DE2001565A1 - Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleitervorrichtung fuer hohe Spannung,insbesondere vom Bipolar-Typ,und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung derselben

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DE2001565A1 DE19702001565 DE2001565A DE2001565A1 DE 2001565 A1 DE2001565 A1 DE 2001565A1 DE 19702001565 DE19702001565 DE 19702001565 DE 2001565 A DE2001565 A DE 2001565A DE 2001565 A1 DE2001565 A1 DE 2001565A1
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Description

Signetics Corporation,
Sunnyvale, Kalif. (V.St.A.)
Halbleitervorrichtung für hohe Spannung, insbesondere vom Bipolar-Typ, und integrierte Schaltung mit einer derartigen Vorrichtung, sowie Verfahren zur Herstellung derselben.
Für diese Anmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden US-Anmeldung Serial-No. 791 665 vom 16. Januar I969 in Anspruch genommen. ■
Es gibt bereits Halbleitervorrichtungen für verhältnismäßig hohe Spannungen. Diese Vorrichtungen stehen jedoch für sich allein und haben außerdem einen Mesaaufbau. Für integrierte Schaltungen, die typischerweise von planarem Aufbau sind, war es bisher sehr schwierig, Vorrichtungen herzustellen, die eine Spannung von mehr als 5o Volt aushalten können. Das trifft allgemein zu, da zur Diffusion ausgewählter Bereiche eines Planaraufbaues eine dünne Oxidschicht auf der Oberfläche der Siiiziumscheibe vorhanden sein muß. Positive Ladungen innerhalb des Oxids, die durch Spuren von Natrium hervorgerufen werden, ziehen Elektronen an der Oberfläche der Scheibe an. Um eine hohe Durchbruchspannung zu erzielen, muß die Konzentration von Trägern sehr gering sein (d.h. der= spezifische Widerstand muß sehr hoch sein), damit die durch die angelegte Span-
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nung hervorgerufene trägerfreie Zone (die Verarmungsschicht) eine ausreichende Dicke aufweist, um das elektrische Feld unterhalb des kritischen Wertes für Silizium zu halten (angenähert 3o Volt pro u). Wenn sich in dem Oberflächenoxid positive Ladungen befinden und das Silizium einen hohen spezifischen Widerstand aufweist, kann die Trägerkonzentration in der Nähe der Oberfläche ein Vielfaches derjenigen der £>iliziummasse betragen. Die Verarmungsschicht begrenzt daher die Lrhöhung des Feldes und den Durchbruch der Vorrichtungen auf eine Spannung, die weit unterhalb des beabsichtigten Viertes liegt. Auch dann, wenn die Ladungen in der Oxidschicht entfernt wenden könnten, würde der kleine Halbmesser des diffundierten Easisüberganges (von etwa 2μ) das Feld um den Übergang herum konzentrieren (in der Art eines Korona-Effektes) und damit einen vorzeitigen Durchbruch hervorrufen. Es oesteht daher ein dringender Eedarf für eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung, durch welches die Her-P stellung von Halbleitervorrichtungen für hohe Spannungen und insbesondere von Eipolar-Transistoren, Dioden und integrierten Schaltungen, die derartige Halbleitervorrichtungen enthalten, ermöglicht wird.
Die Aufgabe der Erfindung besteht ganz allgemein darin, eine Halbleitervorrichtung, insbesondere bipolarer Ausführung, sowie auch eine integrierte Schaltung, die eine derartige Vorrichtung enthält, und ein Verfahren zu,schaffen, durch welches die Herstellung von Halbleitervorrichtuiigen für hohe .
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Spännungen ermöglicht wird* Die Vorrichtung soll eine als FeId- : platte dienende metallisierte Schicht aufweisen, und' Feldplatte undKontaktelemente sollen aus einer einzigen metallisierten Schicht bestehen. Die Verfahrensschritte des erfindungsgemäßeh Verfahrens sollen verträglieh sein mit den Verfahrensschritten, die bei der Herstellung herkömmlicher integrierter Schaltungen ausgeführt werden. Eine bipolare Halbleitervorrichtung Und eine integrierte Schaltung, welche eine derartige Vorrichtung aufweist, sollen sich für verschiedene Isolationstypen, einschließlich Übergangsisolation und dielektrische Isolation, sowie auch für einen epitaxialen Aufbau verwenden lassen*
Die erfindungsgemäß vorgeschlagene Halbleitervorrichtung weist einen Halbleiterkörper mit einer planaren Oberfläche auf. In dem Halbleiterkörper ist eine erste Zone von einen- ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. In dem Körper" ist innerhalb der ersten £orie eine zweite Zone eines zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, so daß ein erster pn-übergang gebildet wird, der bis zur Oberfläche reicht. Bei einem Transistor ist in den Körper" innerhalb der zweiten Zone eine dritte Zone von dem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet und bildet einen zweiten pn-übergang, der bis zur Oberfläche reicht. r.ine Schicht aus einem isolierender, "aterial -befindet sicr. auf der planareh Oberfläche und bedeckt allgeuein den ersten und den zweiten pn-übergang. Kontaktelemente sind durch die Schicht aus Isoliermaterial durchgeführt und stehen in Ver-
bindung mit wenigstens bestimmten Zonen. Auf der Schicht aus einem isolierenden Material befindet sich ein metallischer Belag, der wenigstens einen Abschnitt der Zone bedeckt, die über den ersten pn-übergang hinausgeführt ist und als Feldplatte bezeichnet werden kann. Die Feldplatte drückt Elektronen von der Oberfläche weg, verlagert die Verarmungsschicht in die Masse des Halbleiterkörpers und breitet die Verarmungsschicht in einer Ebene, die zur Ebene der planaren Oberfläche allgemein parallel ist, über einen größeren Bereich aus, wenn eine Bipolar-Vorrichtung durch eine dielektrische Isolation von der übrigen Schaltung isoliert ist.
Weitere Merkmale der Erfindung sind aus der nachstehenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele ersichtlich, die anhand der Zeichnungen erläutert werden.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Bipolar-Halbleitervorrichtung, d.h. einen Transistor nach der Erfindung.
Fig. 2 ist ein Querschnitt entlang der Linie 2-2 der Fig. 1.
Figuren 3, ^ und 5 sind Schaltungen und zeigen die Anschlußmöglichkeiten für die Feldplatte eines Bipolar-Transistors der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführung.
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf eine integrierte Schaltung nach der Erfindung.
Fig. 7 ist ein Querschnitt entlang der Linie 7-7 der Fig. 6.
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Pig. 8 ist ein Querschnitt entlang der Linie 8-8 der '■'.'■ ■-■■ Fig. 6. ■ ' ■·■"'.
"■Fig-. 9 ist eine graphische Darstellung und zeigt die kennlinien eines typischen Hochspannungstransistors nach der Erfindung.
Figuren Io und 11 sind Schaltungen und zeigen die Anschlußmöglichkeiten für die geteilten Feldplatten eines Bipolar-Transistors.
Fig.12 ist ein Querschnitt durch eine Hochspannungsdiode nach der Erfindung.
Fig.13 ist ein Querschnitt durch einen Ausschnitt einer integrierten Schaltung von epitaxialem Aufbau nach der Erfindung.
Zur Herstellung eines Bipolar-Transistors der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Ausführung wird ein Halbleiterkörper 11 verwendet. Der Halbleiterkörper 11 besteht vorzugsweise aus einfachkristallinem oder monokristallinem Silizium,
.■"■"■■-■ ■.- ' ■ . sollte den gewünschten spezifischen Widerstand (Resistivität) und außerdem eine Dicke aufweisen, die ausreichend bemessen ist, damit die Kollektordicke die gewünschte Spannung aushalten kann. Wenn beispielsweise ein Bipolar-Transistor hergestellt werden soll, der beispielsweise 25o Volt aufnehmen kann, verwendet man Silizium mit einem spezifischen Widerstand von 3o bis 5o Ohm χ cm in einer Dicke von angenähert 4o bis 6o y. Der Halbleiterkörper. Ii weist eine planare Ober-
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t i ,
fläche 12 auf. Nachdem der Halbleiterkörper ausgewählt worden ist, wird der Bipolar-Transistor innerhalb des Halbleiterkörpers 11 auf eine im wesentlichen bekannte Weise ausgebildet, so daß ein Bipolar-Transistor mit einem Planar-Aufbau entsteht. Dabei wird typischerweise eine Schicht 13 aus eineir. geeigneten isolierenden Material auf der planaren Oberfläche
12 ausgebildet.
Innerhalb des Halbleiterkörpers wird eine erste Zone 16 von einem ersten Leitfähigkeitstyp durch Diffusion des gewünschten Fremdstoffes von diesem ersten Leitfähigkeitstyp· durch ein (nicht dargestelltes) Fenster in der Oxidschicht
13 ausgebildet. Ggf. kann auch der Halbleiterkörper rat einer geeigneten Dotierung versehen werden, so daß der gesamte Kalbleiterkörper als erste Zone oder typischerweise als die Kollektorzone eines Bipolar-Transistors dient. Zur Ausbildung der Kollektorzone wird typischerv/eise ein n-Fren:dstoff
in den Halbleiterkörper eindiffundiert. Am Boden des Körpers || 11 wird eine hochdotierte Schicht 15 ausgebildet, inderr. zusätzlicher Fremdstoff des gleichen Typs wie der Halbleiterkörper von der Rückseite oder der Bodenseite her in den Körper eindiffundiert wird.
Anschließend wird innerhalb der ersten Zone 16 eine zweite Zone 17 von einem zweiten oder entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Auch hier kann wieder typischerweise ein p-Frercdstoff durch eine in der Oxidschicht 13 ausgebildete Öffnung eindiffundiert werden, so daß ein erster pn-
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Übergang -1$.!!gebildet.wird, der im Querschnitt eine allgemein napf"förn]^.ge, BOrm aufweist und bis zur planeren .Oberfläche. 12 geführt ist. In einer, Bipolar-Transistor bildet die zweite Zone ij die Basis,^während :d0r pn-übergang 18 den Kollektor-Bas is-ü.bergang bildet. Eine dritte Zone 19 von dem ersten Leitfähigkeitstyp wird innerhalb der zweiten .Zone ausgebildet und bildet einenzweiten pn-übergang 21, der ebenfalls eine.allgemein nap ff örmige Form aufweist und bis zur Oberfläche 12 durchgeführt ißt, jedoch innerhalb des ersten pn-uberganges.ve.r- , setzt ist. Dieser übergang wird typischerweise als Easis-Emitter-Ubergang bezeichnet, wobei die dritte Zone .19 als Emitter... dient.
Die so weit beschriebenen Verfahrensschritte entsprechen im wesentlichen bekannten Maßnahmen. Nachdem alle Diffusionsschritte ausgeführt worden sind 6 kann die Oxidschicht 13 entfernt und dann erneut ausgebildet werden. Als nächstes werden in der Oxidschicht IJ Löcher. 22* 23 und 2 it ausgebildet, die dasu dienen, «ine Verbindung zu der ersten,- zweit en und dritten Zoiie herzusteilenj, welche als Kollektor bzVf* Basis oder Emitter dienen. Dasu werden h©rki5r.juiiche Kaskierungs- und ÄtEtechniken angewandt. Als-nächstes wird ein geeigneter Metallisierungsbelag auf die Isolationsschicht 13 und in die Löcher 22, 23 und 2Ί aufgebracht, wodurch eine Verbindung mit der ersten, zweiten und dritten Zone hergestellt wird. Vermittels geeigneter Maskierungs1- und Xtztechniken werden die unerwünschten Abschnitte der Metallisation entfernt, so daß
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entsprechend der Darstellung der Fig. 1 Kontaktelemente oder Leitungen 26, 27 und 28 übrigbleiben, die in Verbindung mit der ersten, zweiten bzw. dritten Zone stehen, so daß die Kontaktelemente die Verbindung jeweils zu dem Kollektor, der Basis bzw. dem Emitter herstellen. Ggf. kann der Kollektorkontakt für eine einzelne, für sich getrennt stehende Vorrichtung nicht wie in der Darstellung an der Oberseite, sondern an der Unterseite des Halbleiterkörpers angeordnet sein.
Zusätzlich ist eine durch die Metallisierung ausgebildete Metallplatte 31 vorgesehen, welche die Isolationsschicht 13 überlagert. Die Platte 3I1 die aus den nachstehend erläuterten Gründen als Feldplatte bezeichnet werden kann, hat eine solche Formgebung, daß sie wenigstens einen großen Teil der ersten Zone über den ersten pn-übergang hinaus überlagert, welcher in einem Bipolar-Transistor als Kollektor-Basis-Übergang bezeichnet wird. Die Platte 31 ist mit einem Kontaktelement 32 verbunden, das ebenfalls aus der zuvor aufgebrachten Iletallisierung ausgebildet ist.
Die Feldplatte 31 ist im allgemeinen in geometrischer Hinsicht verhältnismäßig genau ausgebildet, kann den Dasis-Kollektor-Cter£.ang bedecken und erstreckt sich von dem Basis-Kollektor-übergang über einen großen Teil der Basiszone nach außen, so daß sie die Verarmungsschicht bedeckt, welche durch die gestrichelte Linie 33 in Fig. 2 angedeutet ist und während des Betriebes aes Bipolar-Transistors ausgebildet wird. Die Verarmungsschicht erstreckt sich nicht bis zur n+
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Zone 15 nach unten, so daß die Hochspannungseigenschaft beibehalten wird. Für den Betrieb eines Bipolar-Transistors bei angenähert 25o Volt hat sich beispielsweise, als wünschenswert gezeigt, wenn die Feldplatte 31 von dem kollektor-Basis-übergang 18 um eine Strecke von 7»5 V nach innen, und von dem Kollektor-Basis-übergang um eine Strecke von 35 V nach außen vorsteht, so daß_ die Feldplatte eine Gesamtbreite von 42,5 V aufweist.
Um die Verwendung eines einzigen Metallisierungsbelages zu ermöglichen, ist die Feldplatte 31, welche die Emitterzone 19 allgemein umfaßt, auf einer Seite unterbrochen und bildet einen Zwischenraum 3^j durch den die Kontaktelemente 27 und 28 durchgeführt sind und eine Verbindung zu der Basis- und der Emitterzone herstellen. Es hat sich gezeigt, daß dadurch die Arbeitsweise der Feldplatte nicht merklich beeinträchtigt wird. Daher ist es vorzuziehen oder wünschenswert, die Feldplatte 31'ZU unterbrechen, damit die Feldplatte und alle Kontaktelemente aus einem einzigen Metallisierungsbelag ausgeführt werden können. Es ist jedoch darauf hinzuweisen, daß die Feldplatte 31 nach Wunsch auch als getrennter und unabhängiger Metallisierungsbelag und somit kontinuierlich ausgeführt werden kann, so daß sie den ganzen, über den Kollektor-Basis-übergang hinaus vorstehenden Ringabschnitt der Kollektorzone überlagert, wenn der Kollektor-Basis-übergang bis zur planaren Oberfläche 12 durchgeführt ist. Ein zusätzlicher. Belag von isolierendem Material kann dann auf die Feldplatte
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aufgebracht, und in dieser können Fenster ausgeschnitten werden, um durch einen zweiten Metallisierungsbelag, der auf dem Belag von Isolationsraaterial aufgebracht ist, welcher die Feldplatte überlagert, eine Verbindung zur Basis- und Emitterzone herzustellen.
Die Arbeitsweise des in den Figuren 1 und 2 dargestellten Eiplpar-Transistors in Verbindung mit der Feldplatte soll kurz beschrieben werden. Wie in den Figuren 3, 4 und 5 dargestellt ist, kann die schematisch dargestellte Feldplatte entweder entsprechend der Darstellung der Fig. 3 mit der Basis und mit Masse, oder entsprechend der Darstellung der Fig. 4 mit dem Emitter und Masse, oder entsprechend der Darstellung der Fig. 5 mit einer getrennten Spannungsquelle verbunden werden. Bei dem vorstehend beschriebenen npn-Bipolar-Transistor sind sowohl der Enitter und die Basis negativ in bezug auf den Kollektor, so daß die Feldplatte oder der metallische Belag 31 in der Schaltung der Figuren 3 und 4 an einer negativen Spannung liegt und positive Oxidladungen neutralisiert werden. Die Verarmungsschicht ist daher in der Kähe der Oberfläche 12 über eine viel größere Strecke ausgebreitet, so daß das elektrische Feld verringert ist. Mit anderen Worten, eine ausreichend hohe negative Spannung an der Feldplatte ' drückt Elektronen von der Oberfläche 12 weg, so daß dadurch die Verarmungsschicht in die größere Masse des Halbleiterkörpers 11 nach unten verlagert wird und sich über einen größeren Bereich ausbreitet, der in der Querschnittsansicht in einer
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zur Ebene der Oberfläche 12 parallelen Ebene ließt- Daher ist das elektrische Feld stark verringert und ein Durchbruch tritt nicht an der Oberfläche 12, sondern innerhalb des Halbleiterkörpersder Halbleitervorrichtung auf. Die Feldplatte beseitigt auch das Problem,, das durch einen kleinen Halbmesser der Basis hervorgerufen wird.. Da sich die Verarmungsschicht in seitlicher Richtung oder nach außen erstreckt, verläuft sie glatt Über den Rand der Basiszone.
Wie sich aus den vorstehenden Ausführungen ersehen läßt, ist es wichtig, daß die Feldplatte ausreichend breit bemessen ist, so daß sie sich Über die Verarmungszone erstreckt. Da die Größe der Verarmungszone mit zunehmender Spannung "zunimmt, ist es, wichtig, die Größe der Feldplatte zu-steigern, wenn die Bipolar-Vorrichtung höhere Spännungen aushalten soll. Im allgemeinen verursacht die Feldplatte, 'daä die Verarmungsschicht in der Hähe der-Oberfläche breit ist, wodurch das Feld verringert und die Möglichkeit des Auftretens eines Durchbruches an der Oberfläche herabgesetzt wird. In einer guten Konstruktion sollte die Feldplatte eine Breite aufwei- ,. sen, die ebenso, breit ist wie die Verarmungsschicht bei auftreten eines Durchbruches. ■ " ■-
Wenn'mehrere Bipolar-Transistor en in einer: einzigen Halbleiterkörper hergestellt werden, können die Eipolar-Transistoren eine gemeinsame Easisaüsbildung haben, wobei die Feld platten mit der geneinsamen Basis verbunden sind. Fi?* 4 zeigt 'eine Ausbildungsform mit gemeinsamer Basis, bei.welcher die
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Feldplatte mit dem Emitter verbunden ist. Dadurch wird die Rückkopplung von der Feldplatte verringert. Wenn die Feldplatte mit einer gemeinsamen Anschlußklemme verbunden ist, · die für Hochfrequenz praktisch auf Masse liegt, hat die Feldplatte keinen so schädlichen Einfluß auf hohe Frequenzen. In Fig. 5 ist eine gemeinsame Basisausbildung dargestellt, in welcher die Feldplatte unabhängig vorgespannt werden kann. Bei einer derartigen Ausführungsform kann die Feldplatte auch an Masse gelegt werden oder es können unterschiedliche Hochfrequenzpotentiale an die Platte angelegt werden, so daß die in Fig. 5 dargestellte Vorrichtung sich nahezu wie eine Tetrode verhält, wobei die Feldplatte zur Modulation aer Vorrichtung verwendet werden kann.
In Fig. 6 ist eine integrierte Schaltung mit Bipolar-Transistoren für hohe Spannungen nach der Erfindung dargestellt, wenn Bipolar-Transistoren für hohe Spannungen einen Teil einer integrierten Schaltung bilden, ist es sehr wünschenswert, daß diese Vorrichtungen auf irgendeine Weise von den übrigen Teilen der Schaltung isoliert sind. Dazu läßt sich beispielsweise eine dielektrische Isolation der nachstehend beschriebenen Ausführung oder auch andererseits eine pn-übergangsisolation oder eine Luftisolation verwenden. Diese unterschiedlichen Isolationstypen sind allgemein bekannt, so daß es dem Fachmann ohne Schwierigkeiten möglich sein dürfte, diese unterschiedlichen Isolationstypen in Verbindung mit der hier zur Rede stehenden Erfindung zu verwen-
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Die in Pig. 6 dargestellte integrierte Schaltung stellt einen Bildverstärker dar ^, der in einer gleichzeitig von der- ; selben Anmelderin eingereichten Anmeldung ausführlich beschrieben' ist·. /Wie in dieser Beschreibung ausgeführt ist, weist der BiIdverstarker die'Transistoren 'T-I3, T-2a T-3a T-4, T-S und T-1B-, sowie die Widerstände PHI bis. H-6 und die Dioden Ώ-1, ' B-Z land ©-.3 auf. Die ^ransistioren T-I bis T-4 sind Nieder- . |
iund niehit mit der <erfindungsgemäßen ausgestattet, Die^ Trans ist or en T-5 "und T-6 vsihd JedöelaSochspannimgstiransist or en und weisen die eriindungs-
^auf,. Die Figuren 7 und 8 zeigen Querdes 'Transistors T-6* Jföe aus den Figuren
i lersicfetllflch,,· wirxi In diesem Falle <äielektrische Is©- ■■ '
verwendete ©Ie Auibringiung der idle^ekt-rlselren Isola-
im meiner !WeiseΛ die In einer weiteren ©S-Patent-4er AnmeMunig Serials K©„ 3-91 lf>oH vom 2M» August llben äimmeMlerin feesichrieb'em ist« ©Ie T msxä die ü)J;©de;n ^wier^en nlt ÄMSinahme ;der snaiChstelaend b beäBea" F<elsd|)latte JLm wesentüeteein mit toeteannte Wei;se J steilt.. PIe MisderstSiMe3 <welicäie «eiaaen 'Teil 'de^r
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einem monokristallinen oder einfachkristallinen Silizium vermittels eines anisotropen Ätzmittels V-förmige iJuten eingeätzt. Dann werden die Inseln mit einer als Isolationsschicht dienenden Siliziumdioxidschicht 42 bedeckt, und anschließend wird eine polykristalline Schicht 43 vorgesehen, die dazu dient, die Nuten auszufüllen und eine Halterung für die integrierte Schaltung zu schaffen. Dann wird der Halbleiterkörper auf den Kopf gestellt und so lange geläppt, bis die Siliziumdioxidschichten, welche die Nuten bilden, freiliegen und die Inseln 4l mit einer planaren Oberfläche 44 bilden. Auf die Oberfläche 44 wird eine Siliziumdioxidschicht 46 aufgebracht, die sich mit der Schicht 42 verbindet und mit dieser zusammen die Insel vollständig umgibt- Dann wird vermittels herkömmlicher Verfahren eine erste Zone 48 innerhalb der Insel 41 ausgebildet, indem ein Fremdstoff von einem Leitfähigkeitstyp durch ein in der Oxidschicht 46 ausgeschnittenes (nicht dargestelltes) Fenster eindiffundiert wird. Dazu wird typischerweise ein n-Fremdstoff verwendet. Dabei ist zu beachten, daß in den meisten Fällen das η-Material bereits in der Ausgangsunter lage vorhanieia ist. Typischerweise weist diese erste Zone» wie aus der Darstellung ersichtlich, eine n+ begrabene Zone auf, die vor Beginn des Isolationssehrittes in die £tate;rlajge ©dea? Äen Hälfe leiter körper diffundiert wird. Dann wird eiaae zweitbe 2one 49 ausgebildet, indem ein Fremdstoff iraa ®lxmm «weiten Leitfähi-g&eitstyp, d,ii» vom p-Typ daasrcäa e&m weifce-
'..■'■-. ' - 15 - ■
res (nicht dargestelltes) Fenster in der Oxidschicht 46 eindiffundiert wird9 um einen ersten pn-übergang 51 auszu-.bildenj der.eine allgemein napfförmige Formgebung aufweist und bis zu der planaren Oberfläche 44 durchgeführt ist. ,Ein Paar dritter Zonen 52 wird dann durch Diffusion eines dritten Fremdstoffes, der allgemein vom gleichen Leitfähigkeitstyp, d.h. vom η-Typ ist, durch zusätzliche Fenster in der SiXisiumdioxidschicht 46 ausgebildet, un zweite, napf-
■ - ι
förmige pn-übergänge 53 innerhalb der zweiten Zone 49 auszubilden» die sich ebenfalls bis zur planaren Oberfläche 44 erstrecken.
Wenn diese Schritte durchgeführt worden sind, kann die Siliziumdioxidschicht 46 entfernt und nach Wunsch erneut ausgebildet werden. In der Oxidschicht 46 über den Emitterzonen 52 wird ein Paar von öffnungen 54, und in der Schicht 46 über der Basiszone 49 wird eine öffnung 56 ausgebildet.
In der Oxidschicht wird eine weitere öffnung 57 ausgebildet (siehe Fig. 8), die zur Herstellung einer Verbindung | mit der Kollektorzone 48 dient. Sobald die öffnungen 54, 56 und 5T ausgebildet worden sind, kann ein Hetallisierungsbe- lag aus einem geeigneten Werkstoff wie z.B. Aluminium auf die Oberfläche der Siliziumdioxidschicht 46 und in.die öffnungen 54, 56 und 57 aufgedampft werden, durch den eine Verbindung mit der Kollektor-, der Enitter- und der Basiszone des Transistors T-6 und entsprechend der Darstellung.der Fig. 6 mit den anderen Abschnitten der integrierten Schaltung her-
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gestellt wird. Vermittels geeigneter Ätzverfahren wird dann die Metallisierung an den unerwünschten Stellen entfernt, so daß drei Easisstreifen 58, zwei Emitterstreifen 59 und ein Kollektorstreifen 6o übrigbleiben. Wie aus der Zeichnung ersichtlich, folgen die Basis- und Emitterstreifen abwechselnd aufeinander, haben jedoch gegenseitige Abstände. Die Feldplatte in diesem Hochspannungs-Transistor T-6 ist zwischen Emitter und Basis durch die abwechselnd aufeinander folgenden Metallisierungen für die Basis- und Emitterstreifen unterteilt. Line in einem Stück mit den Basisstreifen 58 ausgebildete Leiste 61 erstreckt sich auf der einen Seite des Transistors von einer Linie in der Mähe des Basis-Kollektorüberganges 51 über die Kollektorzone bis zu einem Punkt, der jenseits oer Verarmungsschicht liegt, welche in den Figuren 7 und 6 durch die allgemein napfförmige, gestrichelte Linie 62 angedeutet ist. In entsprechender Weise ist eine Leiste 63 in einem Stück mit den Emitterstreifen 59 %. ausgebildet und erstreckt sich entlang der entgegengesetzten Seite des Transistors von einer Linie in der Nähe des Basis-Kollektor-Überganges bis zu einer. Punkt jenseits der Verarmungsschicht 62i Finger 64 und 66 sind an den entgegengesetzten :;ncen ier Leiste 63 in einen Stück mit dieser ausgebildet und verlaufen entlang der beiden anderen, sich gegenüberliegenden leiten des Transistors von einer Linie in der llähe des Easis-Kollektor-überganges 51 nach außen bis über den Funkt hinaus, bis zu vrelchen sich die Verarmungsschicht
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62 erstreckt. Wie aus Fig. 6 ersichtlich, bilden die Leisten 61 und Sy zusammen mit den Fingern 64 und 66 eine im wesentlichen kontinuierliche Feldplatte, die sich allgemein von dem Basis-Kollektor-übergang nach außen über die Kollektorzone bis zu einem Punkt erstreckt, der für die an den Transistor angelegte Spannung jenseits der Verarmungsschicht liegt. Obwohl der Aufbau der in Fig. 6·dargestellten Feldplatte infolge des Abstandes zwischen den verschiedenen Ab- λ schnitten der Feldplatte nicht kontinuierlich ist, hat er : die Wirkung einer kontinuierlichen Platte, auch wenn diese . zwischen den abwechselnd aufeinander folgenden Basis- und Emitterstreifen tatsächlich in zwei Abschnitte unterteilt ist. ■ ■ -
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Im allgemeinen sollte der Abstand zwischen den verschiedenen Abschnitten der Feldplatte ausreichend klein bemessen sein, so daß die Verarmungsschicht unterhalb der verschiedenen Abschnitte der Feldplatte zusammenfließt, damit in der Tat eine kontinuierliche Verarmungsschicht ausbildet und . „ I das Auftreten von Inversion in den Zwischenräumen zwischen den Abschnitten der Feldplatte verhindert. So lange daher der offene Zwischenraum zwischen den Metaliabschnitten, welche die Feldplatte bilden, verarmt ist, sollte der Abstand zwischen den Abschnitten der Feldplatte den Durchbruch nicht beeinflussen, so daß die beiden Abschnitte der Feldplatte die gleiche Wirkung haben, als ob sie miteinander verbunden wären.
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Es soll darauf hingewiesen werden, daß die Potentialoder Spannungsdifferenz zwischen Emitter und Basis eines
typischen Transistors nur angenähert o,7 Volt beträgt, da
Emitter und Basis während des Betriebes in Vorwärtsrichtung beaufschlagt sind. Wenn die Feldplatte daher zwischen Basis und Emitter getrennt ist, sind diese nur durch etwa o,7 Volt voneinander getrennt, so daß im Hinblick auf die Feldplatte der Eindruck entsteht, als ob sie mit der gleichen Spannung verbunden sind oder, anders ausgedrückt, in bezug auf den
Kollektor eine ünipotentialflache bilden, so daßdie Verarmungsschicht den Zwischenraum zwischen den Abschnitten der Feldplatte ohne weiteres überbrücken kann. So lange daher der
Abstand zwischen den Abschnitten der Feldplatte nicht größer ist als die doppelte Dicke der Verarnungsschicht, sollte die Verarmungsschicht keine Lücken aufweisen. Wenn beispielsweise die Dicke (Tiefe) der Verarmungsschicht 8 μ beträgt, ist sie in der Lage, eine Lücke von angenähert 16 μ zu überbrücken.
Wenngleich sich die Feldplatte entsprechend der Beschreibung von einer Stelle in der Nähe des Basis-Kollektor-überganges über die Kollektorzone bis über den Punkt hinaus er1-streckt, bis zu dem die Verarmungsschicht reichen würde,
ist es nicht unbedingt erforderlich, daß der Basis-Kollektorübergang bedeckt ist. Dagegen ist es ganz allgemein notwendig, daß die Feldplatte im wesentlichen die ganze Verarmungsschicht und insbesondere die äußeren Ränder der Verarmungs-
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schicht bedeckt und beispielsweise von einem Punkt, an dem ein Durchbruch normalerweise auftritt» d.h. 5© Volt, bis zu einem Punkt reicht, der jenseits des beabsichtigten Spannungsbereiches und beispielsweise bei 25o Volt liegt, iss ist daher sehr wichtig, daß die Feldplatte die Zone bedeckt,, durch welche sich die Verarmungsschicht erstreckt und normalerweise einen Durehbruch in einer Halbleitervorrichtung, hervorruft. Um den größtmöglichsten Schutz gegen Durchbruch zu erhalten, ist es wünschenswert, daß im wesentlichen alle Abschnitte " der Verarmungsschicht, die von dem Kollektor-Basis-ifbergaiiig ausgehen, bedeckt sind. In manchen Fällen kann es jedoch erwünscht sein ι den übergang nicht zu be dec ken,, weil dann die Möglichkeit besteht, daß, der den tibergarig bedeckende Bereich Nadellöcher aufweist,, die zu einei:. ansch-ließeaaen·. Versagen cte-p Vorriefetung führen könnten.
In Fig« 9; sind die Kurvenschreiber-Kennliniien: .eines dielektrisch isolierten Transistors für 3oo VbIt^ der nack der Erfindung hergestellt ist, dargestellt. Die graphische i Erarstellung bezieht sich auf eine eeneinsa.r;e Ü&sisatissfoildiuiat« Der Kurvenschreiber war so, eingestellt.x daß ein. £kaleKteiI der viaagerechteil Skala 5o Volt, unä eint Skaleniteil euer· senk-.rechten Skala 2oo Kikroainpere entspricht,,-, viobei dier Easisstron·; stufenweise um 5 Kikroanpere. gesteigert:, vmrae.. lie sich aus der graphischen Darstellung der Fig. S ersehen laßt* betrug die Durchbruchspannung ZAiisehen Kollektor und Emitter angenähert 320 Volt* Die StronverStärkung des Transistors
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betrug angenähert 12o, was allgemein als ein guter Wert bezeichnet werden kann.
Fig. Io zeigt eine Ausführungsform mit gemeinsamer Basis für einen Hochspannurigstransistor, dessen Feldplatte zw-ischen Basis und Emitter geteilt ist, d.h. bei dem ein Abschnitt der Feldplatte mit der Basis, und der andere Abschnitt der Feldplatte mit der. Emitter verbunden ist.
In der in Fig. 11 dargestellten Ausführungsform sind die Feldplatten unabhängig voneinander und können mit unterschiedlichen Ilochfrequenzpotentialen verbunden werden, purch Verwendung der geteilten Kochfrequenz-Feldplatte ist es möglich, aus den, Transistor eine Tetrode oder eine Pentode, zu machen.
Fig. 12 zeigt eine Ilochspannungsdiode, die eine gewisse Ähnlichkeit n.it den Dioden D-I und D-2 der Fig. 6 aufweist und im wesentliehen in der gleichen Weise wie der Hochspannungs-Transistor hergestellt ist, mit der Ausnahme, daß ,die Znitterdiffusion weggelassen ist. Der Halbleiterkörper 71 weist eine Insel 72 auf, die durch eine aus Siliziumdioxid bestehende dielektrische Isolierschicht 73 gegenüber dem halbleiterkörper isoliert ist. Auf der planaren Oberfläche des körpers Jl befindet sich eine Schicht 74. Die Insel 72 kann einen n-Prer.dstoff aufweisen, durch den eine Kollektorzone 77 gebildet wird. In die Kollektorzone ist eine Basiszone 78 eindiffundiert unci bildet einen napfförmigen Kollektor-Easis-übergang 79, der bis zur Oberfläche 76 durchgeführt
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ist.-Auf der Siliziumdioxidschicht 71* befindet sich eine Metallisierung, die teilweise durch Ätzen entfernt worden ist * so daß ein,kombiniertes Kontaktelement und Feldplatte 8.1 mit Kontaktkissen 8la übrig bleibt. Wie aus Fig. 12 zu ersehen, steht das kombinierte Kontaktelement und Feldplatte 81 in Verbindung mit der p-Basiszone 78. Weiterhin ist ersichtlich, daß das kombinierte Kontaktelement und Feldplatte ausreichend groß bemessen ist und sich von der Basiszone |
über die kollektorzone nach außen erstreckt, so daß die durch die gestrichelte Linie 82a angedeutete Verarmungsschicht durch die Feldplatte 8.1 bedeckt ist. Eine n+ Zone 82 ist in die Kollektorzone 77 eindiffundiert, stellt eine gute Verbindung mit der Kollektorzone her und steht in Verbindung mit einem Kontaktelement 83, das ein Kontaktkissen 83a aufweist. Die Arbeitsweise der in Fig. 12 dargestellten Diode ist sehr ähnlich der eines Transistors, indem die Feldplatte 8l einen Durchbruch zwischen Kollektor und Basis aufweist, da die Verarmungsschicht auch hier wiederum durch die Metallplatte bedeckt ist und sich von der Basiszone nach außen und unten in die Masse der Vorrichtung erstreckt.
Obwohl in der hier dargestellten. Diode eine dielektrische Isolation verwendet wird, lassen sich die gleichen Prinzipien auch in Verbindung mit einzelnen Dioden und mit Dioden anwenden, die durch diffundierte Zonen isoliert sind.
Fig. 13 zeigt einen epitaxialen Halbleiteraüfbau, auf den sich die Erfindung gleichfalls anwenden läßt. Wie aas
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der Zeichnung ersichtlich, weist der Halbleiterkörper 91 eine Schicht 92 aus η-Material auf, die epitaxial auf den Körper aufgedampft ist. Die epitaxiale Schicht 92 muß verhältnismäßig dick ausgebildet sein, weil eine Zugabe für die zwischen Kollektor und Basis des Transistors befindliche Verarmungsschicht gemacht und gleichzeitig in der Kollektordicke ein Raum für die Verarmungsschicht zwischen Kollektor und Isolation vorgesehen sein muß, die in diesem Falle aus einer pn-übergangsisolation besteht. Die isolierten Inseln 93 werden dadurch ausgebildet, daß Posten oder Zonen 9k von der planaren Oberfläche 96 aus nach unten eindiffundiert werden, bis sie auf den Körper 91 treffen, wie Fi&. 13 zeigt. In Anbetracht der Tatsache, daß die epitaxiale Schicht 92 verhältnismäßig tief ausgebildet ist, sind die Posten 9k verhältnismäßig breit, da für die Diffusion eine längere Zeit benötigt wird. Anschließend wird in der Insel 93 auf herkömmliche V/eise eine aktive Vorrichtung wie z.B. ein Transistor oder eine Diode ausgebildet. Wenn angenommen werden soll, daß die epitaxiale Schicht 92 einen n-Premdstoff enthält, kann die Basis 97 in die Kollektorzone 98 eindiffundiert werden, um einen pn-übergang 99 zu bilden, der bis zur Oberfläche 96 reicht. In entsprechender V/eise wird ein n+Premdstoff in die Basiszone 97 eindiffundiert, um eine Emitterzone lol auszubilden, die einen napfförmigen pn-übergang Io2 bildet, der bis zur Oberfläche 96 reicht. Auf der Siliziumdioxid-Isolationsschicht Io3 auf der Ober-
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I^Läche $6 wird eine ^trall^sierung aufgebracht, um ein ,Basis-
Io6, aas mit der Basiszone ST %i ,Ver/bdjFvdung ;, land ein Ernitteifk^nt^teler^nt 1θ? ζμ bilden, das mit der Emitterzone lol in ^Verbindung steht. Der Basis.kontakt Io6 und auch der Lmitterkontakt Io7 ,werden in einer ;s olehen Weise ausgebildet, tdaß sich ihre äußeren Ränder -über die ivpliektorzone erstrecken und Über die -Verarmungsschicht iiinäiisreichen, welche zwischen Ivollektor und Basis ausgebildet ;Und durch die gestrichelte Linie I08 dargestellt ist. Ein Kollektorkon:talctelen;ent Iö9 wird vor'ßesehen und dient dazu, ejjne Verbindiane mit der Kollektorzöne 98 herzustellen. V«ie sich nunriehr ,ersehen läßt, <äient die Ea,sis-;Feldp:ia;tt;e loG in Veirbindunc init der Eiuitter-Feldplatte loj uasu," einen D^rchbruch zwischen Jiollektor und Basis εu verhindern.
Da in liOchspannunEsvorrichtungen auch eine Sj5,gnn?unc auf·^ tritt Λ ßie ebenso h;och oder sogar noch etwas hüher sein fcann die ,Spannung zwiiSdien Kollektor und basis zwiiseheji der
und den pn-ubersanE, der ^wischen dein; Ulsterlaceii" \
icßrper 91 und der Insel 93 ausgebildet ist, ,testeht auch die Notwendigkeit j eine Feldplatte awzupr dnein y weijcae diese
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Verarinungszpne bedeckt, die in Fi^.. 13 durch das Qeibiet zvrischen dem pn-überganc und der gestrichelten iLihi'e 111 dargestellt ist. Die in vorgehenden beschriebene'luetall.isierung stellt eine weitere Feldplatte 112 dar, die in Verbindung mit der p-Zone 94 steht und sich dann entsprechenä. der ύ&ν-" stellung der Fig. 13 nach innen über die Kollektoraone bis
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zu einem Punkt erstreckt, der jenseits der zwischen Kollektor und dem zur Isolation dienenden pn-übergang ausgebildeten Verarmungsschicht liegt. Wie sich nunmehr ersehen läßt, muß die epitaxiale Schicht 92 eine solche Dicke aufweisen, daß die beiden Verarmungsschichten, d.h. die Basis-Kollektor-Verarmungsschicht und die Kollektor-pn-übergangs-Isolation ausreichend weit voneinander getrennt sind, so daß sie während des normalen Betriebes der Halbleitervorrichtung nicht in einen gegenseitigen Kontakt kommen.
Wenngleich Fig. 13 nur einen einzigen Transistor zeigt, ist ohne weiteres ersichtlich, daß sich gegebenenfalls auch eine integrierte Schaltung entsprechend der Fig. 6 herstellen läßt. Weiterhin läßt sich ersehen, daß nach Wunsch anstelle der übergangsisolation auch eine dielektrische Isolation mit einer epitaxialen Schicht verwendet werden kann.
Wie die vorstehenden Ausführungsbeispiele zeigen, läßt sich die erfindungsgemäße Feldplatte mit vielen unterschiedlichen Typen von Halbleitervorrichtungen verwenden, wodurch die Herstellung von Kalbleitervorrichtungen für hohe Spannungen ermöglicht wird. Bei jeder Ausführung wird die Verarmungsschicht in die Hasse der Kalbleitervorrichtung hinein verlagert und über ein wesentlich größeres Gebiet ausgebreitet, so daß das elektrische Feld stark verringert ist und ein Durchbruch, falls es zu einem kommen sollte, nicht an der Oberfläche, sondern innerhalb der Vorrichtung auftritt. Durch die Feldplatte v/erden auch die Probleme beseitigt,
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die durch einen kleinen Halbmesser der Basis hervorgerufen ■werden, da die Verarmungsschicht bei Verwendung einer Feldplatte nach außen ausgedehnt wird und glatt über den Rand der Basiszone hinweggeführt ist.
Aus der vorstehenden Beschreibung wird ersichtlich, daß die Verfahrensschritte bei der Herstellung derartiger Hochspannungsvorrichtungen verträglich sind mit den bei der Herstellung planarer Vorrichtungen und insbesondere planarer integrierter Schaltungen üblichen Verfahrensschritten. Eine einzige Metallisierungsschicht kann für die Leitungen und die Feldplatte verwendet werden. Da die Kerstellungsweise für die Halbleitervorrichtungen sehr ähnlich ist den bereits bekannten Herstellungsverfahren, wird es möglich, einzelne Hochspannungsvorrichtungen oder integrierte Schaltungen mit sehr hoher Ausbeute und unter niedrigen Kosten herzustellen. ■
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Claims (1)

  1. - 26 Patentansprüche
    I 1.1 Aktive Halbleitervorrichtung in einem Halbleiterkörper mit einer planaren Oberfläche, gekennzeichnet durch eine in dem Halbleiterkörper (11, 43, 71) ausgebildete erste Zone (16, 4l, 77) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine in dem Kalbleiterkörper innerhalb der ersten Zone ausgebildete zweite Zone (17, 49, 78) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, welche einen ersten pn-übergang (18, 51, 79) bildet, der wenigstens in einem Abschnitt bis zur Oberfläche (12, 44, 76) reicht, eine Schicht (13> 46, 74) aus einem isolierenden Material, die sich auf der planaren Oberfläche befindet und den bis zur Oberfläche reichenden Teil des Überganges in allgemeinen bedeckt, und durch die Isolierschicht durchgeführte und in Verbindung mit wenigstens einer Zone und einem auf der Isolierschicht befindlichen metallischen Glied (31, 58, 59, 6o, 81, 83) stehende Kontaktelemente, die einen großen Teil der ersten Zone und in wesentlichen ganz die Verarmungszone (33, 62, 82a) bedecken, die im Betrieb der Halbleitervorrichtung in der ersten Zone ausgebildet wird.
    2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Halbleiterkörper (91) eine epitaxiale Schicht (92) ausgebildet ist und die erste und die zweite 2one (98, 97) in der epitaxialen Schicht ausgebildet sind.
    3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der zweiten Zone (17, 49, 97) eine dritte Zone
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    Cl9* 52» lol) von* ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist und einen zweiten pn-übergang (21 > 55» io2); bildet,, der venigßtens in einem Abschnitt bis "zur Oberfläche; und zu feinem. Kontakt element (2E11 59., io7) reicht und einen Anschluß für die dritte Zone bildet,
    k* Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet'-, daß die Kontaktelemente und das als Feldplatte dienende metallische Glied in einer einzigen Ebene liegen. -a
    5* Vorrichtung nach Anspruch 3;* dadurch gekennzeichnet*
    daß die Feldplatte (51) unterbrochen ist und wenigstens· einen Zwischenraum (3Ί) freigibt, durch den wenigstens ein Kohtaktelement durchgeführt ist und eine Verbinduhg mit einer Zone herstellt.
    6* Vorrichtung: nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet j daß die Feldplatte wenigstens aus zwei getrennten Teilen ber steht, der eine Teil mit dem einen Kontakt element und. ;der andere Teil mit dem anderen Kontakt element Verb lindert ist.
    7* Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,, I daß das metallische Glied (Jl) die zweite % one Cl?) ie; wesentlichen vollständig uiigibt.
    ft« Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekehhzeiehnet, daß jeder Zwischenraum eine Breite aufweist s die geringer ist als die halbe Breite der Yerarmungssehicht«
    9S. Kalb-leitervorrichtung, insbesondere integrierte Schal4-' tung in einem Kalbleiterkörper mit einer planaren Oberfläche, gekennzeichnet durch in oder an dem Halbleiterkörper (^3» 7l;,
    91) angeordnete Vorrichtungen (42, 73, 92), die zur Ausbildung mehrerer voneinander isolierter Inseln (41, 72, 93) an dem Körper dienen, mehrere, in den Inseln ausgebildete aktive und passive Vorrichtungen, wobei in wenigstens einer Insel eine Hochspannungsvorrichtung ausgebildet ist, die eine in der Insel ausgebildete erste Zone von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine ebenfalls in der Insel ausgebildete zweite Zone von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die einen bis zur planaren Oberfläche reichenden ersten pn-übergang bildet, eine auf der planaren Oberfläche des Körpers und über dem Übergang befindliche Schicht aus einem Isoliermaterial, durch die Schicht durchgeführte und in Kontakt mit wenigstens bestimmten Zonen der Vorrichtung stehende Kontaktelemente und durch die Isolierschicht getragene, einen großen Teil der ersten Zone allgemein verlagernde und über die während des Betriebes der Vorrichtung cebildete Verarmungsschicht hinausreichende Feldplatten aufweist, die dazu dienen, die Elektronen von der Oberfläche wegzudrücken und die Verarmungsschicht ir. die Masse des Halbleiterkörpers zu verlagern, dair.it sich die Verarmungsschicht über einen größeren Bereich innerhalb äes .Icrpers erstreckt.
    Io. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in der Insel innerhalb der zweiten Zone eine dritte Zone (52, lol) von der· ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet ist und einen zweiten, bis zur Oberfläche reichenden pn-übergang
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    - 29 - ; '■■■--. :
    j io2) bildet*und daß die Feldplatten den zweiten pn-übergang ganz, allgemein umfassen,
    11. Vorrichtung nachAnspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die 'isolation aus einer dielektrischen Isolation besteht.
    12. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die.Isolation aus einer diffundierten übergangsisalatiOn besteht., - .
    13. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeiphnet, daß der Halbleiterkörper -mit ein,er epitaxialen Schicht (92) versehen ist und die aktiven und pas s;i ν ep der, epitaxialen Sehieht ausgebildet s,ind; ,lit? Vorrichtung nach Anspruch 9,^ daäxwßh
    ß, die Is(QlatiQn aus einem pri-üfeergang begtehl, der VQn der Qb,erf'^äe^e durch, die epitajfiale Schicht nsach uriten gef'üliFt, is,t.j SL^f §&& Is.alat.iQn^s.Qhie.^t. zusJtzliQhe F§ld.p.latten floß■ %.
    die. einjn, großen n?§il Jep der-- §rs,ten.
    , die §|ξ||γ§
    , ti§ aMl^e. {i^e^gpa^ujfigpi^Qprlc-h^^Rg au^s,
    - 3ο -
    pn-übergang bildet, der wenigstens in einem Abschnitt zur Oberfläche und zu einem Kontaktelement reicht und einen Anschluß für die dritte Zone bildet.
    17. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte unterbrochen ist und wenigstens einen Zwischenraum freigibt, wenigstens ein Kontaktelement durch den Zwischenraum durchgeführt ist und in Berührung mit einer Zone
    ^ steht, wobei die geteilte Feldplatte und die Kontaktelemente in der im allgemeinen gleichen Ebene liegen,
    18. Vorrichtung nach Anspruch 9S dadurch gekennzeichnet, daß die Feldplatte aus wenigstens zwei Teilen besteht, wenigstens ein Teil der Feldplatte mit dem Kontaktelement verbunden ist, das in Verbindung ir.it der zweiten Zone steht, und andere Teile der Feldplatte mit dem Kontaktelement verbunden sind, das in Verbindung mit der dritten Zone steht.
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