の接続棒を備えたことを特徴
    とする請求項1ないし6のいずれかに記載のプラズマ加
    速器。
  8. 【請求項8】第1磁界形成手段(31)が、周辺磁気回路
    を構成する棒(37)の周囲に配置された1組の個別コイ
    ルを備えたことを特徴とする請求項5および7に記載の
    プラズマ加速器。
  9. 【請求項9】周辺磁気回路(37)が押えリングによって
    構成されたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれ
    かに記載のプラズマ加速器。
  10. 【請求項10】第1、第2、および第3磁界形成手段
    (31、32、33)を構成する誘導コイルが、電源装置(4
    4)と中空陰極(40)の間に直列に接続されたことを特
    徴とする請求項5に記載のプラズマ加速器。
  11. 【請求項11】バッファチャンバ(23)に配置された環
    状イオン化ガスマニホルド(27)が電気絶縁材で形成さ
    れたことを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記
    載のプラズマ加速器。
  12. 【請求項12】バッファチャンバ(23)に配置された環
    状イオン化ガスマニホルド(27)が金属で形成され、環
    状マニホルド(27)内に開口したイオン化ガス供給管
    (26)が電気絶縁手段(300)を備えたことを特徴とす
    る請求項1ないし10のいずれかに記載のプラズマ加速
    器。
  13. 【請求項13】イオン化ガス供給管(26)の電気絶縁手
    段(300)を、ヨーク(36)とバッファチャンバ(23)
    の間に配置したことを特徴とする請求項12に記載のプラ
    ズマ加速器。
  14. 【請求項14】イオン化ガス供給管(26)およびその電
    気絶縁手段(300)を、主チャネル(24)に沿ってバッ
    ファチャンバ(23)と第1磁界形成手段(31)の間に配
    置したことを特徴とする請求項12に記載のプラズマ加速
    器。
  15. 【請求項15】第2および第3磁界形成手段(32、33)
    を構成するコイルを支持する中央磁心(38)の軸上に配
    置され、熱を内部磁極片(35)およびヨーク(36)に排
    出するヒートパイプをさらに備えたことを特徴とする請
    求項5に記載のプラズマ加速器。
  16. 【請求項16】主チャネル(24)およびバッファチャン
    バ(23)を形成する絶縁材部品(22)が、バッファチャ
    ンバ(23)および主チャネル(24)の外壁を形成する第
    1部品(22c)と、バッファチャンバ(23)および主チ
    ャネル(24)の内壁を形成する第2部品(22d)とを備
    え、バッファチャンバ(23)に配置されたイオン化ガス
    マニホルド(27)自体が、上記第1および第2部品(22
    c、22d)間の連結要素を構成することを特徴とする請求
    項1ないし15のいずれかに記載のプラズマ加速器。
  17. 【請求項17】主チャネル(24)およびバッファチャン
    バ(23)を形成する絶縁材部品(22)が、バッファチャ
    ンバ(23)の壁および主チャネル(24)の内壁を形成す
    る第1部品(22a)と、主チャネル(24)の外壁を形成
    する第2部品(22b)とを備え、陽極(25)が第1およ
    び第2部品(22a、22b)の間に接合されたことを特徴と
    する請求項1ないし15のいずれかに記載のプラズマ加速
    器。
  18. 【請求項18】陽極(25)を、バッファチャンバ(23)
    と主チャネル(24)の接合部で絶縁材部品(22)の面の
    一つに取り付けたこと特徴とする請求項1ないし16のい
    ずれかに記載のプラズマ加速器。
  19. 【請求項19】陽極(25)が円筒形であることを特徴と
    する請求項1ないし18のいずれかに記載のプラズマ加速
    器。
  20. 【請求項20】陽極(50)が円錐台形であることを特徴
    とする請求項1ないし18のいずれかに記載のプラズマ加
    速器。
  21. 【請求項21】陽極(25)が、バッファチャンバ(23)
    内あるいは主チャネル(24)の入口に配置された多数の
    電気的に相互接続された接続線によって構成されること
    を特徴とする請求項1ないし20のいずれかに記載のプラ
    ズマ加速器。
  22. 【請求項22】主チャネル(24)を形成する絶縁部品
    (22)を、フランジ(61)および弾性座金(62)から成
    るアセンブリによって、半径方向に延在する外部磁極片
    (34)に固定したことを特徴とする請求項4および請求
    項1ないし21のいずれかに記載のプラズマ加速器。
  23. 【請求項23】磁性材料で形成された外部押えリング
    (75)が、加速器を衛星の構造体(72)に固定するため
    のインタフェースをも構成することを特徴とする請求項
    10に記載のプラズマ加速器。
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