DE20122795U1 - Lichtemittierende Diode mit Materialien zur Wellenlängenumwandlung und Absorption - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims abstract description 9
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 claims abstract description 4
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical class C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims abstract 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 17
- -1 gallium nitrite compound Chemical class 0.000 claims description 14
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48237—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a die pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
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Abstract
Licht
emittierende Diode (31, 61), die Folgendes aufweist:
– ein Substrat (32);
– Elektroden (33, 34), die auf dem Substrat (32) gebildet sind;
– ein Licht emittierender Diodenchip (41), der elektrisch mit den Elektroden (33, 34) verbunden ist und mittels eines Klebemittels (51) auf einer oberen Oberfläche des Substrats (32) angebracht ist;
– ein Kunstharzmaterial (55) für das Versiegeln von oberen und seitlichen Oberflächen des Licht emittierenden Diodenchips (41); und
– fluoreszierende Partikel (52) und färbende Partikel (53), welche in dem Kunstharzmaterial (55) verteilt sind,
dadurch gekennzeichnet, dass die färbenden Partikel (53) eine oder mehrere Kombinationen von zwei oder mehr Farbstoffen aus der Gruppe der Phthalocyanine-, Antrachinone-, Azo- und Chinophthalon-Verbindungen sind,
und dass die Wellenlänge des Lichts (56), das von dem Licht emittierenden Diodenchip (41) emittiert wird, teilweise von den fluoreszierenden Partikeln (52) umgewandelt wird und
dass die Wellenlängen des in der...
– ein Substrat (32);
– Elektroden (33, 34), die auf dem Substrat (32) gebildet sind;
– ein Licht emittierender Diodenchip (41), der elektrisch mit den Elektroden (33, 34) verbunden ist und mittels eines Klebemittels (51) auf einer oberen Oberfläche des Substrats (32) angebracht ist;
– ein Kunstharzmaterial (55) für das Versiegeln von oberen und seitlichen Oberflächen des Licht emittierenden Diodenchips (41); und
– fluoreszierende Partikel (52) und färbende Partikel (53), welche in dem Kunstharzmaterial (55) verteilt sind,
dadurch gekennzeichnet, dass die färbenden Partikel (53) eine oder mehrere Kombinationen von zwei oder mehr Farbstoffen aus der Gruppe der Phthalocyanine-, Antrachinone-, Azo- und Chinophthalon-Verbindungen sind,
und dass die Wellenlänge des Lichts (56), das von dem Licht emittierenden Diodenchip (41) emittiert wird, teilweise von den fluoreszierenden Partikeln (52) umgewandelt wird und
dass die Wellenlängen des in der...
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung bei einer Licht emittierenden Diode und genauer auf eine Licht emittierende Diode, welche eine natürliche Farbe von Licht aus einem Licht emittierenden Chipelement in eine weichere, Pastell-Zwischenfarbe konvertiert.
- Beschreibung des Standes der Technik
- Eine übliche Praktik, eine Zwischenfarbe von Licht zu erzeugen, beinhaltet es, das Emittieren von verschiedenen Farben von Licht aus zwei oder mehreren Licht emittierenden Chipelementen zu bewirken und diese zu mischen. Ein Beispiel für eine derartige Licht emittierende Diode ist eine Licht emittierende Diode
1 des Oberflächen montierten Typs, die zwei Licht emittierende Chipelemente3 ,4 aufweist, welche zwei verschiedene Farben von Licht erzeugen, wie in1 gezeigt. Diese Licht emittierende Diode1 weist ein Epoxyd-Glassubstrat2 auf, welches eine Basis bildet, zwei Licht emittierende Chipelemente3 ,4 , die auf dem Substrat angebracht sind, um unterschiedliche Farben von Licht zu emittieren, und ein versiegelndes Bauteil5 aus einem Kunstharz, das die Licht emittierenden Chipelemente3 ,4 von oben abdeckt. Auf der oberen Oberfläche des Epoxyd-Glassubstrats2 werden Kathodenelektroden6a ,6b für das sichere Halten der beiden Licht emittierenden Chipelemente3 ,4 bereit gestellt und Anoden-Elektroden8a ,8b werden durch die Verbindungsdrähte7 mit den Licht emittierenden Chipelementen3 ,4 verbunden. - In der Licht emittierenden Diode
1 kann, wenn die beiden Licht emittierenden Chipelemente3 ,4 aus einem Chip für blaue Farbe und einem Chip für rote Farbe hergestellt sind, violettes Licht erzeugt werden, in dem die beiden Chips dazu genutzt werden, gleichzeitig Licht zu emittieren und die unterschiedlichen Farben des emittierten Lichts gemischt werden. - Wie in
2 gezeigt, ist ebenso eine Licht emittierende Diode10 bekannt, welche drei Licht emittierende Chip Elemente aufweist, die in ihr befestigt sind und verschiedene Farben mischt, um eine gewünschte Lichtfarbe zu erzeugen. Diese Licht emittierende Diode10 beinhaltet drei Licht emittierende Chipelemente12 ,13 ,14 , die auf einer Basis11 montiert sind und Licht in Rot, Blau und Grün emittieren, Elektrodenterminals15 ,16 ,17 , die jeweils mit den Licht emittierenden Elementen12 ,13 ,14 verbunden sind und ein patronenförmiges Versiegelungsbauteil18 , dass die Licht emittierenden Chipelemente12 ,13 ,14 von oben abdeckt. Die Licht emittierende Diode dieser Konstruktion kann Licht in nahezu jeder Farbe erzeugen, bei dem die drei Licht emittierenden Chipelemente12 ,13 ,14 , die Licht in Rot, Blau und Grün emittieren, kombiniert werden (siehe Masakazu Matsumoto, „Electronic Display", von Ohmsha Co., Ltd., Seite 213, Figuren 6 und 20, 07. Juli 1995). - Bei jeder der Licht emittierenden Dioden
1 ,10 , die weiter oben beschrieben sind, erfordert das Erzeugen einer Zwischenfarbe von Licht zwei oder mehr Licht emittierende Chipelemente, die unterschiedliche Lichtfarben emittieren. Dies erhöht notwendigerweise die Baugröße der Licht emittierenden Diode und fordert einen Steuerschaltkreis, um die montierten Licht emittierenden Chipelemente individuell zu steuern, so dass die Steuerungsverfahren komplizierter werden. - In Abhängigkeit von der Art der Licht emittierenden Chipelemente, die kombiniert werden, kann eine optimale Balance in der Helligkeit der unterschiedlichen Farben eventuell nicht erreicht werden. Wenn zum Beispiel eines der Licht emittierenden Chipelemente, das in der Kombination genutzt werden soll, eine geringe Helligkeit aufweist, muss eine Anpassung durchgeführt werden, um die übrigen Licht emittierenden Chipelemente an den Chip mit geringer Helligkeit anzupassen, wodurch sich das Problem, das die Leistung von hochbrillianten Licht emittierenden Chipelementen nicht voll ausgenutzt werden kann, verstärkt.
- Die Licht emittierenden Dioden
1 ,10 , die oben beschrieben worden sind, weisen ebenso ein Problem mit dem großen Verbrauch von Strom auf, dass aus der Notwendigkeit eine Vielzahl von Licht emittierenden Chipelementen gleichzeitig Licht produzieren zu lassen, resultiert. - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Licht emittierende Diode zur Verfügung zu stellen, die in der Lage ist, Licht mit einer Vielzahl von Zwischenfarben mit einem einzigen Licht emittierenden Chipelement zu produzieren.
- Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine kleine, preiswerte Licht emittierende Diode zur Verfügung zu stellen.
- Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Licht emittierende Diode zur Verfügung zu stellen, welche eine geringe Menge von Strom im Licht emittierenden Chipelement verbraucht und keine Notwendigkeit aufweist, den Strom zu kontrollieren.
- Im Hinblick auf einen Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Licht emittierende Diode zur Verfügung, welche folgendes aufweist: Ein Substrat; ein Licht emittierendes Chipelement, das auf das Substrat montiert ist; ein Material zur Änderung der Wellenlänge, um Licht vom Licht emittierenden Chipelement zu empfangen und die Wellenlänge des empfangenen Lichts zu ändern; und ein Wellenlängen absorbierendes Material, um Licht von dem Licht emittierenden Chipelement und dem Wellenlänge ändernden Material zu empfangen und einen Teil der Wellenlänge des empfangenen Lichts zu absorbieren.
- Das Substrat wird mit Elektroden gebildet, welche mit dem Licht emittierenden Chipelement verbunden sind.
- Das Wellenlängen ändernde Material wird zum Beispiel aus fluoreszierenden Partikeln hergestellt, und das Wellenlängen absorbierende Material wird zum Beispiel aus Farbpartikeln hergestellt.
- Vorzugsweise wird das Wellenlängen ändernde Material und das Wellenlängen absorbierende Material in einem verstreut verbreiteten Zustand in einen Abdeckungsbauteil, das das Licht emittierende Chipelement abdeckt, verteilt.
- Das Abdeckungsbauteil kann aus einem Licht durchlassenden Kunstharzmaterial hergestellt sein.
- Weil das Kunstharzmaterial mit den fluoreszierenden Partikeln gemischt wird, um Licht in einer größeren Bandbreite der Wellenlänge zu produzieren und mit färbenden Partikeln, um eine gewünschte Wellenlänge zu absorbieren, ist es möglich, ein weiches, pastellzwischenfarbiges Licht herzustellen, dass auf der Farbe des Lichts basiert, die durch ein einzelnes Licht emittierendes Chipelement emittiert wird.
- Im Bezug auf einen anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung sind die fluoreszierenden Partikel aus Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) hergestellt.
- Weil diese Erfindung Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) für die fluoreszierenden Partikel nutzt, kann eine große Bandbreite von Wellenlängen, 400 nm bis 700 nm stabil und effizient durch Anregung der fluoreszierenden Partikel hergestellt werden.
- Im Bezug auf einen weiteren zusätzlichen Aspekt der vorliegenden Erfindung werden die farbigen Partikel aus einem Farbstoff hergestellt, welcher einen Teil der Wellenlänge des Lichts von dem Licht emittierenden Chipelement und einen Teil der Wellenlänge des Lichts, das durch die fluoreszierenden Partikel geändert wurde, absorbiert.
- Weil diese Erfindung einen Farbstoff für die farbigen Partikel nutzt, ist es möglich, ein weiches, pastellzwischenfarbiges Licht mit geringen Kosten herzustellen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Licht emittierende Chipelement ein aus einer Gallium-Nitrit-Halbleiter-Verbindung gebildetes Diodenelement, das blaues Licht emittiert.
- Diese und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden in größerer Genauigkeit beschrieben, indem auf die anliegenden Figuren Bezug genommen wird.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer konventionellen vielfarbiges Licht emittierenden Diode des Oberflächenmontierten Typs zeigt. -
2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel einer üblichen, vielfarbigen Licht emittierenden Diode vom Bleirahmentyp zeigt. -
3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Licht emittierende Diode als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. -
4 ist eine Ansicht der Licht emittierenden Diode, der ersten Ausführungsform in Schnittdarstellung, die entlang der Linie A-A in -
3 durchgeführt ist, wenn die Licht emittierende Diode auf einer Trägerleitplatte montiert ist. -
5 ist ein erklärendes Diagramm, das zeigt, wie Licht, das aus dem Licht emittierenden Chipelement in der Licht emittierenden Diode emittiert wird, in seiner Wellenlänge geändert wird. -
6 ist ein CIE-Farbdiagramm, das ein Ergebnis von Farbmessungen zeigt, die mit der Licht emittierenden Diode der vorliegenden Erfindung durchgeführt wurden. -
7 ist ein erklärendes Diagramm, das zeigt, wie Licht, das von einem Licht emittierenden Chipelement in einer Licht emittierenden Diode einer zweiten Ausführungsform in seiner Wellenlänge geändert wird. - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Im Folgenden werden Ausführungsformen einer Licht emittierenden Diode gemäß der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben, indem auf die angefügten Figuren Bezug genommen wird.
3 bis5 zeigen die erste Ausführungsform der Erfindung, die als Licht emittierende Diode des oberflächenmontierten Typs ausgebildet ist. Eine Licht emittierende Diode31 des oberflächenmontierten Typs dieser Ausführungsform weist ein rechteckiges Substrat32 , ein Paar von Elektroden (eine Kathodenelektrode33 und eine Anodenelektrode34 ), die auf dem Substrat32 aufgebracht sind und ein Licht emittierendes Chipelement41 , das nahe am Zentrum der oberen Oberfläche des Substrats32 angeordnet ist, auf. Die Licht emittierende Diode31 wird auf einer Trägerleitplatte37 oberflächenmontiert, indem ihre Elektroden33 ,34 auf der Unterseite mit den gedruckten Leitungen38 ,39 (siehe4 ) verlötet werden. - Das Licht emittierende Chipelement
41 wird auf dem Substrat durch ein Klebemittel51 gesichert, das auf seiner Unterseite aufgebracht wird. Das Licht emittierende Chipelement41 ist ein blaues Licht emittierendes Element, das aus einer Gallium-Nitrit-Halbleiterverbindung hergestellt wird, die gezüchtet wird, indem ein N-Halbleiter44 und ein P-Halbleiter45 über der oberen Oberfläche eines Elementsubstrats43 aus Saphirglas verteilt werden, wie in5 gezeigt. Der N-Halbleiter44 und der P-Halbleiter45 haben eine N-Elektrode46 bzw. eine P-Elektrode47 , die über die Verbindungsdrähte48 ,49 mit der Kathodenelektrode33 bzw. der Anodenelektrode34 verbunden sind, welche auf dem Substrat32 zur Verfügung gestellt werden. Die Versorgung mit einer vorbestimmten Menge von Strom bewirkt das Emittieren von blauem Licht aus dem Licht emittierenden Chipelement41 . - Diese Erfindung wird charakterisiert durch ein Material zur Änderung der Wellenlänge, welches, wenn es Licht von dem Licht emittierenden Chipelement
41 empfängt, die Wellenlänge des empfangenen Lichts ändert, und ebenso durch eine Wellenlängenabsorbierendes Material, welches, wenn es Licht von dem Licht emittierenden Chipelement und dem Wellenlänge ändernden Material empfängt, einen Teil der Wellenlänge des empfangenen Lichts absorbiert. Genauer gesagt ist das Wellenlänge ändernde Material in dieser Ausführungsform aus fluoreszierenden Partikeln52 und das Wellenlänge absorbierende Material aus färbenden Partikeln53 hergestellt. - Die fluoreszierenden Partikel
52 und die färbenden Partikel53 werden vorzugsweise in einem Abdeckungsbauteil verteilt, zum Beispiel einem Licht transmittierenden Kunstharzmaterial55 , welches das Licht emittierende Chipelement41 einschließt und versiegelt und das Substrat32 schützt. Insbesondere ist das Kunstharzmaterial55 ein transparentes Basismaterial aus einem Silikonkunstharz, das mit passenden Mengen von Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) dem Material für die fluoreszierenden Partikel52 und mit Farbstoff, dem Material für die färbenden Partikel53 , gemischt ist. Die zugefügten Materialien werden gleichförmig verteilt. Das Kunstharzmaterial, das die fluoreszierenden Partikel52 und die färbenden Partikel53 enthält, ist in einer rechteckigen, parallelepiped-Form über der oberen Oberfläche des Substrats42 gebildet, mit Ausnahme der Durchgangsbohrungen35 in der Kathodenelektrode33 und der Anodenelektrode34 . - Der Farbstoff, der für die färbenden Partikel
53 genutzt wird, wird wie folgt hergestellt. Beispielsweise werden angemessene Mengen von vier Verbindungen – Phtalocyanin-Verbindungen, Anthrachinon-Verbindungen, azo-Verbindungen und Chinophtalon-Verbindungen – gemischt, um im Vorgriff sechs Farben zu erzeugen, d.h. Blau, Grün, Gelb, Orange, Rot und Violett. In diesem Fall wird ein Blau hergestellt aus der Phtalocyanin-Verbindung und ein Grün wird hergestellt, in dem die Phtalocyanin-Verbindung und die Anthrachinon-Verbindung gemischt werden. Ein Gelb wird aus der Chinophtalon-Verbindung hergestellt und ein Orange und ein Rot werden hergestellt, in dem die Anthrachinon-Verbindung und die azo-Verbindung gemischt werden. Ein Violett wird entweder hergestellt, in dem die Anthrachinon-Verbindung genutzt wird, oder in dem die Phtalocyanin-Verbindung, die Anthrachinon-Verbindung und die azo-Verbindung gemischt werden. In dieser Ausführungsform werden diese sechs Farben, die in dieser Art und Weise im Vorgriff produziert werden, weiter gemischt, um die gewünschte Färbung herzustellen. Die färbenden Partikel53 sind nicht beschränkt auf die oben beschriebenen Farbstoffe, auch ein Pigment kann ebenso genutzt werden. - Bei der Licht emittierenden Diode
31 dieser Ausführungsform wird blaues Licht in einer Grenzschicht zwischen dem N-Halbleiter44 und dem P-Halbleiter45 produziert, wenn ein Strom durch das Licht emittierende Chipelement41 fließt. Das blaue Licht wird als blaue Strahlen von Licht56 in verschiedene Richtungen emittiert, aufwärts, seitwärts und abwärts. Die blauen Strahlen56 , die insbesondere nach oben emittiert werden, regen die fluoreszierenden Partikel52 , die im Kunstharz-Material55 verteilt sind, an, um gelbe Strahlen57 mit geänderter Wellenlänge mit einem weiteren Bereich von Wellenlängen zu produzieren, welche ihrerseits fortfahren, in allen Richtungen durch das Kunstharzmaterial55 hindurchzutreten. Gleichzeitig, wenn die gelben Strahlen57 und die blauen Strahlen56 durch die färbenden Partikel53 , die im Kunstharzmaterial55 verteilt sind, hindurchtreten, absorbieren die färbenden Partikel53 Teile der Wellenlängen der gelben Strahlen57 und der blauen Strahlen56 und erzeugen derart eine Vielzahl von Strahlen58 in Zwischenfarben. Jede Zwischenfarbe der Strahlen58 kann gebildet werden, in dem die Art und Menge des Farbstoffs, des Materials für die färbenden Partikel53 , die gleichmäßig im Kunstharzmaterial55 verteilt sind, gewählt wird. Die Helligkeit einer Zwischenfarbe kann justiert werden, in dem der Stromfluss durch das Licht emittierende Chipelement41 gesteuert wird. -
6 ist ein CIE-Farbdiagramm, das ein Ergebnis einer Farbmessung zeigt, wenn eine Vielzahl von Zwischenfarben der Strahlen58 durch die Licht emittierende Diode31 produziert werden. Das Diagramm hat gezeigt, dass, obwohl die Farbe des erzeugten Lichts in Abhängigkeit von der Art der färbenden Partikel53 variiert, viele Strahlen einen Zwischenfarbenbereich beobachtet wurden und wenige Strahlen leuchten in den Bereichen auf oder in der Nähe der Linien auf, die die rote LED, blaue LED und grüne LED verbinden, welche nahe zu den Grundfarben sind. -
7 zeigt eine Licht emittierende Diode gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. In dieser Ausführungsform wird das Klebemittel51 , das das Licht emittierende Chipelement41 auf das Substrat42 klebt, ebenso mit fluoreszierenden Partikeln52 gemischt, um eine fluoreszierende Klebeschicht60 zu bilden, so dass die Strahlen von Licht, die sich abwärts vom Licht emittierenden Element41 bewegen, ebenfalls in der Wellenlänge geändert werden können und derart eine hellere Zwischenfarbe des Lichts erzeugen. Da die übrigen körperlich bedingten Merkmale Licht ähnlich zu denen aus der ersten Ausführungsform, die in den3 bis5 gezeigt ist, sind, werden deren detaillierte Erklärungen ausgelassen. Weil in dieser Ausführungsform die fluoreszierenden Partikel52 in das Klebemittel51 gemischt sind, regen die blauen Strahlen56 , die sich vom Licht emittierenden Chipelement41 abwärts bewegen, die fluoreszierenden Partikel52 , welche in der fluoreszierenden Klebeschicht60 verteilt sind, an und gleichzeitig regen die blauen Strahlen56 , die sich vom Licht emittierenden Chipelement41 aufwärts bewegen, die fluoreszierenden Partikel42 , die in das Kunstharz-Material55 gemischt sind, an und erzeugen derart hellere gelbe Strahlen57 . Weiterhin steigt auch die Helligkeit der Zwischenfarbe an, weil die Menge von Strahlen in einer Zwischenfarbe58 , die erzeugt wird, in dem das emittierte Licht durch die gefärbten Partikel53 tritt, ansteigt. - Als nächstes werden die Merkmale der Lichtemission in der Licht emittierenden Diode
61 der zweiten Ausführungsform mit Bezug auf7 erläutert. Wenn ein Strom durch das Licht emittierende Chipelement41 fließt, wird blaues Licht an der Grenzschicht zwischen dem N-Halbleiter44 und dem P-Halbleiter45 erzeugt. Das blaue Licht wird als blaue Strahlen von Licht56 in verschiedenen Richtungen aufwärts, seitwärts und abwärts emittiert. Die blauen Strahlen56 , die im speziellen abwärts emittiert werden, regen die fluoreszierenden Partikel52 an, die verstreut in der fluoreszierenden Klebeschicht60 verteilt sind, um gelbe Strahlen57 mit geänderter Wellenlänge zu erzeugen, welche sich wiederum in alle Richtungen fortbewegen. Dann werden die gelben Strahlen57 und die blauen Strahlen56 durch die färbenden Partikel53 , die im Kunstharzmaterial55 verteilt sind, absorbiert und erzeugen derart die gewünschte Zwischenfarbe des Lichts58 . Wie bei der ersten Ausführungsform kann eine gewünschte Zwischenfarbe des Lichts58 erreicht werden, indem eine geeignete Art und Menge eines Farbstoffs, dem Material für die färbenden Partikel53 , die im Kunstharzmaterial55 enthalten sind, ausgewählt wird. Durch Steuerung des Stroms, der an das Licht emittierende Chipelement41 angelegt wird, kann die Helligkeit der erzeugten Lichts justiert werden. - In jeder der oben genannten Ausführungsformen haben wir einen Chiptyp erklärt, der eine Licht emittierende Diode direkt oberflächenmontiert auf die gedruckten Leiterbahnen
38 ,39 , ist die auf der oberen Oberfläche der Trägerleitplatte37 wie in4 gezeigt zur Verfügung gestellt werden. Es sollte angemerkt werden, dass die Licht emittierende Diode gemäß dieser Erfindung ebenso bei einer Licht emittierende Diode des Bleirahmentyps angewandt werden kann. Das heißt, eine gewünschte Zwischenfarbe des Lichts kann erzeugt werden, in dem ein blaues Licht emittierendes Chipelement aus einer Gallium-Nitrit-Halbleiterverbindung fest auf einer Basis montiert wird und ein patronenförmiges Versiegelungsbauteil aus Kunstharz mit verstreut verteilten geeigneten Mengen von fluoreszierenden Partikeln52 und färbenden Partikeln53 damit verbunden wird. - Obwohl wir in den obigen Ausführungsformen den Fall beschrieben haben, bei dem das Licht emittierende Chipelement und die Elektroden durch Drahtanschlüssen verbunden sind, ist die vorliegende Erfindung nicht auf dieses Verbindungsverfahren beschränkt, sondern beinhaltet andere Verbindungsmethoden wie die Flip-Chip-Montage mittels Lötpunkten.
- Wie oben beschrieben, kann die vorliegende Erfindung eine Licht emittierende Diode zur Verfügung stellen, die eine Zwischenfarbe von Licht einem einzelnen Licht emittierenden Chipelement emittiert, indem fluoreszierende Partikel und färbende Partikel verstreut in dem Kunstharzmaterial, was das Licht emittierende Chipelement versiegelt, verteilt werden. Darüber hinaus kann der Bereich der Wellenlänge, der absorbiert wird, und die Menge der Wellenlängenabsorption geändert werden, in dem das Mengenverhältnis zwischen den fluoreszierenden Partikeln und den färbenden Partikeln, die verstreut in dem Kunstharzmaterial verteilt sind, angepasst wird, so dass eine Vielzahl von Zwischenfarben von Licht erzeugt werden kann.
- Darüber hinaus kann die Größe der Licht emittierenden Diode verringert werden, weil es keine Notwendigkeit gibt, zwei oder mehr Lichtemittierende Chipelemente mit unterschiedlichen Farben von emittiertem Licht zu integrieren, wie es bei der konventionellen Technik notwendig ist.
- Weiterhin besteht keine Notwendigkeit, die Ströme, die an das Licht emittierende Chipelement angelegt werden, zu steuern, wie dies bei konventionellen Licht emittierenden Dioden notwendig ist, weil die Farbe des von der Licht emittierenden Diode emittierten Lichts durch Auswahl der fluoreszierenden und färbenden Partikel, die in das Kunstharzmaterial gemixt sind, ausgewählt werden kann.
- Die Licht emittierende Diode gemäß der vorliegenden Erfindung wird vorteilhaft genutzt als Licht emittierende Diode vom Chiptyp, um eine Zwischenfarbe von Licht zu emittieren und weist ebenso eine Struktur auf, die für Massenproduktion geeignet ist.
- Es sollte angemerkt werden, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Ausführungsformen beschränkt ist, die oben beschrieben sind und das verschiedene Änderungen und Modifikationen gemacht werden können, ohne sich vom Schutzbereich dieser Erfindung zu entfernen.
Claims (5)
- Licht emittierende Diode (
31 ,61 ), die Folgendes aufweist: – ein Substrat (32 ); – Elektroden (33 ,34 ), die auf dem Substrat (32 ) gebildet sind; – ein Licht emittierender Diodenchip (41 ), der elektrisch mit den Elektroden (33 ,34 ) verbunden ist und mittels eines Klebemittels (51 ) auf einer oberen Oberfläche des Substrats (32 ) angebracht ist; – ein Kunstharzmaterial (55 ) für das Versiegeln von oberen und seitlichen Oberflächen des Licht emittierenden Diodenchips (41 ); und – fluoreszierende Partikel (52 ) und färbende Partikel (53 ), welche in dem Kunstharzmaterial (55 ) verteilt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die färbenden Partikel (53 ) eine oder mehrere Kombinationen von zwei oder mehr Farbstoffen aus der Gruppe der Phthalocyanine-, Antrachinone-, Azo- und Chinophthalon-Verbindungen sind, und dass die Wellenlänge des Lichts (56 ), das von dem Licht emittierenden Diodenchip (41 ) emittiert wird, teilweise von den fluoreszierenden Partikeln (52 ) umgewandelt wird und dass die Wellenlängen des in der Wellenlänge umgewandelten Lichts (57 ) und die Wellenlänge des Lichts (56 ), das von dem Licht emittierenden Diodenchip emittiert wird, teilweise von den färbenden Partikeln (53 ) absorbiert wird, um ein Licht in einer Zwischenfarbe (58 ) aus der Licht emittierenden Diode (31 ,61 ) zu emittieren. - Licht emittierende Diode (
31 ,61 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die fluoreszierenden Partikel (52 ) aus Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) hergestellt sind. - Licht emittierende Diode (
31 ,61 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Licht emittierende Diodenchip (41 ) ein Diodenchip (41 ) ist, der aus einer Gallium-Nitrit-Halbleiterverbindung hergestellt ist und ein blaues Licht (56 ) emittiert. - Licht emittierende Diode (
31 ,61 ), die folgendes aufweist: – ein Substrat (32 ); – Elektroden (33 ,34 ), die auf dem Substrat gebildet sind; – einen Licht emittierenden Diodenchip (41 ), der elektrisch mit den Elektroden (33 ,34 ) verbunden ist und mittels eines Klebemittels (51 ) auf einer oberen Oberfläche des Substrates (32 ) angebracht ist und dazu ausgebildet ist, blaues Licht (56 ) zu emittieren; – ein Kunstharzmaterial (55 ) für das Versiegeln von oberen und seitlichen Oberflächen des Licht emittierenden Diodenchips (41 ); und – fluoreszierende Partikel (52 ) und färbende Partikel (53 ), welche in dem Kunstharzmaterial (55 ) verteilt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die färbenden Partikel (53 ) durch eine Kombination der sechs Farben Blau, Grün, Gelb, Orange, Rot und Violett, derart angepasst sind, dass sie eine gewünschte Lichtfarbe (58 ) emittieren, wobei diese sechs Farben vorher hergestellt werden durch eine Kombination von vier Arten von Verbindungen, nämlich Phthalocyaninen-, Anthrachinonen-, Azo- und Chinophthalone-Verbindungen, und dass die Wellenlänge des Lichts (56 ), die von dem Licht emittierenden Diodenchip emittiert wird, teilweise durch die fluoreszierenden Partikel (52 ) umgewandelt wird und dass die Wellenlängen des umgewandelten Lichts (57 ) und die Wellenlänge des Lichts (56 ), das von dem Licht emittierenden Diodenchip emittiert wird, teilweise von den färbenden Partikeln (53 ) absorbiert wird, um ein Licht einer Zwischenfarbe (58 ) aus der Licht emittierenden Diode (41 ) zu emittieren. - Licht emittierende Diode (
31 ,61 ) nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die fluoreszierenden Partikel (52 ) und die färbenden Partikel (53 ) in dem Kunstharzmaterial (55 ) zum Versiegeln der oberen und seitlichen Oberflächen des Licht emittierenden Diodenchips (41 ) und in dem Klebemittel (51 ) für das Anbringen des Licht emittierenden Diodenchips (41 ) auf der oberen Oberfläche des Substrats (32 ) verteilt sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000298579A JP3609709B2 (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | 発光ダイオード |
JP2000298579 | 2000-09-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE20122795U1 true DE20122795U1 (de) | 2007-12-27 |
Family
ID=18780519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE20122795U Expired - Lifetime DE20122795U1 (de) | 2000-09-29 | 2001-09-12 | Lichtemittierende Diode mit Materialien zur Wellenlängenumwandlung und Absorption |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6744194B2 (de) |
EP (1) | EP1193772A3 (de) |
JP (1) | JP3609709B2 (de) |
KR (1) | KR100448416B1 (de) |
CN (1) | CN1202577C (de) |
DE (1) | DE20122795U1 (de) |
TW (1) | TWI257712B (de) |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190622A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオード用透光性蛍光カバー |
KR20030060281A (ko) * | 2002-01-08 | 2003-07-16 | 주식회사 이츠웰 | 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 디스플레이 |
KR100567548B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP4360788B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 液晶表示板用のバックライト及びそれに用いる発光ダイオードの製造方法 |
JP3782411B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP4185352B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2008-11-26 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
DE10361801A1 (de) * | 2003-12-30 | 2005-08-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
TWI275189B (en) | 2003-12-30 | 2007-03-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component |
JP2005353802A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
US20060006366A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Vladimir Abramov | Wave length shifting compositions for white emitting diode systems |
US20060044806A1 (en) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | Abramov Vladimir S | Light emitting diode system packages |
JP2006073950A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Kansai Electric Power Co Inc:The | 高耐熱半導体装置 |
KR20060023443A (ko) * | 2004-09-09 | 2006-03-14 | 이희목 | 발광 장치 |
KR20070085321A (ko) * | 2004-10-12 | 2007-08-27 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 광원 |
US7564180B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-07-21 | Cree, Inc. | Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors |
US8125137B2 (en) | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
DE102006004397A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
EP2372224A3 (de) * | 2005-12-21 | 2012-08-01 | Cree, Inc. | Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungsverfahren |
JP5614766B2 (ja) | 2005-12-21 | 2014-10-29 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | 照明装置 |
KR20090009772A (ko) | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
JP2007173673A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Okaya Electric Ind Co Ltd | カラー発光ダイオード |
KR100748239B1 (ko) | 2006-02-06 | 2007-08-09 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
US8998444B2 (en) | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
EP2052589A4 (de) | 2006-04-18 | 2012-09-19 | Cree Inc | Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren |
US7821194B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
US8513875B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US9084328B2 (en) | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
BRPI0710461A2 (pt) | 2006-04-20 | 2011-08-16 | Cree Led Lighting Solutions | dispositivo de iluminação e método de iluminação |
US8596819B2 (en) | 2006-05-31 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | Lighting device and method of lighting |
US8029155B2 (en) | 2006-11-07 | 2011-10-04 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
JP5367218B2 (ja) | 2006-11-24 | 2013-12-11 | シャープ株式会社 | 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法 |
US9441793B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-09-13 | Cree, Inc. | High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting |
US7918581B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-04-05 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US8506114B2 (en) | 2007-02-22 | 2013-08-13 | Cree, Inc. | Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light |
DE102007015474A1 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
BRPI0811561A2 (pt) | 2007-05-08 | 2015-06-16 | Cree Led Lighting Solutions | Dispositivo de iluminação e método de iluminação |
KR20100017668A (ko) | 2007-05-08 | 2010-02-16 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 및 조명 방법 |
WO2008137977A1 (en) | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device and lighting method |
KR101485206B1 (ko) | 2007-05-08 | 2015-01-27 | 크리, 인코포레이티드 | 조명 장치 및 조명 방법 |
CN101688644B (zh) | 2007-05-08 | 2011-06-15 | 科锐Led照明科技公司 | 照明装置及照明方法 |
CN101688115B (zh) | 2007-07-09 | 2013-03-27 | 夏普株式会社 | 荧光体粒子组以及使用其的发光装置 |
US7863635B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
TWI481068B (zh) | 2007-10-10 | 2015-04-11 | 克里公司 | 照明裝置及其製造方法 |
DE102008015941A1 (de) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beleuchtungseinrichtung |
JP2009239116A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Sharp Corp | 発光装置 |
US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
JP2009252898A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
US8240875B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
CN101330119B (zh) * | 2008-07-22 | 2010-06-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种染料激活的绿色发光二极管的制备方法 |
US20100033091A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Glory Science Co., Ltd. | Light emitting unit and method of manufacturing the light emitting unit |
US7967652B2 (en) | 2009-02-19 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US8333631B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-12-18 | Cree, Inc. | Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices |
US9000664B2 (en) * | 2009-04-06 | 2015-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Phosphor particle group, light emitting apparatus using the same, and liquid crystal display television |
JP2010245481A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
US8921876B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
KR101098006B1 (ko) | 2009-09-29 | 2011-12-23 | 한국화학연구원 | (할로)실리케이트계 형광체 및 이의 제조방법 |
US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
CN102656248B (zh) | 2010-01-08 | 2014-07-16 | 夏普株式会社 | 荧光体、发光装置及使用它的液晶显示装置 |
TWI393274B (zh) * | 2010-02-26 | 2013-04-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
US20110291132A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Fang-Chang Liu | Light-emiting device with improved color rendering index |
US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
US9435524B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Liquid cooled LED systems |
US9482421B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-11-01 | Cree, Inc. | Lamp with LED array and thermal coupling medium |
US9335531B2 (en) | 2011-12-30 | 2016-05-10 | Cree, Inc. | LED lighting using spectral notching |
WO2013179624A1 (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-05 | パナソニック株式会社 | Ledモジュール、照明器具及びランプ |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
US9960322B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-05-01 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices incorporating notch filtering materials |
KR102530385B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2023-05-09 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 청색 색소를 갖는 청색 방출 인광체 변환 led |
KR101639992B1 (ko) | 2015-06-04 | 2016-07-15 | 한국화학연구원 | 알칼리토금속 실리케이트를 이용한 산질화물계 형광체의 제조방법 |
JP6632834B2 (ja) | 2015-08-24 | 2020-01-22 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
US10260683B2 (en) | 2017-05-10 | 2019-04-16 | Cree, Inc. | Solid-state lamp with LED filaments having different CCT's |
KR102452484B1 (ko) | 2017-08-11 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 모듈 |
KR102049524B1 (ko) | 2018-03-08 | 2020-01-08 | 주식회사 한국공업엔지니어링 | 와전류탐상검사를 이용하여 튜브 확관부의 결함 측정을 위한 대비시험편 및 이를 이용한 결함측정방법 |
CN112526784A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 李崇华 | 发光二极管装置及包含其之背光模块与显示设备 |
CN114188456A (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-15 | 李崇华 | 白光发光二极管及其背光模块与显示设备 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
KR100643442B1 (ko) * | 1996-06-26 | 2006-11-10 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자 |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP3065544B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2000-07-17 | スタンレー電気株式会社 | 蛍光剤入りledランプ |
US5895932A (en) * | 1997-01-24 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes |
JP3327170B2 (ja) * | 1997-05-17 | 2002-09-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2998696B2 (ja) * | 1997-05-17 | 2000-01-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
JP4271747B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2009-06-03 | 株式会社朝日ラバー | 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源 |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
JPH11145519A (ja) * | 1997-09-02 | 1999-05-28 | Toshiba Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置 |
KR20000007067A (ko) * | 1999-11-23 | 2000-02-07 | 김창태 | 형광물질을 가진 엘이디 패키지 제조방법 |
KR200181326Y1 (ko) * | 1999-12-24 | 2000-05-15 | 서울반도체주식회사 | 색변환 발광다이오드 |
JP3809760B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2006-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
KR200205427Y1 (ko) * | 2000-05-10 | 2000-12-01 | 이정훈 | 파장 변환 발광 다이오드 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298579A patent/JP3609709B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-12 TW TW090122637A patent/TWI257712B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-12 DE DE20122795U patent/DE20122795U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-12 EP EP01307756A patent/EP1193772A3/de not_active Withdrawn
- 2001-09-17 US US09/953,302 patent/US6744194B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-17 KR KR10-2001-0057106A patent/KR100448416B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-28 CN CNB011412135A patent/CN1202577C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1193772A3 (de) | 2006-03-29 |
JP2002111073A (ja) | 2002-04-12 |
CN1202577C (zh) | 2005-05-18 |
JP3609709B2 (ja) | 2005-01-12 |
US20020039002A1 (en) | 2002-04-04 |
EP1193772A2 (de) | 2002-04-03 |
KR20020025696A (ko) | 2002-04-04 |
KR100448416B1 (ko) | 2004-09-13 |
US6744194B2 (en) | 2004-06-01 |
CN1345098A (zh) | 2002-04-17 |
TWI257712B (en) | 2006-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20080131 |
|
R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20080318 |
|
R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years |
Effective date: 20091201 |
|
R071 | Expiry of right |