DE19916351A1 - Transistor - Google Patents
TransistorInfo
- Publication number
- DE19916351A1 DE19916351A1 DE19916351A DE19916351A DE19916351A1 DE 19916351 A1 DE19916351 A1 DE 19916351A1 DE 19916351 A DE19916351 A DE 19916351A DE 19916351 A DE19916351 A DE 19916351A DE 19916351 A1 DE19916351 A1 DE 19916351A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base
- carbon nanotubes
- nanotubes
- transistor
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 58
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims description 54
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims description 42
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910021404 metallic carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/43—Bipolar transistors, e.g. organic bipolar junction transistors [OBJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/10—Resistive cells; Technology aspects
- G11C2213/17—Memory cell being a nanowire transistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
- Y10S977/743—Carbon nanotubes, CNTs having specified tube end structure, e.g. close-ended shell or open-ended tube
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Beschrieben wird ein Transistor mit einer Basis aus einem Bündel von (n.n) Nanoröhren sowie mit einem Emitter und einem Kollektor an gegenüberliegenden Seiten der Basis. Emitter und Kollektor bestehen jeweils aus (n.m.n-m NOTEQUAL 3l) Nanoröhren. Der Transistor weist eine nur sehr geringe Größe auf und eine hohe Betriebsgeschwindigkeit, da die als Nanoröhren verwendeten Kohlenstoff-Nanoröhren eine thermische Leitfähigkeit besitzen, die sehr viel besser ist als die des Siliciums.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, und insbesondere
auf einen Sperrschicht-Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren.
Sperrschicht-Transistoren vom Horizontaltyp und Vertikaltyp sind bereits allge
mein bekannt. Unter Bezugnahme auf die Zeichnung wird nachfolgend ein her
kömmlicher Sperrschicht-Transistor näher beschrieben. Die Fig. 1a zeigt eine
ebene Ansicht des herkömmlichen Sperrschicht-Transistors, während Fig. 1b sei
nen Querschnitt zeigt.
Der Sperrschicht-Transistor nach den Fig. 1a und 1b ist ein PNP-Transistor mit
einer Epitaxieschicht 2 vom n-Typ, die durch einen Siliciumoxidfilm 3 isoliert ist
und auf einem Substrat 1 liegt. Verunreinigungsbereiche 4 und 5 vom p-Typ be
finden sich in festen Intervallen in der Epitaxieschicht 2 vom n-Typ, wobei der
Verunreinigungsbereich 4 vom p-Typ als Kollektor des Transistors dient, wäh
rend der Verunreinigungsbereich 5 vom p-Typ als Emitter des Transistors vorge
sehen ist.
Bei dem herkömmlichen Sperrschicht-Transistor treten jedoch einige Nachteile
auf.
So müssen bei der Herstellung eines NPN-Transistor dieser selbst und die Schal
tungsintegration zur selben Zeit hergestellt werden, was zu einer nicht optimalen
Geometrie des herkömmlichen Transistors im Hinblick auf die Verhinderung von
Elektron-Loch-Kopplungen sowie im Hinblick auf das Einfangen von Löchern in
einer Basis an Kollektoren führt.
Die vergleichsweise hohe Dotierungskonzentration im Kollektor bei dicker Verar
mungsschicht in der Basis verschlechtert darüber hinaus das Betriebsverhalten,
so daß zusätzliche Diffusionsschritte zur Vermeidung solcher Nachteile erforder
lich sind, was den Herstellungsprozeß komplizierter gestaltet.
Bei der Herstellung von Sperrschicht-Transistoren vom Vertikaltyp lassen sich
die obigen Probleme zum größten Teil vermeiden, jedoch ist dessen Herstellungs
verfahren im Vergleich zum Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Tran
sistors vom Horizontaltyp wesentlich komplizierter und damit teurer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Transistor der eingangs genann
ten Art zu schaffen, bei dem die obigen Probleme nicht mehr auftreten. Insbeson
dere soll ein Transistor zur Verfügung gestellt werden, der ein verbessertes Be
triebsverhalten hat und sich leichter herstellen läßt.
Lösungen der gestellten Aufgabe sind in den Ansprüchen 1 und 9 angegeben. Vor
teilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den jeweils nachgeordneten Unter
ansprüchen zu entnehmen.
In Übereinstimmung mit der Erfindung weist ein Transistor eine Basis mit einem
Bündel von Nanoröhren auf, wobei Emitter und Kollektor an gegenüberliegenden
Seiten der Basis liegen und ebenfalls jeweils Nanoröhren enthalten. Die Nanoröh
ren von Basis, Emitter und Kollektor können sich dabei entlang nur einer einzigen
Richtung erstrecken. Vorteilhaft werden für die Basis metallische Kohlenstoff-
Nanoröhren verwendet, während für Emitter und Kollektor halbleitende Kohlen
stoff-Nanoröhren zum Einsatz kommen. Bei den Kohlenstoff-Nanoröhren kann es
sich um sogenannte (n,n) Nanoröhren bzw. Nanotubes handeln, während es sich
bei den Nanoröhren von Emitter und Kollektor um (n,m, n-m≠3l) Nanoröhren
handeln kann. Eine einzelne Kohlenstoff-Nanoröhre hat einen Durchmesser, der
nicht größer als etwa 1 nm ist. Eine derartige Kohlenstoff-Nanoröhre kann metal
lisch oder halbleitend sein, je nach atomistischer Ausrichtung bzw. Anordnung
des Kohlenstoffs in der Röhre. Eine derartige Nanoröhre kann auch dotiert sein
mit Verunreinigungen vom p-Typ bzw. p-Leitungstyp, jedoch nicht mit Verunrei
nigungen vom n-Typ bzw. n-Leitungstyp.
Ein Bündel von wenigen zehn der metallischen Kohlenstoff-Nanoröhren bildet ei
ne sogenannte Pseudolücke mit einem Elektron und einem Loch, die zur selben
Zeit vorhanden sind. Bei Anlegen einer Vorspannung an ein solches Bündel von
Nanoröhren treten Elektronen oder Löcher mehr oder weniger stark auf oder ein,
selbst wenn keine Dotierung mit Verunreinigungen erfolgt. Bei einem erfindungs
gemäßen Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren wird ein Bündel aus Kohlen
stoff-Nanoröhren als Basisteil des Transistors verwendet. Zur Bildung von Emit
ter und Kollektor werden jeweils eine einzelne Leitung oder wenige Leitungen aus
Kohlenstoff-Nanoröhren benutzt.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzel
nen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a eine ebene Draufsicht auf einen herkömmlichen Sperrschicht-Transistor;
Fig. 1b einen Querschnitt durch den herkömmlichen Sperrschicht-Transistor;
Fig. 2 ein atomistisches Feld einer metallischen Kohlenstoff-Nanoröhre nach
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 ein atomistisches Feld einer halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhre nach
der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4 einen Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren in Übereinstimmung mit ei
nem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Im nachfolgenden soll auf bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung im ein
zelnen eingegangen werden. Dabei zeigen Fig. 2 eine atomistische Anordnung ei
ner metallischen Kohlenstoff-Nanoröhre nach der vorliegenden Erfindung. Fig. 3
eine atomistische Anordnung einer halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhre nach
der vorliegenden Erfindung und Fig. 4 einen PNP-Sperrschicht-Transistor mit
Kohlenstoff-Nanoröhren in Übereinstimmung mit einem bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Die Kohlenstoff-Nanoröhren lassen sich in metallische Kohlenstoff-Nanoröhren
und halbleitende Kohlenstoff-Nanoröhren unterteilen, und zwar je nach atomisti
scher Anordnung der Kohlenstoff-Nanoröhre. Entsprechend der Fig. 2 weist eine
einzelne Leitung der metallischen Kohlenstoff-Nanoröhre ein hexagonales Muster
im Hinblick auf die atomistische Anordnung des Kohlenstoffs auf, wobei das Mu
ster unter 90° zur Röhrenachse sieht. Die metallische Kohlenstoff-Nanoröhre
wird daher technisch auch als (n,n) Nanoröhre oder Armsessel-Nanoröhre be
zeichnet. Der Ausdruck "n" steht für eine eine Größe bezeichnende ganze Zahl,
wobei die zwei Buchstaben dieselben sind. Das bedeutet, daß die Röhren diesel
ben Eigenschaften aufweisen, wobei der einzige Unterschied in ihren Durchmes
sern besteht. Im allgemeinen sind (n,n) Kohlenstoff-Nanoröhren (10,10) Kohlen
stoff-Nanoröhren.
Die Fig. 3 zeigt eine halbleitende Kohlenstoff-Nanoröhre mit einem hexagonalen
Muster einer atomistischen Verteilung von Kohlenstoffatomen, wobei das Muster
nicht unter 90°, sondern leicht geneigt zur Röhrenachse sieht, also einen Winkel
von weniger als 90° mit der Röhrenachse einschließt. Die halbleitenden Kohlen
stoff-Nanoröhren werden technisch als (n,m) (n-m≠3l) Kohlenstoff-Nanoröhren
bezeichnet. Hierin sind "n" und "m" keine Vielfachen von 3. Beispielsweise wäre
eine (10,0) oder (11,0) Kohlenstoff-Nanoröhre eine spezielle Ausführungsform mit
einer Energielücke von 1 eV.
Ein Transistor in Übereinstimmung mit einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung, bei dem die die obigen Eigenschaften aufweisenden
Kohlenstoff-Nanoröhren zum Einsatz kommen, ist in Fig. 4 gezeigt. Bei diesem
Transistor besteht ein Basisteil des Transistors aus einem Bündel von metalli
schen Kohlenstoff-Nanoröhren. Die Abmessungen des Bündels sind: Durchmes
ser × Breite wenigstens 5 nm × 6 nm. Das bedeutet, daß der Durchmesser des Bün
dels wenigstens 5 nm betragen kann, während seine Breite bzw. Länge wenigstens
6 nm betragen kann. Ein Emitterteil des Transistors enthält eine einzelne oder
nur wenige Leitungen von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren mit großer
Energielücke, dotiert mit einer p-Typ-Verunreinigung, z. B. Bor. Schließlich ent
hält auch der Kollektor des Transistors nur eine einzelne Leitung oder nur wenige
Leitungen von halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren mit großer Energielücke,
die ebenfalls mit einer p-Typ-Verunreinigung, etwa Bor, dotiert sind. Die Dotie
rungskonzentration des Kollektors ist aber geringer als die des Emitters. Schließ
lich befindet sich eine Elektrode aus Metall oder eine metallische Kohlenstoff-Na
noröhre im mittleren Bereich des Basisteils, also im mittleren Bereich des Bün
dels aus metallischen Kohlenstoff-Nanoröhren, wobei diese Elektrode auf der
Umfangsoberfläche des Bündels mittig zu diesem in Umfangsrichtung verläuft.
Am Ende der zuletzt genannten Elektrode befindet sich ein Basisanschluß. An den
Enden der zuvor erwähnten halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhren befinden sich
jeweils ein Emitteranschluß und ein Kollektoranschluß. Im Gegensatz zum her
kömmlichen Sperrschicht-Transistor weist der Transistor nach der vorliegenden
Erfindung in seinem Basisbereich keinen Verarmungsbereich auf, da der Basis
bereich nicht durch künstliche Dotierung erzeugt wird. Der Basisbereich arbeitet
vielmehr ähnlich nach Art einer Batterie, weil der Energiepegel des Basisbereichs
abhängig von der Nettoladung des gesamten Basisbereichs weder ansteigt noch
abfällt.
Nachfolgend wird der Betrieb des zuvor erwähnten Transistors nach der Erfin
dung mit Kohlenstoff-Nanoröhren im einzelnen beschrieben.
Grundsätzlich ist die Wirkungsweise des erfindungsgemäßen Transistors mit
Kohlenstoff-Nanoröhren dieselbe wie beim herkömmlichen Transistor. Der erfin
dungsgemäße Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren arbeitet jedoch etwas an
ders infolge der ungewöhnlichen elektrischen Eigenschaften des aus Kohlenstoff-
Nanoröhren bestehenden Bündels im Basisbereich. Wird der in einer Richtung
gleichmäßige Betrieb beim herkömmlichen Transistor betrachtet, so weist dieser
nur dann ein gutes Betriebsverhalten auf (Reduzierung des Leckstroms und ho
her Gewinn), wenn eine Spannung VEB zwischen Emitter und Basis ein klein we
niger positiv ist, z. B. 0.7 V. Der erfindungsgemäße Transistor mit Kohlenstoff-Na
noröhren zeigt diese guten Betriebseigenschaften nur dann, wenn die Spannung
VEB zwischen Emitter und Basis ein klein wenig negativ ist. Dies liegt daran, daß
eine Energielücke in der Basis tatsächlich näherungsweise "0" ist, so daß die ein
klein wenig negative Spannung VEB zwischen Emitter und Basis angelegt werden
sollte, um den Energiepegel positiv zu beeinflussen bzw. einzustellen, wenn Lö
cher in die Basis eintreten. In diesem Zusammenhang sei angemerkt, daß eine
leichte Absenkung des absoluten Werts der Spannung VEB zwischen Emitter und
Basis, die einen negativen Wert hat, identisch ist zu einer leichten Erhöhung einer
Spannung VEB zwischen Emitter und Basis des herkömmlichen Transistors beim
oben beschriebenen Betrieb. Wird der Absolutwert der Spannung VEB zwischen
Emitter und Basis, der negativ ist, leicht reduziert, so wird auch die Anzahl der
Löcher in der Basis leicht reduziert. Dies ist identisch zu einer leichten Erhöhung
von Elektronen zur Basis durch den mit der Basis verbundenen Anschluß, was
dazu führt, daß im Emitter vorhandene Löcher zur Basis gezogen werden, was ei
nen Gewinn an Strom darstellt. Wie beim herkömmlichen Transistor wird auch
beim erfindungsgemäßen Transistor eine starke Rückwärtsvorspannung zwi
schen Basis und Kollektor angelegt. Geschieht dies für den Fall, daß Emitter und
Basis gemeinsam miteinander verbunden sind, so sind der Emitterstrom IE und
der Kollektorstrom IC praktisch dieselben wie beim herkömmlichen Transistor,
da jetzt Löcher innerhalb des Emitters sehr stark in Richtung zum Kollektor gezo
gen werden. Der Widerstand zwischen Basis und Kollektor ist daher signifikant
größer als der Widerstand zwischen Emitter und Basis, was zu einem Spannungs
gewinn und zu einem Leistungsgewinn beim erfindungsgemäßen Transistor
führt.
Der erfindungsgemäße Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren weist eine Reihe
von Vorteilen auf.
Obwohl die Möglichkeit der n-Typ-Dotierung von Kohlenstoff-Nanoröhren die
Herstellung eines Transistors aus Kohlenstoff-Nanoröhren behindern würde,
wird erfindungsgemäß ein PNP-Transistor vorgeschlagen, der aus einem Bündel
von Kohlenstoff-Nanoröhren besteht und ungewöhnliche elektrische Eigenschaf
ten aufweist.
Der erfindungsgemäße Transistor aus Kohlenstoff-Nanoröhren weist nur eine
sehr geringe Größe auf (etwa 10 nm oder weniger bis herab zu 1 nm), so daß sich
die Abmessungen von Einrichtungen erheblich reduzieren lassen, und zwar ge
genüber herkömmlichen Abmessungen, was bezogen auf die Länge eine Verringe
rung auf 1/100 und bezogen auf die Fläche eine Verringerung auf 1/10.000 be
deutet.
Die Bildung eines Transistors aus Kohlenstoff-Nanoröhren mit einer thermischen
Leitfähigkeit signifikant größer als die des Siliciums führt zu einer erhöhten Be
triebsgeschwindigkeit.
Die Betriebsspannung des erfindungsgemäßen Transistors mit Kohlenstoff-Na
noröhren ist sehr viel kleiner als bei einem Siliciumtransistor, so daß der Lei
stungsverbrauch reduziert wird.
Die Möglichkeit der Verwendung einer metallischen Kohlenstoff-Nanoröhre als
Elektrode zur Anlegung einer Spannung bzw. einer Leistung an einen Transistor
führt zur Vereinfachung des Herstellungsprozesses.
Claims (10)
1. Transistor, enthaltend:
- 1. eine Basis aus einem Bündel von Nanoröhren; und
- 2. einen Emitter und einen Kollektor an gegenüberliegenden Seiten der Basis, die ebenfalls jeweils Nanoröhren enthalten.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nanoröh
ren des Bündels der Basis (n,n) Nanoröhren sind.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Na
noröhren von Emitter und Kollektor (n,m, n-m≠3l) Nanoröhren sind.
4. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basis wenigstens ein Bündel von metallischen Kohlenstoff-Nanoröhren
enthält.
5. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß sowohl der Emitter als auch der Kollektor halbleitende Kohlenstoff-Nanoröh
ren enthalten.
6. Transistor nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß das eine Bündel von (n,n) Kohlenstoff-Nanoröhren so vorgespannt ist, daß es
n-Typ-Eigenschaften aufweist, und daß die (n,m) Kohlenstoff-Nanoröhren durch
Dotierung vom p-Typ sind.
7. Transistor nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß sowohl der Emitter als auch der Kollektor eine oder zwei Leitungen von (n,m,
n-m≠3l) Kohlenstoff-Nanoröhren enthalten.
8. Transistor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß er Elektroden zur Anlegung von Spannungen an die Basis, den Emitter und
den Kollektor aufweist, wobei die Elektroden auch metallische Nanoröhren ent
halten können.
9. PNP-Transistor, enthaltend:
- 1. eine Basis mit einer Mehrzahl von Kohlenstoff-Nanoröhren: und
- 2. einen Kollektor und einen Emitter mit jeweils einer Anzahl von Kohlenstoff- Nanoröhren, die geringer ist als die Anzahl der Kohlenstoff-Nanoröhren innerhalb der Basis.
10. PNP-Transistor nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch eine Basiselek
trode aus Metall oder wenigstens einer metallischen Kohlenstoff-Nanoröhre, die
das die Basis bildende Bündel von Nanoröhren mittig und wenigstens teilweise in
Umfangsrichtung verlaufend umgibt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980022588A KR100277881B1 (ko) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 트랜지스터 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19916351A1 true DE19916351A1 (de) | 1999-12-23 |
DE19916351C2 DE19916351C2 (de) | 2002-09-12 |
Family
ID=19539680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19916351A Expired - Fee Related DE19916351C2 (de) | 1998-06-16 | 1999-04-12 | Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zum Betreiben eines solchen Transistors |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6465813B2 (de) |
JP (1) | JP3024973B2 (de) |
KR (1) | KR100277881B1 (de) |
DE (1) | DE19916351C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001057917A2 (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-09 | Xidex Corporation | System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors |
EP1159761A1 (de) * | 1999-02-22 | 2001-12-05 | Joseph E. Clawson, Jr. | Nanostrukturvorrichtung und gerät |
DE10056282A1 (de) * | 2000-11-14 | 2002-05-23 | Infineon Technologies Ag | Künstliches Neuron, elektronische Schaltungsanordnung und künstliches neuronales Netz |
WO2002054505A2 (en) * | 2001-01-03 | 2002-07-11 | International Business Machines Corporation | System and method for electrically induced breakdown of nanostructures |
Families Citing this family (84)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100360476B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2002-11-08 | 삼성전자 주식회사 | 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 수직 트랜지스터 및 그제조방법 |
JP4512176B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | カーボンナノチューブ電子素子および電子源 |
US7084507B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Integrated circuit device and method of producing the same |
US6706402B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
KR100426495B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-04-14 | 한국전자통신연구원 | 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US6515325B1 (en) | 2002-03-06 | 2003-02-04 | Micron Technology, Inc. | Nanotube semiconductor devices and methods for making the same |
US6872645B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-03-29 | Nanosys, Inc. | Methods of positioning and/or orienting nanostructures |
DE10217362B4 (de) * | 2002-04-18 | 2004-05-13 | Infineon Technologies Ag | Gezielte Abscheidung von Nanoröhren |
KR100571803B1 (ko) | 2002-05-03 | 2006-04-17 | 삼성전자주식회사 | 수소로 기능화된 반도체 탄소나노튜브를 포함하는 전자 소자 및 그 제조방법 |
WO2004001860A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Nantero, Inc. | Nanotube permeable base transistor and method of making same |
US6759693B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-07-06 | Nantero, Inc. | Nanotube permeable base transistor |
US6774052B2 (en) | 2002-06-19 | 2004-08-10 | Nantero, Inc. | Method of making nanotube permeable base transistor |
US7067867B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
KR101191632B1 (ko) | 2002-09-30 | 2012-10-17 | 나노시스, 인크. | 대형 나노 인에이블 매크로전자 기판 및 그 사용 |
US7135728B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-14 | Nanosys, Inc. | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
DE10250830B4 (de) * | 2002-10-31 | 2015-02-26 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays |
JP4251268B2 (ja) * | 2002-11-20 | 2009-04-08 | ソニー株式会社 | 電子素子及びその製造方法 |
US7858185B2 (en) | 2003-09-08 | 2010-12-28 | Nantero, Inc. | High purity nanotube fabrics and films |
US20040238907A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Pinkerton Joseph F. | Nanoelectromechanical transistors and switch systems |
US7095645B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-08-22 | Ambient Systems, Inc. | Nanoelectromechanical memory cells and data storage devices |
US7148579B2 (en) * | 2003-06-02 | 2006-12-12 | Ambient Systems, Inc. | Energy conversion systems utilizing parallel array of automatic switches and generators |
US7199498B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-04-03 | Ambient Systems, Inc. | Electrical assemblies using molecular-scale electrically conductive and mechanically flexible beams and methods for application of same |
US7504051B2 (en) * | 2003-09-08 | 2009-03-17 | Nantero, Inc. | Applicator liquid for use in electronic manufacturing processes |
US7375369B2 (en) | 2003-09-08 | 2008-05-20 | Nantero, Inc. | Spin-coatable liquid for formation of high purity nanotube films |
CN1886537B (zh) * | 2003-10-16 | 2013-07-24 | 阿克伦大学 | 碳纳米纤维基板上的碳纳米管 |
WO2005067059A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | 整流素子およびそれを用いた電子回路、並びに整流素子の製造方法 |
WO2005094298A2 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Foster-Miller, Inc. | Carbon nanotube-based electronic devices made by electronic deposition and applications thereof |
US7658869B2 (en) | 2004-06-03 | 2010-02-09 | Nantero, Inc. | Applicator liquid containing ethyl lactate for preparation of nanotube films |
US7556746B2 (en) * | 2004-06-03 | 2009-07-07 | Nantero, Inc. | Method of making an applicator liquid for electronics fabrication process |
JP2008506548A (ja) | 2004-07-19 | 2008-03-06 | アンビエント システムズ, インコーポレイテッド | ナノスケール静電および電磁モータおよび発電機 |
US7776307B2 (en) * | 2004-09-16 | 2010-08-17 | Etamota Corporation | Concentric gate nanotube transistor devices |
US7943418B2 (en) * | 2004-09-16 | 2011-05-17 | Etamota Corporation | Removing undesirable nanotubes during nanotube device fabrication |
US7345296B2 (en) | 2004-09-16 | 2008-03-18 | Atomate Corporation | Nanotube transistor and rectifying devices |
US7462890B1 (en) | 2004-09-16 | 2008-12-09 | Atomate Corporation | Nanotube transistor integrated circuit layout |
US7345307B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-03-18 | Nanosys, Inc. | Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires |
US7473943B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-01-06 | Nanosys, Inc. | Gate configuration for nanowire electronic devices |
RU2004133958A (ru) * | 2004-11-23 | 2006-05-10 | Брон Цой (RU) | Пучковый микроэлектронный элемент |
KR101172561B1 (ko) | 2004-11-24 | 2012-08-08 | 나노시스, 인크. | 나노와이어 박막을 위한 콘택 도핑 및 어닐링 시스템 및공정 |
US7348592B2 (en) * | 2004-11-29 | 2008-03-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Carbon nanotube apparatus and method of carbon nanotube modification |
US7560366B1 (en) | 2004-12-02 | 2009-07-14 | Nanosys, Inc. | Nanowire horizontal growth and substrate removal |
WO2006065937A2 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Nantero, Inc. | Aqueous carbon nanotube applicator liquids and methods for producing applicator liquids thereof |
US7202173B2 (en) | 2004-12-20 | 2007-04-10 | Palo Alto Research Corporation Incorporated | Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods |
US7569905B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-08-04 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods |
US20060134392A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for electrical contacts to arrays of vertically aligned nanorods |
RU2005101944A (ru) * | 2005-01-28 | 2006-07-10 | Брон Цой (RU) | Пучковый микроэлектронный модуль или прибор |
US20100065820A1 (en) * | 2005-02-14 | 2010-03-18 | Atomate Corporation | Nanotube Device Having Nanotubes with Multiple Characteristics |
JP4766895B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-07 | トヨタ自動車株式会社 | カーボンナノウォールデバイス |
US7479654B2 (en) | 2005-05-09 | 2009-01-20 | Nantero, Inc. | Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance |
CN100417117C (zh) * | 2005-06-15 | 2008-09-03 | 华为技术有限公司 | 自动交换光网络中节点可达性的识别方法 |
EP1910217A2 (de) * | 2005-07-19 | 2008-04-16 | PINKERTON, Joseph P. | Wärmeaktivierte pumpe im nanometerbereich |
US20070031318A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Jie Liu | Methods of chemically treating an electrically conductive layer having nanotubes therein with diazonium reagent |
EP1938381A2 (de) * | 2005-09-23 | 2008-07-02 | Nanosys, Inc. | Verfahren zur nanostruktur-dotierung |
US8013247B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-09-06 | The Mitre Corporation | Carbon nanotube-based electronic devices |
US20080135892A1 (en) * | 2006-07-25 | 2008-06-12 | Paul Finnie | Carbon nanotube field effect transistor and method of making thereof |
US7786024B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation |
US8168495B1 (en) | 2006-12-29 | 2012-05-01 | Etamota Corporation | Carbon nanotube high frequency transistor technology |
US7839028B2 (en) * | 2007-04-03 | 2010-11-23 | CJP IP Holding, Ltd. | Nanoelectromechanical systems and methods for making the same |
US20080272361A1 (en) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Atomate Corporation | High Density Nanotube Devices |
CN101933125A (zh) * | 2007-12-31 | 2010-12-29 | 伊特蒙塔公司 | 边缘接触型垂直碳纳米管晶体管 |
KR100960691B1 (ko) * | 2008-03-05 | 2010-05-31 | 전북대학교산학협력단 | 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조방법 |
US8193455B2 (en) | 2008-12-30 | 2012-06-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Graphene electronics fabrication |
EA028873B1 (ru) | 2009-04-17 | 2018-01-31 | СИРСТОУН ЭлЭлСи | Способ производства твердого углерода путем восстановления оксидов углерода |
US8476637B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-07-02 | Sundiode Inc. | Nanostructure optoelectronic device having sidewall electrical contact |
US8659037B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-02-25 | Sundiode Inc. | Nanostructure optoelectronic device with independently controllable junctions |
US8431817B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-04-30 | Sundiode Inc. | Multi-junction solar cell having sidewall bi-layer electrical interconnect |
US9796591B2 (en) | 2012-04-16 | 2017-10-24 | Seerstone Llc | Methods for reducing carbon oxides with non ferrous catalysts and forming solid carbon products |
WO2013158160A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Seerstone Llc | Method for producing solid carbon by reducing carbon dioxide |
NO2749379T3 (de) | 2012-04-16 | 2018-07-28 | ||
JP6379085B2 (ja) | 2012-04-16 | 2018-08-22 | シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー | 炭素酸化物を含有するオフガスを処理するための方法 |
WO2013158161A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Seerstone Llc | Methods and systems for capturing and sequestering carbon and for reducing the mass of carbon oxides in a waste gas stream |
US9896341B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-02-20 | Seerstone Llc | Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution |
US10815124B2 (en) | 2012-07-12 | 2020-10-27 | Seerstone Llc | Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same |
WO2014011631A1 (en) | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Seerstone Llc | Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same |
WO2014011206A1 (en) | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Seerstone Llc | Methods and systems for forming ammonia and solid carbon products |
US9779845B2 (en) | 2012-07-18 | 2017-10-03 | Seerstone Llc | Primary voltaic sources including nanofiber Schottky barrier arrays and methods of forming same |
WO2014085378A1 (en) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Seerstone Llc | Reactors and methods for producing solid carbon materials |
EP3129133A4 (de) | 2013-03-15 | 2018-01-10 | Seerstone LLC | Systeme zur herstellung von festem kohlenstoff durch reduzierung von kohlenstoffoxiden |
WO2014151144A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Seerstone Llc | Carbon oxide reduction with intermetallic and carbide catalysts |
US9783416B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-10 | Seerstone Llc | Methods of producing hydrogen and solid carbon |
US10086349B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-10-02 | Seerstone Llc | Reactors, systems, and methods for forming solid products |
US10115844B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-10-30 | Seerstone Llc | Electrodes comprising nanostructured carbon |
CN105990271B (zh) | 2015-02-26 | 2020-06-05 | 恩智浦美国有限公司 | 具有非水平管芯垫及相应引线框的ic封装 |
US9548255B1 (en) | 2015-08-17 | 2017-01-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | IC package having non-horizontal die pad and flexible substrate therefor |
WO2018022999A1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Seerstone Llc. | Solid carbon products comprising compressed carbon nanotubes in a container and methods of forming same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5872422A (en) * | 1995-12-20 | 1999-02-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon fiber-based field emission devices |
US6280677B1 (en) * | 1997-11-05 | 2001-08-28 | North Carolina State University | Physical property modification of nanotubes |
US6123819A (en) * | 1997-11-12 | 2000-09-26 | Protiveris, Inc. | Nanoelectrode arrays |
-
1998
- 1998-06-16 KR KR1019980022588A patent/KR100277881B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-03-18 US US09/270,825 patent/US6465813B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-12 DE DE19916351A patent/DE19916351C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-14 JP JP11166504A patent/JP3024973B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-17 US US10/244,390 patent/US6677624B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1159761A1 (de) * | 1999-02-22 | 2001-12-05 | Joseph E. Clawson, Jr. | Nanostrukturvorrichtung und gerät |
EP1159761A4 (de) * | 1999-02-22 | 2006-04-19 | Joseph E Clawson Jr | Nanostrukturvorrichtung und gerät |
WO2001057917A2 (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-09 | Xidex Corporation | System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors |
WO2001057917A3 (en) * | 2000-02-07 | 2002-01-03 | Xidex Corp | System and method for fabricating logic devices comprising carbon nanotube transistors |
DE10056282A1 (de) * | 2000-11-14 | 2002-05-23 | Infineon Technologies Ag | Künstliches Neuron, elektronische Schaltungsanordnung und künstliches neuronales Netz |
WO2002054505A2 (en) * | 2001-01-03 | 2002-07-11 | International Business Machines Corporation | System and method for electrically induced breakdown of nanostructures |
WO2002054505A3 (en) * | 2001-01-03 | 2002-11-14 | Ibm | System and method for electrically induced breakdown of nanostructures |
US6706566B2 (en) | 2001-01-03 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes |
CN100347874C (zh) * | 2001-01-03 | 2007-11-07 | 国际商业机器公司 | 电诱发纳米结构击穿的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6465813B2 (en) | 2002-10-15 |
US20030015727A1 (en) | 2003-01-23 |
JP3024973B2 (ja) | 2000-03-27 |
US20020020841A1 (en) | 2002-02-21 |
KR100277881B1 (ko) | 2001-02-01 |
JP2000031465A (ja) | 2000-01-28 |
US6677624B2 (en) | 2004-01-13 |
KR20000002044A (ko) | 2000-01-15 |
DE19916351C2 (de) | 2002-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19916351C2 (de) | Transistor mit Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zum Betreiben eines solchen Transistors | |
DE69836177T2 (de) | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung, die Nanokristalle enthält | |
DE69118052T2 (de) | Verbesserte elektronenübertragung in iii-v-halbleiterphotokathode | |
DE19605670B4 (de) | Aktivmatrixanzeigegerät | |
DE2429705C3 (de) | Schottky-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2545892A1 (de) | Kombiniertes verfahren zur herstellung oxyd-isolierter vertikaler bipolartransistoren und komplementaerer oxyd-isolierter lateraler bipolartransistoren | |
DE2823967C2 (de) | ||
DE3784191T2 (de) | Halbleiterphotodetektor mit schottky-uebergang. | |
DE2932043A1 (de) | Feldgesteuerter thyristor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE69434562T2 (de) | Spannungsgesteuerter Thyristor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE112005003382T5 (de) | Fotodiode mit einem Heteroübergang zwischen halbisolierendem Zinkoxid-Halbleiter-Dünnfilm und Silizium | |
DE2556668B2 (de) | Halbleiter-Speichervorrichtung | |
DE19818518C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2515577A1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem transistor hoher eingangsimpedanz | |
DE2320563B2 (de) | Vierschichttriode | |
DE102006004627B3 (de) | Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE2848925A1 (de) | Lawinen-photodiode mit heterouebergang | |
DE3538175C2 (de) | Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung | |
DE2329697A1 (de) | Lichtemittierende halbleiteranordnung | |
DE2047241A1 (de) | Verfahren zur Herstellung integrer ter Schaltungen | |
DE2752335B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors mit einem vertikalen Kanal | |
DE3010986A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
DE2418560A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE69018430T2 (de) | Photoelektrischer Umwandler. | |
DE1514061A1 (de) | Unipolarhalbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0029730000 Ipc: H01L0029660000 |
|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0029730000 Ipc: H01L0029660000 Effective date: 20131217 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20131101 |