DE2001565A1 - Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number
DE2001565A1
DE2001565A1 DE19702001565 DE2001565A DE2001565A1 DE 2001565 A1 DE2001565 A1 DE 2001565A1 DE 19702001565 DE19702001565 DE 19702001565 DE 2001565 A DE2001565 A DE 2001565A DE 2001565 A1 DE2001565 A1 DE 2001565A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
field plate
layer
junction
semiconductor body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702001565
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Joseph Kocsis
Bohumil Polata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Signetics Corp
Original Assignee
Signetics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Signetics Corp filed Critical Signetics Corp
Publication of DE2001565A1 publication Critical patent/DE2001565A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/111—Field plates
    • H10D64/112—Field plates comprising multiple field plate segments
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/40—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of IGFETs with BJTs
    • H10D84/401—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs
    • H10D84/403—Combinations of FETs or IGBTs with BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H10D84/406—Combinations of FETs or IGBTs with vertical BJTs and with one or more of diodes, resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/811—Combinations of field-effect devices and one or more diodes, capacitors or resistors
    • H10D84/813—Combinations of field-effect devices and capacitor only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
DE19702001565 1969-01-16 1970-01-15 Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben Pending DE2001565A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79166569A 1969-01-16 1969-01-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2001565A1 true DE2001565A1 (de) 1970-07-30

Family

ID=25154415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702001565 Pending DE2001565A1 (de) 1969-01-16 1970-01-15 Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE2001565A1 (https=)
FR (1) FR2028452B1 (https=)
GB (1) GB1289953A (https=)
NL (1) NL7000511A (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2922250A1 (de) * 1979-05-31 1980-12-11 Siemens Ag Lichtsteuerbarer transistor

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1430438A (fr) * 1964-04-16 1966-03-04 Northern Electric Co Dispositifs semi-conducteurs renfermant un écran conducteur

Also Published As

Publication number Publication date
GB1289953A (https=) 1972-09-20
FR2028452A1 (https=) 1970-10-09
NL7000511A (https=) 1970-07-20
FR2028452B1 (https=) 1974-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3881304T2 (de) MOS-Transistor.
DE2143029C3 (de) Integrierte Halbleiterschutzanordnung für zwei komplementäre Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE69322963T2 (de) Eine integrierte Vorrichtung mit einem bipolaren Transistor und einem MOSFET Transistor in Emittorschaltungsanordnung
DE2559360A1 (de) Halbleiterbauteil mit integrierten schaltkreisen
DE2313312A1 (de) Integrierte schaltung mit isolierte gate-elektroden aufweisenden feldeffekttransistoren
DE2342637A1 (de) Zenerdiode mit drei elektrischen anschlussbereichen
DE1614373B1 (de) Monolithische integrierte Halbleiterschaltung
DE1964979C3 (de) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2832154A1 (de) Halbleitervorrichtung mit isoliertem gate
CH495633A (de) Halbleiteranordnung
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE2300116A1 (de) Hochfrequenz-feldeffekttransistor mit isolierter gate-elektrode fuer breitbandbetrieb
DE2045567C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE2133976A1 (de) Halbleiteranordnung, insbesondere mono hthische integrierte Schaltung, und Ver fahren zu deren Herstellung
DE2406807B2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3119288A1 (de) Halbleiteranordnung
DE69026675T2 (de) MIS-Kapazitätselement
DE2116106A1 (de) Inverser Transistor
DE2953394T1 (de) Dielectrically-isolated integrated circuit complementary transistors for high voltage use
DE1639349B2 (de) Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung eines solchen Feldeffekt-Transistors in einer integrierten Schaltung
DE2247911C2 (de) Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung
DE1639177C3 (de) Monolithisch integrierte Gleichrichterschaltung
DE69031610T2 (de) Monolitisch integrierte Halbleitervorrichtung, die eine Kontrollschaltung und einen Leistungsteil mit vertikalem Stromfluss umfasst, und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2046053A1 (de) Integrierte Schaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OHN Withdrawal