DE19907497C2 - Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Vorrichtungen und Verfahren zur Wärmebe­ handlung von Substraten, die nachfolgend auch als thermische Behandlung bezeichnet wird, mit einer Heizplatte und einer auf die von der Heizplatte ab­ gewandte Oberfläche des Substrats gerichtete, ortsauflösende Temperatur­ meßvorrichtung.
Derartige Vorrichtungen werden beispielsweise im Bereich der Halbleiterindu­ strie im Anschluß an Belackungsvorgänge von Substraten, insbesondere Photomasken, verwendet, um die Substrate zur Aushärtung und chemischen Vorbehandlung der Schichten thermisch zu behandeln. Bei der thermischen Behandlung ist es für die nachfolgende Verwendbarkeit der Substrate wichtig, daß die aufgebrachten Schichten möglichst gleichmäßig und homogen be­ handelt werden. Dabei tritt jedoch das Problem auf, daß aufgrund einer er­ höhten thermischen Abstrahlung eine gleichmäßige thermische Behandlung in den Eckbereichen von rechteckigen Substraten bzw. den Randbereichen von runden Substraten eine gleichmäßige Behandlung nicht gewährleistet werden kann.
Aus der JP-04-239120 A ist einer Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten mit einer Heizplatte, die durch eine einzelne, in Segmenten unterschiedlich ansteuerbare Heizspirale erhitzt wird, bekannt. Die Vorrichtung weist ferner eine auf die von der Heizplatte abgewandte Oberfläche des Sub­ strats gerichtete, ortsauflösende Temperatur-Meßvorrichtung auf. Bei einer derartigen Vorrichtung ergibt sich jedoch das Problem, daß eine gleichmäßige thermische Behandlung der Sub­ strate nicht gewährleistet ist. Insbesondere ergibt sich das Problem, daß die einzelnen Segmente der Heizspirale häufig übersteuert werden, da die durch sie verursachten Heizeffekte am Substrat erst mit einer Verzögerung durch die ortsauflösende Temperaturmeßvorrichtung abgefühlt werden. Daher kommt es zu einem ständigen Über- und Unterschießen der tatsächlich erforderlichen Heiztemperatur durch die unterschiedlichen Segmente der Heizspirale.
Die JP-01-050717 A zeigt eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten mit einer unteren Heizplatte, seitlichen Heizplatten und Tempera­ tursensoren zum Messen der Temperatur der Heizplatten. Die von den Tem­ peratursensoren gemessenen Temperaturen werden an entsprechende Re­ geleinheiten weitergeleitet, um die Heizleistung der Heizplatten zu regeln. Ei­ ne derartige Regeleinheit, die in der Technik vielfach bekannt ist, ermöglicht jedoch keine Anpassung der Heizvorrichtung an die Substrattemperatur und ist somit nur bedingt geeignet, eine homogene thermische Behandlung vorzu­ sehen.
Aus der US-5,715,361 ist eine Schnellheizanlage für Halbleiterwafer bekannt. Die Wafer werden über Heizlampen erhitzt und die Temperatur des Wafers wird durch eine Vielzahl von Pyrometern auf einer Oberfläche des Wafers er­ mittelt. In Abhängigkeit von den ermittelten Temperaturwerten auf der Wafer- Oberfläche werden die einzelnen Heizlampen angesteuert. Bei dieser Vor­ richtung ergeben sich dieselben Probleme, wie sie auch bei der JP-04-239120 A auftreten.
Die US-5,740,016, die jeweils den Oberbegriff der Ansprüche 1 und 12 bildet, zeigt einen temperaturgesteuerten Substrathalter, auf dessen Rückseite eine Vielzahl von Thermo-Elektromodulen vorgesehen ist, die über eine Stromversorgung mit Strom versorgt wird. Eine Infrarotkame­ ra, die auf eine vom Substrathalter abgewandte Oberfläche eines Wafers ge­ richtet ist, mißt die Temperatur über die Waferoberfläche hinweg und gibt die­ se an eine Steuereinheit weiter. In Abhängigkeit von der Temperaturverteilung auf der Waferoberfläche steuert nunmehr die Steuereinheit die Stromversor­ gung so an, daß eine geänderte Ansteuerung der thermoelektrischen Module erreicht wird.
Ähnliche Probleme wie bei der aus der JP 04-239120 A bekannten Vorrichtung sind auch bei dieser Vorrichtung zu erwarten.
Darüber hinaus ist aus der DE 43 20 900 C1 ein alternatives Verfahren zur Re­ gelung eines Aufheizverfahrens bekannt.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine verbes­ serte örtliche Homogenität während einer thermischen Behandlung von Substraten vorzusehen.
Erfindungsgemäß wird die gestellte Aufgabe bei einer Vorrichtung der Ein­ gangs genannten Art durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des An­ spruchs 1 gelöst.
Insbesondere sieht die Erfindung eine Vorrichtung zum thermischen Behan­ deln (Wärmebehandlung) von Substraten mit einer Heizplatte vor, die die fol­ genden Merkmale aufweist: eine Vielzahl von separat ansteuerbaren Heize­ lementen auf der vom Substrat abgewandten Seite der Heizplatte, wenigstens einen Temperatursensor zum Abfühlen der Temperatur der Heizelemente, wenigstens einen mit den Heizelementen und dem wenigstens einen Tempe­ ratursensor in Verbindung stehenden PID-Regler, eine mit der Temperatur- Meßvorrichtung in Verbindung stehende Rechnereinheit, die die Temperatur­ verteilung auf der Substratoberfläche ermittelt, eine mit der Rechnereinheit in Verbindung stehende Prozeßsteuereinheit, die in Abhängigkeit von der Tem­ peraturverteilung Temperatur-Sollwerte für die einzelnen Heizelemente er­ mittelt und an den PID-Regler weiterleitet. Durch eine Vorrichtung mit den obigen Merkmalen wird eine aktive Anpassung von Regelparametern eines Regelkreises anhand externer Meßergebnisse ermöglicht, so daß die Sub­ strate einer homogenen thermischen Behandlung unterzogen werden. Aus den gemessenen Temperaturwerten ergibt sich eine Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche, aus der gegebenenfalls veränderte Temperatur- Sollwerte für die Heizelemente ermittelbar sind. Diese werden in den durch PID-Regler, Heizelemente und Temperatursensor gebildeten Regelkreis ein­ gespeist. Dadurch ist es möglich, die einzelnen Heizelemente derart einzu­ stellen, daß innerhalb des Substrats eine gleichförmige Temperaturverteilung erreicht wird. Insbesondere kann für die Heizelemente in den problematischen Rand- und Kantenbereichen eine höhere Temperatur vorgegeben werden.
Um ein thermisches Übersprechen zwischen den einzelnen Heizelementen zu unterbinden, sind die Heizelemente auf der vom Substrat abgewandten Seite der Heizplatte voneinander beabstandet. Dabei sind die Heizelemente vor­ zugsweise auf Vorsprüngen der Heizplatte angeordnet. Die Form und Anzahl der Heizelemente ist an die Form der zu behandelnden Substrate angepaßt, so daß sie sich vorteilhafterweise entlang der Außenkonturen der zu behan­ delnden Substrate erstrecken. Für eine Vereinfachung der Steuerung besitzen vorzugsweise alle Heizelemente die gleiche Form und Größe.
Für eine optimale Einstellung der an der Erwärmung der problematischen Randbereiche beteiligten Heizelemente ist die Lage des Substrats bezüglich der Heizplatte vorzugsweise in vorgegebene Positionen veränderbar.
Gemäß der Erfindung ist ein PID-Regler pro Heizelement vorgesehen und vorzugsweise sind die Rechnereinheit, die Prozeßsteuereinheit und/oder die PID-Regler in einer Einheit zusammengefaßt.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Temperatur-Meßvorrichtung eine Abtastvorrichtung zum sequentiellen Abtas­ ten der von der Heizplatte abgewandten Seite des Substrats auf, um auf ein­ fache Weise eine ortsaufgelöste Messung der Temperatur der Substratober­ fläche zu erhalten. Dabei weist die Abtastvorrichtung vorzugsweise einen be­ wegbaren Spiegel auf, um ohne die Notwendigkeit, die gesamte Vorrichtung hin und her zu bewegen, das Sichtfeld der Temperatur-Meßvorrichtung über die Substratoberfläche hinwegzubewegen. Vorzugsweise ist die Temperatur- Meßvorrichtung eine Infrarot (IR)-Kamera.
In einer bevorzugten Anwendungsform der Vorrichtung ist das Substrat eine Photomaske.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird bei einem Verfahren zum thermischen Behandeln (Wärmebehandlung) von Substraten gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 12 durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 12 gelöst.
Insbesondere sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum thermischen Behandeln (Wärmebehandlung) von Substraten vor, bei dem das Substrat mit einer Heizplatte beheizt und die Temperatur der von der Heizplatte abge­ wandten Oberfläche des Substrats ortsaufgelöst gemessen wird, und ferner die folgenden Verfahrensschritte vorgesehen sind: Aufheizen der Heizplatte über eine Vielzahl von separat ansteuerbaren Heizelementen, Messen der Temperatur der Heizelemente, Regeln des Aufheizvorgangs mit einem PID- Regler, Ermitteln der Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche in Ab­ hängigkeit von den gemessenen Temperaturen, Ermitteln von Temperatur- Sollwerten für die einzelnen Heizelemente, und Weiterleiten der Temperatur- Sollwerte an den PID-Regler. Bei diesem Verfahren ergeben sich die schon oben genannten Vorteile einer homogenen thermischen Behandlung des Sub­ strats durch aktive Rückkopplung. Dabei werden die einzelnen Heizelemente über einzeln zugeordnete PID-Regler geregelt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die von der Heiz­ platte abgewandte Seite des Substrats bei der Temperaturmessung sequenti­ ell abgetastet, um auf einfache Weise eine ortsaufgelöste Temperatur- Messung zu ermöglichen. Dabei wird die Abtastung vorzugsweise durch Be­ wegen eines Spiegels erreicht.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Temperatur der von der Heizplatte abgewandten Seite des Substrats mit einer IR-Kamera gemessen. Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße Verfahren bei Photomasken eingesetzt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbei­ spiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert; in den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1a eine Ansicht von unten auf eine Heizplatte gemäß der Erfindung und
Fig. 1b eine Seitenansicht der Heizplatte;
Fig. 2 eine Ansicht von oben auf die Heizplatte gemäß Fig. 1 mit dar­ über angeordnetem Substrat;
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines alternativen Ausführungs­ beispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten;
Fig. 4 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrich­ tung zum thermischen Behandeln von Substraten;
Fig. 5 eine graphische Darstellung der Heizplatte mit eingetragenen Ist- und Soll-Temperaturen unterschiedlicher Zonen der Heizplatte.
In den Fig. 1a und 1b sind eine Ansicht von unten sowie eine Seitenansicht einer zonengesteuerten Heizplatte 1 der vorliegenden Erfindung gezeigt.
Die Heizplatte 1 besteht aus einer quadratischen Grundplatte 3 mit einem im wesentlichen rechteckigen Querschnitt. Die Grundplatte 3 besitzt eine erste ebene Oberseite 5 und eine zweite, segmentierte Oberseite 6. Die Oberseite 6 wird durch jeweils vier sich senkrecht zu den Seitenkanten der Heizplatte erstreckende Nuten 7 in insgesamt 25 quadratische Segmente 8 aufgeteilt. Die Tiefe der Nuten 7 entspricht ungefähr der halben Dicke der Grundplatte 3. Auf den quadratischen Segmenten 8 der Heizplatte 3 sind jeweils quadrati­ sche Heizelemente 10 angeordnet, die in geeigneter Weise, wie z. B. durch Verkleben mit den Segmenten 8 der Grundplatte 3 verbunden sind und den Segmenten 8 entsprechende Heizzonen bilden. Durch die Anordnung der Heizelemente 10 auf den jeweiligen durch die Nuten 7 getrennten Segmenten 8 sind sie thermisch voneinander getrennt, so daß sie sich nicht gegenseitig beeinflussen, d. h. daß kein thermisches Übersprechen zwischen den Heize­ lementen auftritt. Über die Grundplatte 3 sind die Heizelemente 10 jedoch ausreichend thermisch miteinander gekoppelt, daß auf der Oberseite 5 der Grundplatte 3 eine homogene Temperaturverteilung ohne eine thermische Ausprägung der einzelnen Heizelemente im thermischen Bild der Oberseite 5 erreicht wird. Jedem Heizelement 10 ist ein nicht gezeigter Temperatursensor in der Form eines Thermoelements zugeordnet, der die IST-Temperatur der Heizelemente 10 mißt. Anstelle der Thermoelemente ist auch die Verwendung anderer, z. B. optischer Temperatursensoren möglich.
Obwohl die Heizplatte 1 als eine einteilige Grundplatte 3 mit darin ausgebil­ deten Nuten 7 zur Segmentierung der Oberseite 6 der Grundplatte 3 be­ schrieben wurde, sei bemerkt, daß die Grundplatte 3 vollständig eben ausge­ bildet sein kann und die Heizelemente 10 direkt oder über Abstandselemente mit der Grundplatte 3 verbunden sind. In gleicher Weise ist die Erfindung nicht auf die Form und Anzahl der Segmente 8 und der Heizelemente 10 be­ schränkt.
Fig. 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf die Heizplatte 1, wobei die in der Draufsicht nicht erkennbaren Nuten 7 und Heizelemente 10 schematisch angedeutet sind. Oberhalb der Heizplatte 1 ist ein Substrat 12 in zwei unter­ schiedlichen Positionen bezüglich der Heizplatte dargestellt. Bei der ersten, zentrierten Position des Substrats 12 überdeckt es die mittleren neun der ins­ gesamt 25 Heizzonen der Heizplatte 1. Daher sind bei einer thermischen Be­ handlung des Substrats im wesentlichen nur diese neun Zonen beteiligt und von Interesse. Bei der zweiten Position des Substrats 12 überdeckt dieses, zumindest in Teilbereichen, insgesamt 16 Heizzonen der Heizplatte 1, so daß bei einer thermischen Behandlung des Substrats 12 diese 16 Heizzonen be­ teiligt und von Interesse wären. Durch die Darstellung dieser zwei Positionen wird deutlich, daß durch die Positionswahl des Substrats die Anzahl der bei der thermischen Behandlung beteiligten Heizelemente variiert und auf ein Op­ timum angepaßt werden kann.
Fig. 4 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung 15 zum thermi­ schen Behandeln des Substrats 12. Die thermische Behandlungsvorrichtung 15 umfaßt die in den Fig. 1 und 2 dargestellte Heizplatte 1 zum thermischen Behandeln des Substrats 12. Die ebene Oberseite 5 der Grundplatte 3 der Heizplatte 1 ist benachbart zu einem zu behandelnden Substrat 12, z. B. mit einem Abstand zwischen 0,1 und 0,5 mm, angeordnet. Das Substrat wird bei­ spielsweise auf vier nicht dargestellten Halterungen über der Heizplatte 1 ge­ halten. Oberhalb der Heizplatte 1 und des Substrats 12 ist eine Temperatur- Meßvorrichtung 17 in der Form einer Infrarot-Kamera angeordnet. Die Infra­ rot-Kamera 17 ist auf eine von der Heizplatte 1 abgewandte Oberseite 18 des Substrats 12 gerichtet. Die Infrarot-Kamera 17 beinhaltet eine nicht näher dargestellte Scan-Vorrichtung mit einem bewegbaren Spiegel, über den se­ quentiell die gesamte Oberfläche 18 des Substrats 12 abgetastet wird. Über die Scan-Vorrichtung wird ein ortsaufgelöstes Bild der Temperaturverteilung der Oberseite 18 des Substrats 12 erzeugt, wobei die gesamte Oberfläche beispielsweise einmal pro Sekunde abgetastet wird.
Die Infrarot-Kamera 17 ist über eine Datenleitung 20 mit einer Rechnereinheit in der Form eines PC's 22 verbunden. Innerhalb des PC's werden die von der IR-Kamera erhaltenen Meßwerte verarbeitet und eine räumliche Temperatur­ verteilung auf der Oberfläche 18 des Substrats 12 ermittelt. Anhand dieser Temperaturverteilungsdaten, die an eine Prozeßsteuerung 24 weitergeleitet werden, ermittelt diese Temperatur-Sollwerte für die Heizelemente 10.
Diese Temperatur-Sollwerte werden an zugeordnete PID-Regler 26 weitergeleitet, die jeweils mit den einzelnen Heizelementen 10 und den Temperatursensoren ver­ bunden sind und mit diesen einen Regelkreis bilden. Die PID-Regler regeln die Heizleistung der einzelnen Heizelemente 10 anhand der durch die Prozeß­ steuerung vorgegebenen Temperatur-Sollwerte und der durch die Tempera­ tursensoren gemessenen Temperatur-Istwerte. Somit wird auf den Regelkreis bestehend aus PID-Reglern 26, Heizelementen 10 und Temperatursensoren in bestimmter geregelter Weise durch Vorgabe der Temperatur-Sollwerte die Abhängigkeit der Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche ermittelt werden. Insofern besteht zu dem Regelkreis aus PID-Reglern 26, Heizelemen­ ten 10 und Temperatursensoren ein übergeordneter Regelkreis.
Diese aktive Regelung wird während der gesamten thermischen Behandlung des Substrats 12, insbesondere auch in der Aufheizphase durchgeführt, wobei die einzelnen Heizelemente jeweils derart geregelt werden, daß auf der Ober­ seite 18 des Substrats 12 eine homogene gleichförmige Temperaturverteilung erreicht wird. Die einzelnen Heizelemente werden beispielsweise in einem Temperaturbereich von 20°C bis 400°C stufenlos geregelt.
Fig. 3 zeigt eine alternative Ausführungsform der Vorrichtung 15, wobei der einzige Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 darin besteht, daß den Heizelementen 10 ein in einer Einheit zusammengefasster PID-Regler 26 zugeordnet ist.
Fig. 5 zeigt eine graphische Darstellung der Heizplatte 1, wobei die jeweils gemessenen Ist-Temperaturen der Heizelemente innerhalb eines ersten hel­ len Kästchens 28 angegeben sind. Die jeweils in Abhängigkeit von der Tem­ peraturverteilung auf der Oberseite 18 des Substrats 12 von der Prozeßsteue­ rung vorgegebenen Soll-Werte sind für die einzelnen Heizelemente in Käst­ chen 29 angegeben.
Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung beschrieben, ohne jedoch auf die spezielle Ausführungsform beschränkt zu sein. Beispielsweise könnte die Heizplatte eine andere, wie z. B. eine runde Form, mit runden oder Kreissegmenten bildenden Heizele­ menten aufweisen. Statt einer Infrarot-Kamera könnte auch eine andere, orts­ auflösende Temperatur-Meßvorrichtung verwendet werden. Darüber hinaus ist es auch möglich, die Rechnereinheit, die Prozeßsteuerung und/oder die PID- Regler innerhalb einer einzelnen Einheit auszubilden.

Claims (16)

1. Vorrichtung (15) zur Wärmebehandlung von Substraten (12) mit
einer Heizplatte (1), die ein Substrat (12) beheizt,
einer Vielzahl von separat ansteuerbaren Heizelementen (10) auf der vom Substrat (12) abgewandten Seite (6) der Heizplatte (1), und
einer auf die von der Heizplatte (1) abgewandte Oberfläche (18) des Substrats (12) gerichteten, ortsauflösenden Temperatur-Meßvorrich­ tung (17), für die Ermittlung der Temperaturverteilung auf der Sub­ stratoberfläche (18),
dadurch gekennzeichnet, dass
jedem Heizelement (10) wenigstens ein Temperatursensor zum Ab­ fühlen seiner Temperatur zugeordnet ist,
jeweils ein PID-Regler (26) mit einem Heizelement (10) und dem ihm zu­ geordneten Temperatursensor in Verbindung steht,
eine Rechnereinheit (22) mit der Temperatur-Meßvorrichtung (17) in Verbindung steht und die Temperaturverteilung auf der Substrat­ oberfläche (18) ermittelt, und
eine Prozeßsteuereinheit (24) mit der Rechnereinheit (22) in Verbin­ dung steht und in Abhängigkeit von der Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche (18) Temperatur-Sollwerte für die einzelnen Hei­ zelemente (10) ermittelt und an die jeweiligen PID-Regler (26) weiterleitet.
2. Vorrichtung (15) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizelemente (10) auf der vom Substrat (12) abgewandten Seite (6) der Heizplatte (1) voneinander beabstandet sind.
3. Vorrichtung (15) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizelemente (10) auf Vorsprüngen (8) der Heizplatte (1) angeord­ net sind.
4. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Form und Anzahl der Heizelemente (10) an die Form der zu behandelnden Substrate (12) angepaßt ist.
5. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizelemente (10) jeweils die gleiche Form und Größe besitzen.
6. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lage des Substrats (12) bezüglich der Heiz­ platte (1) zwischen vorgegebenen Positionen veränderbar ist.
7. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Rechnereinheit (22), die Prozeßsteuereinheit (24) und/oder die PID-Regler (26) in einer Einheit zusammengefaßt sind.
8. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur-Meßvorrichtung (17) eine Ab­ tastvorrichtung zum sequentiellen Abtasten der von der Heizplatte (1) abgewandten Seite des Substrats (12) aufweist.
9. Vorrichtung (15) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Abtastvorrichtung einen bewegbaren Spiegel aufweist.
10. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur-Meßvorrichtung (17) eine IR- Kamera ist.
11. Vorrichtung (15) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) eine Photomaske ist.
12. Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten (12) mit den Schrit­ ten:
  • - Aufheizen eines Substrats (12) mit einer Heizplatte (1), die über eine Vielzahl von separat ansteuerbaren Heizelementen (10) auf der vom Substrat (12) abgewandten Seite (6) der Heizplatte (1) beheizt wird, und
  • - ortsaufgelöstes Messen der Temperatur der von der Heizplatte (1) abgewandten Oberfläche (18) des Substrats (12),
dadurch gekennzeichnet, dass
die Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche (18) in Abhängigkeit von den gemessenen Temperaturen ermittelt wird;
Temperatur-Sollwerte für die einzelnen Heizelemente (10) in Abhän­ gigkeit von der Temperaturverteilung auf der Substratoberfläche (18) er­ mittelt und an einen jedem Heizelement (10) zugeordneten PID-Regler (26) übermittelt werden,
die Ist-Temperatur jedes Heizelements (10) gemessen und an den ihm zugeordneten PID-Regler (26) übermittelt wird,
der Aufheizvorgang durch die PID-Regler (26) geregelt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Heizplatte (1) abgewandten Oberfläche (18) des Substrats (12) bei der Temperaturmessung sequentiell abgetastet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch Bewegen eines Spiegels.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeich­ net, daß die Temperatur der von der Heizplatte (1) abgewandten Ober­ fläche (18) des Substrats (12) mit einer IR-Kamera (17) gemessen wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeich­ net, daß das Substrat (12) eine Photomaske ist.
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