JPH032912A - 温度制御方法 - Google Patents
温度制御方法Info
- Publication number
- JPH032912A JPH032912A JP1137181A JP13718189A JPH032912A JP H032912 A JPH032912 A JP H032912A JP 1137181 A JP1137181 A JP 1137181A JP 13718189 A JP13718189 A JP 13718189A JP H032912 A JPH032912 A JP H032912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- control
- error
- fall
- rise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009699 differential effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、例えば熱板の温度制御に使用して好適な温
度制御方法に関する。
度制御方法に関する。
例えば、半導体製造工程のフォトリングラフイー工程に
おいては、フォトレジストの塗布前に、フォトレジスト
膜の塗布が円滑に行われるようにするため、ウェーハを
所定の設定温度に加熱する処理をしたり、フォトレジス
ト塗布後に、レジスト中の溶媒を除去し、レジストを重
合させてフォトレジスト膜を固化させるなめにウェーハ
を所定温度に加熱する処理をしたりする。 このように、ウェーハを所定の設定温度に加熱する場合
、従来−船釣には、内部に発熱抵抗体を備えた金属板か
らなる熱板上に半導体ウェーハを載置してこの熱板を通
じて熱を与えることにより行なっている。このとき、熱
板はウェーハが設定された温度になるように温度制御方
法によって温度調整される。
おいては、フォトレジストの塗布前に、フォトレジスト
膜の塗布が円滑に行われるようにするため、ウェーハを
所定の設定温度に加熱する処理をしたり、フォトレジス
ト塗布後に、レジスト中の溶媒を除去し、レジストを重
合させてフォトレジスト膜を固化させるなめにウェーハ
を所定温度に加熱する処理をしたりする。 このように、ウェーハを所定の設定温度に加熱する場合
、従来−船釣には、内部に発熱抵抗体を備えた金属板か
らなる熱板上に半導体ウェーハを載置してこの熱板を通
じて熱を与えることにより行なっている。このとき、熱
板はウェーハが設定された温度になるように温度制御方
法によって温度調整される。
この種の温度制御器としては、−船釣には第４図に示す
ような、ＰＩＤコントローラ等の線形制御器が用いられ
る。 すなわち、第４図において、被温度制御部材１の温度ｙ
は、例えば熱電対等の温度センサにより検知され、その
検知された温度ｙが誤差検出器２で設定温度と比較され
、その比較誤差（＝設定温度−現在温度）が、ＰＩＤコ
ントローラ３に供給される。このＰＩＤコントローラ３
は、比例動作（Ｐ）、積分動作（Ｉ）、微分動作（Ｄ）
を組み合わせたもので、温度誤差ｅから被温度制御部材
１に与える操作量（電力）Ｕを、 ・ ・ ・ （１） から求め、これにより′ｔＬ温度制御部材１の温度をコ
ントロールする。 この場合、従来のＰＩＤコントローラは、比例項の定数
にｐ、積分項の定数にｉ、微分項の定数Ｋｄを定めるこ
とにより、第５図に示すような、これら定数Ｋｐ、にｉ
、 Ｋｄに応じた一定の傾きの線形特性を有する。
ような、ＰＩＤコントローラ等の線形制御器が用いられ
る。 すなわち、第４図において、被温度制御部材１の温度ｙ
は、例えば熱電対等の温度センサにより検知され、その
検知された温度ｙが誤差検出器２で設定温度と比較され
、その比較誤差（＝設定温度−現在温度）が、ＰＩＤコ
ントローラ３に供給される。このＰＩＤコントローラ３
は、比例動作（Ｐ）、積分動作（Ｉ）、微分動作（Ｄ）
を組み合わせたもので、温度誤差ｅから被温度制御部材
１に与える操作量（電力）Ｕを、 ・ ・ ・ （１） から求め、これにより′ｔＬ温度制御部材１の温度をコ
ントロールする。 この場合、従来のＰＩＤコントローラは、比例項の定数
にｐ、積分項の定数にｉ、微分項の定数Ｋｄを定めるこ
とにより、第５図に示すような、これら定数Ｋｐ、にｉ
、 Ｋｄに応じた一定の傾きの線形特性を有する。
【発明が解決しようとする課題）
ところで、前述した半導体ウェーハの加熱用の熱板は、
昇温原理は抵抗発熱であるのに対し、降温原理は自然冷
却であるので、上記のような線形制御器を用いて温度制
御すると、昇温変化特性（昇温勾配）と降温変化特性（
降温勾配）とは異なってしまう。 このため、上記のＰＩＤコントローラ等の線形制御器を
そのまま熱板の制御に使用した場合、次のような不都合
を生じる。 すなわち、被温度制御部材の設定温度付近での温度変化
の状態を微視的に見ると、昇温と降温とを繰り返し、熱
板温度が設定温度となるように発熱体への供給電力が調
節される。このとき、昇温変化特性と降温変化特性とが
ほぼ等しければ、線形制御であっても熱板温度の平均値
と設定温度とは十分な制度で一致する。 ところが、例えば実際に熱板の温度を単に線形制御する
と、昇温変化特性と降温変化特性とは一般に異なるため
、熱板温度の平均値は第６図に示すように、設定温度と
誤差Δを生じ、設定温度にならない。 その理由は次のように説明できる。すなわち、温度制御
には時間遅れがあるが、昇温変化特性と降温変化特性と
が異なると、この時間遅れの間に生じる温度変化が昇温
時とＶｊｈ温時とで異なる。したかって、例えば昇温変
化の勾配が降温変化の勾配よりも急峻であるときは、第
６図に示すように、設定温度よりも熱板温度の平均値は
上昇してしまうのである。 また、このように昇温変化特性が降温変化特性よりも急
峻であるときは、設定温度を大きく変更したときに、そ
の過渡応答として生じる熱板温度のオーバーシュートか
大きくなりやすい欠点もある。 この発明は、以上の欠点を改善したもので、昇温、降温
制御特性に応じた適切な温度制御を達成し得るようにし
た温度制御方法を提供するものである。 【課題を解決するための手段】 昇温原理と降温原理とが異なる被温度制御部材の温度を
、線形温度制御器を用いて自動制御する温度制御方法に
おいて、 上記被温度制御部材の現在温度と設定温度との誤差が、
正のときと負のときとで、上記線形温度制御器の制御特
性を上記昇温原理及び降温原理に応じて変えるようにし
たことを特徴とする。
昇温原理は抵抗発熱であるのに対し、降温原理は自然冷
却であるので、上記のような線形制御器を用いて温度制
御すると、昇温変化特性（昇温勾配）と降温変化特性（
降温勾配）とは異なってしまう。 このため、上記のＰＩＤコントローラ等の線形制御器を
そのまま熱板の制御に使用した場合、次のような不都合
を生じる。 すなわち、被温度制御部材の設定温度付近での温度変化
の状態を微視的に見ると、昇温と降温とを繰り返し、熱
板温度が設定温度となるように発熱体への供給電力が調
節される。このとき、昇温変化特性と降温変化特性とが
ほぼ等しければ、線形制御であっても熱板温度の平均値
と設定温度とは十分な制度で一致する。 ところが、例えば実際に熱板の温度を単に線形制御する
と、昇温変化特性と降温変化特性とは一般に異なるため
、熱板温度の平均値は第６図に示すように、設定温度と
誤差Δを生じ、設定温度にならない。 その理由は次のように説明できる。すなわち、温度制御
には時間遅れがあるが、昇温変化特性と降温変化特性と
が異なると、この時間遅れの間に生じる温度変化が昇温
時とＶｊｈ温時とで異なる。したかって、例えば昇温変
化の勾配が降温変化の勾配よりも急峻であるときは、第
６図に示すように、設定温度よりも熱板温度の平均値は
上昇してしまうのである。 また、このように昇温変化特性が降温変化特性よりも急
峻であるときは、設定温度を大きく変更したときに、そ
の過渡応答として生じる熱板温度のオーバーシュートか
大きくなりやすい欠点もある。 この発明は、以上の欠点を改善したもので、昇温、降温
制御特性に応じた適切な温度制御を達成し得るようにし
た温度制御方法を提供するものである。 【課題を解決するための手段】 昇温原理と降温原理とが異なる被温度制御部材の温度を
、線形温度制御器を用いて自動制御する温度制御方法に
おいて、 上記被温度制御部材の現在温度と設定温度との誤差が、
正のときと負のときとで、上記線形温度制御器の制御特
性を上記昇温原理及び降温原理に応じて変えるようにし
たことを特徴とする。
設定温度と現在温度との温度誤差の正、負により温度制
御特性が変えられるので、昇温変化特性と降温変化特性
とを、昇温原理と降温原理との違いに対応して変えるこ
とができ、最適な温度制御を行なうことかできる。
御特性が変えられるので、昇温変化特性と降温変化特性
とを、昇温原理と降温原理との違いに対応して変えるこ
とができ、最適な温度制御を行なうことかできる。
以下、この発明の一実施例を、前述したフォトリソグラ
フィー工程において、熱板を用いて半導体ウェーハを加
熱するベーキング工程に適用した場合を例にとって、図
を参照しながら説明する。 第１図において、１１は熱板で、金属板からなり、その
内部には発熱抵抗体１２が埋め込まれている。この熱板
１１の上には半導体ウェーハ１３が載置されており、所
定温度（例えは溶媒を除去してフォトレジストを固化す
る場合には、例えば１００℃程度）に加熱制御されるよ
うにされている。 熱板１１の発熱抵抗体１２には、例えば商用交流電源１
４からスイッチング素子、この例ではＳＳＲ（Ｓｏｌｉ
ｄ ５ｔａｔｅ Ｒｅ１ａｌ／ ） １５を介して電力
が供給される。この場合、５ＳＲ１５は、後述する温度
制御回路且からのＰＷＭ信号信号Ｓ上ってスイッチング
制御され、発熱抵抗体１２には信号ＳＭのパルス幅に応
じた時間分たけ交流電流が流れ、発熱抵抗体１２はその
供給電力に応じて発熱する。したがって、ＰＷＭ信号信
号Ｓ上ルス幅を変えることによって発熱抵抗体１２に供
給される信号ＳＭの１周期Ｔ当たりの電力を調節し、熱
板１１の温度を制御することができる。例えは、信号Ｓ
Ｍの１周期Ｔにおけるパルス幅Ｗが１／２Ｔ、つまりデ
ユーティ比５０％時の、熱板１１の温度を基準にしたと
き、第２図Ａに示すように、信号ＳＭのパルス幅Ｗか１
／２Ｔより広くなれば、供給電力量は大となって、熱板
１１の温度は上昇し、逆に、第２図Ｂに示すように、信
号ＳＭのパルス幅Ｗが１／２Ｔより狭くなれば、供給電
力量が小となって、熱板１１の温度は降下する。 熱板１１のウェーハ１３の載置面近傍には、例えば熱電
対からなる温度センサ１６が設けられ、その検知温度に
応じた出力信号が誤差検出回路１７に供給される。誤差
検出口＃１１７には、温度設定手段１８からの予め設定
された温度（例えば１００℃）に応じた信号か供給され
る。この誤差検出回路１７からは、〈設定温度）−（セ
ンサ１６で検知された熱板１１の現在温度）＝温度誤差
ｅが得られる。この温度誤差ｅは温度制御図！ｉ２０に
供給される。 この温度制御図′＃１２０は、この例ではＰＩＤコント
ロールを行なうものであるか、その制御特性が以下のよ
うに温度誤差ｅの正負に応じて変更される。 すなわち、温度誤差ｅは、温度制御回路２０の演算部２
１及び温度誤差正負判別回路２２に供給される。 演算部２１は、前述しなＰＩＤコントローラの操作量Ｕ
を求める式（１）の演算を行なうが、この式（１）にお
ける各定数にｐ、 Ｋｉ、 Ｋｄが、次のようにして温
度誤差ｅの正負により変更される。 すなわち、温度誤差正負判別回路２２では、温度誤差ｅ
が正であるか、負であるか判別され、その判別出力によ
りスイッチ回路２３が切り換えられる。そして、温度誤
差ｅが正（昇温時）には、スイッチ回路２３は入力端Ａ
側に切り替えられ、昇温時の定数記憶手段２４からの各
定数Ｋ（１１、に１１、にｄｌがスイッチ回路２３を介
して、演算部２１に供給され、演算部２１では昇温時の
供給電力制御量Ｕ１か求められる。 また、温度誤差ｅが負（降温時）には、スイッチ回路２
３は入力＃ＡＢ側に切り替えられ、降温時の定数記憶手
段２５からの各定数Ｋｐ２、に１２、にｄ２がスイッチ
回路２３を介して演算部２１に供給され、演算部２１で
は降温時の供給電力制御ｉＵ２が求められる。 この場合、定数Ｋｐ１、に１１、にｄｌによる昇温時の
温度制御特性は第３図において実線２７で示すような傾
きとなり、一方、定数Ｋｐ２、に１２、にｄ２による降
温時の温度制御特性は第３図において、実線２８で示す
傾きとなり、昇温原理である抵抗発熱と、降温原理であ
る自然冷却との違いに応じて昇温時の制御特性か降温時
の制御特性よりも緩い傾斜を有するようにされている。 ここで、実線２７で示した傾き及び実線２８で示した傾
きは、例えば温度誤差ｅに対する熱板１１での昇温時の
温度変化特性と、降温時の温度変化特性とがほぼ一致す
るように定められている。 こうして、演算部２１で求められた供給電力制御量Ｕは
、ＰＷＭ信号形成回路２６に供給されて、供給電力制御
量に応じたパルス幅の信号ＳＭに一変換される。そして
、このＰＷＭ信号信号Ｓ上前述したように５ＳＲ１５に
供給されて、発熱抵抗体１２への周期Ｔ当たりの供給電
力量が制御され、熱板１１の温度制御が行われる。 こうして、温度制御回路且において、温度誤差に応じた
発熱抵抗体１２への供給電力量の演算時、その温度誤差
ｅの正負により、各定数にｐ、にｉ、にｄを切り替える
ことにより、熱板１１の昇温時の温度変化特性と降温時
の温度変化特性をほぼ一致させることかでき、十分な精
度で設定温度に熱板温度を制御することができると共に
、オーバーシュートの低減も実現する。 なお、第１図例はディスクリート回路で温度制御回路を
構成した場合であるか、温度制御回路ｌ旦は、コンピュ
ータを用いて容易に構成することもできる。 また、以上の例では昇温変化特性と降温変化特性とが一
致するように、温度誤差の正負に応じて制御特性を変更
したが、両者を一致させるのではなく、それぞれの変化
特性を所望のものにするように制御するようにしてもよ
い。 また、以上の例は、この発明を半導体ウェーハを所定温
度に加熱制御する際の熱板の温度制御に適用した場合を
例にとって説明したが、この発明は、昇温原理と降温原
理が異なり、単なる線形制御では昇温時と降温時とで温
度変化特性が異なってしまう場合の全ての温度制御に適
用することができる。 また、加熱方式として熱板を発熱抵抗体で加熱する方式
について説明したが、これに限るものではなく、例えば
赤外線や紫外線ランプを用いなランプ加熱や誘電加熱、
誘導加熱などを用いても良い。 さらに、線形制御はＰＩＤ制御に限らず、ＩＰＤ制御そ
の他の線形制御であってもよいことはいうまでもない。 また、さらに、この発明は、加熱制御の場合に限らず、
所定温度に冷却制御する場合にも同様にて供給すること
ができる。
フィー工程において、熱板を用いて半導体ウェーハを加
熱するベーキング工程に適用した場合を例にとって、図
を参照しながら説明する。 第１図において、１１は熱板で、金属板からなり、その
内部には発熱抵抗体１２が埋め込まれている。この熱板
１１の上には半導体ウェーハ１３が載置されており、所
定温度（例えは溶媒を除去してフォトレジストを固化す
る場合には、例えば１００℃程度）に加熱制御されるよ
うにされている。 熱板１１の発熱抵抗体１２には、例えば商用交流電源１
４からスイッチング素子、この例ではＳＳＲ（Ｓｏｌｉ
ｄ ５ｔａｔｅ Ｒｅ１ａｌ／ ） １５を介して電力
が供給される。この場合、５ＳＲ１５は、後述する温度
制御回路且からのＰＷＭ信号信号Ｓ上ってスイッチング
制御され、発熱抵抗体１２には信号ＳＭのパルス幅に応
じた時間分たけ交流電流が流れ、発熱抵抗体１２はその
供給電力に応じて発熱する。したがって、ＰＷＭ信号信
号Ｓ上ルス幅を変えることによって発熱抵抗体１２に供
給される信号ＳＭの１周期Ｔ当たりの電力を調節し、熱
板１１の温度を制御することができる。例えは、信号Ｓ
Ｍの１周期Ｔにおけるパルス幅Ｗが１／２Ｔ、つまりデ
ユーティ比５０％時の、熱板１１の温度を基準にしたと
き、第２図Ａに示すように、信号ＳＭのパルス幅Ｗか１
／２Ｔより広くなれば、供給電力量は大となって、熱板
１１の温度は上昇し、逆に、第２図Ｂに示すように、信
号ＳＭのパルス幅Ｗが１／２Ｔより狭くなれば、供給電
力量が小となって、熱板１１の温度は降下する。 熱板１１のウェーハ１３の載置面近傍には、例えば熱電
対からなる温度センサ１６が設けられ、その検知温度に
応じた出力信号が誤差検出回路１７に供給される。誤差
検出口＃１１７には、温度設定手段１８からの予め設定
された温度（例えば１００℃）に応じた信号か供給され
る。この誤差検出回路１７からは、〈設定温度）−（セ
ンサ１６で検知された熱板１１の現在温度）＝温度誤差
ｅが得られる。この温度誤差ｅは温度制御図！ｉ２０に
供給される。 この温度制御図′＃１２０は、この例ではＰＩＤコント
ロールを行なうものであるか、その制御特性が以下のよ
うに温度誤差ｅの正負に応じて変更される。 すなわち、温度誤差ｅは、温度制御回路２０の演算部２
１及び温度誤差正負判別回路２２に供給される。 演算部２１は、前述しなＰＩＤコントローラの操作量Ｕ
を求める式（１）の演算を行なうが、この式（１）にお
ける各定数にｐ、 Ｋｉ、 Ｋｄが、次のようにして温
度誤差ｅの正負により変更される。 すなわち、温度誤差正負判別回路２２では、温度誤差ｅ
が正であるか、負であるか判別され、その判別出力によ
りスイッチ回路２３が切り換えられる。そして、温度誤
差ｅが正（昇温時）には、スイッチ回路２３は入力端Ａ
側に切り替えられ、昇温時の定数記憶手段２４からの各
定数Ｋ（１１、に１１、にｄｌがスイッチ回路２３を介
して、演算部２１に供給され、演算部２１では昇温時の
供給電力制御量Ｕ１か求められる。 また、温度誤差ｅが負（降温時）には、スイッチ回路２
３は入力＃ＡＢ側に切り替えられ、降温時の定数記憶手
段２５からの各定数Ｋｐ２、に１２、にｄ２がスイッチ
回路２３を介して演算部２１に供給され、演算部２１で
は降温時の供給電力制御ｉＵ２が求められる。 この場合、定数Ｋｐ１、に１１、にｄｌによる昇温時の
温度制御特性は第３図において実線２７で示すような傾
きとなり、一方、定数Ｋｐ２、に１２、にｄ２による降
温時の温度制御特性は第３図において、実線２８で示す
傾きとなり、昇温原理である抵抗発熱と、降温原理であ
る自然冷却との違いに応じて昇温時の制御特性か降温時
の制御特性よりも緩い傾斜を有するようにされている。 ここで、実線２７で示した傾き及び実線２８で示した傾
きは、例えば温度誤差ｅに対する熱板１１での昇温時の
温度変化特性と、降温時の温度変化特性とがほぼ一致す
るように定められている。 こうして、演算部２１で求められた供給電力制御量Ｕは
、ＰＷＭ信号形成回路２６に供給されて、供給電力制御
量に応じたパルス幅の信号ＳＭに一変換される。そして
、このＰＷＭ信号信号Ｓ上前述したように５ＳＲ１５に
供給されて、発熱抵抗体１２への周期Ｔ当たりの供給電
力量が制御され、熱板１１の温度制御が行われる。 こうして、温度制御回路且において、温度誤差に応じた
発熱抵抗体１２への供給電力量の演算時、その温度誤差
ｅの正負により、各定数にｐ、にｉ、にｄを切り替える
ことにより、熱板１１の昇温時の温度変化特性と降温時
の温度変化特性をほぼ一致させることかでき、十分な精
度で設定温度に熱板温度を制御することができると共に
、オーバーシュートの低減も実現する。 なお、第１図例はディスクリート回路で温度制御回路を
構成した場合であるか、温度制御回路ｌ旦は、コンピュ
ータを用いて容易に構成することもできる。 また、以上の例では昇温変化特性と降温変化特性とが一
致するように、温度誤差の正負に応じて制御特性を変更
したが、両者を一致させるのではなく、それぞれの変化
特性を所望のものにするように制御するようにしてもよ
い。 また、以上の例は、この発明を半導体ウェーハを所定温
度に加熱制御する際の熱板の温度制御に適用した場合を
例にとって説明したが、この発明は、昇温原理と降温原
理が異なり、単なる線形制御では昇温時と降温時とで温
度変化特性が異なってしまう場合の全ての温度制御に適
用することができる。 また、加熱方式として熱板を発熱抵抗体で加熱する方式
について説明したが、これに限るものではなく、例えば
赤外線や紫外線ランプを用いなランプ加熱や誘電加熱、
誘導加熱などを用いても良い。 さらに、線形制御はＰＩＤ制御に限らず、ＩＰＤ制御そ
の他の線形制御であってもよいことはいうまでもない。 また、さらに、この発明は、加熱制御の場合に限らず、
所定温度に冷却制御する場合にも同様にて供給すること
ができる。
この発明によれは、設定温度と被温度制御部材の現在温
度との温度誤差に応じて、線形制御器の制御特性を変更
して、見掛上非線形制御器を構成することにより、昇温
原理と降温原理とが異なっていても、昇温特性及び降温
特性に応じた適切な温度制御を行なうことができる。
度との温度誤差に応じて、線形制御器の制御特性を変更
して、見掛上非線形制御器を構成することにより、昇温
原理と降温原理とが異なっていても、昇温特性及び降温
特性に応じた適切な温度制御を行なうことができる。
第１図はこの発明による温度制御方法の一実施例のブロ
ック図、第２図はその制御波形を説明するだめの図、第
３図はその制御特性を示す図、第４図はＰＩＤコントロ
ーラによる温度制御の概要を説明するための図、第５図
はＰＩＤコントローラの制御特性を示す図、第６図は従
来の温度制御方法による設定温度付近の温度変化状態を
説明するための図である。 １１；熱板 １２：発熱抵抗体 １６；温度センサ １７；誤差検出回路 且；温度制御回路 ２１：演算部 ２２：温度誤差の正負判別回路 ２３；スイッチ回路 ２４；昇温時の定数記憶手段 ２５；降温時の定数記憶手段 実鐙例 第１図 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 ＰＷＭｌｌ、１１臂阪静 第２図 制御特糀 第３図 第 図 第 図
ック図、第２図はその制御波形を説明するだめの図、第
３図はその制御特性を示す図、第４図はＰＩＤコントロ
ーラによる温度制御の概要を説明するための図、第５図
はＰＩＤコントローラの制御特性を示す図、第６図は従
来の温度制御方法による設定温度付近の温度変化状態を
説明するための図である。 １１；熱板 １２：発熱抵抗体 １６；温度センサ １７；誤差検出回路 且；温度制御回路 ２１：演算部 ２２：温度誤差の正負判別回路 ２３；スイッチ回路 ２４；昇温時の定数記憶手段 ２５；降温時の定数記憶手段 実鐙例 第１図 代理人 弁理士 佐 藤 正 美 ＰＷＭｌｌ、１１臂阪静 第２図 制御特糀 第３図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 昇温原理と降温原理とが異なる被温度制御部材の温度を
、線形温度制御器を用いて自動制御する温度制御方法に
おいて、 上記被温度制御部材の現在温度と設定温度との誤差が正
のときと負のときとで、上記線形温度制御器の制御特性
を上記昇温原理及び降温原理に応じて変えるようにした
ことを特徴とする温度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137181A JPH032912A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 温度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1137181A JPH032912A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 温度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032912A true JPH032912A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15192704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1137181A Pending JPH032912A (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 温度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH032912A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191394B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treating apparatus |
| JP2002538501A (ja) * | 1999-02-22 | 2002-11-12 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | 基板を熱的に処理するための装置および方法 |
| WO2003081648A1 (fr) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede d'exposition, et procede de fabrication du dispositif |
| JP2009530719A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ヴァルコ インスツルメンツ カンパニー， インク． | 適応型温度調節装置 |
| CN108594899A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-28 | 杭州智乎物联科技有限公司 | 一种基于反馈调温的温控系统及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111311A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ヒ−ト・ク−ル制御装置 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1137181A patent/JPH032912A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62111311A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | ヒ−ト・ク−ル制御装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002538501A (ja) * | 1999-02-22 | 2002-11-12 | ステアーグ ハマテヒ アクチエンゲゼルシャフト | 基板を熱的に処理するための装置および方法 |
| US6191394B1 (en) | 1999-05-19 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd. | Heat treating apparatus |
| WO2003081648A1 (fr) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede d'exposition, et procede de fabrication du dispositif |
| JPWO2003081648A1 (ja) * | 2002-03-22 | 2005-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
| US7116396B2 (en) | 2002-03-22 | 2006-10-03 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method and device manufacturing method |
| JP4505668B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
| JP2009530719A (ja) * | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ヴァルコ インスツルメンツ カンパニー， インク． | 適応型温度調節装置 |
| CN108594899A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-09-28 | 杭州智乎物联科技有限公司 | 一种基于反馈调温的温控系统及方法 |
| CN108594899B (zh) * | 2018-05-10 | 2023-08-29 | 杭州智乎物联科技有限公司 | 一种基于反馈调温的温控系统及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109863584B (zh) | 用于热系统的功率转换器 | |
| KR910000850B1 (ko) | 증기압력식 조리기구의 열제어조절장치 | |
| US5151871A (en) | Method for heat-processing semiconductor device and apparatus for the same | |
| CA1053338A (en) | Two-level temperature control for induction heating apparatus | |
| JP3305501B2 (ja) | 温度制御方法 | |
| JP3555609B2 (ja) | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 | |
| JP3929699B2 (ja) | 高効率超純度流体ヒータのための要求予測制御システム | |
| JPH032912A (ja) | 温度制御方法 | |
| JPS59158415A (ja) | 加熱素子の熱効率調整回路 | |
| TW201637077A (zh) | 熱處理裝置及熱處理方法 | |
| JP2688628B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP2002297245A (ja) | 制御装置、温度調節器および熱処理装置 | |
| KR100392760B1 (ko) | 히터로의 공급 전력을 제어하는 제어장치 | |
| JP3970596B2 (ja) | 定着器の熱源の電力供給装置 | |
| JPH0128571B2 (ja) | ||
| JPS58197525A (ja) | 温度制御装置 | |
| JPS58145084A (ja) | 発熱体の温度制御方式 | |
| JPS60238913A (ja) | 加熱調理器の被加熱物温度制御方法 | |
| JPS61272474A (ja) | デイ−ゼルエンジンのグロ−プラグ制御装置 | |
| JPH064150A (ja) | ヒータ温度制御装置 | |
| JPS5914293A (ja) | 誘導加熱真空溶解炉の温度制御装置 | |
| JP2005293480A (ja) | 熱板の温度制御装置 | |
| JPH03169367A (ja) | 加熱装置 | |
| JPS61193395A (ja) | 電磁調理器 | |
| JP2024025629A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 |