DE2018027A1 - Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen - Google Patents

Verfahren zum Einbringen extrem feiner öffnungen

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DE2018027A1 DE19702018027 DE2018027A DE2018027A1 DE 2018027 A1 DE2018027 A1 DE 2018027A1 DE 19702018027 DE19702018027 DE 19702018027 DE 2018027 A DE2018027 A DE 2018027A DE 2018027 A1 DE2018027 A1 DE 2018027A1
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DE19702018027
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Toshio; Sato Kanro; Yokohama Abe (Japan)
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/43—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising oxides, nitrides or carbides, e.g. ceramics or glasses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2312856A1 (fr) * 1975-05-27 1976-12-24 Fairchild Camera Instr Co Procede de gravure des bords et structure pour produire des ouvertures etroites aboutissant a la surface de matieres
DE2703013A1 (de) * 1976-02-02 1977-08-11 Intel Corp Verfahren zur bildung eines schmalen spalts bzw. schlitzes in einer materialschicht
FR2382770A1 (fr) * 1977-01-26 1978-09-29 Mostek Corp Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre
EP0021931A1 (fr) * 1979-06-22 1981-01-07 Thomson-Csf Procédé d'auto-alignement de régions différemment dopées d'une structure de semiconducteur, et application du procédé à la fabrication d'un transistor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047725B2 (ja) * 1977-06-14 1985-10-23 ソニー株式会社 フエライトの加工法
GB2202236B (en) * 1987-03-09 1991-04-24 Philips Electronic Associated Manufacture of electronic devices comprising cadmium mercury telluride

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2312856A1 (fr) * 1975-05-27 1976-12-24 Fairchild Camera Instr Co Procede de gravure des bords et structure pour produire des ouvertures etroites aboutissant a la surface de matieres
DE2703013A1 (de) * 1976-02-02 1977-08-11 Intel Corp Verfahren zur bildung eines schmalen spalts bzw. schlitzes in einer materialschicht
FR2382770A1 (fr) * 1977-01-26 1978-09-29 Mostek Corp Procede de formation de tres petites ouvertures de contact dans un dispositif de circuit integre
EP0021931A1 (fr) * 1979-06-22 1981-01-07 Thomson-Csf Procédé d'auto-alignement de régions différemment dopées d'une structure de semiconducteur, et application du procédé à la fabrication d'un transistor
FR2460037A1 (fr) * 1979-06-22 1981-01-16 Thomson Csf Procede d'auto-alignement de regions differemment dopees d'une structure de semi-conducteur
US4311533A (en) 1979-06-22 1982-01-19 Thomson-Csf Method of making self-aligned differently doped regions by controlled thermal flow of photoresist layer

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