DE2006276A1 - Verfahren zum rationellen Herstellen von Feldeffekt Transistoren mit isolierten Feldelektroden, insbesondere mit phosphor kompensierten Isolierschichten aus SiO tief 2 - Google Patents

Verfahren zum rationellen Herstellen von Feldeffekt Transistoren mit isolierten Feldelektroden, insbesondere mit phosphor kompensierten Isolierschichten aus SiO tief 2

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