DE19859468C2 - Vorrichtung zum Behandeln und Handhaben von Substraten - Google Patents

Vorrichtung zum Behandeln und Handhaben von Substraten

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrich­ tung zum Behandeln und Handhaben von Substraten in einem Fluidbehälter mit einer über den Fluidbehälter bringbaren Substrat- Aufnahmeeinrichtung mit wenigstens einem Paar seitlicher Führungselemente.
Bei Fertigungsprozessen, insbesondere in der Halbleiter­ industrie ist es notwendig, Substrate mit einem Behand­ lungsfluid zu behandeln. Ein Beispiel hierfür ist die Naßbehandlung von Substraten bei der Chipfertigung.
Aus der EP 0 385 536 B1 und der DE 197 03 646 A1 sind Vor­ richtungen zur Naßbehandlung von Substraten in einem ein Behandlungsfluid enthaltenden Behälter beschrieben, bei der die Substrate zusammen mit einem Substratträger in den Behälter einsetzbar sind. Die Substrate, z. B. Halb­ leiterwafer, werden über eine Absenk- und Anhebeinrich­ tung in den das Behandlungsfluid enthaltenden Behälter gebracht und dann mit dem Behandlungsfluid behandelt. Nach der Naßbehandlung werden die Halbleiterwafer mittels einer messerartigen Vorrichtung aus dem Behandlungsfluid herausbewegt und beispielsweise gemäß dem aus der EP-B-0 385 536 bekannten Marangoni-Verfahren getrocknet, um nachfolgend in einer oberhalb des Behälters befindli­ chen Haube mit seitlichen Führungen für die Wafer auf­ genommen zu werden. Bei diesen Vorrichtungen sind die Becken sowie die Hauben jeweils für die Behandlung von Substraten mit bestimmten Abmessungen, wie z. B. Halb­ leiterwafern mit Durchmessern von 65 mm, 84 mm, 95 mm, 130 mm oder 200 mm, ausgelegt.
Bei den bekannten Vorrichtungen wäre es zur Erhöhung der Flexibilität wünschenswert, Substrate mit unterschiedli­ chen Abmessungen behandeln zu können. Grundsätzlich ist dies auch möglich, wobei in einer Vorrichtung natürlich nur Substrate behandelt werden können, deren Abmessungen kleiner oder gleich den Abmessungen der Substrate sind, für welche die Vorrichtung ausgelegt ist. Dabei würden Halbleiterwafer mit kleineren Durchmessern genauso wie Halbleiterwafer mit größeren Durchmessern mit den jewei­ ligen Substratträgern in den Behälter abgesenkt und aus diesem herausgehoben. Beim Herausheben der Substrate aus dem Behandlungsfluid und der Aufnahme in der Haube ergibt sich jedoch das Problem, daß für Wafer mit unterschiedli­ chen Abmessungen unterschiedliche Hauben vorgesehen wer­ den müssen, damit die Wafer innerhalb der Haube geführt werden.
Aus der JP 2-46727 A ist ferner eine Greifvorrichtung zum Greifen von Halbleiterwafern bekannt, die zwei separat betätigbare und somit relativ zueinander bewegbare Paare von Greifarmen aufweist, die über einen Betätigungsmechanismus mit den Wafern in Kontakt gebracht und von diesen gelöst werden können. Während des Betriebs der Vorrichtung wird der Greifer in ein mit Fluid gefülltes Becken eingetaucht und ein unteres der Greiferpaare wird geschlossen, um die Wafer zu greifen. Anschließend wird der Greifer angehoben, bis das obere Paar der Greifer oberhalb der Fluid­ oberfläche liegt. Anschließend wird das obere Greifer­ paar geschlossen, um die Wafer zu Greifen und das untere Greiferpaar wird geöffnet. Nun werden die Wafer vollständig aus dem Behandlungsfluid angehoben. Dieser Komplizierte Greifmechanismus ist vorgesehen, um sicherzustellen, daß die Greifer während des Durch­ tritts durch die Fluidoberfläche nicht mit dem Wafer in Kontakt stehen, da sich an der Kontaktfläche zwischen Greifer und Wafer Fluid ansammeln könnte, was die Trocknung des Wafers beeinträchtigt.
Die JP 5-36668 A zeigt einen Substratgreifer ähnlich dem oben beschriebenen, bei dem jedoch zusätzlich neben den zwei Paaren von Greifern ein starres Paar von Aufnahmeelementen vorgesehen ist, um ein oberes Ende der Substrate aufzunehmen.
Aus der JP 2-90522 A ist ein Wafergreifer bekannt, der aus einem oberen Paar von starren Aufnahmeelementen und einem beweglichen Paar von unteren Greifern besteht.
Die JP 7-169731 A zeigt einen Wafercarrier zum Halten von Halbleiterwafern in einem Behandlungsfluid, der ein unteres Halteelement sowie zwei seitliche, verstellbare Halteelemente aufweist, um Wafer mit unterschiedlichen Durchmessern aufzunehmen.
Ausgehend von den bekannten Vorrichtungen liegt der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine einfache und effiziente Vorrichtung zum Behandeln und Handhaben von Substraten in einem Fluidbehälter mit einer über den Fluidbehälter bringbaren Substrat-Aufnahmeeinrichtung mit wenigstens einem Paar seitlicher Führungselemente zu schaffen, bei der die Substrat-Aufnahmeeinrichtung auf besonders einfache Weise in der Lage ist Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern aufzunehmen und sicher zu führen.
Die Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, daß die Füh­ rungselemente durch Kontakt mit den Substraten und durch ihre Bewegung relativ zueinander beweglich sind. Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß sich die Führungselemente ohne separate Betätigungs- und Steuermechanismen auto­ matisch an die Größe und Kontur des Substrats anpassen. Die Vorrichtung ermöglicht somit auf einfache Weise, daß Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen aufgenommen und geführt werden können.
Vorteilhafterweise ist ein zweites Paar relativ zueinan­ der bewegbarer Führungselemente vorgesehen um über einen größeren Bereich hinweg eine Führung und somit eine bessere Stabilität vorzusehen. Dabei liegt vorteilhafterwei­ se das zweite Paar von Führungselementen oberhalb des ersten Paars von Führungselementen. Die Führungselemente jedes Paars sind im wesentlichen aufeinander zu und von­ einander weg bewegbar, um Substrate mit unterschiedlich großen Abmessungen aufzunehmen und eine Bewegung der Führungselemente entlang des Außenumfangs der Substrate zu ermöglichen.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind die Füh­ rungselemente in Führungsbahnen der Substrat-Aufnahmeein­ richtung geführt, die vorzugsweise eine Haube ist, bei der die Führungsbahnen in Stirnseiten der Haube ausgebil­ det sind. Durch die Führung der Führungselemente in Füh­ rungsbahnen der Haube ergibt sich eine relativ einfache und unkomplizierte Führung der Führungselemente, welche die Relativbewegung der Führungselemente vorgibt.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung sind die Führungselemente wenigstens eines Paars um einen gemeinsamen Drehpunkt schwenkbar gelagert, wobei der gemeinsame Drehpunkt vorzugsweise oberhalb der Füh­ rungselemente liegt. Durch die schwenkbare Lagerung er­ gibt sich eine besonders einfache Ausgestaltung für die Relativbewegung der Elemente, wobei für ein Paar der Füh­ rungselemente vorzugsweise ein gemeinsamer Drehpunkt ver­ wendbar ist. Bei einer anderen Ausführungsform der Erfin­ dung sind die Führungselemente wenigstens eines Paars um getrennte Drehpunkte schwenkbar, um eine bestimmte Form der Schwenkbewegung, wie z. B. eine relativ flache, zu erreichen.
Vorteilhafterweise ist der Drehpunkt bzw. sind die Dreh­ punkte des ersten Paars der Führungselemente am höchsten Punkt innerhalb der Substrat-Aufnahmeeinrichtung angeord­ net, um eine Relativbewegung der Substrate relativ flach, d. h. mit einer möglichst geringen Höhenkomponente vorzu­ sehen. Dabei ist es auch von Vorteil, wenn sich die Füh­ rungselemente nahe der Oberfläche eines Behandlungsfluids befinden, damit die sich aus dem Behandlungsfluid heraus­ bewegenden Substrate möglichst früh durch die Führungs­ elemente aufgenommen und geführt werden. Der Drehpunkt bzw. die Drehpunkte des zweiten Paars der Führungselemen­ te liegt bzw. liegen vorteilhafterweise unterhalb des Drehpunkts bzw. Drehpunkte des ersten Paars der Führungs­ elemente, um eine besondere Lage der Führungselemente bei einem vollständig in der Substrat-Aufnahmeeinrichtung aufgenommenen Substrate zu ermöglichen.
Vorteilhafterweise sind Verbindungsschenkel zwischen den Führungselementen und den Drehpunkten vorgesehen, wobei die Verbindungsschenkel des ersten Paars der Führungsele­ mente länger sind als die des zweiten Paars. Hierdurch wird insbesondere in Kombination mit der Lage der Dreh­ punkte ein relativ flaches Schwenkverhalten des ersten Paars der Führungselemente kurz oberhalb einer Oberfläche eines Behandlungsfluids sichergestellt. Beim zweiten Paar der Führungselemente wird sichergestellt, daß die Füh­ rungselemente bei vollständig aufgenommenen Substraten im wesentlichen auf bzw. etwas unterhalb einer horizontalen Mittellinie der Substrate liegen. Dadurch ergibt sich ein besonders guter und sicherer Halt der Substrate.
Um die in einer Substrat-Aufnahmeeinrichtung aufgenomme­ nen Substrate zu halten, ist wenigstens ein Paar der seitlichen Führungselemente verriegelbar. Dadurch kann auf einfache Weise erreicht werden, daß die Substrate sicher in der Aufnahmeeinrichtung gehalten werden, um z. B. gemeinsam mit der Aufnahmeeinrichtung transportiert zu werden, ohne daß ein zusätzliches Verriegelungselement notwendig wäre.
Für eine gleichmäßige Führung der Substrate durch die Führungselemente sind die Führungselemente wenigstens eines Paars symmetrisch bezüglich einer Mittelebene der Substrat-Aufnahmeeinrichtung angeordnet.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung sind die Führungselemente wenigstens eines Paars zueinander vorgespannt, wobei die Vorspannung vorzugswei­ se durch das Eigengewicht der Führungselemente, d. h. durch Schwerkraft, erreicht wird. Falls die Schwerkraft­ wirkung nicht ausreicht, sind die Führungselemente vor­ teilhafterweise zusätzlich mittels einer Feder zueinander vorgespannt.
Um zu ermöglichen, daß sich die Führungselemente jedes Paars von Führungselementen leicht durch einfaches Ein­ führen der Substrate auseinander bewegen, sind die Füh­ rungselemente in Ihrer Ruheposition mit einem kleinsten Abstand beabstandet. Dadurch wird sichergestellt, daß die Substrate gut zwischen die Führungselemente eingeführt werden können, um sie dann auseinander zu bewegen.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung sind die Führungselemente Stäbe mit einer Viel­ zahl von Führungsschlitzen, wobei die Stäbe vorteilhaf­ terweise walzenförmig ausgeführt sind, so daß sich ein einfacher Aufbau der Führungselemente ergibt. Vorteilhaf­ terweise sind die Führungsschlitze in den Führungselemen­ ten umlaufend ausgebildet, so daß eine besondere Ausrich­ tung der Führungselemente bezüglich eines aufzunehmenden bzw. zu führenden Substrats nicht notwendig ist.
Um Reibungen zwischen den Führungselementen und einem zu führenden Substrat zu vermeiden bzw. zu verringern, sind die Führungselemente vorzugsweise um ihre Längsachse drehbar.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 ein Vorrichtung in schematischer Darstellung zum Behandeln von Substraten mit einer Substrat-Aufnahmeeinrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 eine Substrat-Aufnahmeeinrichtung in schemati­ scher Darstellung gemäß einem zweiten Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 eine Substrat-Aufnahmeeinrichtung in schemati­ scher Darstellung gemäß einem weiteren Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 4a-d eine schematische Abfolge der Aufnahme- und Führungswirkung der erfindungsgemäßen Substrat- Aufnahmeeinrichtung;
Fig. 5 in schematischer Darstellung die Positionen von Wafern mit unterschiedlichen Durchmessern vor dem Ausheben aus einem Behandlungsfluid, sowie die Ruheposition der Substrat-Aufnahmeeinrich­ tung.
Gemäß Fig. 1 weist eine Vorrichtung 1 zur Behandlung von Substraten 2 ein Becken 3 sowie eine über dem Becken 3 befindliche Haube 4 zur Aufnahme der Substrate 2 auf. Das Becken 3 wird durch einen im wesentlichen V-förmigen Bo­ den 5 sowie daran anschließende Seitenwänden 6 und 7 ge­ bildet. Im Boden 5 sind Düsen 9 sowie ein Ablauf 10 zum Ein- bzw. Ableiten eines Behandlungsfluids, wie z. B. DI- Wasser, vorgesehen.
Die Oberkanten der Seitenwänden 6 und 7 bilden jeweils einen Überlauf 12 bzw. 13, der die maximale Füllhöhe des Beckens 3 definiert. Das über die Überläufe 12 und 13 strömendes Behandlungsfluid wird in bekannter Art und Weise abgeleitet.
Innerhalb des Beckens 3 befindet sich eine Anheb- und Absenkvorrichtung 20 für einen Substratträger 23 sowie ein messerartiges Element 25, das nachfolgend als Messer bezeichnet wird. Der Substratträger 23 und das Messer 25 können separat angehoben und abgesenkt werden, wie es aus dem Stand Technik bekannt ist. Eine Anheb- und Absenkvor­ richtung 20 die dazu geeignet ist, ist beispielsweise in der auf dieselbe Anmelderin zurückgehenden, nicht vorveröffentlichten DE 197 37 802 A1 beschrieben. Um Wiederholungen zu vermeiden wird der Inhalt der DE 197 37 802 A1 insofern zum Gegen­ stand dieser Anmeldung gemacht.
In dem Substratträger 23 können in Blickrichtung hinter­ einander mehrere Wafer 2 (von denen nur einer in der Figur zu sehen ist) aufgenommen und durch Schlitze auf­ weisende Stäbe 30 getragen werden.
In Fig. 1 ist gezeigt, wie das Messer 25 mit dem unter­ sten Punkt eines Wafers 2 in Kontakt steht und den Wafer 2 auf die in der DE 197 37 802 A1 beschriebene Art aus dem .Substratträger 23 heraus und teilweise in die nachfolgend näher beschriebene Haube 4 hinein bewegt hat.
Die Oberhalb des Beckens 3 befindliche Haube 4 weist eine Zuführung 32 für IPA ein Gas oder ein Gasgemisch auf, das für die Trocknung der Wafer 2 gemäß dem aus der oben ge­ nannten EP 0 385 536 B1 bekannten Marangoni-Verfahren vor­ gesehen ist.
Die Haube 4 weist zur seitlichen Führung der Substrate 2 in ihrem Innenraum ein erstes Paar von Führungsstäben 35, 36 sowie ein zweites Paar von Führungsstäben 39, 40 auf. Die Führungsstäbe 35, 36 und 39, 40 weisen jeweils nicht näher dargestellte umlaufende Führungsschlitze auf.
Die Führungsstäbe 35, 36 des ersten Paars sind über Ver­ bindungsschenkel 45 bzw. 46 schwenkbar an einem Bolzen 47 angebracht, der seinerseits an einer Stirnwand der Haube 4 befestigt ist. Die Lage des Bolzens 47 und die Länge der Verbindungsschenkel 45 bzw. 46, welche die Schwenk­ bewegung der Führungsstäbe definiert, ist derart gewählt, daß eine Schwenkbewegung der Führungsstäbe 45, 46 um den Bolzen 47 relativ flach und nahe der Fluidoberfläche ge­ halten wird.
Die Führungsstäbe 39, 40 sind in gleicher Weise über Ver­ bindungsschenkel 49 bzw. 50 schwenkbar an einem Bolzen 51 angebracht, der wiederum an einer Stirnwand der Haube 4 befestigt ist. Der Bolzen 51 liegt höhenmäßig unterhalb des Bolzens 47 und die Länge der Verbindungsschenkel 49, 50 ist kürzer als die der Verbindungsschenkel 45, 46. Die Lage des Bolzens 51 und die Länge der Verbindungsschenkel 49, 50 ist derart gewählt, daß die Führungsstäbe 39, 40 höhenmäßig über den Führungsstäben 35, 36 liegen und daß die Führungsstäbe 39, 40 bei einem in der Haube aufgenom­ menen Wafer auf bzw. kurz unterhalb einer horizontalen Mittellinie der Wafer liegen.
Die Führungsstäben 35, 36 und/oder die Führungsstäbe 39, 40 sind drehbar um ihre Längsachse an den Verbindungs­ schenkeln gelagert, und sie sind derart verriegelbar, daß die in der Haube 4 aufgenommenen Wafer 2 allein durch die Führungsstäben 35, 36 und/oder die Führungsstäbe 39, 40 gehalten werden.
Fig. 2 zeigt schematisch ein alternatives Ausführungs­ beispiel der Erfindung, bei dem Paare von Führungsstäben 55, 56 und 59, 60 gleitend in Führungsbahnen 62, 63 bzw. 65, 66 aufgenommen sind, die an gegenüberliegenden Stirn­ wänden 67 (von denen nur eine schematisch gezeigt ist) einer alternativen Haube 68 ausgebildet sind. Obwohl die Führungsbahnen gebogen dargestellt sind, können sie auch linear sein, und insbesondere die unteren Führungsbahnen könnten waagerecht ausgebildet sein um eine Führung der Substrate möglichst nahe der Fluidoberfläche beizubehal­ ten. In diesem Fall könnten die Führungselemente durch Federn oder andere geeignete Mittel zueinander vorge­ spannt werden.
Fig. 3 zeigt schematisch ein weiteres alternatives Aus­ führungsbeispiel der Erfindung, bei dem Führungsstäbe 75, 76, 79 und 80 schwenkbar an jeweiligen Bolzen 81, 82, 83 und 84 angebracht sind. Die Bolzen 81 bis 84 sind jeweils an gegenüberliegenden Stirnwänden 87 (von denen nur eine schematisch gezeigt ist) einer alternativen Haube 88 an­ gebracht.
Wie die Wafer in der Haube aufgenommen und geführt werden wird nachfolgen für einen bestimmten Waferdurchmesser an­ hand der schematischen Abfolge der Fig. 4a bis d er­ klärt. Die Fig. 4a bis d zeigen den Ablauf bei einer Vor­ richtung gemäß Fig. 1. Die hintereinander liegenden Wafer 2 werden durch ein nicht dargestelltes Messer aus einem Behandlungsfluid herausgehoben, dessen Oberfläche mit dem Bezugszeichen 90 versehen ist.
Wie in Fig. 4a zu sehen ist, werden die Oberkanten der Wafer 2 dabei mit dem ersten Paar der Führungsstäbe 35, 36 in Kontakt gebracht und in deren Führungsschlitzen aufgenommen.
Wie in Fig. 4b zu sehen ist, werden die Wafer 2 bei einer weitergehenden Anhebbewegung durch die Führungsstäbe 35, 36 des ersten Paars seitlich geführt. Dabei werden die Führungsstäbe 35, 36 durch die Wafer 2 auseinander ge­ drückt. Ferner wird die Oberkante der Wafer 2 mit dem zweiten Paar der Führungsstäbe 39, 40 in Kontakt gebracht und in deren Führungsschlitzen aufgenommen. Die Wafer 2 werden nun von beiden Paaren der Führungsstäbe seitlich geführt, während sie beide Paare auseinander drücken.
Wenn, wie in Fig. 4c zu sehen ist, das erste Paar der Führungsstäbe eine horizontale Mittellinie der Wafer 2 überquert, gleiten die Führungsstäbe 35, 36 entlang einer Unterseite der Wafer 2. Die Führungsstäbe 35, 36 bewegen sich aufgrund der Schwerkraftwirkung aufeinander zu, wäh­ rend sie weiterhin die Wafer 2 führen.
Wie in Fig. 4d gezeigt ist, werden die Wafer 2 noch wei­ ter angehoben, bis sie vollständig aus der Behandlungs­ flüssigkeit herausgehoben sind. Dabei werden die Wafer 2 so weit angehoben, daß auch die Führungsstäbe 39, 40 die horizontale Mittellinie der Wafer 2 überqueren und ent­ lang der Unterseite der Wafer 2 gleiten. Ferner werden die Wafer so weit angehoben, daß sie nur noch durch das zweite, d. h. das obere Paar der Führungsstäbe 39, 40 ge­ führt sind.
Natürlich können die Wafer auch nur so weit angehoben werden, daß sie gerade aus dem Behandlungsfluid heraus­ gehoben sind und trotzdem noch von beiden Paaren der Füh­ rungsstäbe geführt sind. In dieser oder in der Position gemäß Fig. 4d wird wenigstens eines der Paare der Füh­ rungsstäbe durch eine nicht näher dargestellte Vorrich­ tung, wie z. B. einen Anschlagstift, verriegelt, damit sich die Führungsstäbe nicht mehr auseinander bewegen können. Das Messer wird zurückgefahren und die Wafer 2 werden sicher durch die Führungselemente in der Haube 4 gehalten. Dadurch können die Wafer gegebenenfalls mit der Haube transportiert werden oder nachfolgend wieder in den (mittlerweile getrockneten) Substratträger 23 abgesetzt werden.
Zum Entnehmen und Absenken der Wafer 2 wird das Messer in Kontakt mit den Wafern 2 bewegt, und die Verriegelung der Führungsstäbe gelöst, wodurch die Wafer wieder durch das Messer getragen werden. Beim nachfolgenden Absenken der Wafer werden diese wiederum durch die Führungsstäbe geführt. Dabei erfolgt die Relativbewegung zwischen den Wafern und den Führungsstäben in umgekehrter Reihenfolge zu der oben beschriebenen.
Fig. 5 zeigt schematisch die Waferpositionen von Wafern mit unterschiedlichen Durchmessern vor dem Ausheben aus dem Behandlungsfluid. Die Führungsstäbe sind in ihren Ruhepositionen gezeigt, die voneinander beabstandet sind, damit die Wafer zwischen die Führungsstäbe eingeführt werden können, um sie dann auseinander zu drücken. Wie in Fig. 5 zu sehen ist, können Wafer mit unterschiedlichsten Durchmessern in der Haube aufgenommen und geführt werden.
Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der Erfindung erläutert. Dem Fachmann sind jedoch zahlreiche Abwandlungen und Ausgestaltungen möglich, ohne daß dadurch der Erfindungsgedanke verlassen wird. Neben anderen Formen der Behandlungsvorrichtung so­ wie der Hauben sind insbesondere ist auch eine Kombina­ tion der unterschiedlichen Führungseinrichtungen für die Führungsstäbe derart möglich, daß z. B. ein Paar der Füh­ rungsstäbe um einen gemeinsamen Drehpunkt gelagert ist, während ein anderes Paar um getrennte Drehpunkte gelagert ist. Anstatt der dargestellten und beschriebenen Füh­ rungsstäbe könnten ferner relativ bewegliche Wandelemente mit Führungsschlitzen vorgesehen werden. Die Vorspannung der Führungselemente zueinander kann anstelle der Federn auch durch eine pneumatische Einrichtung, die z. B. Druckluft oder N2 verwendet, erfolgen.

Claims (22)

1. Vorrichtung (1) zum Behandeln und Handhaben von Substraten (2) in einem Fluidbehälter (3) mit einer über den Fluidbe­ hälter (3) bringbaren Substrat-Aufnahmeeinrichtung (4, 68, 88) mit wenigstens einem Paar seitlicher Führungselemente (35, 36; 55, 56; 75, 76), dadurch gekennzeichnet, daß die Führungselemente (35, 36; 55, 56; ' 75, 76) durch Kontakt mit den Substraten und durch ihre Bewegung relativ zueinander bewegbar sind.
2. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein zweites Paar durch Kontakt mit den Substraten und durch ihre Bewegung relativ zueinander bewegbarer seitlicher Führungselemente (39, 40; 59, 60; 79, 80).
3. Vorrichtung (1) nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das zweite Paar von Führungselementen (39, 40; 59, 60; 79, 80) oberhalb des ersten Paars von Führungselementen (35, 36; 55, 56; 75, 76) an­ geordnet ist.
4. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76; 39, 40; 59, 60; 79, 80) jedes Paars im wesentlichen aufeinander zu und voneinander weg bewegbar sind.
5. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (55, 56, 59, 60) in Führungsbahnen (62, 63, 65, 66) der Substrat-Aufnahmeeinrichtung (68) ge­ führt sind.
6. Vorrichtung (1) nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Substrat-Aufnahmeeinrichtung (68) eine Haube ist, und daß die Führungsbahnen (62, 63, 65, 66) in Stirnseiten (67) der Haube ausgebildet sind.
7. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36, 39, 40) wenigstens eines Paars um einen gemeinsamen Drehpunkt (47, 51) schwenkbar sind.
8. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (75, 76, 79, 80) wenigstens eines Paars um getrennte Drehpunkte (81, 82, 83, 84) schwenkbar sind.
9. Vorrichtung (1) nach Anspruch 7 oder 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der gemeinsame Drehpunkt (47, 51) bzw. die getrennten Drehpunkte (81, 82, 83, 84) oberhalb der Führungselemente liegt bzw. liegen.
10. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Drehpunkt (47) bzw. die Drehpunkte (81, 82) des ersten Paars der Führungselemente (35, 36; 75, 76) am höchsten Punkt innerhalb der Substrat-Aufnahme­ einrichtung (4; 88) angeordnet ist bzw. sind.
11. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Drehpunkt (51) bzw. die Drehpunkte (83, 84) des zweiten Paars der Führungselemente unterhalb des Drehpunkts (47) bzw. der Drehpunkte (81, 82) des ersten Paars der Führungselemente angeordnet ist bzw. sind.
12. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche 7-11, gekennzeichnet durch Verbindungs­ schenkel (45, 46; 49, 50) zwischen den Führungs­ elementen (35, 36; 39, 40) und den Drehpunkten (47; 51).
13. Vorrichtung (1) nach Anspruch 12, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verbindungsschenkel des ersten Paars der Führungselemente länger sind als die des zweiten Paars.
14. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Paar der seitlichen Führungselemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) verriegelbar ist.
15. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) wenigstens eines Paars symmetrisch be­ züglich einer Mittelebene der Substrat-Aufnahmeein­ richtung (4, 68, 88) angeordnet sind.
16. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) wenigstens eines Paars zueinander vor­ gespannt sind.
17. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente mittels einer Feder zueinander vorgespannt sind.
18. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) jedes Paars in ihrer Ausgangsstellung mit einem kleinsten Abstand beabstandet sind.
19. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) Stäbe mit einer Vielzahl von Führungs­ schlitzen sind.
20. Vorrichtung (1) nach Anspruch 19 dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stäbe walzenförmig sind.
21. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungsschlitze in den Führungselementen (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) umlaufend ausgebildet sind.
22. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Führungs­ elemente (35, 36; 55, 56; 75, 76 bzw. 39, 40; 59, 60; 79, 80) um ihre Längsachse drehbar sind.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10034744B4 (de) 1999-08-26 2012-05-24 Schaeffler Technologies Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Bestimmung des von einer Reibungskupplung eines mit einem Antriebsmotor gekoppelten Lastschaltgetriebes übertragenen Moments
DE10127042A1 (de) * 2001-06-02 2002-12-12 Astec Halbleitertechnologie Gm Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246727A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Fujitsu Ltd 純水引き上げ乾燥用支持方法
JPH0290522A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Toshiba Corp ウエハ洗浄用のウエハハンドリング装置
JPH0536668A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Toshiba Corp 半導体基板乾燥方法
EP0385536B1 (de) * 1989-02-27 1994-09-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach Behandlung in einer Flüssigkeit
DE19703646A1 (de) * 1996-04-22 1997-10-23 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5301700A (en) * 1992-03-05 1994-04-12 Tokyo Electron Limited Washing system
JP2888409B2 (ja) * 1993-12-14 1999-05-10 信越半導体株式会社 ウェーハ洗浄槽
US6041938A (en) * 1996-08-29 2000-03-28 Scp Global Technologies Compliant process cassette
KR100226489B1 (ko) * 1996-12-28 1999-10-15 김영환 웨이퍼 지지 및 이송 기구

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0246727A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Fujitsu Ltd 純水引き上げ乾燥用支持方法
JPH0290522A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Toshiba Corp ウエハ洗浄用のウエハハンドリング装置
EP0385536B1 (de) * 1989-02-27 1994-09-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten nach Behandlung in einer Flüssigkeit
JPH0536668A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Toshiba Corp 半導体基板乾燥方法
DE19703646A1 (de) * 1996-04-22 1997-10-23 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 7-169731 A. In: Patent Abstracts of Japan *

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